「deposition reaction」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

To make uniform the temperature distribution on a susceptor arranged in a reaction chamber in a vertical vapor deposition device.例文帳に追加

縦型気相成長装置において、反応室内に配置されたサセプタ上での温度分布の均一化を図る。 - 特許庁

The carbon 37 is deposited from carbon monoxide in the melting waste gas 13 in the carbon deposition reaction tower 36.例文帳に追加

炭素析出反応塔３６にて溶融排ガス１３中の一酸化炭素から炭素３７を析出させる。 - 特許庁

Consequently, deposition solution reaction of metal ions is accelerated to reduce temperature dependency of writing and erasure.例文帳に追加

これにより、金属イオンの析出溶解反応が促進され、書き込みおよび消去の温度依存性が小さくなる。 - 特許庁

METHOD AND DEVICE FOR EPITAXIALLY DEPOSITING ATOM OR MOLECULE FROM REACTION GAS ONTO DEPOSITION SURFACE OF SUBSTRATE例文帳に追加

基板の析出表面上に反応ガスからの原子又は分子をエピタキシャルに析出させる方法及び装置 - 特許庁

In this embodiment, for example, a highly hard film can be deposited by performing film deposition (mechanochemical film deposition) while generating a mechanochemical reaction.例文帳に追加

本実施形態では、例えば、メカノケミカル反応を発生させながら成膜（メカノケミカル成膜）が行われるようにすることにより、硬度が高い膜を成膜することができる。 - 特許庁

The surface layer of an a-C system is formed under a film deposition condition (area 1) that the deposition rate of the surface layer is increased with pressure buildup in a reaction container.例文帳に追加

ａ−Ｃ系の表面層を、反応容器内の圧力上昇に伴い該表面層の堆積速度が増加する成膜条件下（領域１）で形成する。 - 特許庁

To provide a film deposition apparatus and a film deposition method which can efficiently accumulate air streams of a reaction gas on a substrate thereby enhancing a growth rate of an epitaxial film.例文帳に追加

反応ガスの気流を基板上に効率よく集めて、エピタキシャル膜の成長速度を増大させることのできる成膜装置および成膜方法を提供する。 - 特許庁

Further, a load lock chamber 11B connected to a film deposition chamber, in which the film deposition process region and the reaction process region are arranged, through an openable and closable isolating means 11b is included.例文帳に追加

成膜プロセス領域及び反応プロセス領域が配置される成膜室に対し、開閉可能な隔絶手段１１ｂを介して接続されたロードロック室１１Ｂを含む。 - 特許庁

To provide a method of cleaning for thin film deposition system, capable of removing a reaction product adhering to an exhaust system and capable of prolonging the maintenance cycle of thin film deposition system.例文帳に追加

排気系に付着する反応生成物を除去して、薄膜形成装置のメンテナンスサイクルを長くすることができる薄膜形成装置の洗浄方法を提供する。 - 特許庁

To provide a reaction product cleaning method and a film deposition apparatus capable of cleaning an entire area including a reaction chamber and an exhaust pipe, and removing the reaction product even if formed of silicon oxide without generating any corrosion in the film deposition apparatus.例文帳に追加

反応室や排気管を含む全領域に対してクリーニングが行え、さらに反応生成物が酸化シリコンからなる場合でも、装置内に腐食を生じさせることなく、これを除去することのできる反応生成物のクリーニング方法および成膜装置を提供する。 - 特許庁

Parasitic deposits are controlled in a deposition system (100) for depositing a film on a substrate (20), the deposition system of the type defining a reaction chamber for receiving the substrate and including a process gas (P) in the reaction chamber and an interior surface contiguous with the reaction chamber.例文帳に追加

基板（２０）上に膜を堆積させるための堆積システム（１００）において、寄生堆積物を制御し、その型の堆積システムは、基板を収容するための反応室を画定し、および反応室の中のプロセスガス（Ｐ）および反応室と隣接する内部表面を含む。 - 特許庁

After the deposition process, the inside of the reaction chamber is kept at a prescribed temperature, and ClF3 gas introduced into the reaction chamber for starting chemical reaction, to remove and clean the deposited film formed on the quartz member or the metal member in the reaction chamber.例文帳に追加

そこで成膜工程後に、反応室内を所定温度に維持し、反応室内にＣｌＦ_3ガスを導入して化学反応を起こさせ、反応室内の石英製部材または金属製部材に堆積した生成膜を除去してクリーニングする。 - 特許庁

The duplex zone showerhead is constituted of a first shower zone which accommodates a vapor deposition source material supplied through a line into which the vapor deposition source material flows and injecting the vapor deposition source material into a reaction chamber through a vapor deposition source material injection nozzle and a second shower zone for injecting into the reaction chamber through a chemical injection nozzle.例文帳に追加

本発明に係るデュプレックスゾーンシャワーヘッドは、蒸着ソース材料流入ラインを介して蒸着ソース材料の供給を受けてこれを収容し、蒸着ソース材料噴射ノズルを介して反応チャンバに噴射する第１シャワーゾーンと、ケミカル噴射ノズルを介して反応チャンバに噴射する第２シャワーゾーンとから構成されることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a film deposition apparatus capable of reducing first and second reaction gases from being diluted due to a separation gas for suppressing mixture of the first and second reaction gases.例文帳に追加

第１反応ガスと第２反応ガスとの混合を抑制する分離ガスによって第１及び第２反応ガスが希釈されるのを低減できる成膜装置を提供する。 - 特許庁

To smoothly exhaust excess soot formed in a reaction tube to the exterior of the reaction tube in manufacturing an optical fiber preform by a chemical vapor deposition process.例文帳に追加

化学気相蒸着方法による光ファイバー母材製造において、反応管内部に過度に生成されたシュートを反応管の外部へ円滑に排出できるようにする。 - 特許庁

To prevent the contamination of a target caused by a gaseous starting material or reaction gas to be introduced at the time of performing an ALD (Atomic Layer Deposition) process in the case a film deposition system is composed so that film deposition by an ALD process and film deposition by a sputtering process can be performed to a treatment substrate on a substrate stage in the same chamber.例文帳に追加

同一チャンバ内で基板ステージ上の処理基板に対し、ＡＬＤ法による成膜とスパッタリング法による成膜とを行い得るように成膜装置を構成する場合に、ターゲットが、ＡＬＤ法を行う際に導入する原料ガスや反応ガスによって汚染されないようにする。 - 特許庁

As the etching reaction advances, the concentration of the fluorine radical decreases, and in due course, an atmosphere in the reaction vessel is replaced by the thin-film formation process gas, a deposition reaction is started, and a film grows on the thin-film formation surface of the substrate.例文帳に追加

エッチング反応の進行によりフッ素ラジカルの濃度は減少し、やがて、薄膜形成用プロセスガスに反応容器内の雰囲気が置換されて、堆積反応が開始し、基板の被形成面に膜が成長する。 - 特許庁

To obtain high-purity TCS from a by-product produced in a deposition reaction of polycrystalline silicon.例文帳に追加

多結晶シリコンの析出反応に伴って生成した副生物から高純度のＴＣＳを得ることを可能とすること。 - 特許庁

To prevent occurring of precipitation/deposition of silicon on the outlet surface of the reaction gas feeding means when manufacturing a polycrystal silicon.例文帳に追加

多結晶シリコンの製造の際、反応ガス供給手段の出口表面にシリコンが析出・堆積するのを防止する。 - 特許庁

A pressure inside a reaction chamber 2 to which a substrate 10 to be processed is carried in is turned to the pressure lower than a deposition pressure first.例文帳に追加

まず、被処理基板１０が搬入された反応室２内の圧力を、成膜圧力よりも低い圧力にする。 - 特許庁

The film deposition system comprises a screw 51, disposed in exhaust piping 5 between a reaction chamber 1 and a vacuum pump 6.例文帳に追加

本発明の成膜装置は、反応室１と真空ポンプ６との間の排気配管５内にスクリュー５１を設置する。 - 特許庁

The metal-organic chemical vapor deposition apparatus includes a reaction chamber, a rotation stand, a wafer susceptor 206a, a heater and a shower head.例文帳に追加

当該有機金属化学気相堆積装置は、反応室、回転スタンド、ウエハサセプタ２０６ａ、ヒーター、シャワーヘッドを含む。 - 特許庁

To provide a highly reliable wiring board by preventing abnormal deposition of gold plating and the oxidation and reaction of nickel plating.例文帳に追加

金めっきの異常析出や、ニッケルめっきの酸化や反応を防止し、信頼性の高い配線基板を提供する。 - 特許庁

To provide a high-density plasma chemical vapor deposition system capable of minimizing the reaction of a source gas in a nozzle.例文帳に追加

ノズル内でソースガスの反応を最小化することができる高密度プラズマ化学気相蒸着装置を提供する。 - 特許庁

In the deposition process, deposition gas from a deposition raw material supply unit 9 is supplied into a reaction chamber 1 from a shower head 6 and an amorphous thin film, comprising a hafnium oxide film (HfO_2 film) is formed on a rotating substrate 4.例文帳に追加

成膜工程では、成膜原料供給ユニット９からの成膜ガスをシャワーヘッド６より反応室１内に供給して、回転する基板４上に酸化ハフニウム膜（ＨｆＯ_２膜）を含むアモルファス薄膜を形成する。 - 特許庁

In the vacuum film deposition apparatus which performs film deposition on the surface of a substrate held by a substrate holding unit, a facing target type sputtering device, a reaction gas introducing device and the substrate holding unit are provided in a vacuum film deposition chamber.例文帳に追加

基板保持部に保持された基板表面上に成膜をおこなう真空成膜装置において、真空成膜室内に対向ターゲット式スパッタ装置と反応性ガス導入装置と基板保持部とを備える構成とした。 - 特許庁

The system has a deposition process that forms a film containing hafnium or a film containing zirconium on a substrate supported by a susceptor in the reaction chamber and a cleaning process that removes the film attached in the reaction chamber in the deposition process by activating gas containing chlorine atoms outside the reaction chamber by plasma and supplying the gas to the reaction chamber.例文帳に追加

反応室内でサセプタに保持した基板の上にハフニウムを含む膜またはジルコニウムを含む膜を形成する成膜工程と、反応室外部で塩素原子を含むガスをプラズマで活性化して反応室内に供給することにより前記成膜工程において反応室内に付着した膜を除去するクリーニング工程と、を有する。 - 特許庁

To provide a thin film deposition method, and a thin film deposition apparatus capable of depositing a nitride containing thin film having the desired optical/physical characteristic by preventing the reaction of a target itself caused by a reactive gas such as nitrogen gas.例文帳に追加

窒素ガス等の反応性ガスによるターゲット自体の反応を防止し、所望の光学的・物理的特性を有する窒化物含有薄膜を形成することを可能にする。 - 特許庁

To form a deposition film having desired properties even after the maintenance of apparatuses in a method where the deposition film is formed using electrochemical reaction from an aqueous solution.例文帳に追加

水溶液からの電気化学的反応を利用して堆積膜を形成する方法において、装置のメンテナンスを行なった後にも、所望の特性を有する堆積膜を形成できるようにする。 - 特許庁

To provide a CVD (Chemical Vapor Deposition) film deposition process where a metal film can be deposited by CVD according to oxidation-reduction reaction with sufficient reducibility without passing through a complicated process.例文帳に追加

複雑なプロセスを経ることなく十分な還元性をもって酸化還元反応によるＣＶＤにより金属膜を成膜することができるＣＶＤ成膜方法を提供すること。 - 特許庁

To provide an inorganic particle synthesizing method capable of accurately controlling the size and shape of particles by limiting a reaction field, in which the deposition reaction upon the deposition of inorganic particles from raw material solution occurs, into an arbitrary size.例文帳に追加

原料溶液から無機粒子が析出する際の析出反応の生じる反応場を任意の大きさに制限することにより、粒子の粒径や形状を高精度で制御することが可能な無機粒子合成方法を提供する。 - 特許庁

Then, in performing film deposition in the reaction vessel, the film deposition is performed in a state where the exhaust piping is electrically non-grounded, and in subjecting the inside of the reaction vessel to dry etching, the dry etching is performed in a state where the exhaust piping is electrically grounded.例文帳に追加

そして、反応容器内で成膜を行う場合には、該排気配管を電気的に非接地とした状態で行い、反応容器内をドライエッチングする際には、該排気配管を電気的に接地した状態で行うことを特徴とする。 - 特許庁

The microparticles produced from a reaction by-product deposited film 20 in a reaction furnace are forcibly removed and discharged before the film deposition processing by removing particles with a purge gas to which an elastic wave 21 is applied, so production of the microparticles is suppressed in the film deposition processing and the film deposition processing of high quality is carried out.例文帳に追加

弾性波２１を印加したパージガスによりパーティクルを除去することにより、成膜処理前に反応炉内の反応副生成堆積膜２０から発生する微細パーティクルを強制的に除去排出するので、成膜処理時には微細パーティクルの発生を抑制でき、高品質の成膜処理を行うことができる。 - 特許庁

After the temperature of the reforming reaction zone 1 attains to the carbon deposition temperature T3 or above, during temperature up of the temperatures of the reforming reaction zone 1 and the conversion reaction zone 2 to respective predetermined reaction temperatures T4, T5, a gaseous mixture of raw fuel gas and water vapor is supplied to the reforming reaction zone 1.例文帳に追加

改質反応部１の温度が炭素析出温度Ｔ３以上となった後、改質反応部１と変成反応部２の温度をそれぞれ所定の反応温度Ｔ４，Ｔ５まで昇温する間は、前記改質反応部１に原燃料ガスと水蒸気との混合ガスを供給する。 - 特許庁

If the deposition time is insufficient as the time for diffusing Si into the electrode film and as the progressing time of silicification reaction during deposition of the electrode film, multistage film deposition may be performed such that film deposition is interrupted after depositing several atomic layers until silicification reaction progresses through diffusion of Si and the electrode film is deposited again upon elapsing an appropriate time.例文帳に追加

また、電極膜を成膜中にＳｉが電極膜中に拡散するための時間およびシリサイド化反応が進む時間が、成膜時間だけでは足らない場合は、数原子層成膜した後、Ｓｉが拡散してシリサイド化反応が進むまで成膜を止めて、適切な時間が経過した後、再び電極膜を成膜する、多段階成膜法をおこなっても良い。 - 特許庁

The film deposition apparatus 100 includes a reaction chamber 102 for performing the film deposition, a first gas feed line 112 and a second gas feed line 152 for feeding a first raw material A and a gas B to the reaction chamber 102, respectively, and an excitation part 106 for performing the plasma excitation of the gas to be fed to the reaction chamber 102.例文帳に追加

成膜装置１００は、成膜処理を行う反応室１０２と、第１の原料ＡおよびガスＢをそれぞれ反応室１０２に供給する第１のガス供給ライン１１２および第２のガス供給ライン１５２と、反応室１０２に供給されるガスをプラズマ励起する励起部１０６とを含む。 - 特許庁

A CVD (chemical vapor deposition) reactor is provided with a reaction chamber, a gas tube heater, a substrate holder, a holder heater, a plurality of hot filaments, an electric field generator, and a magnetic field generator.例文帳に追加

主にチャンバー、気体管路加熱器、基材キャリア、キャリア加熱器、複数のホットフィラメント、電場装置、磁場装置を含む。 - 特許庁

To suppress dust generation due to pressure variation in a chamber in an etching room and to remove the dust generated by deposition (reaction product).例文帳に追加

エッチング処理室のチャンバー内の圧力変動による発塵を抑制し、デポ（反応生成物）により生ずるゴミをなくす。 - 特許庁

To provide a method for forming Si_3N_4 and SiO_2 thin films through atomic layer vapor deposition using TDMAS as a reaction material.例文帳に追加

反応物質としてＴＤＭＡＳを用いた原子層蒸着によるＳｉ_3Ｎ_4およびＳｉＯ_2薄膜形成方法を提供する。 - 特許庁

The single atomic layer deposition apparatus comprises a reaction vessel 106 comprising an upper plate 30 and a lower plate 40 and internally provided with a reaction chamber 20 and the test piece holder 50 for supporting a test piece 60 to be loaded in the reaction chamber 20.例文帳に追加

上板３０及び下板４０を備え、内部に反応室２０が設けられる反応容器１０６及び反応室２０内部にロードされる試片６０を支持する試片ホルダー５０を備える単原子蒸着装置である。 - 特許庁

To easily feed back the reaction state of a switch to a user, in an electrostatic switch having a risk of causing the reaction of the switch other than an operation switch, affected by the deposition of a foreign matter or the like to an electrode part.例文帳に追加

電極部への異物付着などの影響で操作スイッチ以外のスイッチの反応が起こりうる静電スイッチにおいて、簡易にスイッチの反応状況をユーザにフィードバックする。 - 特許庁

The reaction gas released from a release pore 34 of the release container 31 reacts with the deposits on the deposition mask 21 and forms a reaction product gas to be evacuated.例文帳に追加

放出容器３１の放出孔３４から放出される反応ガスは成膜マスク２１の付着物と反応して反応生成物ガスを形成し、反応生成物ガスは真空排気される。 - 特許庁

To reduce dilution of first and second reaction gases to avoid reduction in a deposition rate, wherein the dilution may be caused by a separation gas used to suppress mixing of the reaction gases.例文帳に追加

第１及び第２の反応ガスとの混合を抑制するために使用される分離ガスによって、これらの反応ガスが希釈されるのを低減して、成膜速度の低下を抑える。 - 特許庁

To eliminate lowering of reproducibility in an analytical result caused by deposition of drops of a reagent and a reaction liquid onto a reactor inner wall face in an upper part of a reaction liquid level.例文帳に追加

本発明は、反応液面より上部の反応容器内壁面への試薬や反応液滴付着による分析結果の再現性低下を解消することを目的とする。 - 特許庁

To carry out proper cleaning of a susceptor after the maintenance, component replacement or the like are performed for a reaction vessel and the inside of the reaction vessel is exposed to the air before vapor deposition of a silicon thin film is started.例文帳に追加

反応容器のメンテナンス、部品交換等が行われて反応容器内が大気に曝された後、シリコン薄膜の気相成長を開始する前に、サセプタのクリーニングを適正に行う。 - 特許庁