「contact region」に関連した英語例文の一覧と使い方(51ページ目) - Weblio英語例文検索

In an embodiment, a metal structure, to which a negative bias is applied to prevent crosstalk and which is extended as far as the lower part of any of the contact pads to increase the capacities of the pixels, is provided in a lower part of an interface region for separating adjacent pixels.例文帳に追加

１実施形態では、負のバイアスを印加されてクロストークを防ぐとともに、任意に接触パッドの下部にまで延び、画素の容量を高める金属構造が、隣接する画素を分離する界面領域の下部に設けられている。 - 特許庁

To simultaneously emit light with a hole transport luminescent layer and an electron transport luminescent layer and optionally display color in a visible light region in an organic EL(electroluminescence) element having structure in which the hole transport luminescent layer directly comes in contact with the electron transport luminescent layer.例文帳に追加

正孔輸送性発光層と電子輸送性発光層とが直接接した構造を有する有機ＥＬ素子において、両発光層にて同時発光を行い、可視光領域における任意な表示色を可能とする。 - 特許庁

The height of the upper surface of an element separation insulating film 24 between an adjacent data transfer line contacts is higher than that of the main surface of a semiconductor substrate 23 in an element region between the first selection gate transistor and data transfer line contact.例文帳に追加

隣接するデータ転送線コンタクトの間の素子分離絶縁膜24の上面の高さは、第１の選択ゲートトランジスタとデータ転送線コンタクトとの間の素子領域における半導体基板23の主表面の高さより高い。 - 特許庁

In that method, a region PZ for arranging the wafer W is set on the side of surface 2p of a flexible film 2 coming into contact with the wafer W which is applied with pressure required for polishing from a rear surface 2q side.例文帳に追加

その方法は、表面２ｐがウェーハＷとの接触面をなすとともに、裏面２ｑ側から研磨に必要な圧力をウェーハＷに伝達する可撓膜２に対し、その表面側にウェーハＷの配置領域ＰＺを定める。 - 特許庁

In addition, the semiconductor device 100 includes a contact 134, which is coupled to the N-type impurity-diffused region 116a in the both sides of the first gate 210 and is buried in the second concave portion having a diameter that is large than the first concave portion.例文帳に追加

また、半導体装置１００は、第１のゲート２１０の両側方のＮ型不純物拡散領域１１６ａに接続され、第１の凹部よりも径が大きい第２の凹部内に埋め込まれたコンタクト１３４を含む。 - 特許庁

A protective pattern 19, which consists of one of the electrically conductive layers for forming the antenna 12 and the bridge 17, is formed on the rear face of the region where the IC chip 11 is mounted on the base member 14 so that the IC chip 11 can be connected to the contact points 13.例文帳に追加

ＩＣチップ１１が接点１３と接続されるようにベース基材１４上に搭載される領域の裏面に、アンテナ１２やブリッジ１７を形成するための導電層による保護パターン１９を形成する。 - 特許庁

In addition, the sheet has a space region where a release agent 25 is applied, formed on the base material, and the release agent contains a particle 26 which eats into the transferred laminated layer and forms a recessed part when the printing medium to which the ink and the laminated layer are transferred and the ink sheet are pressed into contact with each other.例文帳に追加

該離型材内には、インク及びラミネート層の転写された印刷媒体とインクシートとが圧接されたときに転写されたラミネート層に食い込んで凹部を形成するように粒子２６が混入されている。 - 特許庁

Arrangement is made such that no resin burr 19 is formed in the region sandwiched between the junctions 21 formed in a part of the lead terminal 3 and, and resin burrs 19 are left in the other portions which make contact with the lands 12 of the lead terminals 3.例文帳に追加

又、リード端子３の一部に設けられた半田接合部２１により挟まれる領域には樹脂バリ１９を形成せず、リード端子３の部品ランド１２に当接する部分以外に樹脂バリ１９を残した構成とした。 - 特許庁

A multi-core optical fiber 1A includes cores 10 to 16, a common clad 20 having a refractive index lower than that of the cores 10 to 16 and surrounding the cores 10 to 16, and a high-viscosity region 31 provided in contact with the clad 20.例文帳に追加

マルチコア光ファイバ１Ａは、コア１０〜１６と、コア１０〜１６の屈折率より低い屈折率を有しコア１０〜１６を取り囲む共通のクラッド２０と、クラッド２０に接して設けられた高粘性領域３１とを有する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a liquid crystal display device by which a sealing material is suppressed from protruding into a region of an adjacent liquid crystal cell to attain a reliable contact of an extending part of the sealing material with a columnar member.例文帳に追加

シール剤が隣接する液晶セルの領域内にはみ出してしまうのを抑止し、シール材の前記延在部と前記柱状部材との信頼性ある接触を達成する液晶表示装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

High-friction members 30 and 30 capable of maximizing sliding resistance of contact sections between the upholstering material 26 and the left/right side-section frames 18 and 18 are provided on both-side inner faces in the lower section side, which supports the adjacency of the lumbar region of the seated person, in the upholstering material 26.例文帳に追加

張り材２６における座者の腰部付近を支持する下部側の両側部内面に、張り材２６と、左右の側部フレーム１８、１８との接触部の摺動抵抗を大としうる高摩擦部材３０、３０を設ける。 - 特許庁

An STI 50a which is in contact with the n-type well in a direction directing a source 22 to a drain 24 of the p-type channel MOSFET 20 is made of an insulating material exerting a compression stress on an n-type well region 26.例文帳に追加

ｐ型チャネルＭＯＳＦＥＴ２０のソース２２からドレイン２４に向かう方向においてｎ型ウェルに接するＳＴＩ５０ａは、ｎ型ウェル領域２６に圧縮応力を作用させる絶縁材料により形成される。 - 特許庁

The support material 8 is installed to press and support the pressing body 62 against the center point K of rotation of the heating rotator 5, on an extended line of a straight line M extended to a region coming into contact with the heating rotator 5.例文帳に追加

支持材８は、加熱回転体５と接触する領域に伸ばした直線Ｍの延長線上において、加熱回転体５の回転中心点Ｋにむけて押当て体６２を押し当てて支持するように設置される。 - 特許庁

The chip is mounted in a predetermined mounting position and when a chip 1b to be mounted second is moved to the predetermined mounting position, it is computed in an operation region 20b whether the chips come into contact with each other including mounting precision and outer shape sizes.例文帳に追加

該チップを所定の実装位置に実装し、２番目に実装されるチップ１ｂを所定の実装位置まで移動したら、搭載精度・外形サイズを含めて該チップ同士が接触するか否かを演算領域２０ｂで演算する。 - 特許庁

A dividing wall surface 53a is disposed in a boundary region between the game play area 17 and the non-game play area 18 on the front side of the certification label 43 to be slidably brought into contact with a game ball B to retain the game ball B within the game play area 17.例文帳に追加

証紙４３の前方側における遊技領域１７と非遊技領域１８との境界部位には、遊技球Ｂと摺接して遊技球Ｂを遊技領域１７内に留める区画壁面５３ａが配設される。 - 特許庁

To provide a method of measuring a dielectric constant of SNDM and SNDM capable of avoiding change of probe edge shape by detecting to bring a probe edge into contact with a sample in dielectric constant measurement of a minute region.例文帳に追加

微小領域の誘電率測定において、探針先端と試料とを接触することを検出することで、探針先端形状の変化を回避可能とするＳＮＤＭの誘電率の測定方法及びＳＮＤＭを提供する。 - 特許庁

That is, when a heat shock is applied in a succeeding step of forming an inter-layer insulating film, a portion of the scanning line 83 in a dummy pixel region wherein dummy contact holes Dc are formed, functions as a shock absorbing part.例文帳に追加

つまり、後続の層間絶縁膜の形成工程において熱衝撃が加わった場合、ダミーコンタクトホールＤｃが形成されたダミー画素領域における走査線８３部分が、衝撃吸収部分として機能することになる。 - 特許庁

The open part 40 has an adhesive layer 21 and an air layer when the adhesive 21 is stored, and a region which penetrates through the fixing member 14 is provided so that the air layer is brought into contact with the air outside the fixing member 14.例文帳に追加

開口部４０は、接着剤２１を貯えた際に接着剤２１の層と空気の層とを有し、空気層が固定部材１４外の空気と接触するように固定部材１４を貫通する領域が設けられている。 - 特許庁

A first resin layer 400 is provided around the supporting member 200 to fill a space under part the protruded region of the first semiconductor device 110, and is brought into contact with the supporting member 200.例文帳に追加

第１の樹脂層４００は、支持部材２００の周囲のうち、第１の半導体装置１１０がはみ出している領域の一部において第１の半導体装置１１０の下の空間を埋めており、かつ支持部材２００に接している。 - 特許庁

This mask is used for sealing the aperture of the cell of the honeycomb structure, and has a plurality of first through-holes penetrating the mask in the thickness direction, in a region where the mask comes into contact with the edge surface of the honeycomb structure during using the mask.例文帳に追加

本発明に係るマスクは、ハニカム構造体のセルの封口に使用されるものであり、使用時においてハニカム構造体の端面と当接する領域に、マスクの厚さ方向に貫通する複数の第１の貫通孔を有する。 - 特許庁

The blade member 12-1 is brought into contact with a developing roller 10 to scrape off the liquid developer remaining on the developing roller 10, but a puddle of the liquid developer occurs in the tip region of the blade member 12-1.例文帳に追加

ブレード部材１２−１が現像ローラ１０に接触されて、現像ローラ１０に残存している液体現像剤を掻き取ることになるが、このブレード部材１２−１の先端領域には、液体現像剤の液溜まりが生じる。 - 特許庁

Since the silicon nitride film 12 does not extend to the lower part of the inside of the silicon nitride film 11, a contact hole can be prevented from having a small diameter because of abutting on the silicon nitride film 12 in a region sandwiched by the pair of silicon nitride films 11.例文帳に追加

シリコン窒化膜１２がシリコン窒化膜１１の内側下方に延出することが無いので、一対のシリコン窒化膜１１で挟まれる領域において、コンタクトホール径がシリコン窒化膜１２に当接して小さくなることが無くなる。 - 特許庁

Therefore, in the channel region formed in the vicinity of the boundary of the first oxide semiconductor film that is in contact with the second oxide semiconductor film, the deterioration in mobility due to the electron trap or the like caused by the dangling bond can be suppressed.例文帳に追加

このため、第２の酸化物半導体膜と接する第１の酸化物半導体膜の界面近傍に形成されるチャネル領域では、未結合手による電子トラップなどに起因した移動度の低下を低減できる。 - 特許庁

In this manner, making a point where the surfaces of the epitaxially grown films contact each other an n^+-type drain region 5 eliminates the need for arranging the gate electrode 8 so as to avoid the point to thereby prevent the standardized ON resistance from increasing.例文帳に追加

このように、エピタキシャル成長による膜の表面同士が接する箇所をｎ^+型ドレイン領域５とすることで、その箇所を避けるようにゲート電極８を配置する必要が無くなり、規格化オン抵抗を増加させないですむ。 - 特許庁

The sole is provided with the ground contact block imbedded with the filler, in the entire sole surface or in a particular sole region corresponding to the lower ball of the big toe, lower ball of the little toe, and the outer part of the heel.例文帳に追加

また、充填物を設けた接地ブロックを、拇趾球下部領域、子趾球下部領域および踵部外方領域に相当する靴底面の全て若しくは何れか領域に相当する靴底面に設けたことを特徴とする。 - 特許庁

Samples 1-1 to 1-N are distributed over the entire detection region of a cataphoresis path 2 that is filled with a migration media, and is made to undergo cataphoresis at a specific velocity V by a power supply 3 and electrodes 4 and 5 in contact with the migration media.例文帳に追加

試料１−１〜１−Ｎは泳動媒体で満たされた電気泳動路２の検出領域全体にわたって分布しており，電源３と泳動媒体に接する電極４，５によって所定の速度Ｖで電気泳動される。 - 特許庁

The apparatus has such a structure that a belt type electrifying member made of a conductive elastic member is supported by two spindles and driven in contact with a photoreceptor drum, and that the discharge region can be varied by position relation of the two spindles and the photoreceptor drum.例文帳に追加

導電性弾性部材から成るベルト状帯電部材が２本の軸により支持され感光ドラムに接触し従動しており、２軸と感光ドラムの位置関係により放電領域を変化させることができる構成。 - 特許庁

Since resonance frequency is reduced by the weight, the generation of whine noise in the number of revolutions in a normal use region of an engine is prevented, and since welding of the weight is done in the bead part, distortion does not occur in the outer peripheral part 23 which is the contact face.例文帳に追加

重りにより共振振動数が低減されてエンジンの常用域回転数におけるうなり音の発生が防止され、重りの溶接はビード部に行うので、当たり面である外周部２３に歪みを生じない。 - 特許庁

As a mask for forming the lamination gate of a memory cell array is used to perform an SAS etching process, another mask for the SAS etching process is unwanted and a process margin in a bit line contact region can be ensured.例文帳に追加

メモリセルアレーの積層ゲートを形成するためのマスクを用いてＳＡＳエッチング工程を行うので、別途のＳＡＳエッチング工程用のマスクを必要とせず、ビットラインコンタクト領域における工程マージンを確保することができる。 - 特許庁

An interlayer insulating film 14 is formed on a semiconductor substrate 10 to cover a field-effect transistor, and a contact plug 15 is formed in the insulating film 14 so that the plug 15 may be connected to the drain region 12.例文帳に追加

半導体基板１０上には電界効果型トランジスタを覆うように層間絶縁膜１４が形成されており、該層間絶縁膜１４にはドレイン領域１２と接続されるようにコンタクトプラグ１５が形成されている。 - 特許庁

In injection molding the secondary molding product, a region 9 as a part of the surface of the resin nut holder 2 is tightly in contact with a positioning wall provided in the molding die, and the resin nut holder 2 is held by mold-clamping the molding die.例文帳に追加

二次成形品の射出成形において、その成形金内に設けた位置決め壁に樹脂製ナットホルダ２の一部表面領域９を密接させると共に成形金型の型締めにより、樹脂製ナットホルダ２を保持する。 - 特許庁

In each element 24, the friction coefficient of a contact surface 32 of the shoulder part 28 with the laminated ring 22 is set higher in a center side region 32A in the plate thickness direction of the element 24 than in both end side regions 32B.例文帳に追加

各エレメント２４において、肩部２８における積層リング２２との接触面３２は、エレメント２４の板厚方向における中央側の領域３２Ａの方が両端側の領域３２Ｂよりも摩擦係数が高く設定されている。 - 特許庁

The field plate 9 is in contact with both a part of a surface of an n-type drift layer 2 in a mesa region 18 between the end portion trench 7 and guard trench 8, and the conductive polysilicon 13 formed inside the guard trench 8.例文帳に追加

フィールドプレート９は、端部トレンチ７とガードトレンチ８の間のメサ領域１８におけるｎ型ドリフト層２の表面の一部と、ガードトレンチ８の内部に形成されている導電性ポリシリコン１３の両方と接している。 - 特許庁

The gate groove 4 has a shape of its opening end 4a defined by the element isolation region 3 in a channel-width direction, and is formed so as to be in contact with the pair of diffusion regions 5 respectively in a channel length direction E.例文帳に追加

ゲート溝４は、チャネル幅方向Ｄではその開口端４ａの形状が素子分離領域３により画定され、且つ、チャネル長方向Ｅでは一対の拡散領域５にそれぞれ接するように形成されている。 - 特許庁

The FET comprises an active region separated on first and second sides counter to first and second silicon oxide regions that are embedded in the first silicon layer and extend downward to physically contact to the insulating layer.例文帳に追加

ＦＥＴは、第１シリコン層内に埋め込まれ且つそれぞれが下に向って延びて絶縁層に物理的に接する第１、第２酸化シリコン領域によって相対する第１、第２の側において区切られた活性領域を有する。 - 特許庁

An ultrasound microphone 11 provided apart from a roller bearing 110 to be predicted with abnormality detects frictional sound of 20 kHz-100 kHz of ultra sound region generated from the rotational contact surface of the roller bearing 110.例文帳に追加

異常予知対象の転がり軸受１１０から離隔して設置した超音波マイクロホン１１で転がり軸受１１０の転動接触面で発生する２０ｋＨｚ〜１００ｋＨｚの超音波領域の摩擦音を検出する。 - 特許庁

The p^--type leakage stopper region 112 is formed so as to be in contact with both of an insulating film 102 and the collector electrode film 201, and is further Schottky-joined to the collector electrode film 101 together with the n^+-type buffer layer 103.例文帳に追加

Ｐ^−型リークストッパ領域１１２は、絶縁膜１０２とコレクタ電極膜２０１との双方に接するように形成され、さらに、Ｎ^＋型バッファ層１０３と共にコレクタ電極膜１０１に対してショットキー接合されている。 - 特許庁

In another way, the source electrode 6 and the drain electrode 7 are connected with the source/drain region 5 via a contact hole arranged on an interlayer dielectric on the active layer 4 and via a conducting layer arranged on the interlayer dielectric.例文帳に追加

あるいは、ソース電極６およびドレイン電極７は、活性層４上の層間絶縁膜に設けられたコンタクトホールおよび層間絶縁膜上に設けられた導電層を介してソース・ドレイン領域５と接続されている。 - 特許庁

The gate electrode 14 and the well region 11 are electrically connected via a semiconductor connection part 17 formed to make contact with a side wall of the part of the outer edge of the gate electrode 14 where the side wall spacer 15 is not formed.例文帳に追加

上記側壁スペーサ１５が形成されていないゲート電極１４の外縁の一部の側壁に接するように形成された半導体接続部１７を介してゲート電極１４とウエル領域１１とを電気的に接続する。 - 特許庁

A polysilicon resistor design method comprises a step of determining a resistance value of a polysilicon resistor 1 composed of polysilicon which has a silicide region 1b formed at both ends thereof, with the silicide regions 1b connected to a contact 3.例文帳に追加

ポリシリコン抵抗の設計方法は、シリサイド領域１ｂが両端にそれぞれ形成されたポリシリコンにより構成され、シリサイド領域１ｂがコンタクト３へ接続されるポリシリコン抵抗１の、抵抗値を判定する工程を有する。 - 特許庁

A chemilumiscenent substrate is made in contact with the enzyme labelled antibodies peculiarly joined to the labelled receptors or the labelled ligands in photoelectrically detecting chemiluminescence released from the adsorptive region of the biochemical analysis unit.例文帳に追加

標識レセプタまたは標識リガンドと特異的に結合した酵素標識抗体に化学発光基質を接触させて、生化学解析用ユニットの吸着性領域から放出される化学発光を光電的に検出する。 - 特許庁

An anode junction electrode terminal 8 comes into contact with a wafer substrate 1 through an opening 5c for an anode junction electrode terminal, and is connected to an anode junction internal electrode 6b of an internal region through the wafer substrate 1.例文帳に追加

陽極接合電極端子８は陽極接合電極端子用開口部５ｃを介してウエハ基板１と接触しており、ウエハ基板１を介して内部領域の陽極接合内部電極６ｂと接続されている。 - 特許庁

Since a contact is not arranged on one portion (far side from the first gate electrode) out of portions located on both sides of the second gate electrode 4 out of the first semiconductor region 1, the area does not compose the transistor.例文帳に追加

一方、第１の半導体領域１のうち第２のゲート電極４の両側に位置する部分の一方（第１のゲート電極から遠い側）にはコンタクトが配置されていないため、この領域はトランジスタを構成しない。 - 特許庁

A control portion 1 receives an operation input in response to information display when a contact position detected by a touch panel 10 coincides with at least a display region of the information display in an image 5a of a crystal display 5.例文帳に追加

タッチパネル１０で検出する接触位置が液晶ディスプレイ５の画面５ａ内において少なくとも案内表示の表示領域と一致するときに制御部１が当該案内表示に対応した操作入力を受け付ける。 - 特許庁

Among the other surface 20b of the die pad 21 in lead frame 20, the sensor chip 10 loading region and whole area immediately below and the package member 30 are in non-contact state by way of the space 31 formed on the package member 30.例文帳に追加

リードフレーム２０における素子搭載部２１の他面２０ｂのうちセンサチップ１０搭載領域の直下部全域と、パッケージ部材３０とは、パッケージ部材３０に形成された空間部３１を介して非接触状態になっている。 - 特許庁