「deposition reaction」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

It is advantageous that remote plasma of oxygen (O2) as a reactive gas exposed to microwaves in a gas feed pipe (3) is used in the reactor (1) to generate free radicals of gas enough in amount to induce a deposition reaction.例文帳に追加

有利なこととして、蒸着反応を起こすのに十分なガスの自由基を発生させるために反応器（１）にガス供給管（３）内部でマイクロ波にさらされた反応ガスである酸素（Ｏ_2）の遠隔プラズマが用いられる。 - 特許庁

To prevent a reduction in a production yield due to deposition of a flake of a reaction product to a substrate or to a compound semiconductor layer on the substrate in manufacturing of a compound semiconductor using a metal organic vapor phase epitaxy.例文帳に追加

有機金属気相成長法を用いた化合物半導体の製造において、剥がれた反応生成物が基板または基板上の化合物半導体層上に付着することに起因する歩留まりの低下を抑制する。 - 特許庁

The supply destination of the gaseous ozone from the gaseous ozone generation chamber 104 can be switched to a deposition chamber 101 and the side reaction chamber 115 by a switching means including the opening and closing state of a valve 110 and that of the valve 117.例文帳に追加

バルブ１１０の開閉状態およびバルブ１１７の開閉状態を含む切り替え手段により、オゾンガス発生部１０４からのオゾンガスの供給先を、成膜室１０１と副反応室１１５とに切り替えることができる。 - 特許庁

An organic metal gas to be a metal component source, an oxygen component source gas and a p-type dopant gas are supplied into a reaction container, thereby growing a p-type Mg_xZn_1-xO layer by a metal organic vapor phase deposition.例文帳に追加

反応容器内に、金属成分源となる有機金属ガス、酸素成分源ガス及びｐ型ドーパントガスとを供給することにより、有機金属気相成長法によりｐ型Ｍｇ_ｘＺｎ_１−ｘＯ層を成長させる。 - 特許庁

The chemical vapor deposition method is characterized in that the pressure in a reaction chamber is varied by being reached to a first set pressure and a second set pressure, which is higher than the first set pressure, alternately.例文帳に追加

上記課題は、反応室の圧力を、第一設定圧力と、該第一設定圧力よりも高い第二設定圧力とに、交互に達せしめるように変動させることを特徴とする、化学気相成長方法によって達成される。 - 特許庁

To provide a method for forming a deposition film, which can form a reaction film in a satisfactory bottom-coverage rate even on a substrate with a groove of a high aspect ratio and a hole and even on a substrate with a low heat-resistance such as a resin substrate, regardless of material of the substrate.例文帳に追加

アスペクト比の高い溝、及びホールを有する基板に基板の材質を問わず、例えば樹脂基板のような耐熱性の低い基板にボトムカバレッジ率よく反応膜を成膜できる堆積膜形成法を提供すること。 - 特許庁

The above polysiloxane coated film is formed by performing chemical vapor deposition with a siloxane-based compound and a Si-H group addition reacting on the inorganic compound fine particles in a chamber, and further making them as hydrophilic by performing a heat-treatment or hydroxylation reaction.例文帳に追加

前記ポリシキロサン被膜は、チャンバ内で無機化合物粒子にシキロサン系化合物を化学蒸着とＳｉ−Ｈ基の付加反応を行い、さらに加熱処理またはヒドロキシン化反応によって親水性にすることにより形成する。 - 特許庁

To provide a shower head composed in such a manner that a plurality of metallic members are superimposed, and capable of feeding, e.g., a film deposition gas to a substrate, in which the cleaning of each gas flow passage can be easily performed, and the generation of reaction products is suppressed.例文帳に追加

複数の金属部材を重ね合わせて構成され、基板に対して例えば成膜ガスを供給可能なシャワーヘッドにおいて、各ガス流路の洗浄を容易に行うこと及び反応生成物の発生を抑えること。 - 特許庁

To provide a burner for manufacturing a porous glass preform which has small-diameter gas jet ports, wherein a uniform linear velocity is obtained at each gas jet port outlet, reaction is made uniform, a stable flame is obtained, and deposition efficiency is improved.例文帳に追加

各ガス噴出ポート出口において均一な線速が得られ、反応が均一となり、安定した火炎が得られ、堆積効率が向上する、小口径ガス噴出ポートを有する多孔質ガラス母材製造用バーナーを提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing silicon capable of industrially advantageously treating tetrachlorosilane (STC) formed by a silicon deposition reaction in a method for manufacturing silicon by reacting trichlorosilane (TCS) with hydrogen.例文帳に追加

トリクロロシラン（ＴＣＳ）と水素との反応によるシリコンの製造方法において、シリコン析出反応によって生成するテトラクロロシラン（ＳＴＣ）の処理を工業的に極めて有利に行うことが可能なシリコンの製造方法を提供する。 - 特許庁

The deposition method of the metal-containing film in one embodiment includes a step for introducing into a reaction chamber, a metal amide precursor, a silicon-containing precursor, and an oxygen source wherein each precursor is introduced after introducing a purge gas.例文帳に追加

一実施形態における金属含有膜の堆積法は、金属アミド前駆体、ケイ素含有前駆体、及び酸素源を燃焼室に導入する工程（ただし、パージガスを導入した後に各前駆体を導入する）を含む。 - 特許庁

To provide a storage battery which suppresses deposition of carbonate in an electrolyte by using an electrolyte within an acid range and using iron and iron ions having excellent electrode reaction even in the acid range for a negative electrode active material.例文帳に追加

酸性の範囲内の電解液を使用し、酸性の範囲内でも電極反応が優れる鉄及び鉄イオンを負極活物質に使用することによって、電解液中の炭酸塩析出を抑えた蓄電池を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor manufacturing apparatus in which the adhesion and deposition of reaction products on the internal surface of an exhaust pipeline can be suppressed and the maintenance work of the pipeline can be performed easily and efficiently, and to provide the exhaust pipeline and maintenance method of the device.例文帳に追加

排気配管の内壁への反応生成物の付着、堆積を抑え、かつ容易で効率的な排気配管のメンテナンス作業が実現される半導体製造装置及びその排気配管及びメンテナンス方法を提供する。 - 特許庁

An apparatus for forming the deposition film has a plurality of cylindrical substrates 107 arranged on the same circumference in a reaction vessel 100 and a discharge electrode 101 installed so as to surround a plurality of the cylindrical substrates 107.例文帳に追加

堆積膜形成装置において、反応容器１００の内部に複数の円筒状基体１０７が同一円周上に配置され、複数の円筒状基体１０７を取り囲むように放電電極１０１が設置されている。 - 特許庁

A film deposition apparatus 1 has a vacuum vessel 2 to which a predetermined reaction gas can be introduced, and an electric field generating means 6 to generate an AC electric field in a predetermined direction is provided in the vacuum vessel 2.例文帳に追加

本発明の成膜装置１は、所定の反応ガスを導入可能に構成された真空槽２を有し、この真空槽２内に、所定の方向の交流電界を発生するように構成された電界発生手段６を備える。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device for adjusting such a deposited state as the deposition quantity or distribution of reaction products, and for adjusting the dimension of line width or in-wafer surface uniformity, and to provide a semiconductor manufacturing apparatus.例文帳に追加

反応生成物の堆積量や分布などの堆積状態を調整することで、ライン幅の寸法やウェーハ面内均一性などの調整をすることができる半導体装置の製造方法と半導体製造装置を提供する。 - 特許庁

To prevent a deposition rate from being lowered, in a film forming apparatus for laminating a thin film, having an isolation region for isolating atmosphere between a first treatment region which is provided along a circumferential direction of a turntable with a substrate mounted thereon and is supplied with a first reaction gas and a second treatment region to which a second reaction gas is supplied.例文帳に追加

基板を載置する回転テーブルの周方向に沿って設けられる第１の反応ガスが供給される第１の処理領域と、第２の反応ガスが供給される第２の処理領域とをこれら処理領域の雰囲気を分離するための分離領域とを備えた、薄膜を積層する成膜装置において、成膜速度の低下を抑えること。 - 特許庁

The thin film deposition method for forming the thin films consisting of oxide on the surfaces of the substrates by forming a gaseous mixture containing monomer gas and oxidative reaction gas to plasma comprises forming the gaseous mixture to the plasma while changing a supply rate ratio of the monomer gas to the reaction gas in such a manner that the supply flow rate ratio includes at least a specific range.例文帳に追加

モノマーガスと、酸化性の反応ガスとを含有する混合ガスをプラズマ化し、基材の表面に酸化物からなる薄膜を形成する薄膜成膜方法において、前記反応ガスに対する前記モノマーガスの供給流量比が少なくとも特定範囲を含むように、前記供給流量比を変化させながら混合ガスをプラズマ化する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a fibrous carbon by a chemical vapor deposition method which can effectively add a nitrogen-containing compound by forming a stable reaction site for synthesizing the fibrous carbon and which can synthesize the fibrous carbon with high-efficiency with reduced contamination of a reaction container and the fibrous carbon.例文帳に追加

化学気相成長法による繊維状炭素を製造する方法において、繊維状炭素合成のための安定した反応場を作り出すことにより、効果的な窒素含有化合物の添加を可能とし、反応容器や繊維状炭素の汚染を軽減するとともに繊維状炭素を高効率で合成する方法を提供すること。 - 特許庁

This method for manufacturing a titanium dioxide photocatalyst powder by utilizing chemical vapor deposition comprises the steps of injecting a titanium salt into a reaction vessel utilizing a carrier gas by a continuous method to react the titanium salt with oxygen, and collecting the resultant photocatalyst powder through a cooler/collector connected to the outlet of the reaction vessel, whereby the photocatalyst powder is produced in a continuous and effective manner.例文帳に追加

化学蒸着法を利用して二酸化チタン光触媒粉体を製造する方法であって、キャリヤガスによりチタニウム塩類を連続方式で反応槽内に注入して酸素と反応させ、反応槽の出口に接続される冷却収集器を介して収集して光触媒粉体を連続的かつ効果的に生成する。 - 特許庁

To provide a device for preventing the adhesion of reaction side products to the inside of piping which prevents the adhesion and deposition of the reaction side products to the insider of the piping for connecting a vacuum chamber and a vacuum pump for evacuating this vacuum chamber to each other and does not degrade the working rate of a semiconductor manufacturing apparatus by periodic maintenance.例文帳に追加

真空チャンバーと該真空チャンバーを排気する真空ポンプの間を接続する配管内に反応副生成物が付着堆積することなく、定期的メンテナンスによる半導体製造装置の稼動率を低下させることのない反応副生成物の配管内付着防止装置及び付着防止方法を提供すること。 - 特許庁

The CVD system is, e.g., composed of a reaction chamber 10 capable of atmospheric control, a raw material vaporization tank 7 arranged therein with a raw material for thermal deposition reaction stored therein, a susceptor 2 holding a substrate 6 as the object for treatment to the upper direction of the raw material vaporization tank 7 so as to be close thereto, and a heater 3 controlling the temperature of the substrate 6.例文帳に追加

本発明のＣＶＤ装置は、雰囲気調整が可能な反応室１０、その中に配置され熱分解反応の原料が収容される原料気化槽７、処理対象の基板６を原料気化槽７の上方にこれに近接させて保持するサセプタ２、基板６の温度を制御するヒータ３などから構成される。 - 特許庁

This apparatus comprises arranging several cylindrical substrates 101 in a reaction vessel 102, supplying high frequency powers of two different frequencies f1 and f2 simultaneously to a same high frequency electrode 104, generating plasma by the high frequency power introduced into the reaction vessel 102, decomposing the gas introduced into the reaction vessel 102 through a raw material gas introduction pipe 103, and forming the deposition film on the cylindrical substrate 101.例文帳に追加

反応容器１０２中に複数の円筒状基体１０１を配置し、２つの異なる周波数ｆ１，ｆ２の高周波電力を同一の高周波電極１０４に同時に供給し、反応容器１０２内に導入された高周波電力によってプラズマを形成し、原料ガス導入管１０３より反応容器１０２中に導入されたガスを分解して円筒状基体１０１上に堆積膜を形成する。 - 特許庁

The prevention of the deposition of a contaminant or the removal of a deposited contaminant is performed by intermittently heating the passage constituent by using a heating means 2 formed on the outside wall of the passage constituent during the transfer of the reaction product fluid W.例文帳に追加

反応生成物流体Ｗの移送を行う最中に、流路形成部の外壁面に設けた加熱手段２を用いて、流路形成部を断続的に加熱することにより、汚れの付着の予防又は付着した汚れの除去を行う。 - 特許庁

To provide a plasma substrate processing apparatus which suppresses the deposition of a film on a hole and near the hole, the hole connecting a buffer chamber with a reaction chamber, prevents the formation of particles by the deposited film, and can process a substrate without degrading quality of the substrate.例文帳に追加

バッファ室と反応室を連通させる孔及び孔の近傍に膜が堆積することを抑制し、堆積した膜によるパーティクルの発生を防止し、基板の品質を低下させることなく処理可能なプラズマ基板処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a vapor deposition apparatus avoiding a clogging of a gas delivering pore of a shower plate caused by a reaction of a gas on the shower plate by passing a cooling medium through the whole area of the shower plate to homogeneously cool down the shower plate.例文帳に追加

冷媒をシャワープレートの全域に流れるようにすることにより、シャワープレートの冷却を均一に行い、ガスのシャワープレートでの反応によるシャワープレートにおけるガス吐出孔の目詰まりを回避し得る気相成長装置を提供する。 - 特許庁

In the vacuum processing apparatus provided with a means to exhaust the inside of a reaction vessel through exhaust piping, a deposition- preventing member and plasma leakage prevention member attachable to and detachable from the exhaust piping is provided inside the exhaust piping.例文帳に追加

前記反応容器内から排気配管を介して排気する排気手段を備えた真空処理装置において、前記排気配管内部に、該排気配管に対して着脱可能な防着部材及びプラズマ漏れ防止部材を設けるように構成する。 - 特許庁

To provide an organoruthenium compound of excellent film-forming characteristics as an organoruthenium compound for use in chemical vapor deposition and of high vapor pressure, easily formable of a film even upon using hydrogen as a reaction gas.例文帳に追加

本発明は、化学蒸着用の有機ルテニウム化合物として良好な成膜特性を備え、蒸気圧も高いものであって、さらに反応ガスに水素を用いた場合にも容易に成膜可能な有機ルテニウム化合物の提供を目的とする。 - 特許庁

An LPCVD (Low Pressure Chemical Vapor Deposition) device 1 is provided with: a processing chamber 11; and a reaction cooling means 25 which is arranged outside the processing chamber 11, produces hydrogen fluoride gas by reacting hydrogen gas with fluorine gas, and cools the hydrogen fluoride gas.例文帳に追加

ＬＰＣＶＤ装置１において、処理チャンバー１１を設け、処理チャンバー１１の外部に配置され、水素ガスとフッ素ガスとを反応させてフッ化水素ガスを生成すると共に、このフッ化水素ガスを冷却する反応冷却手段２５を設ける。 - 特許庁

In the sputtering film deposition method, a metal target is sputtered by a sputtering gas in the presence of a reactive gas of CO_2 and/or CO, and the transparent thin film composed of the oxide of the metal is deposited on the substrate by setting the reaction mode during the sputtering as an oxidation mode.例文帳に追加

ＣＯ_２及び／又はＣＯの反応性ガスの存在下で金属ターゲットをスパッタガスによりスパッタリングし、当該スパッタリング中の反応モードを酸化モードとして基板上に前記金属の酸化物からなる透明薄膜を成膜する。 - 特許庁

To provide a semiconductor processing apparatus and a diagnostic method for the semiconductor processing apparatus capable of diagnosing a defect of reassembling of a process chamber after wet cleaning or a state of the process chamber such as deposition of reaction products and shaved components.例文帳に追加

ウエットクリーニング後の処理室再組み立ての不都合、あるいは反応生成物の堆積、部品の削れ等の処理室の状況を診断することのできる半導体処理装置及び半導体処理装置の診断方法を提供する。 - 特許庁

The method includes a step of, flowing a plurality of reaction gases consisting of SiH4, N2, NH3 and N2O in identical point of time without the bypass of SiH4 gas, and a step of carrying out a vapor deposition of a PE-SiON film material by turning on the HF-RF power in the chamber.例文帳に追加

ＳｉＨ_4ガスのバイパスなしにＳｉＨ_4、Ｎ_2、ＮＨ_3、Ｎ_2Ｏの複数の反応ガスを同一時点でチャンバ内にフローさせる段階と、前記チャンバにＨＦ−ＲＦパワーをターンオンさせてＰＥ−ＳｉＯＮ膜質蒸着をなす段階と、を含む。 - 特許庁

To provide a method for producing laurolactam from cyclododecanone oxime by a Beckmann rearrangement reaction using a catalyst in a nonpolar solvent, where deposition of the catalyst, a catalyst decomposition product or the like is not caused.例文帳に追加

非極性溶媒中でシクロドデカノンオキシムからラウロラクタムを触媒を用いてベックマン転位反応により製造する方法において、触媒や触媒分解物などの析出が起こらないラウロラクタムの製造方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

To provide a method of preparing a bisphenol A having a satisfactory quality usable for manufacturing a high quality polycarbonate resin, from a bisphenol A inferior in quality which is precipitated by acid deposition from a reaction waste water, in the manufacture of a polycarbonate resin.例文帳に追加

ポリカーボネート樹脂の製造における反応排水中から酸析によって沈殿させた品質に劣るビスフェノールＡから、高品質のポリカーボネート樹脂の製造に使用できるような十分満足のいく品質のビスフェノールＡを得る方法を提供する。 - 特許庁

A plurality of opening windows 66 are formed along the autorotating direction of the drum, and the reaction process zone 30 at the inside of the main drum 6 and a film deposition process zone 20 at the outside of the main drum are communicated through the opening windows 66.例文帳に追加

メインドラム６の外周には開口窓６６がドラムの自転方向に沿って複数形成してあり、この開口窓６６を通じてメインドラム６内側の反応プロセスゾーン３０と、メインドラム６外側の成膜プロセスゾーン２０とが連通する。 - 特許庁

A compound, forming a complex with cobalt, is added to electrolyte to stabilize cobalt ions eluted in the electrolyte and to suppress deposition thereof on a negative electrode, so that reduction of the reaction area of the negative electrode and gas generation by catalytic reaction of the cobalt are suppressed, thereby allowing to provide the nonaqueous electrolyte secondary battery having superior high temperature storage characteristics and high- temperature charging/discharging cycle characteristics.例文帳に追加

電解液にコバルトと錯体を形成する化合物を添加することにより、電解液中に溶出したコバルトイオンを安定化し、負極への析出を抑制することにより負極の反応面積低減やコバルトの触媒反応によるガス発生を抑制し、高温保存特性、高温充放電サイクル特性に優れた非水電解液二次電池を提供できる。 - 特許庁

To solve a problem that when an apparatus for forming an HfO_2 (hafnium oxide) film by an ALD (Atomic Layer Deposition) method supplies TEMAH and O_3 alternately to a reaction chamber to form the HfO_2 film, the TEMAH receives heat in the reaction chamber to be decomposed and then an Hf film is formed in a TEMAH supply nozzle and peels to become particles.例文帳に追加

ＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法によりＨｆＯ_2（ハフニウムオキサイド）膜を形成する装置にてＴＥＭＡＨとＯ_3を交互に反応室へ供給することにより、ＨｆＯ_2膜が形成される場合にＴＥＭＡＨが反応室内の熱を受け加熱分解し、ＴＥＭＡＨ供給ノズル内でＨｆ膜が形成され、前記Ｈｆ膜が剥がれパーティクルという課題を解決する。 - 特許庁

To provide a simple and improved process of efficiently preparing polysilicon and in detail, a process of supplying heat directly to a reactor by producing the heat just on the surface of silicon present in a reaction zone or in a reactor in the vicinity of the reaction zone where deposition occurs.例文帳に追加

従来の加熱方法の限界を克服することによって、ポリシリコンを効率的に調製する単純で改良された方法を提供することであり、より詳細には、反応領域にあるシリコンのまさに表面で、または析出が生じる反応領域の近傍の反応器内で熱を発生させることによって反応器に直接熱を供給する方法を提供すること。 - 特許庁

A single wafer vapor phase epitaxial growth system is employed in this vapor phase epitaxy, the underlying silicon wafer is brought into a state for rotating horizontally in a reaction chamber, and deposition gas is suitably made to flow down onto the major surface of an underlying silicon wafer from above.例文帳に追加

この気相成長では、枚葉式気相成長装置を用い、反応容器内において下地シリコンウェーハが水平回転する状態にし、下地シリコンウェーハの上方から下地シリコンウェーハの主表面上に上記成膜用ガスを流下させると好適である。 - 特許庁

To prevent deposition of reaction products produced by the supply of treatment gas, in a gap between a pin through hole arranged on the mounting stand of a substrate mounting device, and a lifter pin going up and down through the pin through hole that delivers the substrate to the mounting stand.例文帳に追加

基板の載置機構における載置台に設けられたピン挿通孔とこのピン挿通孔内を昇降して載置台に対して基板の受け渡しを行うリフタピンとの隙間に、処理ガスの供給に伴う反応生成物が堆積することを抑えること。 - 特許庁

In this way, the alumina-deposition preventive function can be held for long time by restraining the reaction of CaO component and main body part in the inner layer part or the outer layer part material with Al_2O_3 and SiO_2 used for strength-up and improving spalling-resistance.例文帳に追加

これによって、内層部または外層部材質中のＣａＯ成分と本体部材質中に強度アップ、耐スポール性改善のため使用される、Ａ１_２Ｏ_３やＳｉＯ_２との反応を抑制することでアルミナ付着防止機能を長時間維持させることができる。 - 特許庁

Since the reformer for the fuel cell includes the reaction board in which the minute air pores are formed in the flow passage channel, and has the large specific surface area of the activity, and the catalyst layers are formed by a vapor deposition method, the reformer has an advantage that it is down-sized.例文帳に追加

本発明の燃料電池用改質器は、流路チャンネルに微細気孔が形成された反応基板を含んでおり、活性比表面積が大きく、蒸着法で触媒層を形成させるので、改質器を小型化することができるという長所がある。 - 特許庁

The method for manufacturing the fibrous carbon by the chemical vapor deposition method comprises using a material in which at least a melamine derivative is dissolved in an organic solvent as a raw material, and spraying and introducing the raw material into the reaction container.例文帳に追加

化学気相成長法による繊維状炭素を製造する方法において、有機溶剤に少なくともメラミン誘導体を溶解したものを原料として用いて、該原料を反応容器内へ噴霧導入することを特徴とする繊維状炭素の製造方法。 - 特許庁

To provide a treatment device for a substrate where troubles in conveyance of a substrate on its elevating/lowering in a reaction chamber of a CVD (Chemical Vapor Deposition) system are reduced, and the drop in the productivity of an array substrate in an LCD (Liquid Crystal Display) or the like is prevented by the reduction of the troubles.例文帳に追加

本発明は、ＣＶＤ装置などの反応室内での基板の昇降時における基板の搬送トラブルを低減し、トラブルの低減によってＬＣＤのアレイ基板などの生産性を落とさない基板の処理装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

By additionally introducing purge gas into the transfer chamber during vapor deposition and using a discrete insulation plate, the atmospheres of the reaction and of the transfer chamber are separated effectively from each other, so that vapor evaporation onto the wall and component of the transfer chamber is prevented.例文帳に追加

付加的に、蒸着中にパージガスを搬送チャンバ内に導入しかつ絶縁分離板を使用することによって、搬送及び反応チャンバの雰囲気は互いに効果的に分離され、その結果搬送チャンバの壁及びコンポーネント上への蒸着が防止される。 - 特許庁