「contact region」に関連した英語例文の一覧と使い方(23ページ目) - Weblio英語例文検索

Furthermore, the second hydrogen barrier film 26 has an aperture portion in a region on the transistor 15, where a wiring contact 29 is formed.例文帳に追加

また、トランジスタ１５上の配線コンタクト２９が形成される領域において、第２の水素バリア膜２６は開口部を有する。 - 特許庁

Furthermore, by installing the cathode on the porous region, the contact resistance of the solid electrolyte (30) with the cathode (40) becomes smaller.例文帳に追加

また、多孔質領域上にカソードを設けることにより、固体電解質（３０）とカソード（４０）との接触抵抗が小さくなる。 - 特許庁

A high concentration diffused region is formed by ion implanting with a contact hole of the MOS transistor as a mask.例文帳に追加

ＭＯＳ型トランジスタのコンタクトホールをマスクとしイオン注入を行い、高濃度拡散領域を形成することを特徴とする。 - 特許庁

Then, the nitride semiconductor crystal is laminated on a surface where an ohmic contact region 3 is formed on the SiC substrate 1.例文帳に追加

この後、ＳｉＣ基板１のオーミック接触領域３が形成されている面上に窒化物半導体結晶を積層する。 - 特許庁

The drain region 6 is connected to a lower electrode 13 of the ferroelectric capacitor 12 via a capacitive contact plug 18.例文帳に追加

ドレイン領域６と強誘電体キャパシタ１２の下部電極１３とは、容量コンタクトプラグ１８を介して接続されている。 - 特許庁

The insulating film comprises a contact window 19 for emitter electrode wiring connection at the position corresponding to at least the emitter region 5.例文帳に追加

その絶縁膜は少なくともエミッタ領域５に対応した位置にエミッタ電極配線接続用のコンタクト窓１９を有する。 - 特許庁

The epitaxial layer 3 has a source region 9 formed along its surface 31 and a side surface 12 of the contact trench 11.例文帳に追加

エピタキシャル層３において、その表面３１およびコンタクトトレンチ１１の側面１２に沿うソース領域９を形成する。 - 特許庁

A gate electrode 13 and a substrate contact region 14 are formed on a semiconductor substrate 10 through a gate oxide film 12.例文帳に追加

半導体基板１０上にゲート酸化膜１２を介してゲート電極１３の形成、基板コンタクト領域１４を形成する。 - 特許庁

A through hole 13 formed in the wire guide has a contact section 15 inclusive of a minimum diameter portion 16, and a widened region 17 under the same.例文帳に追加

貫通孔１３には、最小径部１６を含んだ接点部１５が形成され、その下側に拡径部１７が形成される。 - 特許庁

The integrated circuit chip is bonded to the first region in the chip mounting area, and is in thermal contact with the chip mounting area.例文帳に追加

集積回路チップは、チップ実装エリアで第１の領域に対して接着されるとともに、チップ実装エリアと熱接触する。 - 特許庁

Production cost of the flexible wiring board is reduced by setting the width of a second region, where a contact portion is arranged, equal to or larger than two times of that of a first region where a connection terminal is arranged, and arranging the first region on the inside of the second region in the width direction while aligning one end of the width of each region.例文帳に追加

接続端子部が配置された第１領域の幅に対して、コンタクト部が配置された第２領域の幅を第１領域の２倍以上とし、幅方向について第２領域の内側に第１領域を配し、各領域の幅の一端部を同一直線上に配置することで、フレキシブル配線基板の製造コストを低減する。 - 特許庁

The image sensor further comprises a first conductivity-type first channel region aligned under the transfer gate in the substrate, a second conductivity-type second channel region located between the transfer gate and the first channel region in the substrate, and a floating diffusion region which is located in the substrate and is in electrical contact with the second channel region.例文帳に追加

イメージセンサーは、基板で、トランスファゲートの下にアラインされている第１導電型の第１チャンネル領域と、基板で、トランスファゲートと第１チャンネル領域との間に位置した第２導電型の第２チャンネル領域と、基板に位置し、第２チャンネル領域に電気的に接しているフローティング拡散領域とを更に含むイメージセンサーである。 - 特許庁

The coating film 200 is provided with a low-Ar region 210 of low Ar content from a region in contact with the resonator end face 110 to the vicinity of it, and also provided with a high-Ar region 220 of higher Ar content than the low-Ar region 210 for the low-Ar region 210 on the opposite side from the resonator end face 110.例文帳に追加

このコーティング膜２００には、共振器端面１１０に接する領域からその近傍にかけて、Ａｒ含有量の低い低Ａｒ領域２１０が設けられており、この低Ａｒ領域２１０に対して共振器端面１１０とは反対側に、低Ａｒ領域２１０よりＡｒ含有量が高い高Ａｒ領域２２０が設けられている。 - 特許庁

The second unit pixel comprises at least one photoelectric conversion region, a second semiconductor region formed in the common well and having the conductivity type opposite to that of the common well, and a second contact electrically connected to the second semiconductor region.例文帳に追加

前記第２単位画素は、少なくとも１つの光電変換領域と、前記共通ウェルに形成され前記共通ウェルと逆の導電型の第２半導体領域と、前記第２半導体領域に電気的に接続された第２コンタクトとを備える。 - 特許庁

There is provided a constitution of the transistor consisting of: a drain region and source regions, and a first gate and a body contact region; and a part where first conductivity type second regions are provided side by side, that are a second gate, and source regions and a drain region.例文帳に追加

チャネル幅の大きい両極性のトランジスタを実現する為に、ドレイン・ソース領域−第1ゲート−ボディコンタクト領域と第１導電型の第２領域の併設部分−第２ゲート−ソース・ドレイン領域からなるトランジスタの構成を提供する。 - 特許庁

An oblique trench 10 is formed in a drain region 7 using a silicon oxide film 6 on a gate electrode 5 as a mask, and the width of the drain region 7 is set to a minimum width with which the contact region can be formed, thereby reducing the drain junction capacity and leakage current.例文帳に追加

ゲート電極５上のシリコン酸化膜６をマスクにドレイン領域７に斜めトレンチ１０を形成して、ドレイン領域７の幅をコンタクト領域を形成できる最小幅にすることで、ドレイン接合容量とリーク電流を減少させる。 - 特許庁

Further, a first conductivity type high-density region 11 is provided adjacently to the second conductivity type source region 6, and brought into butting contact with the source electrode 10 together with the second conductivity type source region 6 to fix a substrate potential.例文帳に追加

また、第２導電型ソース領域６と隣接して第１導電型高濃度領域１１が設けられており、第２導電型ソース領域６と共にソース電極１０にバッティングコンタクトされ、基板電位が固定されるようになっている。 - 特許庁

The contact region between the trench 7 and the gate region 9 is reduced, thus preventing the free carrier (positive hole) from flowing out of the gate region 9 to the sidewall of the trench 7 when shifting from the off-operation to the on-operation of the semiconductor element.例文帳に追加

そのことで、本発明では、トレンチ７とゲート領域９との接触領域を低減させ、半導体素子のＯＦＦ動作からＯＮ動作への移行時に、自由キャリア（正孔）がゲート領域９からトレンチ７側壁へ流れ込むことを抑制する。 - 特許庁

A conductor plug 41 is extended in the silicon substrate 31 by penetrating the drain region 35 and the silicon oxide film 32 from the surface of the drain region 35, and formed by being electrically in contact with the drain region 35 and the silicon substrate 31.例文帳に追加

導電体プラグ４１は、ドレイン領域３５の表面からドレイン領域３５およびシリコン酸化膜３２を貫通してシリコン基板３１中に延在して、ドレイン領域３５およびシリコン基板３１に電気的接触して形成される。 - 特許庁

A solution is brought into contact with the base material which has the first region having first surface free energy and the second region having second surface free energy to deposit the components included in this solution only in the first region.例文帳に追加

第一の表面自由エネルギーを有する第一の領域と、第二の表面自由エネルギーを有する第二の領域とを有する基材に対して、溶液を接触させ、この溶液に含まれる成分を前記第一の領域にのみ析出せしめる。 - 特許庁

The semiconductor light receiving element also includes, on the waveguide region 101, a light absorbing region 102 having a second pin structure consisting of a clad layer 102a, a light absorbing layer 102b and a contact layer 102c, and having a smaller electric capacitance than the waveguide region 101.例文帳に追加

また、導波路領域１０１上に、クラッド層１０２ａと、光吸収層１０２ｂと、コンタクト層１０２ｃからなる第２のｐｉｎ構造を有し、導波路領域１０１よりも電気容量が小さい光吸収領域１０２を備える。 - 特許庁

Moreover, since the electrode which is connected with the region 6 is constituted of the film 22, an ohmic contact of the film 22 with the region 6 can be made even through an Ni film 23, which is connected with an n+ source region 5, overlaps the film 22.例文帳に追加

また、ｐ型領域６と接続される電極をＡｌ膜２２で構成することにより、ｎ^+ 型ソース領域５に接続されるＮｉ膜２３とＡｌ膜２２がオーバラップしてもＡｌ膜２２とｐ型領域６とがオーミック接触するようにできる。 - 特許庁

The p-side contact layer 19 consists of a basic growth region 19a formed so as to correspond to the projecting part 18a of the p-type clad layer 18, and a regrowth region 19b, which is grown with the basic growth region 19a and projecting part 18a as a base.例文帳に追加

ｐ側コンタクト層１９は、ｐ型クラッド層１８の突部１８ａに対応して設けられた基礎成長領域１９ａと、この基礎成長領域および突部１８ａを基礎として成長された再成長領域１９ｂとを有している。 - 特許庁

The opening 21 is buried, a first semiconductor region 12 containing impurities of a second conductive type is formed so as to come into contact with the base region 11, and the first insulating film 20 and the first semiconductor region 12 are processed as a predetermined pattern.例文帳に追加

開口部２１を埋め込み、ベース領域１１と接するように第２導電型の不純物を含有する第１の半導体領域１２を形成し、第１の絶縁膜２０および第１の半導体領域１２を所定のパターンに加工する。 - 特許庁

The problem is solved in such a way that in a cycle where a page turning roller turns the paper, a region where rotating speed of the page turning roller is high and a region where it is low are provided and in the region where the rotating speed is low, the page turning roller is brought into contact with the leaf.例文帳に追加

ページめくりローラが紙葉をめくるサイクルの中で、ページめくりローラの回転速度の高い領域と低い領域とを有し、回転速度の低い領域でページめくりローラと紙葉とが接触することにより解決する。 - 特許庁

In this way, the impurity concentration can be easily made higher in a portion to be formed for insertion into the lower part of an n^+-source region 8 in the p^+-type contact region 9 than in a portion to be formed on the substrate surface side of a p-type base region 7.例文帳に追加

これにより、容易にｐ^+型コンタクト領域９のうちのｎ^+型ソース領域８の下方に入り込むように形成される部分をｐ型ベース領域７の基板表面側に形成される部分よりも不純物濃度が濃くできる。 - 特許庁

A partially missing part is formed on a surface of an n+ emitter region 9 on surfaces between gate electrodes 7 of a MOS gate structure to form a surface pattern for expanding a surface area of a p+ contact region 9 surrounded by a surface of the n+ emitter region 9.例文帳に追加

ＭＯＳゲート構造のゲート電極７間の表面で、ｎ^+エミッタ領域９表面に一部欠落部を設け、このｎ^+エミッタ領域９表面に囲まれたｐ^+コンタクト領域９の表面積を拡張させる表面パターンとする。 - 特許庁

As a result it is possible to prevent the thickness of the thermal oxide film 108 in an inner wall of a trench groove from increasing abnormally in a region in contact with a source/drain region, thus reducing the width size of a source/drain region and to prevent source/drain resistance from increasing.例文帳に追加

これによりトレンチ溝内壁の熱酸化膜１０８がソース・ドレイン領域に接する領域において異常に膜厚が増加してソース・ドレイン領域の幅寸法が減少し、ソース・ドレイン抵抗が増大することが防止される。 - 特許庁

The steps between a capacitor region and its peripheral device region are reduced by forming a dummy pattern 6 corresponding to a polysilicon film 5 in a lower contact region formed to a LOCOS oxide film and an outer circumference of the polysilicon film 5 formed on it.例文帳に追加

ＬＯＣＯＳ酸化膜及びその上に形成されたポリシリコン膜５の外周に形成された下部コンタクト領域に、ポリシリコン膜５に対するダミーパターン６を形成することにより、キャパシタ領域とその周辺のデバイス領域との段差を軽減する。 - 特許庁

This dental checkup sheet is disposed with a checkup region including at least a tooth face contact area having an approximately U shape along the tooth row, and is characterized in retaining an indicator changing the color according to the property of liquid coming into contact therewith in the checkup region.例文帳に追加

歯列に沿う略Ｕ字形状を有する歯面接触領域を少なくとも含む検査用領域が配置され、前記検査用領域には、接触した液体の性質によって色が変化する指示薬が保持されていることを特徴とする歯科検査用シート。 - 特許庁

In an nMOS, the plane of the source/drain region parallel to the gate width direction is brought into contact with an element isolation film into which a silicon nitride film is inserted, and the plane of the source/drain region in parallel to a gate length direction comes into contact with the element isolation film composed only of a silicon oxide film.例文帳に追加

ｎＭＯＳにおいては、ゲート幅方向と平行なソース・ドレイン領域の面がシリコン窒化膜が挿入された素子分離膜と接し、ゲート長方向と平行なソース・ドレイン領域の面がシリコン酸化膜のみからなる素子分離膜と接している。 - 特許庁

The boundary of the first and second stress films 4 and 5 and the contact hole formation region 9 are displaced from each other, thereby effectively suppressing etching damage on a silicide region 2 and the gate electrode 1 during the formation of the contact hole and the occurrence of a faulty opening.例文帳に追加

第１，第２の応力膜４，５の境界とコンタクトホール形成領域９をずらしてレイアウトすることにより、コンタクトホール形成時のシリサイド領域２やゲート電極１へのエッチングダメージや開口不良の発生を効果的に抑制することが可能になる。 - 特許庁

Thereby, a resistance value can be lowered by enlarging a cross-sectional area of a p-type layer 8 when a surge current flows into the center of contact region to allow the surge current to increase at the area nearer the center 8a of contact region than the external circumferential part 8d of the p-type layer 8.例文帳に追加

これにより、中心部においてサージ電流が流れる際のｐ型層８の断面積を大きくして抵抗値を下げることができ、ｐ型層８のうち外周部８ｄよりも中心部８ａ寄りの部分に多くのサージ電流が流れるようにできる。 - 特許庁

An exposed portion (high hydrophilicity portion 131) on the skin contact side 11 of the high hydrophilicity region 13 is consecutive in a planar direction, and an exposed portion (high hydrophilicity portion 132) on the non-skin contact side 12 of the high hydrophilicity region 13 is also consecutive in a planar direction.例文帳に追加

そして高親水度部分１３の肌当接側１１の露出部分（高親水度部分１３１）は平面方向に連続すると共に、高親水度部分１３の非肌当接側１２の露出部分（高親水度部分１３２）も平面方向に連続している。 - 特許庁

In a photovoltaic module 10, the degree of cross-linkage of a second region 2b of a sealing material 2 that is in contact with the back surface of a solar cell 1a is smaller than that of a first region 2a of the sealing material 2 that is in contact with a light receiving surface of the solar cell 1a.例文帳に追加

本実施形態に係る太陽電池モジュール１０では、太陽電池１ａの裏面と接する封止材２の第２領域２ｂの架橋度が、太陽電池１ａの光入射面と接する封止材２の第１領域２ａの架橋度よりも小さい。 - 特許庁

The NAND flash memory has a structure that a silicon nitride film 21 is formed as a spacer in the side wall of an interlayer insulating film 20 in a contact hole 8 between the gate electrodes 5, 5 of a memory cell region 2 and the contact hole 9 of a high voltage resistance transistor 6 in the peripheral circuit region 3.例文帳に追加

ＮＡＮＤフラッシュメモリで、メモリセル領域２のゲート電極５、５間のコンタクトホール８と周辺回路領域３の高耐圧トランジスタ６のコンタクトホール９とに、層間絶縁膜２０の側壁にスペーサとしてのシリコン窒化膜２１を形成する構成である。 - 特許庁

A mask 3 for contact holes of a 1st size the formed in a 1st region 2 on a reticle 1 and a mask 6 for contact holes of a 2nd size different from the 1st size is formed in a 2nd region 5 on the reticle 1.例文帳に追加

レチクル１上の第１の領域２に、第１のサイズのコンタクトホール用のマスク３を形成すると共に、前記レチクル１上の第２の領域５に、前記第１のサイズとは異なる第２のサイズのコンタクトホール用のマスク６を形成したことを特徴とする。 - 特許庁

In this case, the analysis tool X1 is preferably made up so as to be able to select either a state that the reagent fixing region of the reagent immobilized section 1 is in contact with the sample liquid removing section 2 or a state that the reagent fixing region is out of contact with the sample liquid removing section.例文帳に追加

この場合、分析用具Ｘ１は、試薬固定部１の試薬固定領域が試料液除去部２に接触する状態と、試薬固定領域が試料液除去部に接触しない状態と、を選択できるように構成するのが好ましい。 - 特許庁

The lower frame 1 is provided with a masking rubber 3 being in contact with the lower surface of the workpiece W and masking a partial region of the lower surface and the upper frame 2 is provided with a masking rubber 4 being in contact with the upper surface of the workpiece W and making a partial region of the upper surface.例文帳に追加

下フレーム１には、ワークＷの下面に接触して当該下面の一部領域をマスクするマスキングゴム３が設けられ、上フレーム２には、ワークＷの上面に接触して当該上面の一部領域をマスクするマスキングゴム４が設けられている。 - 特許庁

In the contacting of a word line with an upper-layer metal wiring, a polysilicon region 100-2 including the contact (for example, 12_2) is formed under the polysilicon for forming the word line (for example, 10_2) to adopt the poly-silicon region 100-2 as an etch-stop layer used, when the contact 12_2 is formed.例文帳に追加

ワード線と上層の金属配線とのコンタクト部においては、ワード線（たとえば１０＿２）を形成するポリシリコンの下部に、コンタクト部（たとえば１２＿２）を包含するポリシリコン領域１００＿２が、コンタクトを形成する際のエッチングストップ層として形成される。 - 特許庁

It is effective that the density of the protrusions is controlled by the ratio of the sum total area of the protrusions coming, in contact with a color filter substrate to the display region area and the ratio of the sum total area of the upper base of the protrusions which come into contact with the counter substrate to the display region area.例文帳に追加

突起の密度を、突起のカラーフィルター基板と接する面積の総和の表示領域面積に対する比と、突起上底の対向基板と接する面積の総和の表示領域面積に対する比とによって管理することが効果的である。 - 特許庁

To provide a medical X-ray apparatus capable of specifying an operating or interlocking component and capable of specifying a component to be retracted from a contact region or the retracting direction when the component enters the contact region.例文帳に追加

動作中またはインターロック中の構成要素がどれかをすぐに特定でき、さらに接触領域に入った場合に接触領域から退避動作を行うための構成要素と退避方向も容易に特定することができる医用Ｘ線装置を提供する。 - 特許庁

A surface resistance value measuring device 100 includes: a charging device 110 for giving charge to a charging region 1001 of a measuring object 1000 in non-contact; and a charge detector 120 for measuring a charge amount in a measuring region 1002 in non-contact.例文帳に追加

表面抵抗値測定装置１００は、測定対象物１０００の帯電領域１００１に非接触で電荷を与える帯電装置１１０と、測定領域１００２における電荷量を非接触で測定する電荷検出装置１２０と、からなる。 - 特許庁

A contact region where relative smooth turn is obstructed between the sunvisor body and the shaft part is formed in the second turn section on a contact sliding part where the sunvisor body and the shaft part slide in a state of making contact with each other.例文帳に追加

そしてサンバイザ本体と軸部とが互いに接触した状態で摺動する接触摺動部において、第２の回動区間にはサンバイザ本体と軸部との間で相対的な円滑回動が阻害される接触領域が形成されている。 - 特許庁

A non-contact region C1 is formed between the pinching parts 10 and 11 and the corresponding pinched parts 24 and 25, respectively, and first and second non-contact areas A1 and A2 are formed on both sides of the non-contact area C1, sandwiching the area C.例文帳に追加

各挟持部１０，１１とそれぞれに対応する被挟持部２４，２５との間には、非接触領域Ｃ１が形成され、非接触領域Ｃ１を挟んだ両側に第１および第２の接触領域Ａ１，Ａ２が形成されている。 - 特許庁