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「contact region」に関連した英語例文の一覧と使い方(22ページ目) - Weblio英語例文検索
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contact regionの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 3198



例文

The prosthetic valve cusp 1 is provided with a membranous valve cusp section 10 having: a sewing region 14 that comes in contact with the anterior or posterior cusp of a mitral valve to be sewed; and a contact region 16 that is a peripheral surface of a free margin 15 and comes in and out of contact with the other valve cusp of the mitral valve to suppress the reverse flow of blood.例文帳に追加

人工弁尖1は、僧帽弁の前尖或いは後尖に接触して縫着される縫着領域14と、自由縁15周辺の面であり僧帽弁の他方の弁尖と接触・離間して血液の逆流を抑制する接触領域16とを有する膜状の弁尖部10を備える。 - 特許庁

The article retrieval system of the present invention attaches a non-contact IC tag which recognizes identification information to an article, stores image data of the relevant article and identification information thereof correlated with each other, communicates with the non-contact IC tag via an antenna, detects a region where the non-contact IC tag is positioned, and displays a region where the article is positioned.例文帳に追加

本発明は、識別情報を認識する非接触ICタグを物品に付し、当該物品の画像データと識別情報とを対応付けて記憶し、アンテナを介して非接触ICタグと通信し、非接触ICタグの位置する領域を検出し、物品の位置する領域を表示する。 - 特許庁

A pair of p^+-type contact layers 4 is provided on the channel layer 3 at both the sides of a p-type channel region 3a, and an n^+-type contact layer 4 is provided at a lower side of the channel layer 3.例文帳に追加

p型のチャネル領域3aの両側のチャネル層3上に一対のp^+型コンタクト層4が設けられ、チャネル層3の下側にn^+型コンタクト層4が設けられている。 - 特許庁

In the etching of a contact via 25 of an external base region 21b of a bipolar transistor, since there is a protective layer 20 with respect to the contact via hole 25 other than the external base layer 21b, etching margin is improved.例文帳に追加

バイポーラトランジスタの外部ベース層21b上のコンタクトヴィア25のエッチングでは、外部ベース層21bのほかにコンタクトヴィア25に対する保護膜20があるため、エッチングマージンが向上する。 - 特許庁

例文

The inner contact region 10, the outer contact terminal, and the soldering parts 8, 9 as well as conductive connection parts among them are structured in a form of metallized parts of the plastic housing 2.例文帳に追加

内部接触領域10、外部接触端子、半田付け部8,9、及びこれらの間に設けられる導電接続部は、プラスチックハウジング2の金属化部の形態で構成されている。 - 特許庁


例文

Thereby, each transistor cell have only to assure the area where the source electrode and the source region are brought into contact with each other, so that a contact width is reduced and the cell pitch is reduced.例文帳に追加

これにより、各トランジスタセルにおいてはソース電極とソース領域とがコンタクトする面積を確保すれば十分となり、コンタクト幅の縮小によりセルピッチを低減できる。 - 特許庁

A contact plug 40 comes into contact with the upper surfaces of the N-type and P-type gate portions and a region in which the cut portion 33 of the side surface 31 of the gate electrode 30 is formed.例文帳に追加

コンタクトプラグ40は、N型及びP型ゲート部分の上面と、ゲート電極30の側面31の切り欠き部33が形成されている領域とに接触している。 - 特許庁

When a finger of a user or the like contact to an arbitrary position of the region image 201, an image in accordance with the contact position is thumbnail-displayed at a third position on the screen of the display part 110.例文帳に追加

領域画像201の任意の位置にユーザの指等が接触した場合に、その接触位置に応じた画像を表示部110の画面上の第3の位置にサムネイル表示させる。 - 特許庁

A contact region on the strip film is pressurized by the contact pressure between the first crease-making roller and the second crease-making rollers, to make a crease by the recessed groove and the protruding line.例文帳に追加

前記第1癖付けローラと前記第2癖付けローラ間の接触圧力により帯状フィルムの接触部位を加圧し、凹溝と凸条により折り癖をつけるように構成した - 特許庁

例文

To provide an electrical connection device which suppresses misalignment of an arrangement pitch of a contact needlepoint, in a contact region of a flexible multilayer wiring board and which enables electrical measurements to be carried out accurately.例文帳に追加

フレキシブル多層配線基板の接触子領域の接触子の針先の配列ピッチのずれを抑制し、正確な電気的測定を可能とする電気的接続装置を提供する。 - 特許庁

例文

To provide the technology to reduce electrical resistance between a contact plug and an impurity region connected electrically to such a plug while insulation property is maintained between a gate electrode and the contact plug.例文帳に追加

ゲート電極とコンタクトプラグとの間の絶縁性を維持しつつ、コンタクトプラグと、それに電気的に接続される不純物領域との間の電気抵抗を低減する技術を提供する。 - 特許庁

Then an AlGaAs first contact layer 12 having a thickness of 0.01 μm and a GaAs second contact layer 13 having a thickness of 0.01 μm are provided on the semiconductor region 2.例文帳に追加

半導体領域3の上に厚さ0.01μmのAlGaAsから成る第1のコンタクト層12と厚さ0.01μmのGaAsから成る第2のコンタクト層13とを設ける。 - 特許庁

The retainer 122 is furnished with a projection 132 in such an arrangement that the end of the projection comes in contact with the side face of the outer ring 110 in point contact or in a linear region stretching in the circumferential direction.例文帳に追加

リーテナ122に凸部132を設け、この凸部の先端が外輪110の側面に、点接触または周方向に延びる線状の領域で接するようにする。 - 特許庁

To provide a printed wiring board in which poor contact between a connector and a contact can be prevented, pitch of plug-in connection terminals can be shortened and the terminal region can be made compact.例文帳に追加

コネクタの接点との接触不良を防止することができると共に、差込用接続端子の狭ピッチ化及び端子領域の小型化が可能なプリント配線板の提供。 - 特許庁

The ferroelectric capacitor 50 has a region which excludes the contact plugs 11 and is 23 covered with the reaction preventing film 9 and a reaction preventing film 19 in contact with the reaction preventing film 9.例文帳に追加

強誘電体キャパシタ50は、コンタクトプラグ11及び23を除く領域が反応防止膜9と反応防止膜9と接する反応防止膜19により覆われる。 - 特許庁

A contact 6a is formed surrounded by the element isolation insulating layer 6, and an electrode 14 which is connected electrically with the adjacent neutral region 4c via the contact 6a is formed.例文帳に追加

素子分離絶縁層6に周囲を囲まれてコンタクト6aが形成され、コンタクト6aを介して近隣の中性領域4cと電気的に接続する電極14が設けられている。 - 特許庁

The leading electrode 26 and the extended region 24 are connected through a contact 25 embedded in a contact hole 63 formed on an insulating film 59 and an inter-layer insulating film 61.例文帳に追加

導出電極26と延出領域24は、絶縁膜59及び層間絶縁膜61に形成されたコンタクトホール63に埋め込まれたコンタクト25を介して接続されている。 - 特許庁

The device has a conductive layer 13 formed in a separated layer from a wiring line 10 and placed below a division region C, and a first contact hole 12A and a second contact hole 12B.例文帳に追加

配線10とは別の層で形成されると共に、分断領域Cの下に配置された導電層13と、第1のコンタクトホール12Aと、第2のコンタクトホール12Bと、を有する。 - 特許庁

In this manufacturing method, at an initial first step, taking a serious view of an embedding property in a contact hole crowded part (high dense wiring region), a film is formed in a shape in which it is grown from a contact hole bottom part.例文帳に追加

最初の第1のステップでは、コンタクト孔密集部(高密度配線領域)の埋め込み性を重視して、コンタクト孔底部から成長するような形状で成膜させる。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device having low electric resistances in a bit-line contact and of a connection part between the bit-line contact and a source-drain region, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

ビット線コンタクト内の電気抵抗、およびビット線コンタクトとソース・ドレイン領域の接続部分の電気抵抗の小さい半導体記憶装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The wiring includes first and second contact wiring made of the same substance as the source/drain regions and connected to the gate electrode 150 and the body contact region 130.例文帳に追加

前記配線は、前記ソース/ドレーン電極と同一の物質からなり、前記ゲート電極150とボディーコンタクト領域130に連結した第1及び第2コンタクト配線とを備える。 - 特許庁

A ridge stripe structure formed by laminating a clad layer 8 and a contact layer 9 one by one and a contact electrode 11 are deposited in a partial region of the upper surface of the etching stop layer 7.例文帳に追加

エッチングストップ層7上面の一部領域上には、クラッド層8、コンタクト層9を順次積層して形成されるリッジストライプ構造と、コンタクト電極11が堆積されている。 - 特許庁

The filling position of the high magnetic permeability layer is set in a region, matching the inside coil antenna of the non-contact IC card when the board is placed upon the non-contact IC card.例文帳に追加

高比透磁率材料層の封入位置は、基板を非接触ICカードと重ねた時に、非接触ICカードに設置されたコイルアンテナ4の内側に対応する領域内に設定される。 - 特許庁

In the case of inspection, an image for inspection is displayed in the liquid crystal display region by bringing a contact connector for inspection into contact with the respective separated groups so as to supply display signals to the respective electrodes.例文帳に追加

検査の際には、分離した各群に検査用接触コネクタを接触させて各電極に表示用信号を供給して液晶表示領域に検査用映像を表示する。 - 特許庁

A drain region and a source region are formed on the SOI layer, wherein the source region is in contact with the insulating layer, while the drain region is not in contact with the insulating layer.例文帳に追加

本発明の第1の態様は、半導体支持基板と、前記半導体支持基板上に形成された絶縁層と、前記絶縁層上に形成されたSOI層とからなるSOI基板構造を有する半導体装置において、前記SOI層には、ドレイン領域とソース領域とが形成され、前記ソース領域は前記絶縁層に接するが、前記ドレイン領域は前記絶縁層に接しないことを特徴とする。 - 特許庁

The threshold voltage is controlled by constituting a gate electrode region constituted of a polysilicon, forming an opposite conductivity type completely depleted region to source and drain regions to be brought into contact with a gate oxide film in the gate region, and constituting a residual gate region brought into contact with the gate oxide film of the same conductivity type as those of the high concentration source and drain regions.例文帳に追加

ポリシリコンにより構成されるゲート電極領域を構成し、ソース及びドレイン領域とは反対導電型の完全空乏化された領域をゲート領域中かつゲート酸化膜に接して形成し、それと接触する残りのゲート領域は、高濃度かつソース領域及びドレイン領域とは同じ導電型で構成することにより、しきい値電圧を制御する。 - 特許庁

The permanent magnet type rotor includes an insulating film 31 made of an electric insulator provided on a surface of a split magnet 12a, and a metal plating layer 32 covering only a predetermined region brought into contact with a laminated core formed of a magnetic steel sheet or a predetermined region brought into contact with the laminated core and only a predetermined peripheral region of the predetermined region.例文帳に追加

分割磁石12aの表面上に電気的絶縁材からなる絶縁被膜31を設け、絶縁被膜31の表面31A上で、電磁鋼板により形成された積層コアと当接する所定領域のみ、あるいは、積層コアと当接する所定領域およびこの所定領域の所定周辺領域のみを被覆する金属めっき層32を設けた。 - 特許庁

The insulating layer 20 encloses a portion of a top surface of a second electrode power line 17 to define the contact region 81.例文帳に追加

絶縁層20は、第2電極用電源線17の上面の一部を側面で囲んでコンタクト領域81を画定している。 - 特許庁

The valve body 2 has a tapered part 13 on a region coming into close contact with the sheet member 4 in the second posture in a non-penetration part.例文帳に追加

弁体2は、非貫通部分のうち第二姿勢でシート部材4と密接する領域にテーパ状部13を備える。 - 特許庁

To suppress outer diffusion of impurity and to prevent the contact resistance of a source region connected to a source electrode from becoming high.例文帳に追加

不純物の外部拡散を抑制し、ソース電極と接続されるソース領域のコンタクト抵抗が高くならないようにする。 - 特許庁

This secures the sliding contact pressure of the lip 22 in the counter load region of the outer ring 2 to prevent the degradation of the sealing performance.例文帳に追加

このため、外輪2の反負荷領域でのリップ22による摺接圧が確保され、シール性の低下を防止することができる。 - 特許庁

A body contact region is sandwiched between source regions in order to achieve a larger maximum allowable voltage with small area.例文帳に追加

より大きな最大許容電圧を少ない面積で実現する為に、ボディコンタクト領域をソース領域で挟んだ構成とする。 - 特許庁

Also, the display region 10 and the contact holes 28 are prevented from being broken when the end part of the drying agent 5 is peeled.例文帳に追加

同時に、乾燥材5の端部が剥離したときも表示領域10、コンタクトホール群28が破壊されることを防止する。 - 特許庁

The InGaN layer 15 is disposed directly on the principal surface 13a of the semiconductor region 13 and is in contact with the principal surface 13a.例文帳に追加

InGaN層15は半導体領域13の主面13aの直上に設けられて、主面13aに接している。 - 特許庁

To prevent a short circuit between a contact and a gate electrode connected to a source-drain region in a gate structure formed by a gate last process.例文帳に追加

ゲートラストプロセスで形成されたゲート構造において、ソース・ドレイン領域に接続するコンタクトとゲート電極とのショートを防ぐ。 - 特許庁

On the primary surface MS, p-type base regions 3 and the n-type emitter region 4 both contact the wall surfaces of the trenches 1a.例文帳に追加

主表面MSにおいてp型ベース領域3とn型エミッタ領域4との双方が溝1aの壁面に接している。 - 特許庁

Herein grease 8 is encapsulated in a blocked region M enclosed by the rolling bearing 5, the rolling contact surface 4a, and the ring member 6.例文帳に追加

転がり支承5と転動面4aとリング部材6とに囲まれた閉塞領域Mにグリース材8が封入されている。 - 特許庁

The contact 21 may be overlapped on the auxiliary pattern 22 and an element isolation region, whereby a design is optimized taking an occupation area into consideration.例文帳に追加

コンタクト21は補助パターン22および素子分離領域に重なっても良く、占有面積を考慮して設計最適化できる。 - 特許庁

Then, a first semiconductor region FSR1 in contact with the buried insulating layer BOX is formed in the substrate layer 1S.例文帳に追加

このとき、基板層1S内に埋め込み絶縁層BOXと接触する第1半導体領域FSR1が形成されている。 - 特許庁

Furthermore, a channel region is formed in side walls of the plurality of semiconductor layers 14 and 16 in contact with the gate electrode 12.例文帳に追加

さらに、このゲート電極12と接する複数の半導体層14,16の側壁部分にチャネル領域が形成される。 - 特許庁

The part in contact with the plane is dispersedly arranged in the heel region of the sole in a state divided by grooves.例文帳に追加

上記平面に接触する部分は、溝により分割された状態で靴底の踵部領域に分散配置されている。 - 特許庁

To suppress increase in contact resistance between a source region and a source electrode when removing a damage in a trench.例文帳に追加

トレンチ内のダメージ除去を行う際に、ソース領域とソース電極とのコンタクト抵抗が増大することを抑制できるようにする。 - 特許庁

The reflection signal 3b, from the contact region of the magnet 4 to the guide wave 3a transmitted from the guide wave sensor 2, is received.例文帳に追加

ガイド波センサ2から送信したガイド波3aに対する、磁石4の接触部位からの反射信号3bを受信する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device with a pressurizing contact structure wherein no stress is applied to a channel region constituting a MOS structure.例文帳に追加

MOS構造を構成するチャネル領域に応力が加わらない、加圧接触構造の半導体装置を提供すること。 - 特許庁

After forming an interlayer insulation film 11, an electrode layer 4 is formed and connected with the low resistance region 3b through a contact hole 12.例文帳に追加

層間絶縁膜11を形成後、電極層4を形成し、コンタクトホール12を介して低抵抗領域3bと接続する。 - 特許庁

The pixel separation region 121 is in contact with an end face of an insulator layer 117 adjacent to a lower face of the pixel electrode 119.例文帳に追加

画素分離領域121は、画素電極119の下面に隣接する絶縁体層117の端面と接している。 - 特許庁

Under a diffusion layer 20 and a source region 16, a diffusion layer having a higher impurity concentration than the diffusion layer 20 is formed, in contact with the diffusion layer 20.例文帳に追加

ドレイン領域15にサージ電圧が印加された場合、拡散層31と32の相互間でブレークダウンが発生する。 - 特許庁

The distance from a well boundary 101 to the central line 121 of the n-type region 106 for contact equals to SP04.例文帳に追加

ウェル境界101からコンタクト用N型領域106の中心線121までの距離はSP04と等しくなっている。 - 特許庁

The cuff of the electronic hemomanometer is provided with a microphone 51 for measuring Korotkoff sounds at the position coming into contact with the measuring region on the peripheral side of the cuff.例文帳に追加

血圧計のカフには、末梢側であって、測定部位に接する位置にコロトコフ音測定用のマイク51が備えられる。 - 特許庁

例文

A p well contact region 102 is provided in order to connect an interconnect on the p well 202 on the outer side of the polysilicon 101.例文帳に追加

多結晶シリコン101より外側のPウェル202の上に配線を接続するためにPウェルコンタクト領域102がある。 - 特許庁




  
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