「contact region」に関連した英語例文の一覧と使い方(21ページ目) - Weblio英語例文検索

The detection method of the hydrophobic region of the target substance includes a process for bringing the target substance capable of forming the hydrophobic region into contact with a chemiluminescent substance and a process for measuring chemiluminescence.例文帳に追加

疎水部位を形成し得る標的物質と化学発光物質とを接触させる工程、及び化学発光を測定する工程を含む、標的物質の疎水部位を検出する方法。 - 特許庁

To provide a semiconductor device including a bonding pad, capable of controlling a probe contact region and a bonding region in a clearly distinguishing manner.例文帳に追加

ボンディングパッドを備えた半導体装置において、プローブ接触領域とボンディング領域を明瞭に区別して管理することができるボンディングパッドを有した半導体装置を提供する。 - 特許庁

Thereafter, a low-resistance semiconductor film to be a source/drain region and an inter- layer insulation film are successively formed, a contact hole to the source/drain region is opened, and a source/drain electrode is formed.例文帳に追加

この後、ソース／ドレイン領域となる低抵抗半導体膜、層間絶縁膜を順次形成し、ソース／ドレイン領域へのコンタクトホールを開孔して、ソース／ドレイン電極を形成する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device, the storage density of which is increased by optimizing a contact hole formation region in a backing region, and to provide a method of manufacturing the nonvolatile semiconductor memory device.例文帳に追加

裏打ち領域におけるコンタクトホール形成領域を最適化することにより、記憶密度が向上された不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

The dummy trench gate 32 is disposed with an interval from the trench gate 24, to a depth with which at least the first semiconductor region 8 and second semiconductor region 10 come into contact with each other.例文帳に追加

ダミートレンチゲート３２は、少なくとも第１半導体領域８と第２半導体領域１０が接する深さにおいて、トレンチゲート２４から間隔をおいて配置されている。 - 特許庁

A top contact layer 30 is provided at a region shallower than a region where the layer 20 is provided and is overlapped on the layer 20 in plan view of a substrate surface 101.例文帳に追加

トップコンタクト層３０はＥＳＤサージ回収層２０よりも浅い領域に設けられており、基板表面１０１の平面視においてＥＳＤサージ回収層２０に重なっている。 - 特許庁

At four corner parts of the n-type semiconductor layer region 130, a p type impurity diffusion region 170 is formed so that at least a part of it is in contact with the dielectric separation film 120.例文帳に追加

ｎ−型半導体層領域１３０の四隅部には誘電体分離膜１２０に少なくともその一部が接するようにｐ型不純物拡散領域１７０が形成される。 - 特許庁

A patterned insulating layer is formed on the SiGe base region and moreover, an emitter is formed on the patterned insulating layer and comes into contact with the SiGe base region through an emitter window aperture.例文帳に追加

ＳｉＧｅベース領域上にパターン化絶縁層が形成され、更にエミッタがパターン化絶縁層上に形成されて、エミッタ・ウィンドウ開口を通じて、ＳｉＧｅベース領域と接触する。 - 特許庁

The plate material 40 and the peripheral region 1d are melted by the irradiation of the laser beam 15, and contact parts of the peripheral region 1d and an inner face of the injection passage 2c are welded.例文帳に追加

このレーザ光１５の照射により、板材４０及び周辺領域１ｄが溶解し、周辺領域１ｄと注入路２ｃの内面との当接部分が溶接される。 - 特許庁

The heat diffuser formed on the drain region 4 is provided with a metal layer 13 electrically connected with a pad and a contact 12 connecting the drain region 4 and the metal layer 13.例文帳に追加

ドレイン領域４上に形成された熱拡散部は、パッドと電気的に接続されている金属層１３、及びドレイン領域４と金属層１３とを接続するコンタクト１２を有する。 - 特許庁

When the code disk is rotated, infrared radiation from the low emissivity region 2 and the high emissivity region 3 is detected by non-contact infrared sensors 1a, 1b.例文帳に追加

このコードディスクが回転しているときは、低輻射率領域２と高輻射率領域３からの赤外線輻射が赤外線センサ１ａ、１ｂにより非接触で検出される。 - 特許庁

When the user touches the display region 51 in such a status that the user does not touch the drag mode designation region 54, the processing corresponding to the buttons or menus or the like of the contact position is executed.例文帳に追加

ドラッグモード指定領域５４にユーザが接触していない状態で表示領域５１に接触した場合、接触位置のボタン又はメニュー等に応じた処理を行う。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having an electrode coming into excellent ohmic contact with both a p-type region and an n-type region exposed on a surface of an Si semiconductor layer.例文帳に追加

Ｓｉ半導体層の表面に露出しているp型領域とn型領域の両者と良好なオーミック接触をする電極を備えている半導体装置を提供する。 - 特許庁

At the low layer part of a p-type well layer 5, heavily doped p^+ type region 11 is provided at a position deeper than a trench 3 (element isolation part and so as to connect a contact region 10 from a transistor part.例文帳に追加

ｐ型ウェル層５の下層部において、トレンチ３（素子分離部）よりも深い位置で、かつ、トランジスタ部からコンタクト領域１０を繋ぐように高濃度のｐ^+型領域１１を備える。 - 特許庁

Consequently, the center region R1a which is not in contact with a voltage withstanding structure region R2 is lowest in breakdown voltage BV (R1a) compared with other regions, and the semiconductor device is broken down here.例文帳に追加

これにより、耐圧構造領域Ｒ２に接していない中央領域Ｒ１ａの耐圧ＢＶ（Ｒ１ａ）が他の領域と比べて最も低くなり、ここでブレークダウンさせられる。 - 特許庁

A drain region (30a5) and the first conductive layer are connected through a contact hole (33) opened in an insulating film on at least partly mutually overlapping part in an intersection region.例文帳に追加

ドレイン領域（３０ａ５）及び第１導電層は、交差領域内で、少なくとも部分的に互いに重なる部分にて、絶縁膜に開孔されたコンタクトホール（３３）を介して接続されている。 - 特許庁

The packaging substrate 1 is provided with a packaging region face 2 for packaging an electronic component 11 on the packaging substrate 1 and an insulating region face 3 for preventing a contact between the packaged electronic components 11.例文帳に追加

実装基板１には電子部品１１が実装される実装領域面２と、実装された電子部品１１同士の接触を防止する絶縁領域面３とが設けられている。 - 特許庁

When a capacitor connected with a source region 3 of a cell transistor TR is formed, an interlayer dielectric 8 is formed and a contact hole 8D for opening the source region 3 is formed therein.例文帳に追加

セルトランジスタＴＲのソース領域３に接続するキャパシタを形成する際に、層間絶縁膜８を形成し、これにソース領域３を開口するコンタクトホール８Ｄを形成する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an array substrate for improving the contact resistance in a transmissive region and the reflectivity properties in a reflective region of a translucent liquid crystal display.例文帳に追加

半透過型液晶表示装置の透過領域でのコンタクト抵抗を改善させ、反射領域での反射率特性を改善させることができるアレイ基板製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device reducing the bird's beak generated at the position where the gate oxide films of a high-voltage (element) region and a low-voltage (element) region are in contact to each other.例文帳に追加

高電圧（素子）領域と低電圧（素子）領域のゲート酸化膜が接する部分で発生するバーズビークを減らすことが可能な半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To realize a manufacturing method a contact which can block the occurrence of residue at a swelling phenomenon section caused by an interval between gate electrodes different in phases between a cell array region and a peripheral circuit region.例文帳に追加

セルアレイ領域と周辺回路領域間で相異するゲート電極間隔に起因する膨出現象部分の残留物発生を阻止できるようなコンタクト製造方法を提供する。 - 特許庁

On a surface (e) of the upper electrode film, etching is performed through a mask covering above a region opposing the contact surface (c) to a region opposing the paraelectric film.例文帳に追加

上部電極膜の表面ｅにおいて、接触面ｃと対向する領域上から常誘電体膜と対向する領域上までを覆うマスクを介してエッチングを行う。 - 特許庁

A collector region 23 is formed on the ground backside of the wafer, and then a back electrode 42 is formed, thereby allowing the cathode region 32 to make an ohmic contact with the back electrode 42.例文帳に追加

そして、研削したウェハー裏面にコレクタ領域２３を形成した後、裏面電極４２を形成することによって、カソード領域３２を裏面電極４２にオーミック接触させる。 - 特許庁

A dummy gate electrode 16c is formed on the semiconductor substrate 11 between the active region of the first access transistor TrA1 and the substrate contact region Rsub.例文帳に追加

そして、第１のアクセストランジスタＴｒＡ１の活性領域と基板コンタクト領域Ｒｓｕｂとの間に位置する半導体基板１１上にはダミーゲート電極１６ｃを形成する。 - 特許庁

Further, a second full area hydrogen barrier film 26 entirely covers the region of the semiconductor substrate 10 above the capacitor hydrogen barrier film 24 except for a region thereof in which contact plugs 16, 28 are formed.例文帳に追加

さらに、キャパシタ水素バリア膜２４の上方は、第２の全面水素バリア膜２６によって、半導体基板１０におけるコンタクトプラグ１６、２８を除く領域の全面が覆われている。 - 特許庁

Contact regions 110 and 111 are forme don both sides of the channel region 103a, and a reserve region 112 is formed between the gate electrode 108 and drain electrode 107.例文帳に追加

チャネル領域１０３ａの両側にコンタクト領域１１０,１１１が形成され、ゲート電極１０８とドレイン電極１０７の間にリサーフ領域１１２が形成されている。 - 特許庁

Since ink is prevented from directly touching a region in contact with the region 16a of a face which faces a pressure chamber 36 at the actuator unit 20, failures of the actuator unit 20 are prevented.例文帳に追加

アクチュエータユニット２０において圧力室３６に面する面の領域１６ａに接する領域には、インクが直接触れることがないので、アクチュエータユニット２０の故障が生じにくい。 - 特許庁

A low-refractive-index layer 21 comprising an SiO_2 layer having a lower refractive index than that of a contact layer 19 is provided right above a region A wherein a light emission region 16 is provided.例文帳に追加

発光領域１６が設けられた領域Ａの真上に、コンタクト層１９の屈折率より低い屈折率を有するSiO_2層からなる低屈折率層２１が設けられている。 - 特許庁

For this reason, an avalanche current can be easily flowed from the buried second-conductivity-type region 53 to the contact second-conductivity-type region 52, thereby improving the avalanche resistance.例文帳に追加

このため、アバランシェ電流を埋込第２導電型領域５３からコンタクト第２導電型領域５２に流しやすくすることができ、アバランシェ耐量を向上させることができる。 - 特許庁

When the obstacle state of its own vehicle is shifted from the region where the possibility of the contact is low to the region where it is high, the operation reaction command value and the repulsive force are always selected by select high.例文帳に追加

自車両の障害物状態が接触の可能性が低い領域から高い領域へ移行する場合は、常にセレクトハイにより操作反力指令値と反発力を選択する。 - 特許庁

(a) Assuming that A1 is a plane area of a heel region H surface of the sole, and that B1 is a plane area of a part in contact with a plane in the heel region surface when the heel region is brought into contact with the plane under non-pressure or under pressure, a heel grounding ratio expressed by B1/A1 is 0.35-0.65.例文帳に追加

（ａ）靴底の踵部領域Ｈ表面の平面面積をＡ１、踵部領域を非加圧下または加圧下において平面に当接させたときに踵部領域表面の内の平面に接触する部分の平面面積をＢ１とした場合に、Ｂ１／Ａ１で表される踵部接地比が０．３５〜０．６５。 - 特許庁

(b) Assuming that A2 is a plane area of a toe region T surface of the sole 10 and that B2 is a plane area of a part in contact with a plane in the toe region surface when the toe region is brought into contact with the plane under non-pressure or under pressure, a toe grounding ratio expressed by B2/A2 is 0.35-0.65.例文帳に追加

（ｂ）靴底１０の爪先部領域Ｔ表面の平面面積をＡ２、爪先部領域を非加圧下または加圧下において平面に当接させた場合に爪先部領域表面の内の平面に接触する部分の平面面積をＢ２としたときに、Ｂ２／Ａ２で表される爪先部接地比が０．３５〜０．６５。 - 特許庁

In the boundary region of the memory cell region and the contact region, a dummy word line 12 extending in parallel with the word line 5, a second charge holding film 4b, a second diffusion layer bit line 2b and a second embedded insulating film 3b in contact with the dummy word line 12 and the side face of the second charge holding film 4b are provided.例文帳に追加

メモリセル領域とコンタクト領域の境界領域では、ワード線５と平行に延伸するダミーワード線１２と、第２の電荷保持膜４ｂと、第２の拡散層ビット線２ｂと、ダミーワード線１２及び第２の電荷保持膜４ｂの側面に接する第２の埋め込み絶縁膜３ｂとが備えられている。 - 特許庁

For example, when contact is made to the position of the contact reception part 105 including a recognition region RAa on a predetermined indicator icon, as shown in Figure (a), the control part expands the recognition region up to a range (recognition region RAa') that does not overlap with four adjacent recognition regions RAb-RAe, as shown in Figure (b).例文帳に追加

たとえば、制御部は、図５（ａ）に示すような、所定の指示アイコン上の認識領域ＲＡａを含む接触受付部１０５の位置が触れられると、制御部は、図５（ｂ）に示すように、隣接する４つの認識領域ＲＡｂ〜ＲＡｅと重ならない範囲（認識領域ＲＡａ’）まで拡大させる。 - 特許庁

In the channel formation region 110, a carrier supply part 111 is formed so that it is in contact with the first n+ region 121, a carrier acceleration injection part 112 is formed so that it is in contact with the second n+ region 122, and the carrier supply part 111 and the carrier acceleration injection part 112 are connected each other.例文帳に追加

前記チャネル形成領域１１０では、第１のｎ^+ 領域１２１と接するようにキャリア供給部１１１が形成され、第２のｎ^+ 領域１２２と接するようにキャリア加速注入部１１２が形成され、前記キャリア供給部１１１およびキャリア加速注入部１１２は相互に接している。 - 特許庁

A P type impurity region 512 is provided in contact with a flank of the wall region 601, and a contact part 522 provided penetrating an inter-layer insulating film 4 to reach the impurity region 512 and a gate wiring 405 electrically connects the storage node SN2 to a gate electrode of a transistor T22.例文帳に追加

ウエル領域６０１の側面に接するようにＰ型の不純物領域５１２が設けられており、層間絶縁膜４を貫通して不純物領域５１２およびゲート配線４０５に達するように設けられたコンタクト部５２２により、ストレージノードＳＮ２はトランジスタＴ２２のゲート電極に電気的に接続される。 - 特許庁

To provide a bipolar transistor with vertical geometry including a base region (1) provided with a base contact (21), emitter and collector regions (2, 3) arranged to extract minority carriers from the base region, and an excluding structure for counteracting entry of minority carriers into the base region via the base contact.例文帳に追加

ベース・コンタクト（２１）が設けられたベース領域（１）と、ベース領域から少数キャリアを抽出するように構成されたエミッタ領域およびコレクタ領域（２、３）と、ベース・コンタクトを経由してベース領域内への少数キャリアの侵入を妨げるための排除構造とを有する縦型構造のバイポーラ・トランジスタを提供する。 - 特許庁

The semiconductor layer 54 has an n-type first semiconductor region 24 in contact with the first main electrode 20, a p-type second semiconductor region 58 in contact with the second main electrode 2, and an n-type third semiconductor region 12 provided between the first and second semiconductor regions 24 and 58.例文帳に追加

半導体層５４は、第１主電極２０に接触しているｎ型の第１半導体領域２４と、第２主電極２に接触しているｐ型の第２半導体領域５８と、第１半導体領域２４と第２半導体領域５８の間に設けられているｎ型の第３半導体領域１２を有している。 - 特許庁

The housing 2 is provided with a fixed face having soldering parts 8, 9 for mounting on the surface of the printed circuit board, a plug-accepting opening 3 having an inner contact region 10 accepting and contacting a pin contact, and an outer contact terminal.例文帳に追加

ハウジング２は、印刷回路基板の表面に実装するための半田付け部８，９を有する固定面と、ピンコンタクトを受容し接触する内部接触領域１０を有するプラグ受容開口３と、外部接触端子とを具備する。 - 特許庁

To prevent damages to an active region by etching for forming a body contact without embedding a resist plug in an ordinary contact hole and to suppress an increase in formation area, in manufacturing a semiconductor device having the body contact.例文帳に追加

ボディーコンタクトを有する半導体装置の製造において、通常のコンタクトホールへのレジストプラグ埋め込みを行わずに、ボディーコンタクト形成のエッチングによる活性領域のダメージを防止し、且つ形成面積の増大を抑制する。 - 特許庁

A seal 5 is attached electrically conductively to a door 3 and/or a body 2 via a contact surface, and when the door 3 is closed, it comes into contact with a corresponding contact region 16 on an annexed counter surface to ensure a conductive connection.例文帳に追加

シール５が接触面を介して電気伝導的に扉３および／または本体２に取り付けられており、扉３を閉じると、付属の対向面で対応する接触部位１６に当接して伝導的な接続を保証する。 - 特許庁

A lyophilic region 2 wherein a contact angle of a liquid droplet sticking to a substrate 1 is equal to a first contact angle and liquid repellent regions 3 wherein a second contact angle is greater than the first contact angle are formed on the substrate 1 on which an ink pattern is to be formed by an ink-jet printing method.例文帳に追加

インクジェット方式によりインクパターンを形成する基板１の表面に、基板１上に液滴が付着したときの接触角が第１の接触角の親液領域２と、第１の接触角よりも大きい第２の接触角の撥液領域３を形成する。 - 特許庁

Therefore, this device has a structure in which a source contact layer 61a can be stored on a region between the gate electrode layers, while avoiding contact of the drain-gate connect layer with the source contact layer 61a, i.e., a structure in which at least a portion of the source contact layer 61a does not exceed a dotted line 87.例文帳に追加

このため、ドレイン−ゲート接続層とソースコンタクト層６１ａとの接触を避けつつ、ソースコンタクト層６１ａをゲート電極層間領域上に収めるこができる構造、つまり、ソースコンタクト層６１ａの少なくとも一部が点線８７を越えない構造となる。 - 特許庁

This movable contact for the panel switch is manufactured by sticking together a separator 13 to a base sheet 11 in which the central upper surface of the movable contact 3 is held with an adhesive layer on the lower surface, so that a part corresponding to the movable contact 3 is positioned in a slight adhesion layer region 14 and other parts are positioned in a releasing layer region 15.例文帳に追加

可動接点３の中央部上面を下面の粘着層１２で粘着保持したベースシート１１に対して、可動接点３に対応する部分が微粘着層領域１４で、その他の部分が離型層領域１５に構成されたセパレータ１３を貼り合わせてパネルスイッチ用可動接点体とする。 - 特許庁

In this HBT, a collector layer is comprised of a first collector layer 26, in contact with a collector contact layer 25 and a second collector layer 27 in contact with a base layer 28, and is further formed of an intrinsic collector region facing a mesa type emitter layer 29 and an external collector region outside the intrinsic collector area.例文帳に追加

ＨＢＴにおいて、コレクタ層を、コレクタコンタクト層２５に接する第１のコレクタ層２６とベース層２８に接する第２のコレクタ層２７とで構成するとともに、メサ型のエミッタ層２９に対向する真性コレクタ領域とこの真性コレクタ領域の外側に位置する外部コレクタ領域とで形成している。 - 特許庁