「deposition reaction」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide an exhaust system structure of a film deposition device which can elongate the period of cleaning treatment for removing reaction by-products.例文帳に追加

反応副生成物除去のための洗浄処理の周期を長くすることができる成膜装置の排気系構造を提供する。 - 特許庁

To provide a method of conducting multiple-step multiple-chamber chemical vapor deposition while avoiding reactant memory in reaction chambers.例文帳に追加

反応チャンバにおいて反応体メモリーを防止しながら、複数工程複数チャンバ化学気相堆積を行う方法を提供する。 - 特許庁

In this way, the formation of contaminated particles at the inside of the shower head and the reaction chamber 100 is suppressed, and the vapor deposition rate is increased.例文帳に追加

これによりシャワーヘッド及び反応チャンバ１００の内部における汚染粒子の生成を抑え、蒸着速度を増大させる。 - 特許庁

To provide a film deposition apparatus which prevents a plurality of reaction gases from being mixed and prevents a substrate from being cooled by a separation gas.例文帳に追加

複数の反応ガスの混合を防止し、基板の分離ガスによる冷却を防止することのできる成膜装置を提供する。 - 特許庁

To provide a catalyst line for catalyst CVD (Chemical Vapor Deposition), which can form the entire length of catalyst with the catalyst line for the desired catalyst reaction.例文帳に追加

所望の触媒反応のため、触媒単線により触媒全長を構成し得る触媒ＣＶＤ用触媒線を提供する。 - 特許庁

To provide an apparatus and a method for manufacturing a semiconductor that suppress film deposition of reaction by-products on a wall surface of a reaction chamber, suppress a decrease in yield due to contamination of a wafer, and decrease a maintenance frequency of the reaction chamber.例文帳に追加

反応室壁面への反応副生成物の被膜形成を抑え、ウェーハの汚染による歩留りの低下を抑えるとともに、反応室のメンテナンス頻度を低減させることが可能な半導体製造装置および半導体製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a sulfonium salt in a markedly high yield through a simplified reaction step, by solving the problem of yield reduction caused by deposition of a reaction intermediate onto a reaction vessel during a purification process in a conventional production process.例文帳に追加

反応ステップが簡素化されると同時に、従来の製造過程において発生した、精製過程で反応容器に反応中間体が付着して収率が落ちるという問題を解決して顕著に高い収率でスルホニウム塩を製造すること。 - 特許庁

Subsequently, the control unit 100 controls the temperature rising heater 16 to heat the interior of the reaction tube 2 housing the semiconductor wafer W to the film deposition temperature, before a thin film is formed on the semiconductor wafer W by supplying a film deposition gas into the reaction tube 2 from a processing gas introduction tube 17.例文帳に追加

次に、制御部１００は、昇温用ヒータ１６を制御して半導体ウエハＷを収容した反応管２内を成膜温度に加熱した後、処理ガス導入管１７から反応管２内に成膜用ガスを供給して半導体ウエハＷに薄膜を形成する。 - 特許庁

To provide an exhaust of vacuum reaction treating apparatus which has a low power consumption and, moreover, efficiently prevents or restrains the attaching and deposition of reaction products over the entire exhaust pipe.例文帳に追加

電力消費が少なく、しかも、排気管全体に亘って効率良く反応生成物の付着、堆積を防止あるいは抑制可能な真空反応処理装置の排気装置を提案すること。 - 特許庁

Reaction is carried out by introducing the gas obtained by evaporating the alcohol or the aqueous alcohol solution by spontaneous vaporization at the outside of the reaction zone of the chemical vapor deposition unit.例文帳に追加

化学気相成長装置の反応部の外部でアルコールまたはアルコールの水溶液を自然蒸発などで気化させることにより得られるガスをこの反応部に導入することにより反応を行う。 - 特許庁

The light of the plasma of a reaction gas is detected by an optical sensor 20 during the vapor deposition treatment of the film in the reaction chamber 12 of a plasma treatment chamber 10, and sent to a processor 50 through an amplifier 30.例文帳に追加

プラズマ処理室１０の反応チャンバ１２内における膜の蒸着処理中に、反応ガスのプラズマの光が光センサ２０で受光され、アンプ３０を介して処理装置５０へ送られる。 - 特許庁

To provide a method for the Diels-Alder reaction in which stable operation can be carried out over a long period and the effective conversion rate of ethylene can be improved to prevent a side reaction and deposition such as polymers.例文帳に追加

ディールス−アルダー反応において、長期にわたる安定運転を可能とし、エチレン有効収率を向上させ、かつポリマーなどの付着物の発生を防止し得る製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of thorough hole wiring board, preventing an incomplete deposition of plating by adjusting a plating reaction speed.例文帳に追加

めっき反応速度を調整することでめっき未着を防ぐことが可能な貫通孔配線基板の製造方法を提供することである。 - 特許庁

In this case, the uniform deposition/dissolution reaction of Li is promoted by the inorganic compound layer 21C, and the needle growth of Li is controlled.例文帳に追加

その際、無機化合物層２１Ｃにより、Ｌｉの均一な析出・溶解反応が促進されると共に、Ｌｉの針状成長が抑制される。 - 特許庁

The Si partial pressure in a reaction tube 2 during film deposition is controlled by utilizing the fact that the vapor pressure of the Si material 5 is changed when it is heated.例文帳に追加

Ｓｉ材料５は加熱によってその蒸気圧が変化するため、それによって成膜中の反応管２内のＳｉ分圧を制御する。 - 特許庁

An electric field is generated using low- and high-frequency RF power in order to generate plasma discharge in the reaction region for film vapor deposition.例文帳に追加

膜を蒸着するべく反応領域にプラズマ放電を生成するために低及び高周波RF電力を使って電場が生成される。 - 特許庁

To detect an end point without being affected by the deposition of reaction products on a transparent window or the reduction of a treatment area or the like.例文帳に追加

透明窓への反応生成物の堆積、または処理面積の減少などによる影響を受けずに終点検出を可能にする。 - 特許庁

In the compound layer 2, a barrier layer is formed by Cu6Sn5 phase deposition on or migration to a surface of the Ni plating, whereby an interface reaction is suppressed.例文帳に追加

化合物層２はＣｕ６Ｓｎ５相がＮｉめっき上に析出あるいは移動してバリア層を形成し、界面反応を抑制する。 - 特許庁

The methane gas generated in the Sabatier reaction chamber 20 is supplied into the processing chamber 3, and used as raw material gas for DLC film deposition.例文帳に追加

サバティエ反応室２０で生成されたメタンガスが処理室３内に供給され、ＤＬＣの成膜のための原料ガスとして用いられる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device, the method preventing deposition of a reaction product onto a mask sidewall by a simple method.例文帳に追加

簡便な方法により、マスク側壁への反応生成物の堆積を防止することができる半導体装置を製造する方法を提供する。 - 特許庁

A semiconductor substrate on which a polysilicon film is formed is positioned in a reaction chamber of a plasma chemical vapor deposition apparatus (step S10).例文帳に追加

その上にポリシリコン膜が形成された半導体基板をプラズマ化学気相蒸着装置の反応チャンバ内に位置させる（段階Ｓ１０）。 - 特許庁

To provide a CVD film deposition method in which the amount of raw materials to be supplied in film deposition in a CVD system using solid or liquid raw materials is detected and controlled, to improve continuous film-deposition reproducibility, to remove difference between systems or difference between reaction chambers, and to stabilize film quality.例文帳に追加

固体または液体原料を用いるＣＶＤ装置における成膜に係わる原料供給量を検知・制御したＣＶＤ成膜方法を提供し、連続成膜再現性を向上させ、装置間差または反応室間差をなくし、膜質の安定性を実現する。 - 特許庁

To prevent the contamination of a target caused by a gaseous starting material or reaction gas to be introduced at the time of performing an ALD process in the case that a film deposition system is composed so that film deposition by the ALD process and film deposition by a sputtering process can be performed to a substrate to be treated on a substrate stage in the same chamber.例文帳に追加

同一チャンバ内で基板ステージ上の処理基板に対し、ＡＬＤ法による成膜とスパッタリング法による成膜とを行い得るように成膜装置を構成する場合に、ターゲットが、ＡＬＤ法を行う際に導入する原料ガスや反応ガスによって汚染されないようにする。 - 特許庁

To provide an apparatus which can have a less quantity of reaction by-product and less deposition on an exhaust gas passage and so on than in the prior art, in a plasma CVD method capable of obtaining a high quality of deposition film at a high deposition rate and in a system therefore.例文帳に追加

高品質な堆積膜を速い堆積速度で得ることができるプラズマＣＶＤ方法およびその装置において、従来よりも反応副生成物の発生量および排気経路等への堆積が少なく、生産性や生産コストが向上した装置を提供する。 - 特許庁

To provide a vapor deposition apparatus which can prevent fixing of a cover plate with a shower plate from occurring due to a reaction product produced in a gap part, when the cover plate is provided on the shower plate, and to provide a vapor deposition method therefor.例文帳に追加

シャワープレートにカバープレートを設ける場合に、隙間部分における反応生成物の生成によるシャワープレートとカバープレートとの固着を防止し得る気相成長装置及び気相成長方法を提供する。 - 特許庁

A computer (22) is configured so as to adjust a plurality of the injectors (18A to 18E) during the deposition of a graded layer between depositions of two different layers, or between deposition and reaction chamber clean steps.例文帳に追加

コンピュータ（２２）は、傾斜層の堆積中、２つの異なる層を堆積させる合間に、または堆積ステップと反応室洗浄ステップとの間などに、複数のインジェクタ（１８Ａ〜１８Ｅ）を調節するように構成される。 - 特許庁

Thus, the monoatomic layer is deposited uniformly on the sample by maintaining the pressure and flow of the reaction gas at which the monolayer deposition is achieved; and the monoatomic layer deposition and analysis are performed at the same time.例文帳に追加

これにより、単原子層蒸着が可能な圧力及び反応ガスのフローを一定に維持して試片に単原子層を均一に蒸着でき、かつ単原子層蒸着反応と分析とを同時に実施できる。 - 特許庁

To provide a film deposition system and a film deposition method capable of continuously executing film forming tretment for plural times at stable deposited film thickness without depending on cleaning stages by plasma in a reaction chamber.例文帳に追加

反応室内のプラズマによるクリーニング工程に左右されずに、安定した形成膜厚で複数回の成膜処理を連続して行うことができる成膜装置及び成膜方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

Then, while reducing the flow rate of the inert gas to be supplied to the reaction chamber 2, a raw material gas is supplied into the reaction chamber 2 while increasing the flow rate, and the film is formed on the substrate 10 to be processed while maintaining the pressure inside the reaction chamber 2 at the deposition pressure.例文帳に追加

次に、反応室２に供給される不活性ガスの流量を減少させつつ、反応室２内に流量を増加させながら原料ガスを供給して、反応室２内の圧力を成膜圧力に維持しつつ被処理基板１０に膜を形成する。 - 特許庁

To provide a method for inhibiting the deposition of a transition metal in the reaction liquid after a reaction using a transition metal complex catalyst containing an organophosphorus ligand, thus efficiently taking the transition metal complex catalyst out of the reaction system as a liquid containing itself.例文帳に追加

有機リン配位子を含有する遷移金属錯体触媒を用いた反応後の反応液中における遷移金属の析出を抑制し、遷移金属錯体触媒はその含有液として反応系外に効率良く取り出す方法を提供する。 - 特許庁

This ALD thin film vapor deposition apparatus includes a reaction vessel 100 in which a wafer is incorporated and is vapor-deposited, a first reaction gas feeding line 220 connecting a first reaction gas feeding part 210 and the reaction vessel 100 and a cleaning gas feeding line 340 connected with the first gas feeding line 220 and feeding cleaning gas for cleaning the reaction vessel 100.例文帳に追加

ＡＬＤ薄膜蒸着装置は、ウェーハが内蔵されて蒸着される反応容器１００と、第１反応ガス供給部２１０と反応容器１００とを連結する第１反応ガス供給ライン２２０と、第１反応ガス供給ライン２２０と連結されて反応容器１００をクリーニングするためのクリーニングガスを供給するクリーニングガス供給ライン３４０とを含む。 - 特許庁

To provide a method for producing acrylic acid, which can be suitably used for suppressing formation and deposition of solids stemming from impurities or the like contained in a reaction feedstock gas to enable the pressure rise in the reaction tubes to be suppressed.例文帳に追加

反応原料ガスに含有される不純物等に起因する固形物の生成、付着を抑えることができ、反応管内の圧力上昇を抑えることができるアクリル酸の製造方法を提供する。 - 特許庁

To obtain high-purity TCS, in particular, to obtain high-purity TCS from a by-product produced in a deposition reaction of polycrystalline silicon.例文帳に追加

高純度のＴＣＳを得ること、特に、多結晶シリコンの析出反応に伴って生成した副生物から高純度のＴＣＳを得ることを可能とすること。 - 特許庁

A reaction vessel of the deposition film forming apparatus is provided with a conductive bar 123 movable or extendable/shrinkable in the longitudinal direction of a base holder 107.例文帳に追加

堆積膜形成装置の反応容器は、基体ホルダ１０７の長手方向に移動または伸縮可能な導電性棒状体１２３を備えている。 - 特許庁

A deposition chamber 61 is provided for forming a thin film on a substrate by force of reaction out of the source gas obtained and introduced from the raw material vessel 13.例文帳に追加

原料容器１３から取り出し導入された上記原料ガスから反応により薄膜を基板上に形成するための成膜室６１を設ける。 - 特許庁

To provide a technology for suppressing the deposition of an Al-based nitride in the vicinity of a supplying port for supplying a first reaction gas containing an Al-halide.例文帳に追加

Ａｌのハロゲン化物を含む第一の反応ガスを供給する供給口近傍でのＡｌ系窒化物の析出を抑制する技術を提供すること。 - 特許庁

To provide a heating device where the amount of the gas to be jetted from a jet port of each gas passage is made uniform, and the deposition of a reaction film is reduced.例文帳に追加

ガス経路毎の噴出口から噴出されるガス噴出量を均一にし、反応膜の堆積を低減する加熱装置を提供する。 - 特許庁

After the solutions are vaporized, the vapor phase precursors and reaction solvents are pulsed into a deposition chamber to assure ALD film growth of predetermined thickness.例文帳に追加

溶液が気化された後、気相前駆体溶液及び反応溶液はは交互に堆積室内にパルス状に供給し、所定厚のＡＬＤ膜を成長をする。 - 特許庁

To provide a display apparatus capable of preventing deterioration due to a cell reaction of a transparent conductive film without increasing costs of a film-deposition device.例文帳に追加

成膜装置のコストを増加させることなく、透明導電膜の電池反応による劣化を防止することが可能な表示装置を提供する。 - 特許庁

A line of the turbo molecular pump is internally mounted with a platelike part, which is kept at a lower temperature than the encircling line to allow deposition of a reaction product.例文帳に追加

ターボ分子ポンプの管路の内部に、板状部品を取り付け、これを周囲の管路より低温に保つことにより、反応性生物を堆積させる。 - 特許庁

To provide a reforming catalyst capable of adequately facilitating a reforming reaction and, at the same time, satisfactorily suppressing carbon deposition.例文帳に追加

改質反応を十分に促進することができるとともに、炭素析出を良好に抑制することができる改質触媒を提供すること。 - 特許庁

A thin film is deposited by sputtering by spatially separating film deposition process zones 20 and 40 and a reaction process zone 60 from each other in a vacuum tank 11.例文帳に追加

真空槽１１内に成膜プロセスゾーン２０，４０と反応プロセスゾーン６０とを互いに空間的に分離させてスパッタにより薄膜を形成させる。 - 特許庁

A process gas which includes a silane gas, a nitrogen gas, an ammonia gas, and a helium gas is introduced from a gas inlet tube 35 into a reaction chamber 10 of a plasma CVD(chemical vapor deposition) apparatus 1.例文帳に追加

プラズマＣＶＤ装置１の反応炉１０内に、ガス導入管３５からシラン系ガス、窒素ガス、アンモニアガス及びヘリウムガスを含むプロセスガスを導入する。 - 特許庁

Consequently, deposition reaction of metal ions with soft acceptor property is accelerated to reduce temperature dependency of writing density of black.例文帳に追加

これにより、軟らかいアクセプター性を有する金属イオンの析出反応が促進され、黒の書き込み濃度の温度依存性を小さくすることができる。 - 特許庁

After the chemical polishing carried out in a basket unit is repeated several times, a reaction product deposited in a deposition space is discharged from a discharge port.例文帳に追加

バスケット単位で実行される化学研磨処理を複数回繰り返した後、沈殿空間に沈殿する反応生成物を排出口から排出する。 - 特許庁