「deposition reaction」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

A hydrophobic organic high polymer film, comprising a polyimide resin film containing a fluorine atom is formed on the surface of a member 1 exposed to vacuum in a vacuum processing chamber by deposition polymerization reaction.例文帳に追加

真空処理室の真空中に露出される部材１の表面に、フッ素原子を含有するポリイミド樹脂膜から成る疎水性有機高分子膜を蒸着重合反応により形成する。 - 特許庁

To provide a steam reforming catalyst capable of accelerating a steam reforming reaction under a lower-temperature condition than that of a conventional method while reducing the possibility of carbon deposition onto a catalyst surface in the time of reforming.例文帳に追加

改質時の触媒表面への炭素析出の虞を低減しつつ、従来よりも低い温度条件下にて水蒸気改質反応を促進しうる水蒸気改質触媒を提供する。 - 特許庁

The antibacterial polymer is comprised of a polyimide, a polyamide, a polyurea, or a polyazomethine, which is a product of a deposition polymerization reaction of a diaminobenzoic acid monomer or a halogen element-containing diamine monomer and a monomer which can react with the former monomers.例文帳に追加

ジアミノ安息香酸モノマー又はハロゲン元素含有ジアミンモノマーとこれらのモノマーと反応し得るモノマーとの蒸着重合反応生成物であるポリイミド、ポリアミド、ポリ尿素、又はポリアゾメチン。 - 特許庁

To provide an epitaxial wafer manufacturing apparatus and manufacturing method with high productivity by improving film deposition rate, gas utilization efficiency, and gas replacement efficiency by suppressing backflow of reaction gas.例文帳に追加

反応後ガスの逆流を抑制することで、成膜速度とガス利用効率を向上し、ガスの置換効率を向上する、高生産性のエピタキシャルウェーハの製造装置及び製造方法を提供する。 - 特許庁

The film of sulfonated polyimide resin formed by vapor deposition polymerization reaction is preferably subjected to a heat imidization process by holding at 70-180°C for one hour.例文帳に追加

また、蒸着重合反応により成膜されたスルホン酸化ポリイミド樹脂に対して、さらに、７０〜１８０℃の温度範囲及び保持時間１時間以上にて、熱イミド化処理をおこなうことが望ましい。 - 特許庁

In deposition polymerization of the polyimide resin film, a monomer, having a hydrophobic group containing a fluorine atom able to exist in isolation from a polymerization reaction, is preferably used as at least one kind of a stock monomer.例文帳に追加

ポリイミド樹脂膜の蒸着重合に際しては、重合反応から孤立して存し得るフッ素原子含有の疎水性基を備えたモノマーを、原料モノマーの少なくとも１種類に用いると良い。 - 特許庁

In the film forming process, film forming gas (containing SiH_2Cl_2 and NH_3) is supplied into a reaction furnace 1 accommodating a wafer 10 to form an Si_3N_4 film on the wafer 10 through heat CVD (chemical vapor deposition) method.例文帳に追加

成膜工程では、ウェーハ１０を収容した反応炉１内に成膜ガス（ＳｉＨ_２Ｃｌ_２とＮＨ_３とを含むガス）を供給して熱ＣＶＤ法によりウェーハ１０上にＳｉ_３Ｎ_４膜を形成する。 - 特許庁

To provide an etching method with which deposition of reaction products called a fence can be suppressed when an AlNd layer to which Nd having heat resistance of approximately 400°C is added by 2 atom% is plasma etched.例文帳に追加

４００℃程度の耐熱性を有するＮｄ添加量２ａｔ％のＡｌＮｄ層をプラズマエッチングにおいてフェンスと呼ばれる反応生成物の堆積を抑制できるエッチング方法を提供する。 - 特許庁

A chemical vapor deposition reactor is equipped with a plurality of chambers (951, 952, 953) and at least one of a common reaction gas supply system (960) and a common gas exhausting system (970).例文帳に追加

化学気相成長反応装置は、複数のチャンバ（９５１，９５２，９５３）と、共通の反応ガス供給システム（９６０）及び共通のガス排出システム（９７０）の少なくとも一方とを備える。 - 特許庁

In the case thin films are deposited by generating the plasma of a gas which has diffused into a reaction vessel 10, high voltage pulses with a peak voltage VP of 1 kV to about 40 kV are applied to a supporting base ST on which a vapor-deposition object WO is placed, and cations in the plasma reach the vapor-deposition object WO with a comparatively high energy.例文帳に追加

反応容器１０中に拡散したガスをプラズマ化して成膜を行なう際には、被蒸着物ＷＯを載置する支持台ＳＴに１ｋＶ〜４０ｋＶ程度のピーク電圧ＶＰの高電圧パルスが印加されて、プラズマ中の陽イオンが比較的高エネルギーで被蒸着物ＷＯに入射する。 - 特許庁

In the reactive sputtering deposition device, the partition plate is provided between the target and the substrate, a vapor deposition chamber is divided into a substrate-side reaction chamber and a target-side sputtering chamber and a hole enabling a metallic substance separated from the target to reach the substrate is formed at the central part of the partition plate.例文帳に追加

本発明による反応性スパッタリング蒸着装置は、ターゲットと基板の間に仕切り板を設け、蒸着チャンバーを基板側の反応チャンバーとターゲット側のスパッタリングチャンバーとに区分し、仕切り板の中央部にはターゲットから分離された金属物質が基板に到達できるようにする穴を形成してなる。 - 特許庁

To provide a reformer and a reforming reaction part capable of smoothly coping with problems such as the oxidation, deformation, methane slip, carbon deposition during the operation and the corrosion due to the dew condensation at the time of stopping the operation, securing sufficient corrosion resistance and strength and suppressing the methane slip and the carbon deposition.例文帳に追加

運転時の酸化、変形、メタンスリップ、カーボン析出、運転停止時の結露による腐食等の問題に円滑に対応することができ、十分な耐食性および強度を確保することができるとともに、メタンスリップおよびカーボン析出の抑制を図ることができる改質器およびその改質反応部品の提供。 - 特許庁

The film deposition is carried out by introducing a gas containing HF or a material generating HF gas by a reaction into a treating vessel 11 to purge the inside of the treating vessel with the gas containing HF (ST3), arranging a substrate W to be treated in the treating vessel 11 (ST4) and supplying a film deposition gas into the treating vessel (ST7).例文帳に追加

処理容器１１内にＨＦを含むガスまたは反応によりＨＦガスを生成する物質を導入して、処理容器１１内をＨＦを含むガスでパージし（ＳＴ３）、処理容器１１内に被処理基板Ｗを配置し（ＳＴ４）、処理容器１１内に成膜ガスを供給して成膜処理を行う（ＳＴ６，ＳＴ７）。 - 特許庁

Material is deposited in a desired pattern by spontaneous deposition of precursor gas at regions of a surface that are prepared using a beam to provide conditions to support the initiation of the spontaneous reaction.例文帳に追加

ビームを使用して、自発的反応の開始をサポートする条件を提供するように準備された表面の領域における前駆体ガスの自発的付着によって、材料を、所望のパターンに付着させる。 - 特許庁

To provide a gas barrier film using SiO as a vapor deposition material, which has excellent gas barrier properties while having high transparency without exhibiting yellow even if a reaction gas is not introduced therein, and to provide a method for producing the same.例文帳に追加

SiOを蒸着材料としたガスバリア性フィルムにおいて、反応ガスを導入しなくても、黄色を呈さず高い透明性を備えながら、優れたガスバリア性を有するガスバリア性フィルムおよびその製造方法の提供。 - 特許庁

When a carbon-based protective film 5 to cover a magnetic layer 4 on a board 1 is formed by a chemical vapor phase deposition method or sputtering method, water is added to the reaction gas to incorporate hydroxyl groups into the carbon-based protective film 5.例文帳に追加

基板１上の磁性層４を覆うカーボン系保護膜５を化学気相堆積法或いはスパッタリング法を適用して成膜する際に反応ガスに水を添加して該カーボン系保護膜５に水酸基を含有させる。 - 特許庁

To provide a substrate processing apparatus that prevents a substrate from metal contamination and also end-over-end location of an inner tube, and further prevents deposition of a reaction product, and to provide a method of manufacturing a semiconductor device.例文帳に追加

基板への金属汚染を抑制するとともに、インナチューブの転倒を抑制し、さらに、反応生成物の固着を防止することができる基板処理装置及び半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for removing any abnormal product of a vapor growth device capable of removing abnormal control in a short time only by a simple removing treatment even when abnormality caused by the product occurs during the film deposition on a substrate in a reaction chamber.例文帳に追加

反応室内で基板に成膜を行っている最中に生成物による異常が発生しても、簡単な除去処理のみで短時間に生成物除去を行うことができる方法を提供する。 - 特許庁

The impurity diamond is formed by microwave plasma chemical vapor deposition inputting microwaves of 50 kW or higher in a reaction chamber wherein the gas pressure is adjusted at a constant level within a range of 80 to 150 Torr.例文帳に追加

不純物ダイヤモンドは、５０ｋＷ以上のマイクロ波を、ガス圧を８０〜１５０Ｔｏｒｒの範囲内の一定値に調整した反応室に投入するマイクロ波プラズマ化学気相蒸着法により形成される。 - 特許庁

At this time, the reaction quantity of the oxygen and nitrogen of the target components is changed during the deposition so as to have a composition gradient in a thickness direction, by which the antireflective and water repellent film may be obtained.例文帳に追加

このとき、ターゲット成分の酸素と窒素との反応量を、厚み方向に組成勾配を有するように成膜中に変化させることにより、反射防止性でかつ撥水性の膜とすることができる。 - 特許庁

To provide a thin film-forming device that hardly has reaction products formed at an exhaust portion unlike a conventional thin film-forming device when a film is formed by ALD (atomic layer deposition), and is easy to maintain.例文帳に追加

ＡＬＤ（原子層成長法）により膜を形成する際、従来の薄膜形成装置のように排気部に反応生成物が形成されることが殆ど無く、メンテナンスのし易い薄膜形成装置を提供する。 - 特許庁

A carbon deposition reaction column 36, a post combusting chamber 15, a gas cooler 16 and a bag filter 17 are arranged in a melting waste gas line 14 for introducing the melting waste gas 13 discharged from the reducing atmosphere melting furnace 11.例文帳に追加

還元雰囲気溶融炉１１から排出される溶融排ガス１３を導くための溶融排ガスライン１４に炭素析出反応塔３６、後燃焼室１５、ガス冷却器１６及びバグフィルタ１７を備える。 - 特許庁

A titanium nitride film 204 is formed, using a thermal chemical deposition reaction between ammonia (NH3) and titanium tetrachloride (TiCl4) at a temperature of less than about 600°C and NH3: TiCl4 flow ratio greater than about 5.例文帳に追加

アンモニア（ＮＨ_3）と４塩化チタン（ＴｉＣｌ_4）の間の熱的な化学気相堆積反応を使用して、摂氏約６００度未満の温度と、約５を超えるＮＨ_3対ＴｉＣｌ_4比において、窒化チタン膜２０４が形成される。 - 特許庁

To provide a fluid-bed reactor which stably feeds a reaction gas, improves efficiency in silicon deposition, and prevents polycrystalline silicon from being contaminated by impurities when silicon is deposited.例文帳に追加

反応ガスを安定的に供給することができ、シリコン析出の効率を向上することができ、シリコン析出工程時に不純物による多結晶シリコンの汚染を防止することができる流動層反応器を提供する。 - 特許庁

Moreover, this manufacture includes a process of exhausting the given gas from all the exhaust ports 54 and 55 and removing the residual gas within the reaction tube 51, while supplying it with the given gas from the gas supply ports 52 and 53 after deposition on the substrate.例文帳に追加

また基板成膜後にガス供給口５２，５３から所定のガスを供給しつつ、かつすべての排気口５４，５５から所定のガスを排気し、反応管５１内の残留ガスを除去する工程を含む。 - 特許庁

Refractive index distribution is changed by burying the lens part in the through hole by CVD film deposition work, for example, and then varying the kind or flow rate of reaction gas in CVD.例文帳に追加

例えばＣＶＤ法による成膜作業によって貫通孔内に埋め込み形成し、ＣＶＤの反応ガスの種類を変化させたり、反応ガスの流量を変化させることによって屈折率分布を変化させる。 - 特許庁

To provide a technique capable of producing a synthetic gas by using a stable catalyst while a relatively low-cost metal is used as active ingredient, and without producing any carbon deposition to proceed smoothly with the partial oxidative reaction of hydrocarbon.例文帳に追加

比較的安価な金属を活性成分としながら安定な触媒を用いて、炭素析出を起こすことなく炭化水素の部分酸化反応が円滑に進行して合成ガスを製造し得る技術を提供する。 - 特許庁

In the method, a silicon wafer is manufactured by performing vapor deposition for a silicon thin film on the surface of a silicon single crystalline substrate W which is carried via a load lock chamber and mounted on a susceptor 1 inside a reaction vessel 2.例文帳に追加

ロードロック室を介して搬送され反応容器２内のサセプタ１上に載置されたシリコン単結晶基板Ｗの表面上にシリコン薄膜を気相成長させてシリコンウェーハを製造する方法である。 - 特許庁

In this instance, by appropriately selecting the dielectric constant of a solvent of the reaction solvent to perform the deposition of a diastereomeric salt, the diastereomer salt containing D-ACL or L-ACL can be selectively obtained.例文帳に追加

このとき、反応媒体である溶媒の誘電率を適切に選択してジアステレオマー塩の析出を行なうことにより、Ｄ−ＡＣＬまたはＬ−ＡＣＬを含有するジアステレオマー塩を選択的に取得することができる。 - 特許庁

To provide a steam reforming catalyst which is capable of accelerating the steam reform reaction with high hydrogen selectivity under low temperature conditions while reducing risks of carbon deposition on the surface of a catalyst when reformed.例文帳に追加

改質時の触媒表面への炭素析出の虞が低減されつつ、低い温度条件下にて水素選択性の高い水蒸気改質反応を促進し得る水蒸気改質触媒を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for improving reliability of a reactor for stably performing, in particular, etching or vapor deposition by effectively removing chlorine-based residues adsorbed by a reaction tube.例文帳に追加

反応管に吸着された塩素系の残留物を効果的に除去することにより、特にエッチング又は蒸着を安定して行うことができる、反応装置の信頼性改善方法を提供することにある。 - 特許庁

To provide a catalyst and a hydrogen producing method using the catalyst capable of substantially suppressing carbon deposition and maintaining a high activity even if performing a hydrogen production reaction from a heavy hydrocarbon such as a kerosene as a raw material.例文帳に追加

灯油などの重質炭化水素を原料とした水素製造反応を行った場合でも、炭素析出を大幅に抑制し、高活性を維持する触媒、及び該触媒を用いた水素製造方法を提供する。 - 特許庁

When any abnormality occurs in a film deposition process, the feed of a raw material gas from a raw material gas feed device 13a to a reaction chamber 11 is stopped, an inert gas N_2 is fed from a high-pressure inert gas introducing unit 15b to the reaction chamber 11, and the feed pressure of the inert gas N_2 is increased.例文帳に追加

成膜工程中の異常が発生した場合に、原料ガス供給装置１３ａから反応室１１への原料ガスの供給を停止し、高圧不活性ガス導入部１５ｂから反応室１１に対して不活性ガスＮ_2を供給し、さらに、不活性ガスＮ_2の供給圧力を上昇させる。 - 特許庁

To provide a reaction furnace for synthesizing a quarts glass perform which efficiently discharged silica particulates nor stagnation of silica particulates in the reaction furnace and accumulates stably the deposition of the silica particulates, and a method of manufacturing the same and a seed rod for synthesizing the quartz glass preform.例文帳に追加

生成したシリカ微粒子が反応炉内に滞留することなく、反応炉から効率的に排出され、かつシリカ微粒子の堆積を安定的に行うことのできる合成石英ガラス母材の製造用反応炉およびその製造方法ならびに合成石英ガラス母材の製造用種棒の提供。 - 特許庁

A film deposition apparatus 100 includes a chamber 1, a reaction gas supply part 14 supplying a reaction gas 26 into the chamber 1, an inert gas supply part 4 supplying an inert gas 25 into the chamber 1, a hollow cylindrical liner 2 disposed in the chamber 1 and a susceptor 7 on which a semiconductor substrate 6 is loaded provided in the liner 2.例文帳に追加

成膜装置１００は、チャンバ１と、チャンバ１内に反応ガス２６を供給する反応ガス供給部１４と、チャンバ１内に不活性ガス２５を供給する不活性ガス供給部４と、チャンバ１内に設けられた中空筒状のライナ２と、ライナ２内に設けられ、半導体基板６が載置されるサセプタ７とを有する。 - 特許庁

In the manufacturing method of the CNT, an iron salt as a main catalyst 16 and a molybdate as an auxiliary catalyst 18 are placed inside a reaction tube 12, and a carbon source is passed through the reaction tube 12 together with an inert gas and reacted at a prescribed temperature to perform vapor deposition of the carbon nanotube (CNT).例文帳に追加

本発明に係るＣＮＴの製造方法は、反応管１２内に、主触媒１６として鉄塩を、副触媒１８としてモリブデン酸塩を配置し、炭素源を不活性ガスと共に反応管１２内に流して、所要温度で反応させて、カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）を気相成長させることを特徴とする。 - 特許庁

The decontamination method prevents the deposition or growth of a solid compound as a contaminant on the inside wall surface of a passage constituent, such as a reaction tank, a crystallizer, a pipe, a liquid pumping machine, a heat exchanger, or a valve, where a reaction product fluid W transfers, or removes the solid compound deposited on such surface as a contaminant.例文帳に追加

汚れ排除方法においては、反応生成物流体Ｗが存在する反応槽、晶析槽、配管、送液機器、熱交換器、バルブ等の流路形成部の内壁面に、固体化合物が汚れとして付着もしくは成長することを予防する、又は汚れとして付着した固体化合物を除去する。 - 特許庁

To obtain a technology for producing a hydrogen-containing gas where stable reforming performance can be maintained for a long period of time by preventing problems such as the lowering of the catalytic activity or the like due to carbon deposition while realizing good reforming efficiency by steadily and stably starting the reforming reaction from the inlet site of a catalytic reaction chamber 5.例文帳に追加

改質反応を触媒反応室５の入口部位から確実に安定して起こさせ、良好な改質効率を実現しながら、カーボン析出による触媒活性の低下等の問題を防止して長期に亘って安定した改質性能を維持することが可能となる水素含有ガスの製造技術を得る。 - 特許庁

To provide an apparatus and a method for film deposition capable of effectively preventing film peeling generated in a reaction vessel during the film deposition, suppressing generation of dust in a vacuum vessel, and suitable for forming the deposited film having less spherical projections and excellent quality, in particular, for forming an amorphous silicon photosensitive member.例文帳に追加

堆積膜形成中に反応容器内で発生する膜はがれを効果的に防止できるとともに、真空容器内でのダストの発生を抑制することができ、球状突起の少ない品質の優れた堆積膜、特にアモルファスシリコン系感光体の形成に好適な堆積膜形成装置及び堆積膜形成方法を提供する。 - 特許庁

The method comprises feeding a reactive gas into a plasma generating region 3, introducing the plasma generated in the region into a deposition chamber 5 containing a substrate 19 through a bypass formed by a plasma shield 7, and forming a film on the substrate 19 while promoting a CVD reaction by photoirradiation in the deposition chamber 5.例文帳に追加

プラズマ発生領域３に反応性ガスを供給し、該領域で発生したプラズマをプラズマ遮蔽板７により形成された迂回路を通して基板１９が置かれた成膜室５に導入せしめ、成膜室５において、光照射によりＣＶＤ反応を促進させながら基板１９上に成膜することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a deposition apparatus and a deposition method which can reduce the quantity of the electric power to be used by utilizing chemical energy accompanying catalyst reaction, and can efficiently deposit a thin film of metal oxide such as zinc oxide, a thin film of metal nitride such as gallium nitride and aluminum nitride, a thin film of silicon nitride or the like on a substrate at low cost.例文帳に追加

触媒反応に伴う化学エネルギーを利用することによって使用電力量を低減でき、酸化亜鉛等の金属酸化物の薄膜、窒化ガリウムや窒化アルミニウム等の金属窒化物の薄膜、および珪素窒化物の薄膜などを、低コストで効率良く基板に堆積させる堆積装置および堆積方法を提供する。 - 特許庁

The system for depositing a thin film on the surface of a semiconductor comprises a means for supplying a material gas, a chamber for depositing a film through the chemical reaction of the material gas, and a means for exhausting the material gas in the film deposition chamber wherein a gas monitoring means is provided between the film deposition chamber and the exhausting means.例文帳に追加

原料ガスを供給するガス供給手段と、前記原料ガスを化学反応によって成膜する成膜室と、成膜室内の原料ガスを排気するための排気手段とからなる半導体の表面上に薄膜を成膜するための装置において、前記成膜室と前記排気手段の間にガスモニタリング手段を設けた。 - 特許庁

A reaction vessel for performing vapor deposition in a vacuum state comprises an outer wall at normal temperature to keep the vacuum and a heated inner wall 10 which surrounds a vaporizing source, and in a partition structure, the inner wall 10 is integrally guided in the vicinity of a vapor deposition surface, and a heated seal part 23 is formed inside the inner wall 10.例文帳に追加

真空状態で蒸着を行う反応容器において、真空を保持する常温の外壁９と蒸発源を包みかつ加熱された内壁１０とで構成されており、その内壁１０を蒸着面近傍まで一体で案内し、かつ内壁１０の内部に加熱されたシール部２３を作成した仕切り構造である。 - 特許庁

Further, the substrate cooling mechanism for cooling the substrate in the reaction chamber is included, due to which the force cooling of the substrate after the film deposition is made possible and the additional reduction of the thermal load exerted on the substrate is made possible.例文帳に追加

更に、反応室内の基板を冷却する基板冷却機構を備えることで、成膜後において基板の強制冷却が可能となり、これにより基板に加わる熱的負荷の更なる低減を図れるようになる。 - 特許庁

To provide technology of preventing deposition of a solid source material on an inner wall of a vaporization chamber upon vaporizing a source solution by use of an extremely simple heater structure in a vaporizer that vaporizes the source solution and supplies the vapor to the reaction chamber.例文帳に追加

原料溶液を気化して反応室に供給する気化器において、原料溶液を気化させるときに固体原料が気化室内壁に付着するのを、極めて簡単なヒータ構造により防止する技術を提供する。 - 特許庁