「deposition reaction」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

This apparatus comprises a base body cap 107 having a flange part 118 with an external diameter wider than that of a cylindrical base body 105, which supports the cylindrical base body 105 for forming a deposition film, and a dashboard 113 arranged at a distance d from the surface of a lower part 119 of the base body cap without touching, in a reaction vessel.例文帳に追加

反応容器１０１内に、堆積膜が形成される円筒状基体１０５を支持する、円筒状基体１０５の外径よりも大きい外径のつば部１１８を有した基体キャップ１０７と、基体キャップ下部１１９の表面から距離ｄの位置に非接触に配置された仕切り板１１３とが設けられている。 - 特許庁

To provide a catalyst material for reforming hydrocarbon which enables not only the suppression of carbon deposition for minimizing a amount of a reformer changed but also catalytic reductive control and reaction control for a compound contacting with the catalyst, and a production method of synthetic gas using the same.例文帳に追加

本発明は、改質剤の投入量を最小化する炭素析出抑制のみならず、触媒還元性制御および触媒と接触する化合物との反応制御を可能ならしめる炭化水素改質触媒材料およびこれを用いる合成ガス製造方法の提供を目的とする。 - 特許庁

To provide a piping connection structure in which deposition of products due to reaction gas can be prevented by efficiently heating a piping connection part in spite of provision of a flange and a seal member on it, and a seal member usable for the piping connection structure.例文帳に追加

本発明は、フランジが設けられ、且つシール部材が設けられた配管接続部であっても、配管接続部を効率的に加熱して反応ガスによる生成物の堆積を防止することのできる配管接続構造、及びそのような配管接続構造に用いるシール部材を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for supplying a gas, in which the mass of a source gas to be supplied and the total flow rate of a mixed gas and a dilute gas becomes constant, when a mixture gas of the source gas obtained by vaporizing a liquid material and a carrier gas is supplied as a reaction gas to a chemical vapor deposition unit.例文帳に追加

液体原料を気化した原料ガスとキャリアガスとの混合ガスを希釈ガスと共に反応ガスとして気相成長装置に供給する際、供給される原料ガスの質量および混合ガスと希釈ガスの総流量が一定となるようなガス供給方法およびその装置を提供すること。 - 特許庁

The polarizing element 1 includes: a substrate 11A; a plurality of metal filaments 18A provided on the substrate 11A by patterning a metal film by means of etching; and a deposition film 118 formed in an upper end part of each metal filament 18A, by chemical reaction of an etching gas with an etching product when etching the metal film.例文帳に追加

基板１１Ａと、金属膜をエッチングによりパターニングし基板１１Ａ上に設けられた複数の金属細線１８Ａと、金属膜のエッチング時におけるエッチングガス及びエッチング生成物が化学反応することで各金属細線１８Ａの上端部に形成されてなる堆積膜１１８とを備えた偏光素子１である。 - 特許庁

To provide a polycrystalline silicon manufacturing technique in which mounting of a silicon core wire into a core wire holder is easy, the time required to make the core wire holder hold the silicon core wire with satisfactory strength is shortened, falling is prevented, and it is made possible to shorten growth rate control time in the early stage of deposition reaction of polycrystalline silicon.例文帳に追加

シリコン芯線の芯線ホルダへの装着が容易であり、芯線ホルダにシリコン芯線を充分な強度で保持させるまでの時間を短くし、転倒を防止するとともに、多結晶シリコンの析出反応初期における成長速度抑制時間の短縮化を可能とする多結晶シリコン製造技術を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for producing a synthesis gas which can rapidly vanish 2C or higher hydrocarbons by a reaction using one and the same reactor having a simple structure and in a simple operational condition without causing a carbon deposition by the thermal decomposition of the 2C or higher hydrocarbons in the initial step of introducing the raw gas into the reactor.例文帳に追加

１つの同一のリアクターを用い、簡易な構造かつ簡易な操作条件で、リアクターへの原料ガス導入初期段階でＣ２以上の炭化水素が熱分解による炭素析出を起こさずに、Ｃ２以上の炭化水素を速やかに反応により消失させることができる合成ガスの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a producing method for semiconductor device, with which the deposition of polymerized films on the surface of a wafer is suppressed in the case of etching an insulating film with a resist pattern as a mask and satisfactory alloy reaction can be provided between a metal depositing film and the surface of the wafer while unnecessitating the mask formation of a side in a following lift-off process.例文帳に追加

レジストパターンをマスクとする絶縁膜のエッチングの際に基板表面への重合膜の堆積を抑制し、その後のリフトオフ工程におけるサイドのマスク形成を不要としながら金属蒸着膜と基板表面との間の良好なアロイ反応を得ることができる半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

Thereby, while controlling deposition of solid SiC through infiltration of raw material gases 3 or the like into the heat-insulating base material 10a by virtue of the graphite sheet 10b, further chemical reaction of the graphite sheet 10b with components contained in etching gases and raw material gases is controlled by virtue of the high-melting point metal carbide film 10c.例文帳に追加

これにより、黒鉛シート１０ｂによって断熱基材１０ａに原料ガス３などが浸入することで固体ＳｉＣが析出することを抑制しつつ、さらに高融点金属炭化膜１０ｃによって黒鉛シート１０ｂがエッチングガスや原料ガス３に含まれる成分と化学反応することを抑制できる。 - 特許庁

To provide a system for efficiently atomizing and supplying a raw material solution of a very small amount in micro-plasma, and a technology for depositing reaction products and materials on a substrate by a CVD method, a PCVD thermal spraying method, a vapor deposition method or the like by utilizing micro-plasma from the raw solution.例文帳に追加

マイクロプラズマ中に極微量の溶液原料を効率的に霧化・供給させるシステム及びその溶液原料からマイクロプラズマを利用してＣＶＤ法、ＰＣＶＤ法溶射法、蒸着法等により、基板上に反応生成物や材料等をデポジション又は堆積させるための技術を提供する。 - 特許庁

The multilayered molded product comprises at least a thermoplastic polyester layer (A) obtained from a molten polyester after melt polycondensation reaction and a thermoplastic polyester layer (B) with a cyclic trimer content of 8,000 ppm or below, wherein an amorphous carbon vapor deposition layer is laminated to a content contact surface.例文帳に追加

少なくとも、溶融重縮合反応後の溶融物から得られる熱可塑性ポリエステル（Ａ）層と、環状３量体含有量が８０００ｐｐｍ以下の熱可塑性ポリエステル（Ｂ）層とを含む多層成形体であり、内容物接触面にアモルファスカーボン蒸着層が積層されていることを特徴とする多層成形体。 - 特許庁

By inclining the semiconductor substrates 12, a disturbance of the material gas flow due to a step caused between the susceptor 14 and the semiconductor substrates 12 by deposition of the reaction product is suppressed, the occurrence of crystal defects in the outer periphery of the semiconductor substrates 12 is delayed, thereby lowering the frequency of exchanging the components.例文帳に追加

半導体基板１２を傾斜させることにより、ホルダ１３、サセプタ１４に反応生成物が堆積して半導体基板１２との間に生じる段差による原料ガス流れの乱れを抑制して半導体基板１２の外周部の結晶欠陥の発生を遅延させ、部材交換頻度を低くする。 - 特許庁

To provide a chemical vapor deposition device provided with a clean ing means capable of importantly removing reaction products deposited on a gas dispersion board and capable of reducing the frequency of wet cleaning for the gas dispersion board executed per film formation of the prescribed number and remarkably improving the working ratio of the device.例文帳に追加

ガス分散板に堆積する反応生成物を重点的に除去することができるクリーニング手段を設け、所定枚数の成膜ごとに行っているガス分散板のウエットクリーニングの回数を減少させ、装置の稼働率を大幅に向上させることができる化学的気相成長装置を提供すること。 - 特許庁

The method for forming the deposition film is characterized by using an apparatus having several toroidal raw-gas introduction pipes for introducing a raw gas for forming the film into the above cylindrical reaction vessel, installed in the circumferential direction of the coaxial cylindrical support and in the longitudinal direction of the above cylindrical support.例文帳に追加

成膜用原料ガスを前記円筒状反応容器内に導入する原料ガス導入管がリング状であり、同軸上の該円筒状支持体の周方向に沿って設けられており、かつ前記円筒状支持体の長手方向に複数設置されている事を特徴とする堆積膜形成方法、ならびにそれに用いられる装置。 - 特許庁

When hydrogen fluoride gas is introduced into the exhaust pipe 15 to clean the exhaust pipe 15 during the process of depositing silicon oxide film on the semiconductor wafer 10 using the heat treatment equipment 1, the deposition of the silicon oxide film and the removal of the reaction product adhering to the exhaust pipe 15, etc., can be performed simultaneously and the maintenance cycle of the heat treatment equipment 1 can be prolonged.例文帳に追加

そして、熱処理装置１を用いた半導体ウエハ１０へのシリコン酸化膜の形成工程中に、排気管１５内にフッ化水素ガスを導入して排気管１５を洗浄すると、シリコン酸化膜の形成と排気管１５等に付着する反応生成物の除去とが並行して実行され、熱処理装置１のメンテナンスサイクルが長くなる。 - 特許庁

A mixture composed of carbon like chaff charcoal and silica is continuously made to give rise to the formation of SiC and the growth of crystals by using a metal compound forming a metal silicide having a melting point below 1,850°C as a reaction catalyst to SiC and using the dissolution to deposition process of SiC by metal silicide, by which the porous SiC ceramics is formed.例文帳に追加

もみがら炭のような炭素とシリカの混合物を１８５０℃以下の融点を持つ金属シリサイドを生成する金属化合物をＳｉＣへの反応触媒とし、金属シリサイドによるＳｉＣの溶解−析出プロセスを利用して，ＳｉＣの生成と粒成長を継続的におこさせ、多孔質ＳｉＣセラミックスを生成する。 - 特許庁

The plasma processing method includes: product etching (step S1: processing of a sample including Ti material); thereafter carbon system deposition discharge for depositing a carbon system film on a Ti reaction product deposited on the surface of the processing chamber (step S2); and thereafter chlorine electric discharge for removing the carbon system film abd the Ti deposited on the surface of the processing chamber (step S3).例文帳に追加

製品エッチング（工程Ｓ１：Ｔｉ材料を含む試料の処理）後に、処理室表面に堆積するＴｉ反応生成物に対してカーボン系膜を堆積させるカーボン系堆積放電（工程Ｓ２）と、その後に処理室表面に堆積するカーボン系膜とＴｉを除去する塩素系放電（工程Ｓ３）とを含むプラズマの処理方法とする。 - 特許庁

To provide a method for cleaning deposition film forming device, by which a high-quality deposited film of, particularly, high quality electrophotographic sensitive material can be obtained stably, by efficiently removing by-products in a reaction vessel, a dry etching method, and to provide a method of manufacturing article including a step of executing either of the methods.例文帳に追加

反応容器内の副生成物を効率的に除去することができ、高品質の堆積膜、特に高品質の電子写真感光体を安定して得ることが可能な堆積膜形成装置のクリーニング処理方法、ドライエッチング方法、およびこれらの方法のいずれか一方を行う工程を含む物品の製造方法を提供する。 - 特許庁

In formation of the gate insulation film formed of high dielectric metal silicate, ALD deposition is carried out by using a time for saturating a film formation rate owing to a surface adsorption reaction for an exposure time of a precursor containing a metal and the like, and using a time for setting the composition of the metal oxide film 97% or more of a stoichiometric value for an exposure time of an oxidizer.例文帳に追加

高誘電体金属シリケートからなるゲート絶縁膜の形成において、金属等を含む前駆体の暴露時間には、表面吸着反応により成膜レートが飽和する時間を用い、酸化剤の暴露時間には、金属酸化膜の組成が化学量論値の９７％以上となる時間を用いてＡＬＤ堆積を行う。 - 特許庁

To provide a reforming catalyst for producing hydrogen exhibiting a high hydrogen production capacity in a steam reforming reaction at a low temperature, preventing an adverse influence caused by carbon deposition or by sulfur poisoning on itself, a reformer, and units disposed downstream thereof, and effectively producing hydrogen by reducing a starting time necessary for starting hydrogen production.例文帳に追加

低温での水蒸気改質反応でも高い水素製造性能を有し、かつ硫黄被毒や炭素析出による改質触媒、改質器及びその下流に位置するユニットへの悪影響を抑制し、水素製造の開始に要する起動時間を短縮して効果的に水素を製造することが可能な水素製造用改質触媒を提供する。 - 特許庁

Regarding the method for forming a thin film, in a formation method of forming a tin oxide film on a substrate utilizing a chemical vapor deposition reaction, the substrate is heated during the formation, and simultaneously, the substrate is irradiated with ultraviolet rays having an ultraviolet irradiation intensity of 0.03 to 1 mW/cm^2.例文帳に追加

気相化学成長反応を利用して酸化錫膜を基体上に形成する形成方法において、形成中に基体を加熱すると同時に、紫外線の紫外線照射強度が０．０３ｍＷ／ｃｍ^２以上１ｍＷ／ｃｍ^２以下の紫外線を基体に照射することを特徴とする薄膜形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a production method for a barrier film by which in a step of vapor-depositing an inorganic oxide on a base material, the electrification of secondary electrodes to the barrier film is prevented while maintaining high efficiency of reaction between oxygen plasma and metal evaporated matter evaporated from a vapor deposition source etc., thereby damage to the barrier film can be prevented while maintaining high productive efficiency.例文帳に追加

基材に無機酸化物を蒸着する工程において、蒸着源より蒸発した金属蒸発物等と酸素プラズマとの高い反応効率を維持しつつバリア性フィルムへの２次電子の帯電を防止することにより、高い生産効率を維持しつつバリア性フィルムの損傷を防止することのできるバリア性フィルムの製造方法を提供する。 - 特許庁

After completing spot welding, both electrodes 13, 14 are parted, a deposition state is discriminated based on the reaction force acted to the moving electrode 13 and the robot 2 as to whether the moving electrode 13 only is adhered by fusing or the fixed electrode 14 only is adhered by fusing or both electrodes 13, 14 are adhered by fusing.例文帳に追加

スポット溶接終了後、両電極１３，１４を離反させ、移動電極１３およびロボット２に作用する反力に基づいて、移動電極１３のみ溶着しているか、固定電極１４のみ溶着しているか、両電極１３，１４に溶着しているか、もしくは両電極１３，１４とも溶着していないかを区別して溶着状態を判定する。 - 特許庁

Since the deposition or application process of the electrode films 4 and 5 and the EL emission layer 3, for forming the organic EL light source 1 and a sealing process for sealing the organic EL light source 1 in the vessel 2, can be considered as separate processes in terms of reaction and conduction, the flexibility in the sealing structure and the material are increased and a further simple method can be employed.例文帳に追加

有機ＥＬ光源１を形成する電極膜４、５およびＥＬ発光層３の蒸着または塗布工程と、有機ＥＬ光源１を容器２に密閉するための封止の工程を反応や導通の面で別の工程として考えることができるので、封止構造、材料の自由度が増し、より簡易な方法が採用できる。 - 特許庁

To provide a film deposition apparatus having good maintainability when thin films are formed by arranging and mounting substrates in a rotating direction on a turntable in a vacuum container, forming a plurality of processing areas of reaction gas in the rotating direction of the substrates, and rotating the turntable to pass the substrates through the plurality of processing areas in order.例文帳に追加

真空容器内の回転テーブルに基板を回転方向に並べて載置し、複数の反応ガスの処理領域をこの基板の回転方向に沿って形成し、回転テーブルを回転させてこれらの複数の処理領域に基板を順番に通過させて薄膜を形成するにあたり、メンテナンス性に優れた成膜装置を提供すること。 - 特許庁

To provide an industrially advantageous method for producing an α-olefin low polymer which can employ the temperature for maintaining a reaction solution high without bringing about the isomerization of the product and, accordingly, can prevent the deposition of a by-produced polymer to easily cope with a method for condensing both the by-produced polymer and a catalyst component to isolate them.例文帳に追加

生成物の異性化反応を惹起させることなく反応液の高い維持温度を採用することが出来、従って、副生ポリマーの析出を防止して副生ポリマーと触媒成分とを共に濃縮して分離する方法に容易に対応し得る、工業的に有利なα−オレフイン低重合体の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for efficiently performing film deposition by quantitatively feeding (cyclopentadienyl)bis(ethylene)iridium to a reaction tank not by sublimation but by a bubbling or liquid injection process, in the method for feeding the raw material in the case (cyclopentadienyl)bis(ethylene)iridium being solid at room temperature is used as the raw material for depositing an iridium-containing film.例文帳に追加

イリジウム含有膜を形成させる原料として、室温で固体の（シクロペンタジエニル）ビス（エチレン）イリジウムを用いる場合、その原料供給方法として、昇華ではなくバブリングまたはリキッドインジェクション法により定量的に反応槽に（シクロペンタジエニル）ビス（エチレン）イリジウムを供給し成膜を効率的に行うことができる方法を提供する。 - 特許庁

In the method of manufacturing the carbon nanotube formed by a chemical vapor deposition, a metallic fiber used as a catalyst has 1-100 nm diameter and ≥100 μm length and is mounted in a reaction furnace, heated to a prescribed temperature and grown around the catalytic metallic fiber to enclose the metal by passing a raw material gas.例文帳に追加

化学気相法を用いて作製されるカーボンナノチューブの製造方法において、触媒として用いる金属繊維が１ｎｍ〜１００ｎｍの径で、長さが１００μｍ以上であって、該金属繊維を反応炉内に設置し、所定温度に加熱し、原料ガスを流し、触媒金属繊維の周囲に金属を包むようにして成長させる。 - 特許庁

To provide an electrode for electrochemical measurement and an electrochemical analyzer using it, not electrochemically-reversible like phenols, nor in danger of any oxide deposition on the electrode surface when detecting electrical changes due to electrochemical reaction of a substance with high oxidation potential, additionally keeping long-term detection with high sensitivity.例文帳に追加

フェノール類のような電気化学的に可逆ではなく、かつ酸化電位の高い物質の電気化学反応による電気的変化を検出する際に、電極表面に酸化反応の生成物が堆積するおそれが無く、しかも高い感度を維持したまま長時間の検出が可能な電気化学測定用電極及びそれを用いた電気化学分析装置を提供する。 - 特許庁

This undercoat photocurable resin composition for a metal deposition contains (A) an oligomer obtained by performing the reaction of (a) an epoxy resin having at least ≥2 epoxy groups and ≥500 eq/g epoxy equivalent with (b) a monocarboxylic acid having an ethylenically unsaturated bond, (B) a (meth)acrylate except for the (A) component and (C) a photopolymerization initiator.例文帳に追加

分子中に少なくとも２つ以上のエポキシ基を有し、そのエポキシ当量が５００ｅｑ／ｇ以上のエポキシ樹脂（ａ）とエチレン性不飽和基を有するモノカルボン酸（ｂ）とを反応させて得られるオリゴマー（Ａ）と（Ａ）成分以外の（メタ）アクリレート（Ｂ）及び光重合開始剤（Ｃ）を含有することを特徴とする金属蒸着用アンダーコート光硬化性樹脂組成物。 - 特許庁

To provide a device capable of attaining uniform evaporation property and uniform reaction property, free from the generation of deposition of solid particles even when a liquid to be treated is slurry and suitable for continuously evaporating a low boiling component by improving the uniformity of the flow rate distribution of the liquid to be treated in a heat exchanger part in a natural circulation type evaporator.例文帳に追加

本発明の目的は自然循環式蒸発缶において、熱交換器部分での被処理液の流速分布の均一性を向上させることにより、均一な蒸発特性、均一な反応特性を得、さらには被処理液がスラリーの場合でも固体粒子の沈殿がない低沸点成分を連続的に蒸発させるに好適な装置を提供することにある。 - 特許庁

Because of arrangement of the cationic organic substance in the neighborhood of the negative electrode surface, cationic functional groups existing near the electrode of the negative electrode surface are adsorbed electrostatically to the reaction activating point on the negative electrode, and thereby the potential is smoothened, and a deposition and growth of zinc in a dendritic form or sponge form at the negative electrode are suppressed, and also generation of hydrogen gas is suppressed.例文帳に追加

本発明に係るアルカリ亜鉛電池では、負極表面近傍にカチオン性有機物が配されるため、負極表面の極近傍にあるカチオン性官能基が負極の反応活性点に静電的に吸着することにより、電位が平滑化され、負極における樹枝状や海綿状の亜鉛の析出及び成長が抑制され、また、水素ガスの発生が抑制される。 - 特許庁

The material of a reforming reactor 10 contains 34-50 wt.% Ni, 20-30 wt.% Cr and the balance at least Fe with inevitable impurities, and the reaction of the methane slip and the carbon deposition is reversely accelerated in the presence of Ni, and an oxide film is formed to improve the corrosion resistance and electric resistance heat generating property in the presence of Cr.例文帳に追加

改質反応管１０が Ｎｉ ３４〜５０ｗｔ％、Ｃｒ ２０〜３０ｗｔ％を含有し、残りがＦｅと不可避不純物を含むものであり、Ｎｉの含有によって、メタンスリップ、カーボン析出の反応を逆方向に促進するとともに、Ｃｒの含有によって、酸化膜を形成して、耐食性を向上させ、かつ電気抵抗発熱性を向上させる。 - 特許庁

To provide a fuel electrode for a solid oxide fuel cell which does not produce deteriorated articles and does not produce aggregation between metal particles while maintaining superior long-term stability, by introducing a finely divided material which is active to carbon deposition resistance or electrochemical reaction of a fuel gas, to the portion that the material can exert its action most effectively as a catalyst in the skeletal structure of the porous fuel electrode.例文帳に追加

多孔質の燃料電極骨格内に、耐炭素析出性もしくは燃料ガスの電気化学反応に対し活性な微粒子化された材料を、その材料が触媒としての作用を最も発揮する部位に導入し、かつ劣化物を生じず、また金属粒子同士の凝集も起こさない長期安定性に優れた燃料電極を提供する。 - 特許庁

Plasma reaction gas generated by applying the predetermined voltage from a DC power source 15 and a high- voltage pulse power source 16 to raw gas introduced in a film deposition chamber 11 from a gas introduction hole 17 is efficiently introduced into the mouthpiece 30 or forming honeycomb by utilizing difference in pressure between in the forward part and the rear part in the longitudinal direction X of the mouthpiece 30 for forming honeycomb.例文帳に追加

そして、ガス導入孔１７から成膜室１１内に導入された原料ガスに対して、ＤＣ電源１５及び高圧パルス電源１６より所定の電圧を印加することにより生成されたプラズマ反応ガスを、ハニカム成形用口金３０の長手方向Ｘにおける前方部及び後方部の圧力差を利用し、ハニカム成形用口金３０内に効率よく導入する。 - 特許庁

The method comprises: providing a substrate; introducing a (methyl cyclopentadienyl)(1,5-cyclooctadiene) iridium (1) precursor; introducing oxygen as a precursor reaction gas; establishing final pressure in the range of 1 Torr to 50 Torr; and growing the IrOx hollow nanotube from the surface of the substrate with the use of metalorganic chemical vapor deposition method (MOCVD).例文帳に追加

本発明の方法は、基板を提供すること、（メチルシクロペンタジエニル）（１，５−シクロオクタジエン）イリジウム（Ｉ）前駆物質を導入すること、前駆物質反応ガスとして酸素を導入すること、１から５０Ｔｏｒｒの範囲内の最終圧力を確立すること、有機金属化学気相成長（ＭＯＣＶＤ）処理を使用することにより、基板の表面からＩｒＯｘ中空ナノチューブを成長させることとを包含する。 - 特許庁

In the display element which has an electrolyte layer containing silver or a compound containing silver in its chemical structure between opposed electrodes and wherein driving operation of the opposed electrodes is performed so that dissolution and deposition of silver, the electrolyte layer contains lithium ions and a redox reaction concerning the lithium ions is generated on at least one electrode of the opposed electrodes at the time of the driving operation.例文帳に追加

対向電極間に、銀、または銀を化学構造中に含む化合物を含有する電解質層を有し、銀の溶解析出を生じさせるように該対向電極の駆動操作を行う表示素子であって、該電解質層がリチウムイオンを含み、かつ、該対向電極の少なくとも１つの電極上でリチウムイオンに係る酸化還元反応を駆動操作時に生じさせることを特徴とする表示素子。 - 特許庁

To provide a reflective film, a thin film for wiring or for an electrode and a semi-reflection type semi-transmission film having high reflectivity and low electric resistance while suppressing the reduction of the reflectivity caused by reaction with a trace amount of free halogen by heat and also improving the heat resistance of, and to provide a sputtering target material and a vapor deposition material useful for the production of the films.例文帳に追加

熱による微量の遊離ハロゲンとの反応による反射率の低下を抑制し且つ耐熱性を改善しつつ、高い反射率および低い電気抵抗を有し、しかも熱や湿度に対しても高い安定性を有する反射膜、配線用または電極用薄膜及び半反射型半透過膜、ならびにかかる膜の製造に有用なスパッタリングターゲット材および蒸着材料を提供すること。 - 特許庁

A plasma deposition apparatus for manufacturing solar cells comprises: a conveyor having a longitudinal axis for supporting at least one substrate; at least two modules each having at least one plasma torch for depositing a layer of a reaction product on the at least one substrate and located a distance from the at least one substrate; a chamber containing the conveyor and the at least two modules; and an exhaust system.例文帳に追加

少なくとも１つの基板を支持するための長手方向軸を持つコンベヤと、少なくとも１つの基板上に反応生成物の層を堆積するためのそれぞれ少なくとも１つのプラズマトーチを持つ少なくとも２つのモジュールと、前記コンベヤと前記少なくとも２つのモジュールとを含むチャンバと、排気システムとを備え、前記少なくとも１つのプラズマトーチは、少なくとも１つの基板から離れて置かれている、太陽電池を製作するためのプラズマデポジション装置。 - 特許庁

While inorganic white pigment is effectively concentrated in a 1st electrolytic layer 4A to improve the contrast by whitening of the electrolytic layer, the electrolytic layer is decreased in amount of the inorganic pigment on the whole, and a 2nd electrolytic layer 4B is increased in content of electrolytic and ion conductive media to increase ion conductivity, thereby improving reaction characteristics of electrochemical deposition and erasure by metal ions etc.例文帳に追加

第１の電解質層４Ａには、無機白色顔料を効果的に集中させることにより、電解質層の白色化によるコントラストの向上を実現しながら、電解質層全体としては無機顔料を減量すると共に、第２の電解質層４Ｂは、電解質及びイオン伝導媒質の含有量を高め、イオン伝導性を増し、金属イオンなどによる電気化学的な析出及び消去の反応特性を向上させる。 - 特許庁

In the display element 1 wherein at least a transparent electrode layer 3, a first electrochromic coloring layer containing at least one electrochromic compound and a second electrochromic coloring layer containing an electrochromic compound exhibiting a color tone different from that of the first electrochromic coloring layer are layered on a substrate 2, at least one layer of the electrochromic coloring layers contains a metal which causes dissolving and deposition by electrochemical reaction.例文帳に追加

基板２上に、少なくとも、透明電極層３と、少なくとも１種のエレクトロクロミック化合物を含有する第１のエレクトロクロミック発色層と、該第１のエレクトロクロミック発色層とは異なる色調を呈するエレクトロクロミック化合物を含有する第２のエレクトロクロミック発色層とを積層して構成される表示素子１において、該エレクトロクロミック発色層の少なくとも１層が、電気化学的反応により溶解及び析出を起こす金属種を含有することを特徴とする表示素子。 - 特許庁