「deposition reaction」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method for cleaning the inside of a reaction container that restrains damage to a quartz reaction tube and wafer boat and reduces the running cost, when the inside of a reaction vessel is cleaned after deposition of poly-silicon or titanium nitride using a vertical heat treatment equipment for example.例文帳に追加

例えば縦型熱処理装置を用いてポリシリコン膜やチタンナイトライド膜の成膜を行った後、反応容器内をクリーニングするにあたって、石英製の反応管やウエハボートの損傷を抑え、しかもランニングコストの削減を図ることのできる方法を提供すること。 - 特許庁

Thus, the partial pressure of the reaction gas and the bonding ratio between the silicon and metal are previously obtained per film deposition condition such as the kind of the vapor depositing material 31 and the kind of the reaction gas, and the partial pressure of the reaction gas is controlled on the basis of the result, so that the silicide film having a desired bonding ratio can be obtained.例文帳に追加

従って、蒸着材料３１の種類と、反応ガスの種類等の成膜条件毎に、反応ガスの分圧と、ケイ素と金属との結合比率を求めておき、その結果に基づいて反応ガスの分圧を制御すれば、所望の結合比率のシリサイド膜を得ることができる。 - 特許庁

Thus, since the sealing glass does not contain a lead oxide, the reaction of a magnetic tape material and the sealing glass does not occur, there is no level difference of the head surface due to reaction products and no deposition of the reaction products even when a tape is made to travel and there is the advantage that the generation of the spacing loss is little.例文帳に追加

これにより、封着ガラスが酸化鉛を含んでいないため、磁気テープ材料と封着ガラスの反応が生じず、テープ走行しても反応生成物に起因するヘッド表面の段差の発生や、反応生成物の付着がなく、スペーシングロスの発生が少ないという利点がある。 - 特許庁

To provide a method for producing hydroxyalkyl (meth)acrylate in which addition reaction is highly selective and a solid material derived from a catalyst has favorable solubility in a reaction liquid, and which avoids deposition of the solid material during addition reaction and solidification of the solid material derived from a catalyst when purifying.例文帳に追加

付加反応が高選択的、かつ触媒由来の固形物の反応液に対する溶解性が良好で、付加反応中の触媒由来の固形物の析出および精製時の触媒由来の固形物の固化現象を回避した、ヒドロキシアルキル（メタ）アクリレートの製造方法を提供することである。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an optical fiber porous preform in which the synthetic reaction efficiency of glass fine particles and the deposition efficiency of the glass fine particles on a deposition surface are improved in the manufacture of the optical fiber porous preform.例文帳に追加

光ファイバ多孔質母材の製造において、ガラス微粒子の合成反応の効率およびガラス微粒子のガラス微粒子堆積面への堆積効率を向上する光ファイバ多孔質母材の製造方法を提供する。 - 特許庁

The reaction layer 31 is formed, by partially reacting Ti contained in a first metal layer 11 with a deposition layer, after partially removing the deposited substance on the denaturation layer 20 through rinsing, to form a deposition layer.例文帳に追加

反応層３１は、表面変性層２０上に堆積されたデポ物を洗浄により部分的に除去しデポ層とした後に、第１金属層１１に含まれるＴｉとデポ層とが熱処理により部分的に反応し形成される。 - 特許庁

(3) Since the liquid raw material is almost uniformly atomized toward the film deposition range in a film deposition base 1 by a perforated plate 42, among the raw material atomized from atomization pores into a reaction chamber 2, the ratio of the raw material to be effectively used increases.例文帳に追加

（３）多孔板４２により、液体原料を成膜ベース１の成膜範囲に向けて略均一に噴霧するため、噴孔から反応室２内に噴霧した原料のうち、有効に使用される原料の割合が高まる。 - 特許庁

The method is applied to the liquid crystal display element utilizing the vertical orientation film composed of the oblique vapor deposition film of the inorganic oxide, and is characterized by having surface hydroxy groups of the oblique vapor deposition film having been subjected to chemical reaction treatment with a metal alcoholate.例文帳に追加

無機酸化物の斜方蒸着膜からなる垂直配向膜を用いた液晶表示素子に適用され、前記斜方蒸着膜の表面水酸基が、金属アルコラートで化学反応処理されていることを特徴とする。 - 特許庁

The film deposition method includes a heating step of heating a substrate at the predetermined temperature of substantially 200°C, and a reaction step of performing the film deposition by exposing the surface of the substrate to the alternate surface reaction of a reactive object such as TMA in vacuum while maintaining the surface of the substrate at the predetermined temperature, and growing a thin film on the substrate.例文帳に追加

成膜方法では、基板を所定の温度である略２００℃に加熱する加熱工程と、基板の表面を当該所定の温度に維持しながら真空中でＴＭＡ等の反応物の交互表面反応に曝して基板上に薄膜を成長させて成膜する反応工程とを行う。 - 特許庁

The method for depositing thin films of metal oxides on a substrate in a reaction vessel of an atomic layer vapor deposition apparatus using plasma includes a step of supplying raw metal compounds into the reaction vessel, a step of supplying gaseous oxygen into the reaction vessel, and a step of generating oxygen plasma in the reaction vessel during the predetermined time.例文帳に追加

プラズマを用いる原子層蒸着装置の反応器内において基板上に金属酸化物膜を形成する方法であって、反応器内に金属原料化合物を供給する段階と、反応器内に酸素ガスを供給する段階と、反応器内に所定時間中に酸素プラズマを生じさせる段階と、を含む金属酸化物膜の形成方法。 - 特許庁

The CVD apparatus for forming a deposition film on the surface of a substrate arranged in a reaction chamber by supplying a reactant gas into the reaction chamber, has a route for refluxing exhaust gas flowing to the reaction chamber from the downstream of a pump, arranged in an exhaust route for discharging the exhaust gas from the inside of the reaction chamber through the pump.例文帳に追加

反応チャンバー内に、反応ガスを供給して、反応チャンバー内に配置した基材表面上に堆積膜を形成するＣＶＤ装置であって、反応チャンバー内からポンプを介して排気ガスを排気する排気経路に、ポンプの下流側から反応チャンバーに至る排気ガスを還流する排気ガス還流経路が配設されている。 - 特許庁

To provide a vapor deposition apparatus that can deposit a less-contaminated crystal film having high uniformities of film thickness and impurity concentration over the entire surface of a semiconductor substrate by quickly discharging a raw material gas after vapor deposition reaction from a chamber to the outside of the chamber, and to provide a vapor deposition method.例文帳に追加

チャンバ内において、気相成長反応後の原料ガスを速やかにチャンバ外へと排気し、半導体基板全面において膜厚及び不純物濃度の均一性が高く、汚染の少ない結晶膜を成長させられる高スループットの気相成長装置及び気相成長方法を提供する。 - 特許庁

A processing apparatus 1 as the vapor deposition apparatus comprises a susceptor 5, a reaction tube 3, a cooling member (a gap between an outer periphery member 6 and an inner periphery member 8 of an upper wall 4 of the reaction tube, and a cooling material 10), and a heater 9.例文帳に追加

気相成長装置としての処理装置１は、サセプタ５と反応管３と冷却部材（反応管上壁４の外周部材６と内周部材８との間の間隙および冷却材１０）とヒータ９とを備える。 - 特許庁

Also, a cleaning effect is enhanced and the deposition of the reaction products is suppressed by providing the apparatus with an auxiliary heater for heating the portions where the reaction products deposit on the quartz parts only during the cleaning process.例文帳に追加

また、石英部品上に反応生成物が堆積する部分をクリーニングプロセス中にのみ加熱する補助加熱装置を備えることによりクリーニング効果を上げて反応生成物の堆積を抑制させることにより解決できる。 - 特許庁

In the method for removing residual contaminants in the reaction chamber of a film deposition system after the reaction chamber is cleaned using COF_2 gas, a compound gas containing hydrogen is employed in gas cleaning, plasma cleaning or remote plasma cleaning.例文帳に追加

成膜装置の反応室内をＣＯＦ_2を用いてクリーニングした後、反応室内に残存する汚染物質を除去する方法において、ガスクリーニング、プラズマクリーニング、またはリモートプラズマクリーニングするに際し、水素含有化合物ガスを用いる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a porous glass preform by which the deposition rate of a glass fine particle on a deposition surface is increased, soot suspended in a reaction vessel is reduced and the occurrence of bubbles produced in a product is prevented and the glass preform.例文帳に追加

堆積面でのガラス微粒子の付着率を高め、反応容器内を浮遊するスートを低減させ、製品中に生じる気泡の発生を防止することのできる多孔質ガラス母材の製造方法及びガラス母材を提供する。 - 特許庁

To provide a lithium-ion battery capable of preventing the deposition (electro-deposition) of metal lithium on a surface of a negative electrode caused by overcharging, suppressing the decomposition reaction of an electrolytic solution, and thereby rapidly preventing the overcharging.例文帳に追加

本発明の目的は、過充電による負極の表面上への金属リチウムの析出（電析）を防止するとともに、電解液の分解反応を抑制し、これにより過充電を速やかに防止し得るリチウムイオン電池を提供することにある。 - 特許庁

To provide a burner for deposition, and a manufacturing method of silica soot capable of synthesizing the silica soot (a deposit of silica particulates) mainly composed of silica obtained by combustion reaction of raw material gas containing a silicon compound at a high yield and deposition speed.例文帳に追加

ケイ素化合物を含む原料ガスを燃焼反応させることによって得られるシリカを主成分とするシリカスート（シリカ微粒子の堆積体）を高収率、高堆積速度で合成できる堆積用バーナー及びシリカスートの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor thin film pattern based on liquid phase deposition reaction by irradiating laser light to a solid-liquid boundary surface, differing from a known vapor phase deposition method, a semiconductor thin film pattern and a crystalline semiconductor thin film pattern.例文帳に追加

従来の気相成長法とは異なる、固液界面へのレーザー光照射による液相成長反応に基づく半導体薄膜パターンの製造方法、半導体薄膜パターンおよび結晶性半導体薄膜パターンを提供する。 - 特許庁

The method for treating the alignment layer is applied to the liquid crystal display element utilizing the vertical alignment layer composed of the oblique vapor deposition film of the inorganic oxide, and is characterized by having surface hydroxy groups of the oblique vapor deposition film having been subjected to chemical reaction treatment with a liquid crystalline compound.例文帳に追加

無機酸化物の斜方蒸着膜からなる垂直配向膜を用いた液晶表示素子に適用され、前記斜方蒸着膜の表面水酸基が、液晶性化合物で化学反応処理されていることを特徴とする。 - 特許庁

Exfoliation due to impact is net generated and a deposition or dissolution reaction of metal goes on reversibly and smoothly at the boundary between the electrolyte layer 15 and the transparent substrate 11.例文帳に追加

電解質層１５と透明基板１１との界面では、衝撃等による剥離が発生せず、また、金属の析出・溶解反応は、可逆的かつ円滑に行われる。 - 特許庁

Except for the period of vacuum deposition, atmospheres of both a reaction chamber and a transfer chamber are evacuated by using a transfer chamber evacuation port arranged below the surface of the semiconductor wafer.例文帳に追加

蒸着中以外、反応チャンバ及び搬送チャンバの両方の雰囲気は半導体ウエハの表面より下方に配置された搬送チャンバ排気口を使って排気される。 - 特許庁

To provide a reaction chamber gas flowing method simultaneously solving the problems of the increase of contaminated particles and the drop of a vapor deposition rate and to provide a shower head used therefor.例文帳に追加

汚染粒子の増加及び蒸着速度の低下の問題を同時に解決する反応チャンバガス流入方法及びそれに用いるシャワーヘッドを提供する。 - 特許庁

After the solutions are vaporized, a vapor phase precursor solution and a reaction solution are alternately pulsedly-supported into a deposition chamber to grow an ALD film of a predetermined thickness.例文帳に追加

溶液が気化された後、気相前駆体溶液及び反応溶液は交互に堆積室内にパルス状に供給し、所定厚のＡＬＤ膜を成長をする。 - 特許庁

To provide a negative electrode capable of promoting the deposition/dissolution reaction of a light metal and improving a characteristic and its manufacturing method, and to provide a battery using it.例文帳に追加

軽金属の析出・溶解反応を促進し、特性を向上させることができる負極およびその製造方法、並びにそれを用いた電池を提供する。 - 特許庁

To supply fuel gas containing a proper volume of moisture to a fuel cell main body, while avoiding deterioration of reaction efficiency through restraint of degradation by carbon deposition or steam.例文帳に追加

炭素析出や水蒸気による劣化を抑えて反応効率低下を回避しつつ、適量の水分を含む燃料ガスを燃料電池本体に送給できるようにする。 - 特許庁

To obtain a compound semiconductor wafer with a high crystallinity and a uniform in-plane Al composition distribution by using a horizontal type MOCVD (Metal Organic Chemical Vapor Deposition) furnace rotating a substrate under a reaction gas.例文帳に追加

反応ガス下で基板を回転させる横型ＭＯＣＶＤ炉を用いて結晶性が高く、かつ、面内のＡｌ組成分布が均一な化合物半導体ウェハを得る。 - 特許庁

The semiconductor device is formed by consecutively repeating the deposition process and the reforming process a plurality of number times by a control device 25 inside the same reaction chamber 1.例文帳に追加

制御装置２５によって、同一反応室１内で前記成膜工程と改質工程とを連続して複数回繰り返して半導体装置を形成する。 - 特許庁

To provide a technology capable of suppressing the deposition of an Al-based nitride in the vicinity of a supplying port for supplying a first reaction gas containing an Al-halide.例文帳に追加

Ａｌのハロゲン化物を含む第一の反応ガスを供給する供給口近傍でのＡｌ系窒化物の析出を抑制することができる技術を提供すること。 - 特許庁

To obtain a chemical phase deposition apparatus which can improve a uniformity of film thickness or composition rate in a plane of a substrate and can suppress production of contamination within a reaction chamber.例文帳に追加

膜厚や組成比等の基板面内の均一性が向上するとともに、反応室内の異物発生が低減される化学気相成長装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for depositing an organic thin film capable of depositing an organic thin film of high quality without causing unintended side reaction, and to provide an optical CVD (Chemical Vapor Deposition) system.例文帳に追加

意図しない副反応を生じさせずに、良質の有機薄膜を精度よく形成することができる有機薄膜形成方法および光ＣＶＤ装置を提供する。 - 特許庁

Thereby, the deposition/ stack of a reaction product of the fluorogas on the etching surface is controlled to be etched uniformly, and the mirror-like etching surface can be attained.例文帳に追加

これによりフッ素系ガスの反応生成物のエッチング表面への付着・堆積を抑制してエッチングを均一に行い、鏡面状のエッチング面を得ることができる。 - 特許庁

The vapor deposition polymerization reaction is preferably carried out by controlling the vaporization temperature of the diamine compound at below solid phase polymerization temperature of the diamine compound containing sulfonic acid group.例文帳に追加

あるいは、蒸着重合反応に際して、スルホン酸基含有ジアミン化合物の蒸発温度を該アミン化合物の固相重合温度以下とすることが望ましい。 - 特許庁

In this case, the hydrochloric gas in the metal organic chemical vapor deposition furnace initiates a chemical reaction with the organic nitrogen material, and thereby the N-H bond in the organic nitrogen material is cut.例文帳に追加

この場合、有機金属気相成長炉内の塩化水素ガスが有機窒素原料と化学反応し、有機窒素原料中のＮ—Ｈ結合が切断される。 - 特許庁

To reduce and/or eliminate deposition of sludge formed by freezing and ice-stuffing in valve assemblies and the reaction of stored crankcase gas with engine oil.例文帳に追加

バルブ組立体内の氷結と氷による詰りの発生及び滞留しているクランクケース・ガスがエンジン・オイルと反応することによるスラッジの形成を低減そして／又は排除する。 - 特許庁

The vapor deposition polymerization reaction is preferably carried out by previously dehydrating the diamine compound containing sulfonic acid group at 70-300°C under vacuum condition.例文帳に追加

この際、蒸着重合反応前に、前記スルホン酸基含有ジアミン化合物に対して、真空中７０〜３００℃の温度範囲にて脱水処理を行うことが望ましい。 - 特許庁

The silicon-based or other semiconductor-based additive can be formed by using a composite sputter target involving a reaction gas flow of oxygen or nitrogen in the sputter chamber during deposition.例文帳に追加

ケイ素系又は他の半導体系の添加剤は、成膜時のスパッタチャンバー内に、酸素や窒素のような反応ガスの流れを伴なう複合スパッタターゲットを用いて形成され得る。 - 特許庁

In dry cleaning, a deposition film deposited inside a reaction both 5 of a semiconductor-manufacturing apparatus is subjected to etching removal by a cleaning gas at least containing a halogen gas.例文帳に追加

半導体製造装置の反応槽５の内部に堆積した堆積膜を少なくともハロゲンガスを含むクリーニングガスによってエッチング除去するドライクリーニングに関するものである。 - 特許庁

To reduce adhesion of reaction products in a plasma generation part in a device for removal of hazards, to facilitate cleaning when the reaction products are adhered and to prevent the back flow to a treatment chamber of a material harmful to etching and deposition generated during decomposition of the gas to be treated when the device is provided in the treatment chamber of etching, deposition or the like.例文帳に追加

除害装置内のプラズマ生成部での反応生成物の付着を低減し、また反応生成物の付着が生じたときに容易にクリーニングすることができるとともに、エッチングや成膜等の処理チャンバに備え付けられた場合に被処理ガスの分解過程で生ずるエッチングや成膜に有害な物質の処理チャンバへの逆流を防止する。 - 特許庁

The deposition film forming apparatus is configured such that, when a substrate holder with a substrate held thereon is set inside a reaction vessel, a conductive rod is moved or extends to come into contact with a valve element of a gate valve of the reaction vessel with a lateral surface thereof, thereby establishing an electrical connection between the conductive rod and the reaction vessel.例文帳に追加

基体が装着された基体ホルダが反応容器内に設置されると、導電性棒状体が移動または伸張して、導電性棒状体の側面が反応容器のゲート弁の弁体に接触し、導電性棒状体が反応容器と電気的に接続されることを特徴とする堆積膜形成装置。 - 特許庁

In the apparatus for manufacturing the porous glass preform 4 by depositing glass fine particles produced by the flame hydrolysis reaction of a gaseous starting material on a starting member 1 arranged vertically, a plurality of intake ports 5 are provided along the ceiling of the reaction chamber on the side wall of a reaction chamber provided with a burner 2 for deposition.例文帳に追加

垂直に配置された出発部材１に、原料ガスの火炎加水分解反応により生成したガラス微粒子を堆積させて多孔質ガラス母材４を製造する装置において、堆積用バーナ２を備えた反応室の側壁に、該反応室の天井に沿って複数の吸気口５を有することを特徴としている。 - 特許庁

An apparatus for manufacturing a semiconductor device is provided with a reaction chamber (124) for performing chemical vapor deposition on a semiconductor wafer within the chamber, a source gas injector (125) for supplying the source gas into the reaction chamber, and vacuum pumps (106, 107) for reducing pressure in the source gas injector as well as in the reaction chamber.例文帳に追加

内部の半導体ウェハ上に化学気相堆積を行うための反応室（１２４）と、反応室内に原料ガスを供給するための原料ガスインジェクタ（１２５）と、反応室内のみならず原料ガスインジェクタ内をも減圧するための真空ポンプ（１０６，１０７）とを有する半導体装置の製造装置が提供される。 - 特許庁

To provide a reaction furnace for polycrystalline silicon in which a deposition of polycrystalline silicon by adhesion of a raw material gas on the surface of the electrode that supports silicon core bar is prevented, and the raw material gas can be stably supplied on the surface of the silicon core bar by diffusing the reaction gas uniformly in the reaction furnace of polycrystalline silicon.例文帳に追加

シリコン芯棒を保持する電極に原料ガスが付着して電極表面に多結晶シリコンが析出するのを抑制するとともに、多結晶シリコン反応炉内に反応ガスを均等に拡散させて、シリコン芯棒表面に安定して原料ガスを供給することができる多結晶シリコン反応炉を提供する。 - 特許庁

The partition plate 104 has a configuration which is detachable from the reaction vessel, wherein the shape of the partition plate 104 when a deposition film is formed is different from the shape of the partition plate 104 when the partition plate 104 is detached from the reaction vessel.例文帳に追加

仕切板１０４は反応容器より取り外し可能な構成であり、堆積膜形成時における仕切板１０４の形状と、仕切板１０４が反応容器から取り外された状態における仕切板１０４の形状とが異なる。 - 特許庁

This invention also includes embodiments for coating at least one substrate with a carbonitride-containing coating by a MT CVD process which includes maintaining a temperature gradient in the reaction chamber during the introduction of the deposition process gas into the reaction chamber.例文帳に追加

また、本発明は、蒸着処理気体を反応室に導入する間、反応室における温度勾配を維持する中温化学蒸着処理によって、少なくとも１つの基体を浸炭窒化物含有コーティングでコーティングする実施の形態も含む。 - 特許庁