例文 (999件) |
diffusion-typeの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 1877件
P-TYPE DIFFUSION LAYER FORMING COMPOSITION, P-TYPE DIFFUSION LAYER MANUFACTURING METHOD AND SOLAR BATTERY CELL MANUFACTURING METHOD例文帳に追加
p型拡散層形成組成物、p型拡散層の製造方法、及び太陽電池セルの製造方法 - 特許庁
An n-type diffusion layer 110a is selectively formed just under the p-type diffusion layer 111a.例文帳に追加
前記P型拡散層111aの真下にN型拡散層110aを選択的に形成する。 - 特許庁
The N-type diffusion area 53d is connected to a connection node 90, and the N-type diffusion areas 53s are connected to GND.例文帳に追加
N型拡散領域53dが接続ノード90に接続され、N型拡散領域53sがGNDに接続されている。 - 特許庁
The P-type diffusion layer 23 is formed to have an impurity concentration lower than that of the P-type diffusion layer 22 and have a diffusion width which is smaller.例文帳に追加
そして、P型の拡散層23は、P型の拡散層22よりも不純物濃度が低く、その拡散幅が狭く形成される。 - 特許庁
An n-type high concentration diffusion layer 10 is formed facing to the p-type low-concentration diffusion layer 7, the p-type high concentration diffusion layer 8, and the semiconductor substrate 20 through the n-type epitaxial layer 5 and the n-type low concentration diffusion layer 9.例文帳に追加
n型高濃度拡散層10は、n型エピタキシャル層5及びn型低濃度拡散層9を介して、p型低濃度拡散層7、p型高濃度拡散層8及び半導体基板20と対向して形成される。 - 特許庁
LIGHT DIFFUSION FILM, TRANSMISSION TYPE SCREEN AND REAR PROJECTION TYPE DISPLAY APPARATUS例文帳に追加
光拡散フィルム、透過型スクリーンおよび背面投射型表示装置 - 特許庁
LIGHT DIFFUSION SHEET, LENTICULAR SHEET HAVING LIGHT DIFFUSION SHEET AND TRANSMISSION TYPE SCREEN例文帳に追加
光拡散シート、その光拡散シートを備えたレンチキュラーシートおよび透過型スクリーン - 特許庁
The P-type second low-concentration diffusion region 9 has a lower P-type impurity concentration than the P-type low-concentration diffusion region 7.例文帳に追加
P型第2低濃度拡散領域9はP型低濃度拡散領域7よりも薄いP型不純物濃度をもつ。 - 特許庁
An N^+-type diffusion layer 8 is formed in the N^--type semiconductor layer 2 adjacent to the P^--type diffusion layer 5.例文帳に追加
P−型の拡散層5に隣接したN−型の半導体層2の表面にはN+型の拡散層8が形成されている。 - 特許庁
CHEMICAL IMPREGNATION BODY, AND FAN TYPE CHEMICAL DIFFUSION APPARATUS例文帳に追加
薬剤含浸体及びファン式薬剤拡散装置 - 特許庁
LATERAL DIRECTION DIFFUSION TYPE FIELD EFFECT SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加
横方向拡散型電界効果型半導体装置 - 特許庁
GLASS ROD INSERTION TYPE DEVICE FOR MEASURING DIFFUSION REFLECTION LIGHT例文帳に追加
ガラスロッド挿入式の拡散反射光測定器具 - 特許庁
A first first-conductive-type diffusion layer 120, a first second-conductive-type diffusion layer 130, a second first-conductive-type diffusion layer 150, and a second second-conductive-type diffusion layer 140 are arranged in this order.例文帳に追加
第1の第1導電型拡散層120、第1の第2導電型拡散層130、第2の第1導電型拡散層150、及び第2の第2導電型拡散層140はこの順に並んでいる。 - 特許庁
SPECTRUM DIFFUSION TELEPHONE SET HAVING ACCELERATION- TYPE CODE ACQUISITION例文帳に追加
加速式コ—ド取得を有するスペクトル拡散電話器 - 特許庁
An N-type diffusion layer 8 of the protection element 1 and an N-type diffusion layer 19 of the MOS transistor 15 are formed in the same process, while a diffusion width W3 of the N-type diffusion layer 8 is larger than a diffusion width W4 of the N-type diffusion layer 19.例文帳に追加
そして、保護素子1を構成するN型の拡散層8とMOSトランジスタ15を構成するN型の拡散層19を同一工程で形成するが、N型の拡散層8の拡散幅W3が、N型の拡散層19の拡散幅W4よりも広くなる。 - 特許庁
An N-type embedded diffusion layer 12 is embedded and formed in a P-type substrate 11, and a P-type first embedded diffusion layer 13 having a high impurity concentration is embedded and formed in the N-type embedded diffusion layer.例文帳に追加
P型基板11にN型埋込み拡散層12を埋込み形成し、高不純物濃度のP型第一埋込み拡散層13をN型埋込み拡散層に埋込み形成する。 - 特許庁
The n-type diffusion layer and the solar cell having the n-type diffusion layer are manufactured by applying the composition for forming the n-type diffusion layer onto a semiconductor substrate and subjecting the applied substrate to heat diffusion treatment.例文帳に追加
このn型拡散層形成組成物を半導体基板上に塗布し熱拡散処理を施すことで、n型拡散層、及びn型拡散層を有する太陽電池セルが製造される。 - 特許庁
The p-type diffusion layer and the solar cell having the p-type diffusion layer are manufactured by applying the composition for forming the p-type diffusion layer onto a semiconductor substrate and subjecting the applied substrate to heat diffusion treatment.例文帳に追加
このn型拡散層形成組成物を半導体基板上に塗布し熱拡散処理を施すことで、p型拡散層、及びp型拡散層を有する太陽電池セルが製造される。 - 特許庁
Between the N-type embedded diffusion layer and the P-type first embedded diffusion layer, a P-type second embedded diffusion layer 14 having the impurity concentration higher than that of the N-type embedded diffusion layer and lower than that of the P-type first embedded diffusion layer is embedded and formed.例文帳に追加
N型埋込み拡散層とP型第一埋込み拡散層との間に、不純物濃度がN型埋込み拡散層の不純物濃度より高く、且つP型第一埋込み拡散層の不純物濃度より低いP型第二埋込み拡散層14を埋込み形成する。 - 特許庁
Then, an n-type collector diffusion layer 14 connected to an input/output line 21 is extracted from among n-type diffusion layers in contact with the p-type diffusion layer 11.例文帳に追加
次に、P型拡散層11と接しているN型拡散層のうち、入出力ライン21と接続されているN型コレクタ拡散層14を抽出する。 - 特許庁
DIFFUSION TRANSFER TYPE SILVER HALIDE COLOR PHOTOGRAPHIC SENSITIVE MATERIAL例文帳に追加
拡散転写型ハロゲン化銀カラー写真感光材料 - 特許庁
To provide an internal diffusion and reflection type color filter with high quality and an internal diffusion and reflection type color liquid crystal display device provided with the internal diffusion and reflection type color filter.例文帳に追加
高品質な内面拡散反射型カラーフィルタおよびこの内面拡散反射型カラーフィルタを備えた内面拡散反射型カラー液晶表示装置を提供すること。 - 特許庁
PORE DIFFUSION TYPE MEMBRANE SEPARATION SYSTEM USING HOLLOW FIBER MEMBRANE例文帳に追加
中空糸膜を利用した孔拡散型膜分離システム - 特許庁
An anode electrode 18 comes into contact with the p-type diffusion layer 14, and a cathode electrode 19 comes into contact at the same time with the p-type diffusion layer 15 and the n+-type diffusion layer 16.例文帳に追加
アノード電極18はp型拡散層14にコンタクトし、カソード電極19はp型拡散層15とn^+型拡散層16に同時にコンタクトする。 - 特許庁
DIFFUSION LENS ARRAY SHEET, TRANSMISSION TYPE SCREEN, BACK PROJECTION TYPE DISPLAY DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING DIFFUSION LENS ARRAY SHEET例文帳に追加
拡散レンズアレイシート、透過型スクリーン、背面投射型ディスプレイ装置及び拡散レンズアレイシートの製造方法 - 特許庁
On the surface of well 3, a p-type diffusion layer 6 as well as a source 4 and a drain 5 of the n-type diffusion layer are formed.例文帳に追加
ウエル3の表面には、p型の拡散層6と、n型の拡散層のソース4及びドレイン5とが形成されている。 - 特許庁
By interposing the P-type second embedded diffusion layer having a low impurity concentration in the bonding surface between the N-type embedded diffusion layer and the P-type diffusion layer and the bonding surface between the N-type embedded diffusion layer and the P-type embedded diffusion layer having the high impurity concentration, a C-EPI capacitance is reduced.例文帳に追加
N型埋込み拡散層とP型拡散層との接合面、およびN型埋込み拡散層と高不純物濃度のP型埋込み拡散層との接合面に低不純物濃度のP型第二埋込み拡散層を介在させることにより、C−EPI容量が減少する。 - 特許庁
The p-type embedded diffusion layer forms n-type embedded diffusion layers 7, 30, and a pn junction region.例文帳に追加
そして、P型の埋込拡散層は、N型の埋込拡散層7、30とPN接合領域を形成している。 - 特許庁
COMPOSITION FOR FORMING P-TYPE DIFFUSION LAYER, METHOD OF PRODUCING P-TYPE DIFFUSION LAYER, AND METHOD OF MANUFACTURING SOLAR CELL ELEMENT例文帳に追加
p型拡散層形成組成物、p型拡散層の製造方法及び太陽電池素子の製造方法 - 特許庁
PRISM SHEET, LIGHT DIFFUSION SHEET, AND TRANSMITTING TYPE SCREEN例文帳に追加
プリズムシート及び光拡散シート並びに透過型スクリーン - 特許庁
N-TYPE DIFFUSION LAYER FORMING COMPOSITION, METHOD FOR MANUFACTURING N-TYPE DIFFUSION LAYER, AND METHOD FOR MANUFACTURING SOLAR CELL ELEMENT例文帳に追加
n型拡散層形成組成物、n型拡散層の製造方法、及び太陽電池素子の製造方法 - 特許庁
P-TYPE DIFFUSION LAYER FORMING COMPOSITION, METHOD FOR MANUFACTURING P-TYPE DIFFUSION LAYER, AND METHOD FOR MANUFACTURING SOLAR CELL ELEMENT例文帳に追加
p型拡散層形成組成物、p型拡散層の製造方法、及び太陽電池素子の製造方法 - 特許庁
DIFFUSION SHEET AND DIRECT TYPE BACKLIGHT UNIT USING THE SAME例文帳に追加
拡散シートおよびそれを用いた直下型バックライトユニット - 特許庁
Therefore, the sufficient range of the P-type diffusion condition can be obtained freely in the P^+-type embedded diffusion layer formed on the N^+-type embedded diffusion layer 11.例文帳に追加
したがって、N^+型埋め込み拡散層11上に形成するP^+型埋め込み拡散層におけるP型拡散条件の範囲を十分に確保することが自在となる。 - 特許庁
METHOD FOR MEASURING DIFFUSION LENGTH OF MINORITY CARRIES OF N-TYPE WAFER例文帳に追加
nタイプウェーハの少数キャリア拡散長測定法 - 特許庁
On a GaAs substrate 3, an n+ type diffusion region 4 and a p+ type diffusion region 5 joined inside the n+ type diffusion region 4 are formed.例文帳に追加
GaAs基板3上には、n+型拡散領域4と、該n+型拡散領域4内に接合するようにp+型拡散領域5とが形成されている。 - 特許庁
A P type diffusion layer 9 is formed to the cathode region side and coupled with the P type diffusion layer 7.例文帳に追加
そして、P型の拡散層7と連結し、カソード領域側へとP型の拡散層9が形成されている。 - 特許庁
The organic light-emitting layer prevents diffusion of the n-type dopant.例文帳に追加
有機発光層はn型ドーパントの拡散を防止する。 - 特許庁
A P-type diffusion layer 13 is also formed on the P-type semiconductor substrate 1.例文帳に追加
P型半導体基板1にP型拡散層13も形成されている。 - 特許庁
A p^+-type diffusion layer 6 is formed on a crust part of a p^--type substrate 5, and an n^--type epitaxial layer 7 is formed on the p^+-type diffusion layer 6.例文帳に追加
P^-型の基板5の表層部にP^+型拡散層6が形成され、このP^+型拡散層6上にN^-型エピタキシャル層7が形成されている。 - 特許庁
To prevent n type inversion, and to reduce inter-n type diffusion layer leakage currents.例文帳に追加
n型反転を防止し、n型拡散層間の漏れ電流を抑制する。 - 特許庁
LIGHT DIFFUSION SUBSTRATE, METHOD FOR MANUFACTURING LIGHT DIFFUSION SUBSTRATE, TRANSMISSION SCREEN AND REAR TYPE PROJECTOR例文帳に追加
光拡散基板、光拡散基板の製造方法、透過型スクリーンおよびリア型プロジェクタ - 特許庁
To provide a membrane type air diffusion apparatus which can prevent the breakage of an air diffusion membrane due to fatigue.例文帳に追加
疲労による散気膜の破損を防止できるメンブレン式散気装置を提供する。 - 特許庁
A first conductivity-type second diffusion region c is formed in the first diffusion region tub, a second conductivity type third diffusion region b is formed in the second diffusion region c, and a first conductivity-type fourth diffusion region e is formed in the third diffusion region b.例文帳に追加
第1拡散領域内には、第1導電型の第2拡散領域cが形成され、第2拡散領域内に第2導電型の第3拡散領域bが形成され、第3拡散領域内に第1導電型の第4拡散領域eが形成される。 - 特許庁
In a well of 1st conduction type, a 1st diffusion layer of the 1st conduction type is formed; and in a well of the 2nd conduction type, a 2nd diffusion layer of the 1st conduction type, a 3rd diffusion layer of the 2nd conduction type, and a 4th diffusion layer, are formed.例文帳に追加
第1導電型のウェルに第1導電型の第1拡散層が形成され、第2導電型のウェルには第1導電型の第2拡散層、第2導電型の第3拡散層及び第4拡散層が形成されている。 - 特許庁
The protective diode includes a plurality of p^+-type diffusion layers and a plurality of n^+-type diffusion layers, both provided on a p-well of a p-type semiconductor substrate, the plurality of the p^+-type diffusion layers serving as anodes, and the plurality of the n^+-type diffusion layers serving as cathodes.例文帳に追加
本発明の保護用ダイオードは、P型半導体基板のPウェル上に複数のP+型拡散層と、複数のN+型拡散層を設け、複数のP+型拡散層をアノード、複数のN+型拡散層をカソードとして構成される。 - 特許庁
The p-type well layer 4 and the n-type diffusion layer 20 have nonoverlapping diffusion regions and the n-type buffer layer 7 has a region touching the n-type active layer 3 directly between the p-type well layer 4 and the n-type diffusion layer 20.例文帳に追加
p型ウエル層4とn型拡散層20とは互いの拡散領域が重ならず、p型ウエル層4とn型拡散層20との間で、n型バッファ層7がn^- 型活性層3に直接接触する領域を有する。 - 特許庁
In addition, an n-type diffusion layer 6 is provided on the layer 2, and an n-type diffusion layer 6' is provided in the p-type layer 3'.例文帳に追加
また、n型埋め込み層2の上にはn型拡散層6が、p型埋め込み層3´にはn型拡散層6´が設けられている。 - 特許庁
A direction toward the second n-type diffusion layer 22 from the first n-type diffusion layer 21 is a crystal orientation <100> of the p-type silicon layer 20.例文帳に追加
第1N型拡散層21から第2N型拡散層22へ向かう方向は、P型シリコン層20の結晶方位<100>である。 - 特許庁
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