「contact region」に関連した英語例文の一覧と使い方(52ページ目) - Weblio英語例文検索

There are provided each bit line 61 extended along a first direction 62, each word line 60 extended along a second direction 63 crossing the first direction 62 substantially perpendicularly, each active region 40, and each bit line contact 57.例文帳に追加

第１方向６２に沿って伸びる各ビット線６１と、第１方向６２とは実質的に直交する第２方向６３に沿って伸びる各ワード線６０と、各能動領域４０と、各ビット線コンタクト５７とを提供する。 - 特許庁

In order to prevent the failure in contact formation an element isolation film 2 of a capacitor formation region 3 is dug down by etching in advance before the capacitor 16 is formed, and the capacitor 16 is arranged on the element isolation film 2 dug down.例文帳に追加

コンタクト形成不良を防止するために、キャパシタ１６の形成前にキャパシタ形成領域３の素子分離膜２を予めエッチングにより掘り下げ、このキャパシタ１６は、この掘り下げられた素子分離膜２上に設けられている。 - 特許庁

Consequently, Si is diffused in the ohmic contact forming region 11 of the ALGaN layer 3 to become a level of 10^20cm^-3 in concentration and sufficiently high electron concentration, in order to obtain ohmic characteristics by reacting with Ti.例文帳に追加

それにより、ＡｌＧａＮ層３のオーミック・コンタクト形成領域１１内で、Ｓｉが拡散されて濃度〜１０^２０ｃｍ^−３レベルとなり、Ｔｉと反応してオーミック特性を得るために十分に高い電子濃度となる。 - 特許庁

The joining part 8 of each of the loop-shaped leakproof walls 7 in the excretion region (a) is formed by joining one side part 6a of the stretchable sheet 6 to the skin contact surface in one side part 5a in the longitudinal direction of the surface sheet 2.例文帳に追加

排泄部領域ａにおけるループ状の防漏壁７の接合部８は、表面シート２の長手方向の一側部５ａにおける肌当接面側に、伸縮シート６の一側部６ａが接合されて形成されている。 - 特許庁

The coordinate input system has a calculating means for identifying whether the number of contact or proximity parts of a coordinate input region with a conductor such as the finger is one or two, thereby preventing incorrect detection even when the protective layer is made thick to improve the durability.例文帳に追加

座標入力領域を指などの導体で接触又は近接した箇所が１箇所か２箇所かを識別する計算手段を有することで、耐久性向上のため保護層を厚くしても誤検出を防止できる。 - 特許庁

To provide a vibration detecting probe having a simple structure, used for measuring even a narrow region, and having a widened range of measurable frequency with a contact resonance frequency raised.例文帳に追加

本発明は、構造が簡単で狭い部位でも測定出来、接触共振周波数を高くして測定可能な周波数帯域を広く取ることが出来る振動検出プローブを提供することを可能にすることを目的としている。 - 特許庁

Further, the display device has a common wiring line 5 arranged enclosing the display region 1, a contact hole for connecting the electrodes of the pixels to the common wiring line, and a wiring line lead-out part to which the common wiring line and a portion of the terminal part are connected.例文帳に追加

また表示領域１の周囲を囲んで配置された共通配線５と、画素の電極と共通配線との接続をとるコンタクトホールと、共通配線と端子部の一部を接続する配線引出部と、を有する。 - 特許庁

The first substrate and the second substrate are attached to each other with the liquid crystal interposed therebetween so that the plurality of projections are in contact with an uncured region in the sealant formed over the first substrate.例文帳に追加

第２の基板はシール材接着部に複数の凸部を有しており、複数の凸部が第１の基板上のシール材の未硬化領域と接するように第１の基板と第２の基板を、間に液晶を挟持して貼り合わせる。 - 特許庁

The resistance heating material 13 contains silicon or a silicon compound, and is fusion bonded in filled state without a gap in the recessed groove 15 formed in one of the insulating substrate 11 in the contact region 14 of the electric insulating substrates 11, 12.例文帳に追加

抵抗発熱材１３は、電気絶縁性基材１１，１２同士の接触領域１４における一方の電気絶縁性基材１１に形成された凹溝１５内に隙間無く充填された状態で融着されている。 - 特許庁

When a transaction is settled with the non-contact version IC chips 100 by using an electronic money, a reader/writer 20 transmits the electronic money, based on the sufficiency information E to a closed memory region 104 of the non-contacting version IC chip 100.例文帳に追加

リーダ／ライタ２０は、非接触型ＩＣチップ１００との間で電子貨幣を用いた取引の決済を行う際に、充足情報Ｅに基づく電子貨幣を、非接触型ＩＣチップ１００のクローズドメモリ領域１０４に送信する。 - 特許庁

To provide inexpensive sliding members which, even in conditions where the thickness of an oil film in a contact sliding part is relatively thin, maintain sliding in the boundary lubricating region, and have high reliability, and also to provide a method for producing the same.例文帳に追加

接触摺動部における油膜の厚さが比較的薄い状況下おいても、境界潤滑領域での摺動を維持し、信頼性が高く、安価な摺動部材、及びその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

Moreover, the vibrationproof member 19 has a convex section 19a at a periphery and the casing 20 has a concave section 23a at a region of contact with the vibrationproof member 19 so that the vibrationproof member 19 and the casing 20 are connected to be inseparable.例文帳に追加

さらに、防振部材１９は外周に凸部１９ａを有しており、ケーシング２０は防振部材１９との接続部位に凹部２３ａを有しているので、防振部材１９とケーシング２０とは、遊離不能に接続される。 - 特許庁

The funnel-shaped optical pipe contains (i) a lower cylindrical portion on the light-collecting region and (ii) a funnel-shaped portion, having a tapering shape and arranged on the lower cylindrical portion, while physically coming into direct contact with the lower cylindrical portion.例文帳に追加

漏斗状光パイプは、（ｉ）光収集領域の上の下部円筒状部分と、（ｉｉ）テーパの付いた形を有し、下部円筒状部分の上にあってこれと物理的に直接接触している漏斗状部分と、を含む。 - 特許庁

At a lowering position of a piston rod 9, a first supporting ring 4 is fixed and joined to the outer cylinder pipe for encircling an exit region from a pressure cylinder 8, and a first contact face 20 in a helical shape is provided at one end face.例文帳に追加

ピストンロッド９の降下位置でその圧力シリンダ８からの出口領域を包囲する第１支持リング４を外筒パイプに固定結合すると共に，一方の端面にヘリカル形状の第１接触面２０を設ける。 - 特許庁

Contact members 25 and 25 penetrate the interlayer insulating film 23 and the coating film 21 vertically above each source/drain diffusion region 13a, 13b and are connected electrically with the source/drain diffusion regions 13a and 13b.例文帳に追加

各ソース／ドレイン拡散領域１３ａ，１３ｂ上でそれぞれ層間絶縁膜２３と被覆膜２１とを上下方向に貫通してそのソース／ドレイン拡散領域１３ａ，１３ｂに電気的に接続されたコンタクト部材２５，２５とを備える。 - 特許庁

After a source/drain diffusion layer 8, a first side wall oxide film 9 and a third polycrystalline silicon film 10 which becomes a contact pad are formed; a silicon oxide film is removed by dry etching by using photoresist where an opening is formed in a memory peripheral region alone.例文帳に追加

ソース・ドレイン拡散層８、第１の側壁酸化膜９、コンタクトパッドとなる第３の多結晶シリコン膜１０を形成後、メモリ周辺領域のみを開口したフォトレジストをマスクにしてドライエッチによりシリコン酸化膜を除去する。 - 特許庁

On the rear surface of each fine metal stripes 4 on a side opposite to that, having contact with damper wire 8a and 8b, grooves 10 with a length L are respectively provided in the lower region below the center P of fine metal stripes 4 with respect to the Y direction.例文帳に追加

ダンパー線８ａ，８ｂに接触する側と反対側の各金属細条４の裏面には、Ｙ方向に関する金属細条４の中心Ｐから下側領域に、長さＬの溝１０がそれぞれ設けられている。 - 特許庁

Alternatively, the height of the upper surface of the element separation insulating film 24 between the adjacent source line contacts is higher than that of the main surface of the semiconductor substrate 23 in an element region between the second selection gate transistor and source line contact.例文帳に追加

或いは隣接するソース線コンタクトの間の素子分離絶縁膜24の上面の高さは、第２の選択ゲートトランジスタとソース線コンタクトとの間の素子領域における半導体基板23の主表面の高さより高い。 - 特許庁

The weight part 14 is provided in a region confronting the stopper 17 with a projection part 15 made of metal for regulating excessive displacement of the weight part 14 by making contact with the stopper 17 when excessive acceleration acts thereon in the thickness direction of the frame part 12.例文帳に追加

錘部１４に、そのストッパ１７と相対する領域に、フレーム部１２の厚み方向に過大な加速度が作用した際にストッパ１７と当接して錘部１４の過剰変位を規制する金属からなる凸部１５を設けた。 - 特許庁

Further, a portion L3 where the drain electrode 8 and the side edge part 2B of the gate electrode 2 cross, when viewed from above, does not overlap a portion LD of the drain electrode 8 in contact with the channel formation region 13 in the channel length direction Y.例文帳に追加

さらに、平面視において、ドレイン電極８とゲート電極２の端辺部２Ｂとが交差する部分Ｌ３は、チャネル形成領域１３に接するドレイン電極８の部分ＬＤと、チャネル長方向Ｙにおいて重ならない。 - 特許庁

A self-diagnosis heater 139 for heating the hot contact T1 by Joule heat is disposed not to overlap on the thermopile 30a within a region overlapped on the cavity 11 of the silicon substrate 1a at the thermal infrared detector 3.例文帳に追加

ジュール熱により温接点Ｔ１を温める自己診断用ヒータ部１３９は、熱型赤外線検出部３においてシリコン基板１ａの空洞部１１に重な域でサーモパイル３０ａと重ならないように配置されている。 - 特許庁

A base electrode 11, in a collector top heterojunction bipolar transistor is brought into contact with the side plane of a base layer 5 which has not been subjected to ion implantation and with the front surface of a high resistance parasitic emitter region 14, which has been subjected to the ion implantation.例文帳に追加

コレクタトップヘテロ接合バイポーラトランジスタにおけるベース電極１１がイオン打ち込みがなされていないベース層５の側面およびイオン打ち込みがなされた高抵抗寄生エミッタ領域１４の表面に接するようにする。 - 特許庁

The barrier region 35 is formed in the N-type semiconductor layer 32 so as to surround a periphery of each charge accumulation part 33 and have an opening which makes the respective charge accumulation parts 33 in contact with the P-type silicon substrate 31.例文帳に追加

バリア領域３５は、各電荷蓄積部３３の周囲を個別に囲むとともに各電荷蓄積部３３をＰ型シリコン基板３１に対して接触させる開口部を有するように、Ｎ型半導体層３２中に形成される。 - 特許庁

The polysilicon film 15 is then removed by etching through a mask having an opening of a specified pattern to bring about a state where the polysilicon film 15 exists only in a region having a specified area including the inner surface of the contact hole 4 (Fig.(b)).例文帳に追加

次に、所定のパターンの開口を有するマスクを介したエッチングによりポリシリコン膜１５が除去されて、ポリシリコン膜１５がコンタクトホール４の内面を含む所定面積を有する領域にのみ存在する状態にされる（図２（ｂ））。 - 特許庁

This composition can realize drainage drying in which the areal rate of recession of a wet/dry interface according to JIS R 3202 is not less than 0.3 cm^2/sec, and the angle of contact of water in the dried region just after drying is 50°C or lower.例文帳に追加

ＪＩＳ Ｒ３２０２に拠る濡れ・乾燥界面の後退速度面積が０．３ｃｍ^２／sec以上であり、かつ乾燥直後の乾燥領域における水の接触角が５０゜以下である液切り乾燥が実現される。 - 特許庁

The source electrode 7 and the drain electrode 8 are formed of copper and a barrier metal layer 9 is provided only in a region on the lower surface of the source electrode 7 and the drain electrode 8 located above the upper surface of the ohmic contact layers 6.例文帳に追加

そして、ソース電極７およびドレイン電極８が銅で形成され、これらソース電極７、ドレイン電極８の下面のうち、各オーミックコンタクト層６の上面上に位置する領域にのみバリアメタル層９が設けられている。 - 特許庁

The gas molecules absorb photons and are oscillated and excited to have high oscillation energy, and when the gas molecules in this oscillated and excited state are brought into contact with the precursor ions captured in a capturing region A, the oscillation energy is moved to the precursor ions.例文帳に追加

ガス分子は光子を吸収して振動励起され高い振動エネルギーを持ち、この振動励起状態にあるガス分子が捕捉領域Ａに捕捉されているプリカーサイオンに接触すると、振動エネルギーがプリカーサイオンに移動する。 - 特許庁

The contact lens CL has a central region 10 which is a diameter most adequately smaller than 1.9 mm and is preferably hypercorrected at from nearly 25% to 100% with respect to the correction required for necessary reading.例文帳に追加

コンタクトレンズ（ＣＬ）は、最適には１.９ｍｍより小さい直径であり、かつ好ましくは必要とされるリーディングに要求される補正に対してほぼ２５％から１００％で過補正される中央領域（１０）を有する。 - 特許庁

Buried gate electrodes 142 extending in a direction crossing a gate contact region 102 in a plan view in buried electrodes 140 extend only in front of a gate electrode 310 so as not to overlap the gate electrode 310.例文帳に追加

埋込ゲート電極１４０のうち平面視でゲートコンタクト領域１０２と重なる方向に延伸している埋込ゲート電極１４２は、ゲート電極３１０と重ならないように、ゲート電極３１０の手前までしか延伸していない。 - 特許庁

Prior to activating a source-drain region in the structure, at least an alloying element is added to a metal capable of forming a metal silicide, by annealing and alloyed to obtain a metal alloy silicide contact without agglomeration.例文帳に追加

構造中でソース・ドレイン領域を活性化する前に、アニールで金属シリサイドをつくることが出来る金属に、少なくとも１つの合金化元素を加え合金化することによって、アグロメレーションのない金属合金シリサイド・コンタクトが得られる。 - 特許庁

In other words, when the travelling speed of the vehicle is in the low-speed region, the switching relay 14 is controlled by the ECU 10, and a movable terminal 14d is connected to a contact 14c connected to a battery via a resistance 15.例文帳に追加

即ち、車両の走行速度が低速領域にある場合には、ＥＣＵ１０によって切替リレー１４が制御され、可動端子１４ｄが抵抗１５を介してバッテリに接続されている接点１４ｃに接続される。 - 特許庁

Then, an n-type diffusion region 7 is formed on the surface of the epitaxial layer 2 within the bottom surface of the opening 6, and then a surface electrode 10 made of a metal film in contact with the epitaxial layer 2 at the bottom of the opening 6 is formed.例文帳に追加

次いで、開口部６の底面内でエピタキシャル層２の表面にｎ型拡散領域７を形成した後、開口部６の底部でエピタキシャル層２と接触する金属膜からなる表面電極１０を形成する。 - 特許庁

The end of the optical fiber 37 mounted on the optical fiber positioning groove 34 is projected into the recessed groove 35, wherein the lower end part 41 of the end face of the optical fiber 37 is in contact with the end face on the recessed groove side of the optical waveguide region A.例文帳に追加

光ファイバ位置決め溝３４に実装された光ファイバ３７の端部は凹溝３５内に突出しており、光ファイバ３７の端面下端部４１が光導波路領域Ａの凹溝側端面に当接している。 - 特許庁

In addition, the servo controller 19 controls in the way that when the turntable 13 moves intermittently, the starting point of a printing region of the tube 11 comes into contact with the starting point of the blanket 16 at a printing station and later, the tube 11 synchronizes with the rotation of the blanket 16.例文帳に追加

サーボコントローラは、ターンテーブルが間欠移動するときに、印刷ステーションでチューブの印刷部位の始点と、ブランケットの始点とが当接するように操作し、その後、チューブをブランケットの回転と同期するように操作する。 - 特許庁

Portions L1, L2 where the source electrode 7 and the side edge parts 2A, 2B cross, when viewed from above, do not overlap a portion LS of the source electrode 7 in contact with a channel formation region 13 in a channel length direction Y.例文帳に追加

また、平面視において、ソース電極７とゲート電極２の端辺部２Ａ，２Ｂとが交差する部分Ｌ１，Ｌ２は、チャネル形成領域１３に接するソース電極７の部分ＬＳと、チャネル長方向Ｙにおいて重ならない。 - 特許庁

(c) Upon contact with E, being capable of activating the transcription of a gene under the transcriptional regulation by the transcriptional regulation region containing an estrogen response sequence and the activation not being substantially inhibited by a compound capable of activating the transcription of the gene in the above (b).例文帳に追加

（ｃ）Eと接触すると、E応答配列を含む転写制御領域の転写制御下にある遺伝子の転写を活性化し、該活性化は前記（ｂ）において遺伝子転写活性化化合物により実質的に阻害されない。 - 特許庁

Thereby, as the close contact region of the elastic contacting members 15, 16 widens from the base end to the extended end side, which had a gap 17 at connection of the male tab T, the fulcrum 18 of elastic deflection moves toward the extended end side.例文帳に追加

したがって、雄タブＴの接続の際に隙間１７を空けていた弾性接触片１５，１６の密着領域が基端部から延出端側へ拡大するのに伴ない、弾性撓みの支点１８が延出端側へ移動していく。 - 特許庁

To reduce static friction for a head, a coefft. of static friction (COS), a take-off speed, and contact area of a head on a CSS region by controlling height of bump, diameter of a periphery part, and an interval between adjacent bump.例文帳に追加

バンプ高さ（Ｈｂ）、縁部の直径、隣り合うバンプの間の間隔を制御することによって、本発明は、ヘッドに対する静摩擦、静摩擦係数（ＣＯＳ）、ティクオフ速度およびＣＳＳ領域上のヘッドの接触面積を低減する。 - 特許庁

A substrate holding member includes: a plate-like member with a holding surface in contact with a substrate to hold the substrate; and a pressure receiving member arranged along the outer circumference of the holding region for holding the substrate at the holding surface and projected from the holding surface.例文帳に追加

基板保持部材であって、基板に接して当該基板を保持する保持面を有する板状部材と、保持面において基板を保持する保持領域の外周に沿って配され、保持面から突出する受圧部材とを備える。 - 特許庁

To solve the problem wherein a function solution does not wet at large a fine line section where a liquid drop is not jetted when a hole such as a contact hole or a step is provided thereon, when a segment region is provided with a partition and a liquid drop is arranged by a liquid drop jetting method.例文帳に追加

隔壁により区画領域を設けて液滴吐出法により液滴を配置する際に、液滴吐出しない細線部にコンタクトホールなどの孔や段差があるとその部分に機能液がぬれ広がらない。 - 特許庁

At that time, a unit vector 141 going from a reference point 102 to the contact 140 of a border plane 131 between the three-dimensional position 100 of the fingertip and the virtual operation region 130 and the attitude of a three-dimensional object 210 are stored.例文帳に追加

その際に、基準点１０２から、指先の３次元位置１００と仮想作業領域１３０の境界面１３１との接点１４０に向かう単位ベクトル１４１、および３次元オブジェクト２１０の姿勢を記憶しておく。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor element capable of reducing a leakage current in a storage electrode junction region by forming a gate having a stepped channel, by etching into a predetermined thickness a semiconductor substrate in a portion scheduled for a storage electrode contact and in an adjacent region thereof before the formation of an element isolation film that defines an active region.例文帳に追加

本発明は半導体素子の製造方法に関し、特に活性領域を定義する素子分離膜の形成前に格納電極コンタクトに予定されている部分及びその隣接領域の半導体基板を所定厚さにエッチングして段差のあるチャンネルを有するゲートを形成することにより、格納電極接合領域で漏洩電流を低減させて半導体素子のリフレッシュ特性を向上させることができる技術である。 - 特許庁

The semiconductor optical function device includes a semiconductor substrate provided with a substrate edge surface, an optical waveguide formed on the semiconductor substrate, a non-waveguide region formed at least between the optical waveguide and the a substrate edge surface, an insulation region provided with a semiconductor interface that is formed around the optical waveguide and is in contact with the non-waveguide region on a side of the substrate edge surface.例文帳に追加

本発明に係る半導体光機能デバイスは、基板端面を有する半導体基板と；前記半導体基板上に形成された光導波路と；前記半導体基板上において、少なくとも前記光導波路と前記基板端面との間に形成された非導波領域と；前記光導波路の周囲に形成され、前記基板端面側に前記非導波領域と接する半導体界面を有する絶縁領域とを備える。 - 特許庁

The first semiconductor region 233 contains a first conductivity type impurity, the second semiconductor region 234 and the third semiconductor layer 238 contain a second conductivity type impurity, the second semiconductor layer 236 contains a third conductivity type impurity different from the second conductivity type impurity, the second and third semiconductor layers 236, 238 are formed by selective growth, and the second semiconductor region 234 is aligned with the second contact hole 242.例文帳に追加

第１半導体領域２３３は、第１導電型不純物を含有し、第２半導体領域２３６および第３半導体層２３８は、第２導電型不純物を含有し、第２半導体層２３６は、第２導電型不純物とは異なる第３導電型不純物を含有し、第２および第３半導体層２３６、２３８は、選択成長により形成され、第２半導体領域２３４は第２コンタクトホール２４２に整合している。 - 特許庁

The semiconductor device 100 comprises a semiconductor element 120, a light shielding region 110 surrounding the semiconductor element 120, a plurality of contacts CNT arranged in zigzag in the first area AR1 of the light shielding region 110, a groove-like contact DCNT formed to extend along at least the first direction DR1 in a second area AR2 different from the first area AR1 of the light shielding region 110.例文帳に追加

半導体装置１００は、半導体素子１２０と、前記半導体素子１２０を囲む遮光領域１１０と、前記遮光領域１１０の第１の領域ＡＲ１に千鳥状に配置された複数のコンタクトＣＮＴと、前記遮光領域１１０の前記第１の領域ＡＲ１とは異なる第２の領域ＡＲ２に少なくとも第１の方向ＤＲ１に沿って延在形成された溝状コンタクトＤＣＮＴと、を含む。 - 特許庁