「contact region」に関連した英語例文の一覧と使い方(26ページ目) - Weblio英語例文検索

Then, at least a part of the horizontal barrier rib 19b of the display region is formed on a dielectric layer 24 formed on the insulation substrate 1, and the horizontal barrier rib 19b of the non-display region and the longitudinal barrier ribs 19a of the display region and the non-display region are formed to be in contact with the insulation substrate 1.例文帳に追加

そして、表示領域の横隔壁１９ｂの少なくとも一部は絶縁基板１上に形成された誘電体層２４上に形成され、非表示領域の横隔壁１９ｂと、表示領域及び非表示領域の縦隔壁１９ａは絶縁基板１に接するように形成されている。 - 特許庁

The insulated gate field effect transistor has a channel forming region of a semiconductor substrate for internally forming a channel layer and opposing a gate electrode 19 through a gate insulating film 17, and a source-drain region 10 having a conductivity type reverse to that of the channel forming region and formed separately in contact with the channel forming region.例文帳に追加

ゲート絶縁膜１７を介してゲート電極１９と対向し、内部にチャネル層が形成される半導体基板のチャネル形成領域と、当該チャネル形成領域と逆の導電型を有し、チャネル形成領域に各々接し互いに離れて形成されているソース・ドレイン領域１０と、を有する。 - 特許庁

The semiconductor device includes a source region 10 in contact with a silicon substrate 1 for forming a Schottky junction, a drain region 11, and an insulation layer provided to coat an area where a border between the silicon substrate 1 and the source region 10 is exposed and an area where a border between the silicon substrate 1 and the drain region 11 is exposed.例文帳に追加

シリコン基板１と接してショットキー接合を形成するソース領域１０,ドレイン領域１１と、上記シリコン基板１とソース領域１０との境界が露出する部分およびシリコン基板１とドレイン領域１１との境界が露出する部分を被覆するように設けられた絶縁層を備える。 - 特許庁

The VCSEL includes a p-side upper electrode 130 which is electrically connected to the contact layer 114 of the post P, and where an opening 132 is formed for regulating the emitting region of the laser beam; and a second upper electrode 140 which is formed on the pad formation region, and electrically connects the contact layer 114 of the pad formation region to the lower DBR 106.例文帳に追加

ポストＰのコンタクト層１１４に電気的に接続され、レーザ光の出射領域を規定する開口部１３２が形成されたｐ側の上部電極１３０と、パッド形成領域１１８上に形成され、パッド形成領域のコンタクト層１１４を下部ＤＢＲ１０６に電気的に接続するための第２の上部電極１４０とを有している。 - 特許庁

The balls in the nuts 4 once placed in contact with the region of the screw shafts 5 other than the normal use region are further placed in contact with the normal use region thereof to supply it with lubricating oil or to regenerate an oil film on it.例文帳に追加

通常の使用領域を除くねじシャフト５の領域と接触したナット４のボール４ｃが、ねじシャフト５の通常の使用領域と接触することによって、ナット４のボール４ｃを介して、ねじシャフト５の通常の使用領域に潤滑油が補給されるから、ねじシャフト５の通常の使用領域の油膜が再生されることになる。 - 特許庁

To provide a transistor of semiconductor device in which a channel region is formed on a sidewall of an active region that protrudes above a device isolation film, and a contact to a landing plug is extended to the sidewall in the direction of the major axis of the protruding active region to improve short channel effect as well as to reduce contact resistance, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

チャンネル領域を素子分離膜の上部に突出された活性領域の側壁に形成し、ランディングプラグとのコンタクトを突出した活性領域の長軸方向の側壁まで拡張してショートチャンネル効果を改善し、コンタクト抵抗を減少させることができる半導体素子のトランジスタおよびその形成方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor integrated circuit device is composed of integrated electronic circuit blocks responsible for an analog signal processing function, wherein the power line is arranged to include a region on a semiconductor device constituting the electronic circuit blocks, and the ground line is formed on an isolation region located between the electronic circuit blocks to contact the isolation region in a contact hole.例文帳に追加

アナログ信号処理機能を担う電子回路ブロックが集積化された半導体集積回路装置であって、電源ラインは、電子回路ブロックを構成する半導体素子上の領域を含んで配置され、グランドラインは、電子回路ブロック間に位置する分離領域上に形成され、グランドラインは、コンタクト孔において分離領域とコンタクトされる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing NAND flash memory device by which, in a process wherein a bonding region of a selective transistor is exposed to form a contact plug, a gate and the contact plug are prevented from short-circuiting.例文帳に追加

ＮＡＮＤ型フラッシュメモリの形成において、選択トランジスタの接合領域を露出させ、コンタクトプラグを形成する過程でゲートとコンタクトプラグが短絡することを防止する製造方法を提供する。 - 特許庁

A region of the gate contact is exposed to energy of some form, wherein the energy transforms a portion of the state-switchable material from a nonconductive state to a conductive state, the conductive portion defining the gate contact.例文帳に追加

ゲートコンタクト領域の一部がある形式のエネルギに露出させられ、このエネルギは状態切替可能材料の一部を非導電性から導電性に変質させ、導電部分はゲートコンタクトを規定する。 - 特許庁

The second electrode has a fine line part extending on the second contact layer and a pad part provided at a non-formation region of the second contact layer and electrically connecting with the fine line part.例文帳に追加

前記第２電極は、前記第２コンタクト層の上に延在する細線部と、前記第２コンタクト層の非形成領域に設けられ前記細線部と電気的に接続されたパッド部と、を有する。 - 特許庁

The fixed member 52 is so formed that the fixed member does not come into contact with the cleaning member 51 in a region on a second surface where the charging roller 22 and cleaning member 51 come into contact with each other.例文帳に追加

固定部材５２は、帯電ローラ２２とクリーニング部材５１とが接触する範囲に対向する第２の面の領域内において、当該クリーニング部材５１と接触しないように形成されている。 - 特許庁

After a barrier metal 7 and a W film 8 have been formed on the entire surface, CMP is performed until there is no longer the beveled part 6 of the contact hole 5 in a region where the number of the contact holes 5 per unit area is high.例文帳に追加

全面にバリアメタル７およびW膜８を形成した後、単位面積当たりのコンタクトホール５数の多い領域にあるコンタクトホール５の面取り部６がなくなるまでＣＭＰを行なう。 - 特許庁

Probe needles 50 are brought into contact with the sensor pads 31-34, and the voltage in relation to the strain of the doped region 27 at that point is measured via the probe needles 50 in contact with the sensor pads 33, 34.例文帳に追加

プローブ針５０は、センサパッド３１〜３４にプローブ針５０を接触させ、このときのドーピング領域２７の歪みに対する電圧を、センサパッド３３，３４に接触させるプローブ針５０を介して測定する。 - 特許庁

The tool is devised to efficiently lubricate with a small amount of the traction grease by providing a grease reservoir 60 in a transmission case 41, bringing felt materials 63 and 64 into slide contact with a pressure-contact region, and so on.例文帳に追加

変速ケース４１内にはグリス溜まり６０を設けたり、フェルト材６３，６４を圧接部位に摺接させる等して少ないトラクショングリスで効率のよい潤滑がなされるよう工夫されている。 - 特許庁

When the tab 51 is inserted, the elastic contact piece 32 elastically bends, and the extended end 35E of the elastic reinforcing piece 35 abuts on the displacement region of the bent elastic contact piece 32.例文帳に追加

タブ５１の挿入状態では、弾性接触片３２が弾性撓みし、弾性補強片３５の延出端部３５Ｅが、弾性接触片３２における弾性撓み時の変位領域に当接する。 - 特許庁

A second contact plug having the first conductive material, which extends through the first insulator film, is formed in the peripheral circuit region at substantially the same time when the first contact plug is formed.例文帳に追加

前記第１絶縁膜を貫通して延長して、前記第１導電物質を含む第２コンタクトプラグを前記第１コンタクトプラグと実質的に同時に前記周辺回路領域に形成する。 - 特許庁

Since the contact layer 17 is not provided in the girder 40, a current can be reliably suppressed from leaking through the contact layer 17 and the girder 40 into the external region 30.例文帳に追加

コンタクト層１７を橋桁部４０に設けないようにすることにより、コンタクト層１７および橋桁部４０を介して電流が外部領域３０へと漏れ出すのを確実に抑制することができる。 - 特許庁

Since no contact hole 26 is exposed nor the region I is reduced in size, the water content or the like from the outside the element is prevented from reaching the inside of element through the contact hole 26.例文帳に追加

こうして、コンタクトホール２６が露出したり、上記領域Ｉの寸法が小さくならないようにして、素子外部からの水分等がコンタクトホール２６を通って素子内部に達することを防止する。 - 特許庁

To provide a film deposition method capable of reducing resistance of contact holes by depositing a titanium film thinner and excellent in coverage by causing a film deposition reaction in a reaction control region, even if the contact holes have large aspect ratios.例文帳に追加

反応律速領域で成膜反応を起こさせることによって，アスペクト比が大きなコンタクトホールであっても，より薄くてカバレッジの良好なチタン膜を成膜し，コンタクトホールの抵抗を低減する。 - 特許庁

Further, a band-like contact opening 108 is formed between the short sides of the gate electrode 106, and a p^+-type source electrode 100 and an n^+-type region 104 are brought into contact with a source electrode here.例文帳に追加

さらに，ゲート電極１０６の短辺同士の間に帯状のコンタクト開口１０８を設け，ここでｐ^+ソース領域１００やｎ^+ソース領域１０４がソース電極と接するようになっている。 - 特許庁

There are laminated in this order: a substrate; an n-type contact layer; an active region consisting of a plurality of barrier layers and quantum well layers, wherein the highest portion thereof is the quantum well layer; a blocking layer; and a p-type contact layer.例文帳に追加

基板と、ｎ型コンタクト層と、複数のバリア層及び量子井戸層からなり最上部が量子井戸層である活性領域と、ブロッキング層と、ｐ型コンタクト層とがこの順に積層されている。 - 特許庁

The lamp socket has an edge part 25e installed in a contact region of an interposing part 25c so as to shave off the surface of the lamp pin 2a when the lamp pin 2a is interposed with interposing part 25c of the contact 25.例文帳に追加

コンタクト２５の挟持部２５ｃでランプピン２ａを挟持する際にランプピン２ａの表面を削り取るように挟持部２５ｃの接触領域２５ｄに設けられているエッジ部２５ｅを具備する。 - 特許庁

A protrusion-recess fitting structure brings the protrusion 35 and a recess 36 in close contact with each other in the entire fitted contact region 38 by forming the recess 36 on the other closely fitted with the protrusion 35 by the protrusion 35.例文帳に追加

他方に凸部３５によって凸部３５に密着嵌合する凹部３６を形成して、凸部３５と凹部３６との嵌合接触部位３８全域が密着する凹凸嵌合構造Ｍを構成した。 - 特許庁

To provide a biological pattern imaging device capable of preventing a biological region from contact with the imaging device or reducing an area in contact with the device when guiding a biological pattern to the imaging position.例文帳に追加

生体パターンを撮像位置へとガイドする際に、生体部位が撮像装置に接触しないように、あるいは、装置に接触する面積を小さくすることができる生体パターン撮像装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device having small contact resistance between a source electrode and a source region regarding a method of manufacturing a trench gate type semiconductor device having a trench contact structure.例文帳に追加

トレンチコンタクト構造を有するトレンチゲート型半導体装置の製造方法において、ソース電極とソース領域とのコンタクト抵抗が小さい半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

A plurality of contact plugs are connected to a conductive region through the contact hole in the insulating film, and its width from the substrate is changed by the round-shaped corner A of the insulating film 120.例文帳に追加

複数のコンタクトプラグが絶縁膜内のコンタクトホールを貫通して導電領域に連結されており、絶縁膜１２０のラウンド形状のコーナー部Ａによりその幅が基板からの距離によって変化する。 - 特許庁

A doped polysilicon layer 30 is so formed as to come into contact with the n-type source/ drain region 4 through the contact hole 9a and have an extension part extending onto the inter-layer insulating layer 9.例文帳に追加

ドープトポリシリコン層３０は、コンタクトホール９ａを通じてｎ型ソース／ドレイン領域４と接するように、かつ層間絶縁層９上に延在する延在部分を有するように形成される。 - 特許庁

With such contact that is not overlapped, flexibility in manufacturing is improved when forming the contact to a silicide layer on a source/a drain region in one of the first and the second transistor.例文帳に追加

こうした重ならない当接により、第１のトランジスタ及び第２のトランジスタの一方の中のソース／ドレイン領域の上に、シリサイド層へのコンタクトを形成するとき、製造の柔軟性が向上する。 - 特許庁

Adhesion by means of adhesive is performed only for a partial region 3 near both ends of a contact surface or for partial regions S1, S2 in addition to it for maintaining the contact between the side rail 2 and the medium 1.例文帳に追加

サイドレール２と媒体１との接触を維持するために、接触面の両端付近の部分領域３のみ、あるいはそれに加えて部分領域Ｓ１、Ｓ２に接着剤による接着を施す。 - 特許庁

If deviation is generated in the contact hole 62a, the dummy floating gate electrode 42 is exposed at the side surface of the contact hole 62a to function as an etching stopper in order to expose the wide region 15a at the bottom.例文帳に追加

コンタクトホール６２ａに目外れが生じた場合は、コンタクトホール６２ａの側面でダミー浮遊ゲート電極４２を露出させてエッチングストッパとして機能させ、底部で幅広領域１５ａを露出させる。 - 特許庁

The first electrode is provided in contact with an upper surface of the ridge portion and at least a partial region of a sidewall of the ridge portion, the first surface is covered with an insulating film, and the first electrode is not in contact.例文帳に追加

前記第１の電極は、リッジ部の上面と、リッジ部の側壁の少なくとも一部領域に接して設けられ、第１の面は絶縁膜で覆われ、第１の電極が接していない。 - 特許庁

Two optical sensors each for detecting a touch position are embedded in a region for reading the non-contact IC card so as to input evaluation depending upon a position where the non-contact IC card is touched.例文帳に追加

非接触ＩＣカードをタッチする位置により評価を入力できるように、非接触ＩＣカードの読み取り領域の中に、タッチする位置を検出するための２つの光センサを埋め込む。 - 特許庁

A tungsten plug 14 comes into contact with the region 11 via a barrier film 13, and it comes into contact with a part on the surface and the side face of a gate electrode 9 via the barrier film 13.例文帳に追加

タングステンプラグ１４は、バリア膜１３を介して不純物拡散領域１１に接触しており、また、バリア膜１３を介してゲート電極９の上面の一部及び側面に接触している。 - 特許庁

A constitution product 72 excluding alignment layers 14 and 18 is further formed in a region where the sealing material 7 comes in contact with the alignment layers 14 and 18 to expand the area of the sealing material 7 coming in contact with a ground.例文帳に追加

さらには、シール材７と配向膜１４，１８が接する領域に配向膜１４，１８を排除する構成物７２を形成して、シール材７が下地と接触する面積を広げる。 - 特許庁

A pressing roll (60) which presses a prescribed part of the pressurized conveyance belt (35) within a region being in contact with the fixing belt (10) to a fixing belt side in a state being in contact with an inner peripheral surface of the belt, is provided.例文帳に追加

加圧搬送ベルト（３５）の定着ベルト（１０）と接触する領域内の所定部分をそのベルト内周面に当接した状態で定着ベルト側に押し付ける押圧ロール（６０）を設けた。 - 特許庁

A region from at least the neighborhood of the inner race contact surface 40 in the external surface of the stem portion 14a of the hub 14 to the inner race contact surface 40 has a non-standard structure portion 30.例文帳に追加

このハブ１４の軸部１４ａの外周面における少なくとも内輪当接面４０の付近からこの内輪当接面４０に渡る範囲に非標準組織の部分３０を有する。 - 特許庁

A gas sensor device 1 applies a first voltage to a contact combustion type gas sensor 21 so that a first region of the contact combustion type gas sensor 21 has a combustion temperature for combusting polar gas or higher.例文帳に追加

ガスセンサ装置１は、接触燃焼式ガスセンサ２１の第１領域が有極性ガスを燃焼させる燃焼温度以上となるように、接触燃焼式ガスセンサ２１に第１電圧を印加する。 - 特許庁

Distances between the contact electrode 29 and gate electrodes 16 and 18 can be made larger than when the contact electrode 29 is disposed having its center on the center line C of the active region 22.例文帳に追加

コンタクト電極２９をその中心が活性領域２２の中心線Ｃ上に位置するように配置した場合に比べ、コンタクト電極２９とゲート電極１６，１８との距離を大きくすることができる。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device with a simple fabrication process, in which an ohmic contact is formed between a drain region of a vertical transistor and a buried bit line, and a method for fabricating the same.例文帳に追加

垂直型トランジスタのドレイン領域と埋め込みビットラインとの間に抵抗接点（ohmic contact）を形成しつつも、その製造工程が簡単な半導体メモリ素子及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

Each of the plurality of field effect transistors 50 includes a source region 130 and a drain region 140 formed with an interval on a substrate 100, a gate 160 formed on the substrate 100 and on the interval, a source contact 172 formed on the substrate 100 and connected to the source region, and a drain contact 182 formed on the substrate 100 and connected to the drain region 140.例文帳に追加

複数の電界効果型トランジスタ５０は、それぞれ、基板１００に間隔を置いて形成されたソース領域１３０およびドレイン領域１４０と、当該間隔上であって基板１００上に形成されたゲート１６０と、基板１００上に形成されソース領域に接続されるソースコンタクト１７２と、基板１００上に形成されドレイン領域１４０に接続されるドレインコンタクト１８２とを含む。 - 特許庁

Thereby, even if misalignment is caused in between a process for forming a collector region 45 and an emitter region 43 and a process for forming wirings including a collector wiring 51 and an emitter wiring 49, it is possible to avoid such a state that the collector wiring contact part 51a is out of the collector region 45, despite the emitter wiring contact part 49a is within the emitter region 43.例文帳に追加

このため、コレクタ領域４５およびエミッタ領域４３を形成する工程とコレクタ配線５１およびエミッタ配線４９を含む配線を形成する配線工程とで位置決めの際のずれが生じたとしても、エミッタ配線コンタクト部４９ａがエミッタ領域４３の範囲内にあるにもかかわらずコレクタ配線コンタクト部５１ａがコレクタ領域４５の範囲外になってしまうという事態を回避することができる。 - 特許庁

As a result, if a foreign material 300 is contained in the organic light emitting layer 240 of that pixel, the second electrode 250 is separated into a contact region 250a with the foreign material 300 and a region 250b which is contacted with neither that region 250a nor the foreign material 300.例文帳に追加

その結果、その画素の有機発光層２４０に異物３００が含まれていたら、第２電極２５０を、異物３００との接触領域２５０ａと、その領域２５０ａ及び異物３００１の双方に接触していない領域２５０ｂとに分離する。 - 特許庁

In this way, a structure for preventing overetching up to a p-type base region 3 in rounding process of corner portions of a trench 5 is formed while allowing the density of the upper layer of the n-type source region 4 to be high density to enable ohmic contact with the source region 10.例文帳に追加

これにより、ソース電極１０とオーミック接触させられるようにｎ型ソース領域４の上層部の濃度を高濃度にしつつ、トレンチ５のコーナー部の丸め処理時にｐ型ベース領域３までオーバエッチングされることを抑制できる構造にできる。 - 特許庁

While localization region of a substrate is heated for short time, and localization region of the substrate is heated, one portion of silicon film, which touches heated substrate region by heat contact, is crystallized by irradiating the silicon film located on the substrate to anneal the silicon film.例文帳に追加

基板の局所化領域が短時間の間加熱され基板の局所化領域が加熱されている間、基板の上に位置するシリコン膜を照射してシリコン膜をアニールし、加熱された基板領域と熱接触するシリコン膜の一部分を結晶化する。 - 特許庁

A p-InGaAs contact layer 9 is formed, not only in an optical modulation region MA but also in an optically coupled region CA, and an AlInAs oxide layer 7 is formed in a p-InP clad layer 5, 8, in the mesa MS part of the optical coupling region CA.例文帳に追加

ｐ−ＩｎＧａＡｓコンタクト層９を光変調領域ＭＡだけでなく、光結合領域ＣＡにも形成するとともに、光結合領域ＣＡのメサＭＳの部分におけるｐ−ＩｎＰクラッド層５、８内にＡｌＩｎＡｓ酸化層７を設ける。 - 特許庁