「deposition reaction」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

Especially, when the Si base body is used and the thick film of the lead piezoelectric material 13 is formed by the aerosol gas jet deposition method on the Si base body, the intermediate layer 12 is interposed in order to inhibit the reaction of lead atom.例文帳に追加

特に、Ｓｉ基体を用い、エアロゾルガスジェットデポジション法にて鉛系圧電材料１３の厚膜を形成する際の鉛元素の反応を阻止する中間層１２を配置させる。 - 特許庁

The shower plate, through which both cleaning gas and reaction source gas flow, may include a hole machined surface area with a size different than conventionally used to ensure a good film thickness uniformity during a deposition process.例文帳に追加

クリーニングガス及び反応ガスの両方が通過するシャワープレートは従来と異なるサイズの孔切削表面を有し、膜堆積処理中に良好な膜厚均一性を保証する。 - 特許庁

To provide an apparatus and method for processing a substance such as semiconductor wafer, which can prevent deposition of a reaction by-product on a substrate transportation outlet and prevent partial contamination.例文帳に追加

基板搬入出口への反応副生成物の付着を防止し、パーティクル汚染等を防止できる半導体ウエハ等の基板処理装置および基板処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for preventing a side deposition by a reaction product and improving the throughput, when a high melting point material such as Ir and Pt is subjected to dry etching by using a mixture gas of chlorine and argon.例文帳に追加

ＩｒやＰｔなどの高融点材料を、塩素とアルゴンの混合ガスを用いドライエッチングする場合の、反応生成物によるサイドデボを防止し、スループットを改善する方法を得る。 - 特許庁

To provide an atomic-layer deposition apparatus which reliably purges precursors remaining in a reaction space, and stably and uniformly supplies a gas of the respective precursors onto a substrate.例文帳に追加

原子層堆積装置による反応空間内に残存する前躯体のパージが確実に行われ、各前躯体のガスが安定的に且つ均等に基板に対して供給されるようにする。 - 特許庁

In other words, iron ions are forcibly fed into the plating interface by the insulative bodies 20A and 20B, and then a reduction reaction in which trivalent iron ions are converted into divalent iron ions takes place to suppress the deposition of copper.例文帳に追加

即ち、絶縁体２０Ａ、２０Ｂにより鉄イオンがめっき界面に強制的に供給され、３価の鉄イオンが２価の鉄イオンに成る還元反応が起こり、銅の析出を抑える。 - 特許庁

The gas for vapor deposition reaches a substrate 9 held by a substrate holder, and a predetermined thin film is created on the substrate 9 making use of the reaction of the gas in which the thermal catalyst 3 is involved.例文帳に追加

基板ホルダーに保持された基板９に蒸着用ガスが到達し、熱触媒体３が関与した蒸着用ガスの反応を利用して基板９に所定の薄膜が作成される。 - 特許庁

The processing effects such as curing, annealing, implant activation, selective melting, deposition, and chemical reaction can be achieved with a dimension limited by a diameter of the focused laser beam.例文帳に追加

例えば、硬化、焼きなまし、インプラント活性化、選択的溶融、デポジション、及び化学反応のような処理効果が、集束ビーム直径によって限定された寸法で達成されることができる。 - 特許庁

To provide a thin film deposition apparatus and method permitting the trend dispersion of reaction gas and control of discriminating etching to a substrate, and a liquid crystal display device thereof.例文帳に追加

反応ガスの傾向性散布が可能であって、基板に対する差別的なエッチングの制御が可能な薄膜形成装置及び方法並びに液晶表示装置を提供する。 - 特許庁

To put off a maintenance cycle of a gas supply nozzle to the same degree as other component members in a processing chamber by delaying the deposition rate of a reaction product in the gas supply nozzle.例文帳に追加

ガス供給ノズル内の反応生成物の堆積レートを遅くして、ガス供給ノズルのメンテナンスサイクルを、処理室内の他の構成部材と同程度に延ばすことができるようにする。 - 特許庁

The vapor phase deposition apparatus 21 includes a reactor 22, a reaction pipe 23, a susceptor 27 for placing a substrate 26 to be processed, and a heater 33 for heating the substrate 26 through the susceptor 27.例文帳に追加

気相成長装置２１は、反応炉２２と、反応管２３と、被処理基板２６を載置するサセプタ２７と、サセプタ２７を介して被処理基板２６を加熱するヒータ３３とを備えている。 - 特許庁

In this deposition method, a compound having siloxane bond and an oxidizing gas are changed into plasma for reaction, and the silicon- containing insulating film 204 is formed on a substrate 103 to be deposited.例文帳に追加

シロキサン結合を有する化合物と酸化性ガスとをプラズマ化して反応させ、被堆積基板１０３上にシリコン含有絶縁膜２０４を成膜する成膜方法による。 - 特許庁

To provide a method for producing F_2 gas for use in removal of undesired substances deposited on the inside of a reaction chamber, tools, piping, etc., in a film deposition apparatus or the like in the semiconductor field.例文帳に追加

半導体分野における成膜装置等において、反応室内、治具、配管等に堆積した不要物のクリーニングに用いるＦ_２ガスの製造方法を提供するものである。 - 特許庁

To prevent change of concentration, and deposition and fixing of a substance in a medium caused by drying of the medium stored or retained in a reaction area providing a place for interaction of the substances.例文帳に追加

物質間の相互作用の場を提供する反応領域に貯留又は保持される媒質の乾燥による濃度変化や媒質中の物質の析出、固着を防止する。 - 特許庁

The invention relates to the method for forming a sulfonated polyimide resin film comprising a vapor deposition polymerization reaction using a tetracarboxylic acid dianhydride and a diamine compound containing a sulfonic acid group as raw monomers.例文帳に追加

四カルボン酸二無水物と、スルホン酸基含有のジアミン化合物とをそれぞれ原料モノマーとする蒸着重合反応によりスルホン酸化ポリイミド樹脂の成膜を行う。 - 特許庁

To provide a stable firing method which prevents the abnormal progression of a pyrolysis reaction by preventing the deposition of ammonium nitrate in firing an inorganic compound containing the ammonium nitrate.例文帳に追加

硝酸アンモニウムを含む無機化合物を焼成するに際し、硝酸アンモニウムの析出を防止して、熱分解反応の異常進行を防止し、かつ安定した焼成方法を提供する。 - 特許庁

In this manufacturing method, the single-wall carbon nanotube is grown by chemical vapor deposition method using an alcohol such as ethanol or a gas obtainable by vaporizing an aqueous alcohol solution as a reaction gas.例文帳に追加

エタノールなどのアルコールまたはアルコールの水溶液を気化させることにより得られるガスを反応ガスに用い、化学気相成長法により常圧で単層カーボンナノチューブを成長させる。 - 特許庁

Thereby, the deposition of the fuel to the fuel reforming catalyst 26 and the flow-in of oxygen are suppressed, and an oxidation reaction (combustion) of the fuel on the fuel reforming catalyst 26 is avoided.例文帳に追加

これにより、燃料改質触媒２６への燃料付着や酸素の流入を抑制し、燃料改質触媒２６での燃料の酸化反応（燃焼）を回避する。 - 特許庁

In a deposition process (steps S2 and S3), when a first voltage is applied to the processing solution through electrodes, a reduction reaction takes place, and metal ions are separated out as metal at the electrode.例文帳に追加

析出過程（ステップＳ２，Ｓ３）において、電極を介して処理液に第１電圧を印加すると還元反応が生じ、処理液中の金属イオンが金属として電極に析出する。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus which suppresses the deposition of a reaction product on an internal peripheral surface of a focusing ring, and of reduces the wasting of the internal peripheral surface of the focusing ring owing to plasma.例文帳に追加

フォーカスリングの内周面への反応生成物の堆積を抑制でき、また、フォーカスリング内周面のプラズマによる消耗を低減できるプラズマ処理装置を提供すること。 - 特許庁

To obtain a method for manufacturing lead powder by a burton pot process, by which lead powder is manufactured while controlling the temperature of a reaction pot to a constant value with rapid responsiveness, suppressing the deposition of molten lead to the inner wall of the reaction pot, and preventing the excessive oxidizability of the resulting lead powder.例文帳に追加

速い応答性で反応釜の温度を一定に制御しつつ、反応釜の内壁に対する溶融鉛の付着を抑制し且つ鉛粉の酸化度が過度にならないようにしつつ鉛粉を製造するバートンポット方式の鉛粉製造方法を得る。 - 特許庁

Moreover, in the case of performing a process of carrying out a wafer by evacuating the inside of the reaction vessel after depositing the silicon germanium film, the silicon germanium film is annealed by hydrogen gas while lowering the temperature inside the reaction vessel from the deposition temperature, so as to suppress the migration at the time of evacuation.例文帳に追加

またシリコンゲルマニウム膜を成膜後に反応容器内を真空引きしてウエハを搬出する工程を行う場合には、反応容器内を成膜温度から降温させながら水素ガスによりシリコンゲルマニウム膜をアニールし、真空排気時のマイグレーションを抑える。 - 特許庁

To perform treatment with high uniformity in a plane and between substrates when heat treatment, such as film deposition, to the substrates in a reaction tube is performed by reducing pressure and then supplying treatment gas into the vertical reaction tube having an upper end surface curved outward.例文帳に追加

減圧した後、上端面が外側に湾曲している縦型の反応管内に処理ガスを供給して、反応管内の基板に対して例えば成膜処理などの熱処理を行うにあたり、面内及び基板間において均一性高く処理を行うこと。 - 特許庁

To provide a manufacturing device for a glass fine particle deposition body capable of shielding heat without disturbing gas flow in a reaction vessel, and capable of reducing heat load to the reaction vessel, and also capable of effectively exhausting floating soot, capable of preventing generation of bubbles at the time of vitrification.例文帳に追加

反応容器内の気流を乱すことなく遮熱でき、反応容器への熱負荷を低減することができるとともに、効率良く浮遊しているススの排出が行え、ガラス化時に泡等の発生を防止できる堆積体の製造装置を提供する。 - 特許庁

The method for depositing a film of low dielectric constant comprises a step for generating plasma in a film deposition chamber and a step for causing reaction of a nitrogen atom with boron and carbon in the film deposition chamber to deposit a boron carbon nitrogen film on a substrate and then irradiating the film with light.例文帳に追加

前記課題を解決するための本発明の成膜方法は、成膜室内にプラズマを生成し、成膜室内で窒素原子をホウ素および炭素と反応させ、基板にホウ素炭素窒素膜を成膜した後、光照射を行う工程を有することを特徴とする。 - 特許庁

A substance firmly bonding to an impurity containing a hydrogen atom in a film is introduced into a film-deposition chamber to bring it into reaction with the hydrogen-atom-containing impurity remained in the film deposition chamber to denature it to a hydrogen-atom-containing stable substance, thereby forming a highly purified oxide semiconductor layer.例文帳に追加

成膜中に水素原子を含む不純物と強く結合する物質を成膜室に導入して、成膜室に残留する水素原子を含む不純物と反応せしめ、水素原子を含む安定な物質に変性することで、高純度化された酸化物半導体層を形成する。 - 特許庁

To provide a method for forming a deposition film by plasma-CVD process, which steadily forms a deposition film of uniform thickness and quality and drastically improves a yield in the mass production, by stabilizing a gas flow in a generatrix direction in a reaction vessel, and to provide an apparatus therefor.例文帳に追加

反応容器内の母線方向のガス流を安定化することにより、膜厚および膜質が均一な堆積膜を定常的に形成し、量産化を行う上でその歩留まりを飛躍的に向上させたプラズマＣＶＤ法による堆積膜形成方法及び装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing an acetoxymethylbiphenyl compound by an oxidative esterification reaction from raw materials consisting essentially of a dimethylbiphenyl compound and acetic acid, by which the deposition of the unreacted dimethylbiphenyl compound can be prevented in a process after the reaction to produce the acetoxymethylbiphenyl compound without causing a trouble due to the deposition of the dimethylbiphenyl in the production process.例文帳に追加

ジメチルビフェニル類と酢酸とを必須とする原料から酸化的エステル化反応によりアセトキシメチルビフェニル類を製造するに際し、未反応のジメチルビフェニル類が反応後の工程において析出することを抑制することにより、ジメチルビフェニル類の析出による製造工程における不具合が生じることなくアセトキシメチルビフェニル類を製造する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing an acetoxymethylnaphthalene compound by an oxidative esterification reaction from raw materials consisting essentially of a dimethylnaphthalene compound and acetic acid, by which the deposition of the unreacted dimethylnaphthalene compound can be prevented in a process after the reaction to produce the acetoxymethylnaphthalene compound without causing a trouble due to the deposition of the dimethylnaphthalene in the production process.例文帳に追加

ジメチルナフタレン類と酢酸とを必須とする原料から酸化的エステル化反応によりアセトキシメチルナフタレン類を製造するに際し、未反応のジメチルナフタレン類が反応後の工程において析出することを抑制することにより、ジメチルナフタレン類の析出による製造工程における不具合が生じることなくアセトキシメチルナフタレン類を製造する方法を提供する。 - 特許庁

The method comprises the step of loading a semiconductor substrate into the reaction chamber for performing deposition, the step of charging nitrogen atmosphere gas which contains a nitrogen element decomposable at low temperature into the reaction chamber to generate a nitrogen atmosphere in the reaction chamber, and the step of charging silicon source gas and oxygen source gas into the reaction chamber to deposit a silicon oxide layer on the semiconductor layer.例文帳に追加

半導体基板を蒸着工程の行われる反応チャンバ内にローディングする段階、前記反応チャンバ内に低温で分解可能な窒素元素を含む窒素雰囲気ガスを投入して前記反応チャンバ内を窒素雰囲気に形成する段階及び前記反応チャンバ内にシリコンソースガス及び酸素ソースガスを投入して前記半導体基板上にシリコンオキシド層を蒸着する段階を含む。 - 特許庁

The precursor of the present invention is a precursor of an active substance composed of an inorganic oxide and has hydroxy groups in an amount to enable the deposition of the inorganic component in a reaction solution on the surface of the inorganic oxide when immersed in the reaction solution.例文帳に追加

本発明の活性物質の前駆体は、無機酸化物からなる活性物質の前駆体であって、反応溶液中に浸漬した場合に該反応溶液中の無機成分が前記無機酸化物の表面に析出可能な程度の水酸基を有することを特徴とする。 - 特許庁

A CVD method is carried out by using Cu (hfac) tmvs as VCD material and setting a substrate temperature at a temperature in the vicinity of a boundary temperature, at which a governing mechanism of Cu layer deposition reaction on a substrate surface varies from a surface reaction governing type to a source material supply governing type, or a temperature higher therethan.例文帳に追加

Ｃｕ（ｈｆａｃ）ｔｍｖｓをＣＶＤ原料として使い、基板温度を基板表面におけるＣｕ層の堆積反応の律速機構が表面反応律速型から原料供給律速型に変化する境界温度近傍の温度、あるいはそれ以上の温度に設定してＣＶＤ法を実行する。 - 特許庁

The parts which can heat portions of quartz parts existing nearer the upstream side of a gaseous raw material stream than a susceptor to a high temperature and the parts which are made into a high temperature particularly by induction heating are formed, by which reaction products are removed during a cleaning process and therefore the deposition of the reaction products is suppressed.例文帳に追加

サセプタより原料ガス流れの上流側にある石英部品の一部を高温に加熱できる部品、特に誘導加熱により高温となる部品とすることによりクリーニングプロセス中に反応生成物が除去されるため反応生成物の堆積が抑制される。 - 特許庁

The plasma chemical deposition apparatus is equipped with a process chamber comprising upper and lower chambers 40 and 42, a reaction gas discharge ring 44 for discharging a reaction gas, a susceptor 52 that has a heater at the inside and fixes a wafer 56 for rotating, a plasma correction ring 54, a vacuum pump 60, and a power supply.例文帳に追加

プラズマ化学蒸着装置は、上部チャンバ４０と下部チャンバ４２からなる工程チャンバ、反応ガスを放出する反応ガス放出リング４４、ヒーターが内設され、ウェーハ５６を固定して回転させるサセプタ５２、プラズマ補正リング５４、真空ポンプ６０及び電源を備える。 - 特許庁

A crystal structure of a net basket shape is formed by a reaction with an inorganic acid and hydrogen ion is adsorbed and the crystal structure of a net basket shape is covered by a reaction with an organic acid, and the hydrogen ion is inactivated and a deposition with reducibility having a lot of the hydroxide ion is obtained.例文帳に追加

無機酸との反応で空洞を有する網かご状の結晶構造を生成して水素イオンを吸着させ、有機酸との反応で網かご状結晶構造を被覆して、水素イオンを不活性化させて水酸イオンが多く存在させた還元性のある沈殿物を得る。 - 特許庁

The film deposition process includes a process of low oxygen treatment for depositing a film by supplying oxygen smaller than an amount required for causing the chemical reaction of the supplied organic metal material, and high oxygen treatment for depositing a film by supplying oxygen more than an amount required for causing the chemical reaction subsequently.例文帳に追加

成膜プロセスは、供給する有機金属材料を化学反応させるのに必要な量未満の酸素を供給して成膜する低酸素処理と、その後に化学反応させるのに必要な量以上の酸素を供給して成膜する高酸素処理と、を含む。 - 特許庁

To provide an electrochemical light controlling device capable of suppressing shape deterioration due to dissolution or deposition of a counter electrode when a color variable material is deposited (reduction reaction) or dissolved (oxidation reaction) and attaining a long life and to provide a method for effectively driving the light controlling device.例文帳に追加

色可変材料の析出（還元反応）又は溶解（酸化反応）時の対極の溶解又は析出による形状劣化を抑えることができ、長寿命化を図ることができる電気化学調光装置、及びこの調光装置を効果的に駆動することができる方法を提供すること。 - 特許庁

In a reaction chamber 10 where film deposition or working treatment of a metal film is performed, an oxidizing gas is introduced from an oxidizing gas introduction part 20, and a metal film remaining in the reaction chamber 10 by the treatment or by-products produced by the treatment are oxidized to form the oxides thereof.例文帳に追加

金属膜の成膜又は加工の処理を行う反応室１０内において、酸化ガス導入部２０から酸化ガスを導入して、前記処理により反応室１０内に残留する金属膜と前記処理により生成された副生成物とを酸化してこれらの酸化物を形成する。 - 特許庁

In an atmospheric pressure CVD (Chemical Vapor Deposition) system 10A, at the time of depositing a thin film on the surface of a substrate 20A, the substrate 20A is arranged inside a reaction chamber 11A, and further, the substrate 20A is heated from the outside of the reaction chamber 11A by a heater 12A to hold the substrate 20A to a fixed temperature.例文帳に追加

減圧ＣＶＤ装置１０Ａにおいて、基板２０Ａの表面に薄膜を形成するときには、反応室１１Ａの内部に基板２０Ａを配置するとともに、ヒータ１２Ａによって、基板２０Ａを反応室１１Ａの外部から加熱して、基板２０Ａを一定温度に保つ。 - 特許庁

The cleaning of a reaction vessel 101 is performed by dry etching after an aluminum made cylindrical dummy base body 202 having a diameter ϕdy smaller than the diameter ϕdx of the aluminum made cylindrical base body 102 for forming the deposition film is mounted in the reaction vessel 101.例文帳に追加

反応容器１０１内をクリーニングする際、堆積膜を形成するためのＡｌ製円筒状基体１０２の直径φｄｘより小さい直径φｄｙのＡｌ製円筒状ダミー基体２０２を反応容器１０１内に設置してからドライエッチングによるクリーニング処理を行う。 - 特許庁

To provide a method for removing residual contaminants after unnecessary matters deposited in the reaction chamber or on the fixture of a film deposition system in the field of semiconductor are cleaned off using COF_2 gas.例文帳に追加

半導体分野における成膜装置等において、反応室内、治具等に堆積した不要物をＣＯＦ_2ガスでクリーニングした後、残存する汚染物の除去方法を提供するものである。 - 特許庁

To provide chemical vapor deposition equipment which is capable of stabilizing the flow rate of a treatment gas supplied to a reaction chamber, and to provide a semiconductor device manufactured by the equipment.例文帳に追加

反応室内に供給される処理用ガスの流量を安定させることのできる化学気相成長装置、および、それにより製造される半導体装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

When the holder 22 is transferred in an R1 direction by a transfer system 7 of a film deposition system, reaction products adhering to the surface of the RF electrode 13 can be scratched off by the brushes 21 and removed.例文帳に追加

ホルダ２２を成膜装置の搬送装置７によりＲ１方向に搬送すると、ＲＦ電極１３の表面に付着した反応生成物はブラシ２１により掻き取られ除去される。 - 特許庁

A vacuum pump unit 132 constituting an exhaust means of a deposition film forming apparatus 110 is connected via an exhaust unit 124 connected to an opening part 125 of a side wall of a reaction container 111.例文帳に追加

堆積膜形成装置１１０の排気手段を構成する真空ポンプユニット１３２は、反応容器１１１の側壁の開口部１２５に接続された排気部１２４を介して接続されている。 - 特許庁

Metal alkylamide (TEMAZ) and silicon alkylamide (TEMASiH) are used as a metal precursor and a silicon precursor, respectively, and the precursors are supplied to a reaction vessel 103 at the same time to perform ALD (atomic layer deposition).例文帳に追加

金属アルキルアミド（ＴＥＭＡＺ）を金属前駆体とし、シリコンアルキルアミド（ＴＥＭＡＳｉＨ）をシリコン前駆体として、前駆体を同時に反応容器１０３に供給してＡＬＤ（原子層堆積）を行う。 - 特許庁