「deposition reaction」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

It is found that a catalyst forced to carry a secondary class material of an iron family metal in TiO_2 is effective in suppressing carbon deposition in a reaction for manufacturing the synthetic gas, and furthermore that the deterioration of catalyst activity can be still more prevented by adding a little bit of a transition metal.例文帳に追加

ＴｉＯ_２に鉄族金属の２種を担持させた触媒が、合成ガス製造反応において、炭素析出を抑えるのに有効であり、更に、少量の遷移金属を添加することにより、さらに触媒活性の劣化を防止できることを見出した。 - 特許庁

To provide a reforming method of a high temperature type fuel cell for supplying gas containing hydrogen and carbon monooxide produced by taking place a reaction between dimethyl ether as fuel gas and carbon dioxide to an anode, wherein deposition of carbon is inhibited during the reforming.例文帳に追加

燃料ガスとしてジメチルエーテルを使用し、これと二酸化炭素を反応させて生じた水素および一酸化炭素を含有する気体を、アノードに供給する高温型燃料電池の改質方法において、改質時に炭素が析出することを防止する。 - 特許庁

To provide a coating device which prevents generation of deposition resulting from reaction of a metal compound with water, and forms a metal oxide film with high film forming efficiency at a high film forming speed, and to provide a coating method for forming the metal oxide film on a substrate using the device.例文帳に追加

金属化合物と水の反応堆積物の発生を防止し、高い成膜効率および成膜速度で金属酸化物膜を成膜できるコーティング装置、および該装置を用いて、基板に金属酸化物膜を成膜するコーティング方法の提供。 - 特許庁

To provide a single cell for a fuel cell, a cell plate for the fuel cell, a stack for a solid electrolyte type fuel cell, and the solid electrolyte type fuel cell, which are smaller and lighter than conventional ones, by preventing genera tion of heat caused by reforming reaction and suppressing deposition of carbon.例文帳に追加

改質反応による発熱を防止し、炭素の析出を抑制し、従来よりも小型軽量である燃料電池用単セル、燃料電池用セル板、固体電解質型燃料電池用スタック及び固体電解質型燃料電池を提供すること。 - 特許庁

To provide the operation control method of a reformer for a fuel cell capable of preventing the deposition of a carbonaceous material in a reforming reaction part by preventing supply of only a hydrocarbon raw material to the reforming part when the operation of the reformer for the fuel cell is started.例文帳に追加

燃料電池用改質装置の運転開始に際して、改質反応部に炭化水素原料のみが供給されることを防止し、改質反応部における炭素質の析出を防止できる燃料電池用改質装置の運転制御方法の提供。 - 特許庁

In the film deposition method, a film of a reaction product is formed on the surface of a substrate by irradiating the surface of the substrate with a laser beam so as to heat the substrate and react raw material components while introducing the raw material components containing a gaseous substance in the direction of the substrate.例文帳に追加

本膜形成方法は、気体物質を含む原料成分を基板方向に導入しながらレーザー光を基板表面に照射し、基板の加熱と同時に原料成分の反応によって反応生成物からなる膜を基板の表面に形成するものである。 - 特許庁

In the film deposition method, a reaction gas including nitrogen atoms is introduced in the downstream of distribution holes 21a through the distribution holes 21a after being exposed to a surface wave of a microwave, and is made to react with an inorganic silane gas; thus a silicon nitride film is deposited on a substrate placed in the downstream side.例文帳に追加

窒素原子を含む反応ガスを、マイクロ波の表面波に曝した後、流通孔２１ａを通過させて該流通孔２１ａの下流に導き、該下流において無機シランガスと反応させることにより、上記下流に配置された基板上にシリコン窒化膜を成膜する成膜方法による。 - 特許庁

As a result, the activity of the chemical reaction energy on the first catalyst nuclei may be made nearly equal on the occasion of an electrode forming stage and therefore the electroless plating method capable of making the deposition rate of the plating films in the necessary positions nearly uniform may be obtained.例文帳に追加

これによって、電極形成工程に際しては第１の触媒核上での化学的な反応エネルギーの活性度をほぼ等しくすることが可能になるので、必要な位置におけるメッキ膜の成膜速度を均一にすることができる無電解メッキ方法を得ることができる。 - 特許庁

To provide a vapor growth device capable of preventing the deposition of a reaction product in an opening formed between the orientation flat of a substrate and the inner peripheral surface of a substrate holding recess, capable of minimally suppressing a temperature distribution in a substrate surface, and capable of improving the dispersion of a luminous wavelength distribution.例文帳に追加

基板のオリフラ部と基板保持凹部の内周面との間に生じる隙間に反応生成物が堆積することを防止し、基板面内の温度分布を最小限に抑えることができ、発光波長分布のばらつきを改善することができる気相成長装置を提供する。 - 特許庁

To provide a titanium-containing organic precursor that is stable in the atmosphere, shows excellent volatioity, permits simple decomposition reaction on the substrate, can be easily handled because it has high deposition rate even at a low temperature (≤470°C) consequently is useful as a MOCVD material.例文帳に追加

本発明は、大気中で安定で、揮発性に優れており、基板での分解反応が簡単であり、低い温度（４７０℃以下）でも蒸着速度が高くて取扱が容易であるため、ＭＯＣＶＤ材料として有用なチタン含有有機化合物前駆体とその製造方法を提供することにある。 - 特許庁

A phosphate glass containing an alkaline earth oxide is formed by preparing a reaction zone on a deposition burner, supplying a synthetic phosphorus compound to be oxidized and an alkaline earth compound, forming amorphous oxide particles under the existence of an oxygen-containing gas, and depositing the particles on a carrier.例文帳に追加

堆積バーナーに反応域を設け、この反応域に被酸化性、合成リン化合物とアルカリ土類化合物とを供給し、酸素含有ガスの存在下で非晶質酸化物粒子を形成し、そしてこの粒子をキャリヤー上に堆積させてアルカリ土類酸化物を含むリン酸塩ガラスを形成させる。 - 特許庁

Further, a method for manufacturing the electro-magnetic wave transmittable metalized hologram transfer material is provided wherein the indium/indium oxide composite vapor deposited film is formed by an activated reaction vapor deposition method using a high frequency excited plasma or an electron beam oxidation anodic plasma.例文帳に追加

更に、本発明によれば、高周波励起プラズマ又は電子線酸化陽極プラズマを用いる活性化反応性蒸着法にて上記インジウム／酸化インジウム複合蒸着膜を形成する上記電磁波透過性金属蒸着ホログラム転写材の製造方法が提供される。 - 特許庁

To provide a burner device for manufacturing a porous optical fiber preform, which enhances the efficiency of synthesis reaction of fine glass particles and the deposition efficiency of fine glass particles in manufacture of a porous optical fiber preform, and to provide a method for manufacturing the porous optical fiber preform using the burner device.例文帳に追加

光ファイバ多孔質母材の製造において、ガラス微粒子の合成反応の効率およびガラス微粒子の堆積効率を向上する光ファイバ多孔質母材製造用バーナ装置およびこれを用いた光ファイバ多孔質母材の製造方法を提供する。 - 特許庁

A method for removing a substance (X) from a solid metal or semi-metal compound (M^1X) by electrolysis in a melt of M^2Y, includes conducting the electrolysis under conditions such that reaction of X rather than M^2 deposition occurs at an electrode surface, and that X dissolves in the electrolyte M^2Y.例文帳に追加

M^2Yのメルト中で電気分解により固体金属または半金属化合物(M^1X)から物質(X)を除去する方法であって、電極表面でM^2沈着よりもXの反応が起こり、Xが電解質M^2Y中に溶解するような条件下で電気分解を行なうことを包含する方法。 - 特許庁

By repeatedly performing the process for a plurality of times (S_9), CVD (Chemical Vapor Deposition) reaction occurs between the former gas adsorbed on the surface of the substrate and the other gas introduced later, thus a barrier film grows inside a contact hole in a conformal way, and the barrier film having a satisfactory step coverage can be obtained.例文帳に追加

この工程を複数回繰り返して行うと(Ｓ_9)、基板表面に吸着された一方のガスと、後から導入された他方のガスとの間でＣＶＤ反応が生じるので、コンタクトホール内にバリア膜がコンフォーマルに成長し、ステップカバレージのよいバリア膜を得ることができる。 - 特許庁

Color marking or emission is performed to a metal surface/inside or a nonmetal inside/surface/back surface by utilizing heating by a heat treatment furnace, reaction of atmospheric gas, the embedding of a metal sheet, metal foil, metal powder, metal wire or glass fiber, metal vapor deposition or the like using the continuous or pulse oscillation of a laser.例文帳に追加

レーザの連続発振、パルス発振を用い、熱処理炉による加熱、雰囲気ガスの反応、金属板、金属箔、金属粉、金属線、ガラスファイバーの埋め込み、金属蒸着等を利用して、金属表面・内部又は非金属内部・表面・裏面へカラーマーキング又は発光を行う。 - 特許庁

In the thin film deposition method where TiCl4 as a gaseous starting material and NH_3 as a reaction gas are reacted to deposit a TiN thin film on a substrate, the NH_3 is irradiated with light with wavelength causing predissociation so as to be excited, and is then reacted with the gaseous starting material.例文帳に追加

原料ガスであるＴｉＣｌ４と反応ガスであるＮＨ_３とを反応させてＴｉＮ薄膜を基板上に形成する薄膜の形成方法において、前記ＮＨ_３に対して前期解離を起こす波長の光を照射し、ＮＨ_３を励起した上で原料ガスと反応させる。 - 特許庁

A gaseous starting material fed into the reaction vessel 101 is decomposed by high frequency electric power introduced from a first high frequency electric power introduction means 103 and a second high frequency electric power introduction means 104, so that deposition films are formed on the cylindrical substrates 102.例文帳に追加

反応容器１０１内に供給された原料ガスを第１の高周波電力導入手段１０３および第２の高周波電力導入手段１０４から導入された高周波電力で分解することで、円筒状基体１０２に堆積膜が形成される。 - 特許庁

Zn having a sacrificial electrode effect and an enzyme that allows Zn to exist as an oxide and produces a situation, in which Zn is stably scattered in a film without activation of Zn during a thermal process that will cause partial deposition in the film, and reaction with glass, etc., and is scattered, are added to a metal magnetic film.例文帳に追加

金属磁性膜に犠牲電極作用を有するＺｎと、このＺｎを酸化物として存在させ、熱処理時にＺｎが活性化し膜中に偏析したり拡散してガラスなどと反応せず、安定的に膜中に分散させた状態を作り出すために酸素を添加する。 - 特許庁

This method is used to remove a silicon-containing substance deposited at least in a reaction chamber 101 and/or piping 108 by introducing a cleaning gas, and it includes a step to move the silicon-containing substance to a place where the flow velocity of the cleaning gas is high from its deposition part.例文帳に追加

少なくとも反応室１０１及び／又は配管１０８内に堆積したシリコン含有物をクリーニングガスを導入して除去する方法であって、シリコン含有物を、その堆積箇所から、クリーニングガスの流速がより大きな場所へ向かって移動させる工程を含む。 - 特許庁

This method comprises a step of preparing a reactor (including an etching apparatus and a vapor deposition apparatus) using chlorine-based gases, and a step of removing residues present in a reaction tube by forming plasma containing at least one of hydrogen and nitrogen in the reactor.例文帳に追加

塩素系列の気体を用いる反応装置（エッチング装置、蒸着装置を含む）を用意するステップと、前記反応装置内に、水素及び窒素の内の少なくとも１つを含むプラズマを形成して反応管内に存在する残留物を除くステップと、を含んでなることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a novel preparation method which prepares a salicylic ester in a high yield, does not cause such a problem in handling as the occurrence of deposition in a distillation residue after reaction, and enables the reutilization of a catalyst used.例文帳に追加

高い収率でサリチル酸エステルを製造することができ、反応後の蒸留残渣中に析出を発生させるなど取り扱いに問題を生じさせることことなく、また使用する触媒の再利用が可能であるサリチル酸エステルの新規な製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a silicon production method that even when a by-product hydrogen chloride gas is contained in a high concentration in the deposition reaction waste gas in depositing silicon from chlorosilane and hydrogen, performs the high efficiency removal and recovery of hydrogen chloride to enable equipment cost and space reduction.例文帳に追加

クロロシランと水素とからシリコンを析出させるに際して、副生する塩化水素ガスが、析出反応排ガス中に高濃度で含まれていても、塩化水素を効率よく除去・回収可能し、設備の省コスト、省スペース化を可能にするシリコンの製造方法を提供する。 - 特許庁

The carbon nanotube production method comprises forming a colloidal metallic catalyst on a substrate and feeding a feedstock gas over the catalyst while allowing moisture to be present in a reaction atmosphere to grow the gas into carbon nanotubes by a chemical vapor deposition (CVD) technique.例文帳に追加

基板上に触媒としてコロイド状金属触媒を配置し、原料ガスを供給するとともに、反応雰囲気中に水分を存在させて化学気相成長（ＣＶＤ）法によりカーボンナノチューブを成長形成させることを特徴とするカーボンナノチューブの製造方法。 - 特許庁

A raw material monomer 21 and a photosensitizer 22 are fed to a film deposition chamber 11 whose pressure is reduced to a prescribed vacuum degree, and the polymerization reaction of the raw material monomer 21 is caused via the photosensitizer 22 excited by the light of a light source 15, thus the polymerized film is deposited on a substrate W.例文帳に追加

所定の真空度に減圧されている成膜室１１に原料モノマー２１と光増感剤２２を供給し、光源１５の光で励起された光増感剤２２を介して原料モノマー２１の重合反応を引き起こし、その重合膜を基板Ｗ上に堆積させる。 - 特許庁

The chemical vapor deposition equipment in which a film 13 is formed on the surface of a substrate 11 by using a treatment gas, is provided with the reaction chamber 1, a gas supply pipe 4, a gas supply valve 5, a gas disposal pipe 6, a gas disposal valve 7, and a gas flowmeter 9.例文帳に追加

本発明の化学気相成長装置は、処理用ガスを用いて基板１１表面に薄膜１３を形成する化学気相成長装置であって、反応室１と、ガス供給管４と、ガス供給バルブ５と、ガス廃棄管６と、ガス廃棄バルブ７と、ガス流量計９とを備えている。 - 特許庁

This chemical vapor deposition apparatus is provided with a reaction chamber 11, in which thin films are formed on the surfaces of silicon substrates 51 placed in the chamber 11, and a substrate heating source equipped with an electromagnetic wave generator 12 which supplies electromagnetic waves into the chamber 11 and is connected to the chamber 11.例文帳に追加

内部にシリコン基板５１が載置されるものでシリコン基板５１表面に薄膜が成膜される反応室１１と、反応室１１内に電磁波を供給するもので反応室１１に接続した電磁波発生器１２を備えた基板加熱源とを備えたものである。 - 特許庁

To provide a deposition method that can form a film by using a method to alternately feed different kinds of source gases to cause reaction on a substrate even if a gas kind less clinging to a substrate surface is used as a source gas.例文帳に追加

本発明は、基板表面に吸着しにくいガス種を原料ガスとして用いた場合でも、異なる種類の原料ガスを交互に供給しながら基板上で反応させる方法により成膜を行なうことができる成膜方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

In particular, the invention provides apparatus and methods for limiting deposition/condensation of GaCl_3 and reaction by-products on an isolation valve that is used in the system, and a method for forming a monocrystalline Group III-V semiconductor material by reacting an amount of a gaseous Group III precursor as one reactant with an amount of a gaseous Group V component as another reactant in a reaction chamber.例文帳に追加

特に、本発明は、システムで使用される隔離弁上のＧａＣｌ_3及び反応副生成物の堆積／凝縮を抑制する装置及び方法と、１つの反応物質としてのある量の気体状第III族前駆体と別の反応物質としてのある量の気体状第Ｖ族成分とを反応チャンバ内で反応させることによって、単結晶第III−Ｖ族半導体材料を形成する方法を提供する。 - 特許庁

In the vapor phase growth method of placing the wafer on a susceptor in a reaction chamber and forming the thin film on the wafer by vapor phase deposition, the material gas is branched to at least two lines, each of the branched material gases is temporarily branched into two and then mixed together, and further branched into two to be supplied to the reaction chamber, thereby carrying out the vapor phase growth.例文帳に追加

反応室のサセプタ上にウエーハを載置し、該ウエーハ上に薄膜を気相成長させる方法であって、少なくとも、原料ガスを、２つのラインに分岐し、その後該分岐させた原料ガスの各々を一旦２つに分岐させた後に合流させ、その後更に２つに分岐させて、原料ガスを前記反応室に供給しながら気相成長させることを特徴とする薄膜の気相成長方法。 - 特許庁

The method for cleaning the plasma enhanced CVD system for depositing a desired film on a substrate by vapor phase deposition within a plasma enhanced CVD reaction chamber consists in introducing and blowing inert gas from outside to the dust which contains vapor phase deposited powder or flakes and is un-stably adhered to regions exclusive of the surface of the substrate 4 within the reaction chamber 1, thereby blowing the dust off the dust.例文帳に追加

プラズマＣＶＤ反応室内で気相析出によって基板上に所望の膜を堆積するためのプラズマＣＶＤ装置をクリーニングする方法において、反応室１内で基板４上以外の領域において不安定に付着している気相析出粉末またはフレークを含むダストに対して不活性ガスを外部から導入して吹付けることによってそれらのダストを吹飛ばすことを特徴としている。 - 特許庁

The deposition method comprises the steps of: pulsing a metal amide precursor; purging away the unreacted metal amide; introducing nitrogen source gas into a reaction chamber under plasma atmosphere; purging away the unreacted nitrogen source gas; pulsing a silicon precursor; purging away the unreacted silicon precursor; introducing nitrogen source gas into a reaction chamber under plasma atmosphere; and purging away the unreacted nitrogen source gas.例文帳に追加

金属アミド前駆体をパルス送りする工程、未反応金属アミドをパージ除去する工程、プラズマ雰囲気下で反応チャンバ内に窒素源ガスを導入する工程、未反応窒素源ガスをパージ除去する工程、ケイ素前駆体をパルス送りする工程、未反応ケイ素前駆体をパージ除去する工程、プラズマ雰囲気下で反応チャンバ内に窒素源ガスを導入する工程、及び未反応窒素源ガスをパージ除去する工程を含む被着方法。 - 特許庁

The anode catalyst for the fuel cell can be manufactured by the method having at least a step of preparing a reaction solution by adding at least Pt supply source, Ru supply source, Au supply source, a complexing agent, a carrier, and hypophosphorous acid or hypophosphite in a solvent, and a step of carrying out reduction and deposition of the catalyst containing at least Pt, Ru, Au, and P on a carrier surface in the reaction solution.例文帳に追加

本発明の燃料電池用陽極触媒は、少なくとも、Ｐｔ供給源、Ｒｕ供給源、Ａｕ供給源、錯化剤、担体、および次亜リン酸または次亜リン酸塩を溶媒中に添加して反応溶液を調製するステップと、前記反応溶液において、Ｐｔ、Ｒｕ、ＡｕおよびＰを少なくとも含有する触媒を、担体表面に還元析出させるステップとを少なくとも有する本発明法により製造できる。 - 特許庁

To provide a propylene polymerization reaction apparatus stably and efficiently manufacturing a propylene based block copolymer excellent in a balance of rigidity/impact-resistance strength, suppressing generation of a gel and deposition in a reaction tank and having a wider composition in addition to it without reducing productivity in a multi-stage continuous vapor-phase polymerization method for the propylene based block copolymer using an olefin polymerization catalyst, and a manufacturing method for the propylene based block copolymer.例文帳に追加

オレフィン重合用触媒を用いたプロピレン系ブロック共重合体の多段連続気相重合法において、剛性／耐衝撃強度のバランスに優れ、加えてゲルの発生及び反応槽内の付着が抑制され、加えてより広い組成のプロピレン系ブロック共重合体を、生産性を低下させることなく安定的かつ効率よく製造するプロピレン重合反応装置及びプロピレン系ブロック共重合体の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide equipment for preventing the deposition of dust on the surface or in the inside of a catalyst layer in a catalyst reaction column in waste gas treating equipment such as an incinerator and eliminating the need of stopping the operation of waste gas treatment and cleaning the catalyst layer due to decline of waste gas treating ability due to increase of pressure loss.例文帳に追加

焼却炉等の排ガス処理設備における触媒反応塔での触媒層の表面あるいは内部へのダストの堆積を防止し、圧力損失の増大による排ガス処理能力の低下による排ガス処理の操業停止や触媒層の清掃を不要とする設備を提供する。 - 特許庁

A film deposition apparatus 100 includes a chamber 1, a supply part 4 disposed above the chamber 1 for supplying a reaction gas 25 into the chamber 1, a hollow cylindrical liner 2 disposed in the chamber 1, a susceptor 7 on which a semiconductor substrate 6 is loaded provided in the liner 2 and a rotation cylinder 23 supporting the susceptor 7.例文帳に追加

成膜装置１００は、チャンバ１と、チャンバ１の上部に設けられて反応ガス２５をチャンバ１内に供給する供給部４と、チャンバ１内に設けられた中空筒状のライナ２と、ライナ２内に設けられて半導体基板６が載置されるサセプタ７と、サセプタ７を支持する回転筒２３とを有する。 - 特許庁

Cation exchange materials are synthesized by heating or pressurizing the wastes containing silicic acid components and aluminum components under an alkaline condition to effect reaction and a mixture composed of the resultant cation exchange materials or the cation exchange materials subjected to iron substitution and iron particles is mixed with the wastes in the deposition site and the mixture is buried.例文帳に追加

珪酸成分とアルミニウム成分とを含有する廃棄物を、アルカリ条件下で加熱または加圧して反応させて陽イオン交換物質を合成し、得られた陽イオン交換物質、または該陽イオン交換物質を鉄置換したものと鉄粒子の混合物を堆積場内の廃棄物と混合して埋蔵する。 - 特許庁

The plasma film deposition apparatus comprises a material gas unit 10 for forming and feeding the material gas of the desired composition, an electrode unit 20 including a cathode electrode 21 and an anode electrode 22 to generate the plasma decomposition reaction to the substrate 23, and a stage unit 40 to movably support the substrate 23 to the cathode electrode 21.例文帳に追加

所望組成の材料ガスを形成して給送する材料ガスユニット１０と、基板２３に対してプラズマ分解反応を生成させるカソード電極２１およびアノード電極２２を含む電極ユニット２０と、基板２３をカソード電極２１に対して移動可能に支持するステージユニット４０とを備える。 - 特許庁

To provide a method for producing highly pure isophthalonitrile in a high yield, capable of producing stably the isophthalonitrile for a long period with an industrially advantageous manner by preventing loss of the isophthalonitrile and blocking the piping by crystal deposition in areas from a condensation system to a vacuum system, when the isophthalonitrile obtained from ammoxidation reaction is distilled to be purified.例文帳に追加

アンモ酸化反応で得られたイソフタロニトリルを蒸留精製する際に、イソフタロニトリルの損失と、凝縮系から真空排気系での結晶析出による閉塞を防止し、工業的に有利な方法で高純度のイソフタロニトリルを高収率で長期間にわたり安定して得られる方法を提供する。 - 特許庁

The heat transfer film is formed by laminating a antibacterial glassy layer, a printing layer or vapor deposition layer and a heat adhesive layer on a mold releasing base film; and characterised in that the antibacterial glassy layer comprises a high-molecular substance composition obtained by reaction between a silane compound containing amino group and a boron compound, a synthetic resin component and the antibacterial agent.例文帳に追加

離型性のベースフィルムに、抗菌性ガラス質層、印刷層又は蒸着層、熱接着層が積層された熱転写フィルムであって、前記抗菌性ガラス質層がアミノ基を含むシラン化合物とホウ素化合物の反応による高分子物質組成物、合成樹脂成分及び抗菌剤から成ることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor manufacturing apparatus and a semiconductor manufacturing method, capable of executing film deposition processing, while reducing the distance between a flow-straightening plate and a wafer without opening a reaction chamber and varying a space volume of the upper part of the flow straightening plate, thereby improving the productivity and uniformity of film thickness.例文帳に追加

反応室を開放することなく、かつ、整流板上部の空間容積を変動させることなく、整流板とウェーハの距離を近づけて成膜処理を行うことができ、生産性、膜厚均一性を向上させることが可能な半導体製造装置および半導体製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a member for producing polycrystalline silicon, which is a cylindrical member used as a reaction tube for a raw gas in the production of the polycrystalline silicon by a vapor-to-liquid deposition method, and by which the concentration of carbon in formed silicon attributable to the composition of the member is reduced, and to provide a method for producing the member.例文帳に追加

溶融析出法による多結晶シリコンの製造において、原料ガスの反応管として用いられる筒状体の部材について、該部材組成に起因する生成シリコン中の炭素濃度の低減化を図ることができる多結晶シリコン製造用部材およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

In the atomic layer deposition method(ALD), a first reaction product is utilized, which contains at least one alkoxide group and is adsorbed on a substrate chemically and reacts with an activated oxidizing agent without a hydroxide and forms a dielectric substance showing an excellent coverage and improved leakage current characteristics.例文帳に追加

原子層蒸着法（ＡＬＤ）は最少限一つのアルコキシド基を含み、基板表面上に化学的に吸着されて水酸化基を含まない活性化された酸化剤と反応して優れているステップカバーレージおよび向上された漏洩電流特性を示す誘電物質を形成する第１反応物を利用する。 - 特許庁

To provide a reforming catalyst of a hydrocarbon which reforms the hydrocarbon with high-speed reaction rate, controls an amount of carbon deposition to the minimum, also controls deactivation due to sulfur poisoning even when the hydrocarbon contains a sulfur compound such as H_2S and COS, and endures long-term use.例文帳に追加

炭化水素を高い反応速度で改質し、炭素析出量を最小限におさえ、かつ炭化水素中に硫化水素や硫化カルボニル等の硫黄化合物を含有する場合でも硫黄被毒による活性劣化を極力抑制し、長時間の使用に耐えることができる炭化水素の改質用触媒を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing a thin film consisting of oxide or multiple oxide by a CVD process including an ALD (Atomic Layer Deposition) process by which the production of a satisfactory thin film is made possible in the case a metallic compound having low hydrolysis reaction such as alkoxide and a β-diketone complex is used as a precursor.例文帳に追加

ＡＬＤ法を含むＣＶＤ法による酸化物又は複合酸化物からなる薄膜の製造方法において、前駆体にアルコキシドやβ−ジケトン錯体等の加水分解反応の遅い金属化合物を用いる場合に良好な薄膜の製造が可能となる薄膜の製造方法を与えること。 - 特許庁