「deposition reaction」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

REACTION CHAMBER FOR VAPOR PHASE AXIAL DEPOSITION AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

気相軸付成長用反応容器及びその製造方法 - 特許庁

To provide a vapor deposition apparatus with a plurality of reaction chambers, and to provide a method of controlling the vapor deposition apparatus.例文帳に追加

複数の反応チャンバーを備えた蒸着装置及びその制御方法を提供する。 - 特許庁

To provide a film deposition apparatus, and a film deposition method having the high rate of film deposition on a surface of an object for film deposition by the reaction of sputter particles or evaporation particles.例文帳に追加

スパッタ粒子または蒸発粒子を反応させることによる成膜対象物表面の成膜の成膜速度が速い成膜装置および成膜方法の提供。 - 特許庁

This device for producing polycrystalline silicon includes: a reaction tube in which a silicon deposition reaction occurs; a fluid gas-feeding part which feeds a fluid gas to silicon particles in the reaction tube; and a means which keeps the reaction temperature constant when the silicon deposition reaction occurs in the reaction tube.例文帳に追加

内部でシリコン析出反応が起きる反応管と、前記反応管内のシリコン粒子に流動ガスを供給する流動ガス供給部と、前記反応管の内部でシリコン析出反応時に反応温度を一定に維持させるための手段と、を含む。 - 特許庁

To suppress the generation of film deposition defects caused by residue upon film deposition while efficiently cleaning a deposited film stuck to a reaction chamber upon the film deposition.例文帳に追加

成膜時に反応室に付着した堆積膜を効率良く洗浄しつつ、成膜時の残渣に起因する成膜欠陥の発生を抑制する。 - 特許庁

To stop film deposition reaction in an extreme short period of time and suppress overshoot.例文帳に追加

成膜反応を極めて短時間で停止させ、オーバーシュートを抑制する。 - 特許庁

On the wall surface of the reaction chamber, to which an effect of plasma is very small, the deposition of the reaction product is controlled, by changing the deposition seed to a volatile substance(SiF4 etc).例文帳に追加

プラズマの影響が極めて小さい反応室壁面等ではデポ種を揮発性物質（ＳｉＦ4 等）に代えて、反応生成物の付着を抑制する。 - 特許庁

The temperature T_L of the reaction liquid L of the chemical bath deposition process is equal to or higher than 70°C.例文帳に追加

化学浴析出法の反応液Ｌの温度Ｔ_Ｌは７０℃以上である。 - 特許庁

To provide a method where the deposition of sludge is prevented, and reaction is efficiently performed.例文帳に追加

汚泥の堆積を防止して反応を効率よく行わせる方法を提供する。 - 特許庁

To manufacture a synthetic gas while reaction at high temperature and carbon deposition are kept under control.例文帳に追加

高温での反応および炭素析出を抑制しつつ、合成ガスを製造する。 - 特許庁

To deposit a thin film having a stable composition by accelerating reaction with a reactive gas in a reaction vapor deposition method.例文帳に追加

反応蒸着法において、反応性ガスとの反応を促進し、安定した組成を有する薄膜を製造する。 - 特許庁

The plasma CVD film deposition apparatus comprises a reaction vessel 104, and a wafer supporting part provided in the reaction vessel 104.例文帳に追加

プラズマＣＶＤ成膜装置は、反応容器１０４と、反応容器１０４内に設けられているウェハ支持部とを備える。 - 特許庁

The film deposition system 1 is provided with: a heating part 7 heating a film deposition material 5 at ≤200°C, so as to be sublimed; and a reaction part 8 bringing the sublimed film deposition material 5 into polymerization reaction by plasma.例文帳に追加

成膜装置１は、成膜材料５を２００℃以下の温度で加熱して昇華させる加熱部７と、昇華させた成膜材料５をプラズマによって重合反応させる反応部８と、が設けられている。 - 特許庁

To provide a vapor phase deposition apparatus for easily controlling the vapor phase reaction having large influence on the quality of the deposition and also provide a vapor phase deposition method using the same.例文帳に追加

成膜品質に大きく影響する気相反応の制御を簡便に行なうことができる気相成長装置および気相成長方法を提供する。 - 特許庁

To provide an electrode member which makes stable deposition possible by suppressing the reaction with a material for vapor deposition composed of a zinc oxide as a principal component and a deposition system equipped therewith.例文帳に追加

酸化亜鉛を主成分とする蒸着材料との反応を抑制し、安定した成膜を可能とする電極部材、及びこれを備えた成膜装置を提供する。 - 特許庁

Consequently, deposition of reaction product at the base 6 and the discharge port 6a can be prevented.例文帳に追加

その結果、ベース６，排気口６ａにおける反応生成物の堆積を防止できる。 - 特許庁

SINGLE ATOMIC LAYER DEPOSITION APPARATUS IN WHICH STRUCTURE OF REACTION VESSEL AND SPECIMEN CHIP HOLDER HAS BEEN IMPROVED例文帳に追加

反応容器及び試片ホルダーの構造が改善された単原子層蒸着装置 - 特許庁

Surface of the glass substrate A is subjected to film deposition processing or etching processing in a reaction chamber 2.例文帳に追加

反応室２でガラス基板Ａの表面に成膜処理あるいはエッチング処理をする。 - 特許庁

A reaction solution for the liquid-phase deposition method is produced using silica gel-saturated silicohydrofluoric acid.例文帳に追加

液相析出法の反応液を、シリカゲル飽和ケイフッ化水素酸を用いて調製する。 - 特許庁

Then, an inert gas is supplied into the reaction chamber 2, and the inside of the reaction chamber 2 is turned to the almost same pressure as the deposition pressure.例文帳に追加

次に、反応室２内に不活性ガスを供給して、反応室２内を成膜圧力と略同じ圧力にする。 - 特許庁

Although deposition of the reaction product does not occur if an internal temperature is a pump preset temperature threshold or higher, there is the potential for deposition of the reaction product if the internal temperature is lower than the pump preset temperature threshold.例文帳に追加

内部温度がポンプ設定温度閾値以上であれば、反応生成物の堆積は生じることはないが、ポンプ設定温度閾値未満であれば堆積が生じる可能性がある。 - 特許庁

To provide a film deposition apparatus and a film deposition method which can prevent a reaction gas from contacting a member such as a liner and the like around a substrate thereby preventing adhesion of a reaction product.例文帳に追加

反応ガスがライナ等の基板周囲の部材に接触することを防止し、反応生成物が付着するのを防ぐことができる成膜装置および成膜方法を提供する。 - 特許庁

A method for obtaining a stable and high deposition speed in a reaction chamber is provided after the cleaning of the reaction chamber.例文帳に追加

反応チャンバのクリーニングに続いて、該反応チャンバにおいて安定でありかつ高い堆積速度を得るための方法が提供される。 - 特許庁

To prevent deposition of conductive reaction products without corroding a TCP window excessively.例文帳に追加

ＴＣＰ窓を過度に腐食させることなく導電性の反応生成物の堆積を防止する。 - 特許庁

To prevent deposition of conductive reaction products without corroding a TCP window excessively.例文帳に追加

ＴＣＰ窓を過度に腐食させることなく導電性の反応生成物の堆積を防止する。 - 特許庁

To provide a deposition film forming apparatus that suppresses influence on characteristics of a deposition film due to back diffusion of a cleaning gas toward a reaction container side.例文帳に追加

クリーニングガスの反応容器側への逆拡散による堆積膜の特性への影響が抑えられた堆積膜形成装置を提供する。 - 特許庁

To provide a film deposition apparatus in which a plurality of kinds of gas for film deposition are smoothly merged to obtain a reaction gas mixed with uniform concentration distribution.例文帳に追加

複数の成膜用ガスを円滑に合流し均一な濃度分布で混合された反応ガスが得られる成膜装置を提供する。 - 特許庁

The deposition-film-forming apparatus 120 generates plasma in a reaction vessel 100 and layers the deposition films on a substrate 105 to be film-formed.例文帳に追加

堆積膜形成装置１２０は、反応容器１００内にプラズマを発生させ被成膜基体１０５に堆積膜を積層する装置である。 - 特許庁

In this way, the film deposition stage S1 is executed without depending on the increase of the temp. in the reaction chamber in the cleaning stage S2, and the conditions of the film deposition temp. in each film deposition treatment S1a in the film deposition stage S1 are uniformized.例文帳に追加

これによって、クリーニング工程Ｓ２における反応室内の温度上昇に関わりなく、成膜工程Ｓ１を行い、成膜工程Ｓ１における各成膜処理Ｓ１ａの成膜温度の条件を均一化する。 - 特許庁

To provide a film deposition method capable of reducing resistance of contact holes by depositing a titanium film thinner and excellent in coverage by causing a film deposition reaction in a reaction control region, even if the contact holes have large aspect ratios.例文帳に追加

反応律速領域で成膜反応を起こさせることによって，アスペクト比が大きなコンタクトホールであっても，より薄くてカバレッジの良好なチタン膜を成膜し，コンタクトホールの抵抗を低減する。 - 特許庁

To provide a substrate treatment apparatus capable of reducing surfaces in contact with gas other than a surface of a substrate in a reaction chamber and reducing unexpected film deposition on the surface of the reaction chamber.例文帳に追加

反応室内における基板表面以外の接ガス面を少なくし、意図しない反応室表面への成膜を低減する。 - 特許庁

To observe a reaction process (a carbon deposition) of a sample (a zinc ferrite desulfurization agent) on site by an X-ray diffraction while the large quantity of a reaction gas flows.例文帳に追加

多量の反応ガスを流しながらＸ線回折で試料（亜鉛フェライト脱硫剤）の反応過程（炭素析出）をその場で観察する。 - 特許庁

Then, a silicon compound layer is formed by supplying plasma beams toward the vapor deposition material arrangement section so as to vaporize a vapor deposition substance from the vapor deposition material, at the same time, introducing a reaction gas into the film deposition chamber, and sticking the vapor deposition substance onto the surface of the substrate (sticking process).例文帳に追加

ついで、蒸着材料配置部に向けてプラズマビームを供給して蒸着材料から蒸着物質を蒸発させるとともに、反応ガスを成膜室に導入し、蒸着物質を該基板の表面に付着させて珪素化合物層を形成する（付着工程）。 - 特許庁

To prevent a drop of working rate, and a deposition of reaction by-products on a processing chamber and an exhaust passage, which become a reason of increasing of a maintenance cost in a film deposition apparatus.例文帳に追加

成膜装置において稼働率の低下とメンテナンス費用アップの原因となる処理室や排気経路への反応副生成物の堆積を防止する。 - 特許庁

The additive is also characterized in that, although it has a function of increasing a deposition overvoltage of metal, it decreases the deposition overvoltage of metal with the progress of reaction.例文帳に追加

添加剤は、金属の析出過電圧を大きくする機能を有するが、反応の進行と共に、金属の析出過電圧を小さくする特性を有する。 - 特許庁

To provide a semiconductor thin film deposition system in which constant gas can be supplied to a reaction container or an exhaust pump while preventing a reaction gas from being mixed in the reaction container.例文帳に追加

反応容器内で反応気体が混じるのを防止するとともに、反応容器または排気ポンプに一定の気体を流すことができる半導体薄膜蒸着装置を提供する。 - 特許庁

To provide an atomic layer (molecular layer) deposition apparatus which can surely separate reaction gases from one another.例文帳に追加

反応ガス同士をより確実に分離することが可能な原子層（分子層）成膜装置を提供する。 - 特許庁

To inhibit deposition of a reaction product that is generated in dry etching, and to carry out etching with high machining accuracy.例文帳に追加

ドライエッチング時に生じる反応生成物の付着を抑制して、高い加工精度でエッチングを行う。 - 特許庁

The carbon deposition reaction column 36 and each bag filter 7, 17 are connected with a carbon blowing line 38.例文帳に追加

炭素析出反応塔３６と各バグフィルタ７，１７を炭素吹き込みライン３８を介して接続する。 - 特許庁

To provide a single atomic deposition layer apparatus in which the structure of a reaction vessel and a test piece holder has been improved.例文帳に追加

反応容器及び試片ホルダーの構造が改善された単原子蒸着装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method of epitaxially depositing atoms or molecules from a reaction gas onto the deposition surface of a substrate.例文帳に追加

基板の析出表面上での反応ガスからの原子又は分子のエピタキシャルな析出方法 - 特許庁

To provide a manufacturing method which carries out maintenance-free and particle-free CVD and etching, controlling the deposition of reaction products to the wall surface of a reaction chamber etc.例文帳に追加

反応室壁面等への反応生成物の付着を抑制し、メンテナンスフリー．パーティクルフリーのＣＶＤ，エッチングを行う方法及び装置を提供する。 - 特許庁

To provide an atomic layer deposition method for improving a film forming speed, while suppressing decrease in the reaction between a material gas and a reaction gas.例文帳に追加

原料ガスと反応ガスとの反応が低下するのを抑制しつつ、成膜速度を向上させることができる原子層堆積装置を提供する。 - 特許庁

The molar fraction x_CO2 increase restrains the Boudouard reaction as a reaction from carbon monoxide to carbon dioxide and carbon so that carbon deposition is restrained (3).例文帳に追加

モル分率ｘ_ＣＯ２が増大すると、一酸化炭素から二酸化炭素及び炭素への反応であるBoudouard反応が抑制され、炭素の析出が抑制される（３）。 - 特許庁

Then, the film deposition material 5 subjected to the polymerization reaction at the reaction part 8 is injected to a substrate 3, so as to form a thin film on the film formation face 31 of the substrate 3.例文帳に追加

そして、反応部８で重合反応させた成膜材料５を基板３に射出して基板３の成膜面３１に薄膜を形成する。 - 特許庁