「formation process」に関連した英語例文の一覧と使い方(23ページ目) - Weblio英語例文検索

By this film formation, the processing method includes a process for forcing the polysilicon film 12 and/or a surface layer 13 of the wafer which is contacted with the polysilicon film to capture the metal impurity, and includes a process for removing the polysilicon film and the surface layer of the wafer.例文帳に追加

この成膜により、ポリシリコン膜１２又はポリシリコン膜に接するウェーハ表層１３のいずれか一方又は双方に金属不純物を捕獲させる工程と、ポリシリコン膜及びウェーハ表層を除去する工程とを含むことを特徴とする - 特許庁

To provide a process for producing terminal electrodes of chip-like electronic parts which is capable of uniformly and thinly forming the terminal electrodes on the surfaces of chip substrates, enabling the formation of the finer terminal electrodes, does not damage the surfaces of electronic parts and is simple in the process.例文帳に追加

チップ基板表面に端子電極を均一に薄く形成することができ、端子電極の微細化が可能で、電子部品表面にダメージを与ず、かつ、工程の単純な、チップ状電子部品の端子電極の製造方法を提供する。 - 特許庁

In a process before isolation of the gate electrodes 10n, 10p by patterning gate electrode material, thermal treatment of high temperature of at least 700°C is made not to perform, so that the interdiffusion of dopant in a process before gate electrode formation is prevented.例文帳に追加

また、ゲート電極材料をパターニングしてゲート電極１０ｎ、１０ｐを分離する以前の工程では、７００℃以上の高温の熱処理を行わないようにすることで、ゲート電極形成前の工程における不純物の相互拡散を防止する。 - 特許庁

To provide a method of forming film which can eliminate a TiN film forming process by thermal CVD method conventionally used for obtaining enough thickness as a barrier layer by using low-temperature processing tungsten film formation process.例文帳に追加

低温のプロセス温度によるタングステン膜の形成工程を用いることで、バリヤ層として十分な膜厚を得るために従来行われた熱ＣＶＤによるＴｉＮ膜の形成工程を省略することが可能な成膜方法を提供する。 - 特許庁

To provide a pattern formation process of a semiconductor element for doubling a pattern density by double patterning technology in a partial region while forming a pattern having various widths simultaneously, and to provide a semiconductor element having a structure to which the process can be easily applied.例文帳に追加

多様な幅を有するパターンを同時に形成しつつ、一部領域ではダブルパターニング技術によりパターン密度を倍加させる半導体素子のパターン形成工程及び該工程を容易に適用可能な構造の半導体素子を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device manufacturing method that can suppress the formation of abnormal shapes of an object to be etched by gases and can ensure the line width controllability in a PEB process by degassing a photo resist before conducting the PEB process.例文帳に追加

ＰＥＢ工程を行う前にフォトレジスト内のガスを抜くことにより、ガスによる被エッチング物の形状異常の発生を抑制し、かつ、ＰＥＢ工程による線幅制御性を確保することができる半導体装置の製造方法を実現する。 - 特許庁

To provide a porous silica thin film having a low dielectric constant of the porous silica thin film, capable of fully withstanding mechanical strength enduring a CMP process in the copper wiring process of a semiconductor element and a small amount of contaminated gas generation at the formation of via holes.例文帳に追加

多孔性シリカ薄膜の比誘電率が低く、半導体素子の銅配線工程におけるＣＭＰ工程に十分耐える機械的強度を有し、かつ、ビア形成時の汚染ガス発生量の少ない、多孔性シリカ薄膜を提供する。 - 特許庁

In an element main body formation process in a process (2), an element main body 5 having an element layer constituted of a compound semiconductor is epitaxially grown in all the holes 4 or a portion of them in a status that the element main body 5 does not project from the upper part of the holes 4.例文帳に追加

次に、工程（２）の素子本体部形成工程にて、全ての孔部４またはその一部に、化合物半導体からなる素子層を有する素子本体部５を孔部４の上部から突出しない形でエピタキシャル成長させる。 - 特許庁

To provide an indicator sheet and a packing bag for plasma sterilization capable of detecting at a glance both processes of a chemical filling process and a plasma formation process, because the detection of both processes are important for a plasma indicator.例文帳に追加

薬剤充填過程とプラズマ化の両過程を検知することが、プラズマ滅菌用インジケーターにとって重要であり、本発明は、両過程を一目で検知可能とするプラズマ滅菌用インジケーターシートおよび包装体を提供することを主目的とする。 - 特許庁

A nozzle formation process is a process of forming a plurality of nozzles 14 to be a predetermined pitch in a nozzle plate 83 at a time by branching a laser light by a diffraction optical element 63 and applying a plurality of diffraction laser light to the nozzle plate 83.例文帳に追加

ノズル形成工程は、レーザ光を回析光学素子６３によって分岐させてノズル板８３に複数の回析レーザ光を照射することで、このノズル板８３に、所定ピッチとなるように複数のノズル１４を一度に形成する工程とする。 - 特許庁

In this analysis, whether optimization process is specified or not is determined based on a work period, a semi-work period, the machine cycle time, each event time in the unwrapped schedule and each heat formation process period and it judges active restraints that interfere improvements.例文帳に追加

この解析では、作業期間、準作業期間、マシーン・サイクル時間、アンラップ・スケジュールにおける各イベントに関する時間、各熱形成プロセス期間に基づいて、最適化プロセスが規定されるかを判定し、かつ、改善を阻害するアクティブ拘束を識別する。 - 特許庁

After a formation process of a piezoelectric element 73, at least one portion of an oscillation plate 53 between extracting electrodes 90 formed later is etched in an etching process under the conditions that etching residue of an upper electrode film 83 is removed without removing the oscillation plate 53.例文帳に追加

圧電素子７３の形成工程後、エッチング工程において、後に形成される引出電極９０間の振動板５３の少なくとも一部を、エッチング残り上電極膜８３が除去され、振動板５３が除去されない条件でエッチングする。 - 特許庁

To provide a growth method of gallium nitride crystal for restricting crack in a working process for thin film formation and growing a gallium nitride crystal with a large thickness and to provide a gallium nitride crystal substrate, epitaxial wafer and a production process of the epitaxial wafer.例文帳に追加

薄膜化をするための加工をする際に発生するクラックを抑制し、かつ厚みの大きい窒化ガリウム結晶を成長させることのできる、窒化ガリウム結晶の成長方法、窒化ガリウム結晶基板、エピウエハ、エピウエハの製造方法を提供する。 - 特許庁

Since a magnetic domain structure is made to be a single magnetic domain along with formation of the exchange coupling, an excitation process of an axis of hard magnetization becomes only uniform magnetization rotation, and increase in a ferromagnetic resonance line width associated with mixing of a magnetic wall movement magnetization process can be suppressed.例文帳に追加

また、交換結合の形成に伴い、磁区構造が単磁区化されるため、磁化困難軸励起過程が均一な磁化回転のみとなり、磁壁移動磁化過程の混入に伴う強磁性共鳴線幅の増加を抑制できる。 - 特許庁

Also, in the formation process of the protection film 31, the protection film 31 is formed so that the side face 27 of the pattern of the functional films 28 and 29 formed by the patterning process by wet etching can be covered with the formed protection film 31.例文帳に追加

また、保護膜３１の形成工程では、ウエットエッチングによるパターニング工程において、パターニングによって形成された機能膜２８，２９のパターンの側面２７が、形成した保護膜３１によって覆われるように、保護膜３１を形成する。 - 特許庁

The image forming apparatus 100 is provided with discriminating means 21, 30 to discriminate kinds of a cartridge B mounted on the apparatus main body A and is constituted so that process speed and/or process conditions of image formation are changed according to the discrimination result.例文帳に追加

画像形成装置１００は、装置本体Ａに装着されたカートリッジＢの種別を判定する判定手段２１、３０を有し、判定の結果に応じて画像形成のプロセススピード及び／又はプロセス条件を変更する構成とする。 - 特許庁

Since two processes of a heat treatment after a doping process and a heat treatment after the formation of a wiring can be substituted by a process for irradiating the substrate by a laser beam from the backside of the substrate, it is possible to reduce the number of processes.例文帳に追加

また、ドーピング処理後の熱処理と、配線形成後の熱処理という２つの工程を、配線形成後に基板の裏面側からレーザ光を照射するという１つの工程で行なうことで、工程数を削減することを可能とする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a flash memory device which can solve problems in small process margin and mass production margin in the existing process, while completely stripping a fence of dielectric layer in a gate formation process in which a thickness of a second conductive film used as a floating gate is over 1500 Å.例文帳に追加

フローティングゲートとして用いられる第２導電膜の厚さを１５００Å以上に適用するゲート形成工程で誘電体膜のフェンスを完全除去しながら、既存工程の工程時間及び量産性マージンが足りないという問題点を解決することが可能なフラッシュメモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

The formation method of the joint part includes a process for filling the powder of the particle size of 5 mm or less including modified sulfur and an inorganic fine aggregate in the joint part, a process for heating the powder filled in the joint part and melting the modified sulfur, and a process for cooling and solidifying the melted modified sulfur.例文帳に追加

本発明の目地部の形成方法は、改質硫黄及び無機系細骨材を含む粒径５ｍｍ以下の目地充填用粉末を、目地部に充填する工程と、目地部に充填した粉末を加熱し、改質硫黄を溶融する工程と、溶融した改質硫黄を冷却固化する工程とを含む。 - 特許庁

This resist pattern formation method includes a process for forming a lower-layer film (103) having polymer containing fluorine on a wafer substrate (101), a process for forming a resist film (104) on the lower-layer film, and a process for allowing the resist film to be subjected to pattern exposure and processing for obtaining the resist pattern (105).例文帳に追加

ウェハー基板（１０１）上に、フッ素含有ポリマーを含む下層膜（１０３）を形成する工程と、前記下層膜上にレジスト膜（１０４）を形成する工程と、前記レジスト膜に対しパターン露光および現像処理を施して、レジストパターン（１０５）を得る工程とを具備するレジストパターン形成方法である。 - 特許庁

The formation method of a silicon film includes: a process for applying a liquid material including a compound having at least a polymerization starting terminal onto a substrate; a process for applying a liquid material including at least a silicide onto the substrate; and a process for stopping a polymerization reaction.例文帳に追加

本発明に係るシリコン膜の形成方法は、少なくとも重合開始末端を有する化合物を含む液体材料を基板の上に塗布する工程と、少なくともケイ素化合物を含む液体材料を前記基板の上に塗布する工程と、重合反応を停止させるための工程と、を含む。 - 特許庁

By using the high-resolution photosensitive polyimide for an insulating film for the upper and the lower electrodes of the superconducting tunnel junction element, forming via holes in the insulating layer is accomplished only by a lithography process, and as compared to the insulating film formation using a vacuum process based on prior arts, a high cost is reduced and the process steps are greatly simplified.例文帳に追加

高解像感光性ポリイミドを超伝導トンネル接合素子の上部及び下部電極の絶縁膜として用いることにより、絶縁層へのビアホール加工がリソグラフィ工程のみで達成され、従来の真空プロセスを用いる絶縁膜形成に比べて、多大なコストが軽減され、大幅に工程を簡略化できる。 - 特許庁

The production method of a substrate for electric optical devices includes an amorphous layer formation process of forming an amorphous layer 9a on the base material 101, a crystalline nucleus production process of producing a crystalline nucleus in an amorphous layer 9a by heating treatment and a crystalline growth process of obtaining an electric conductive layer 9 by growing the produced crystalline nucleus by heating treatment.例文帳に追加

基材１０１上に非晶質層９ａを形成する非晶質層形成工程と、非晶質層９ａ中に加熱処理によって結晶核を生成させる結晶核生成工程と、生成した結晶核を加熱処理によって成長させて導電層９を得る結晶成長工程とを含む。 - 特許庁

In the method of manufacturing the fully-depleted SOI transistor, especially the NMOS transistor, there is a process for implanting impurities into an insulating film by an ion implantation method before or after a well formation process, thus restraining the diffusion of the impurities to an embedded insulating film owing to a variation in a thermal history in a manufacturing process.例文帳に追加

完全空乏型ＳＯＩトランジスタ、特にＮＭＯＳトランジスタの製造方法においてウエル形成工程前あるいは後に追加でイオン注入法を用いて絶縁膜に不純物注入を行う工程を有することで、製造過程における熱履歴のばらつきによる埋め込み絶縁膜への不純物の拡散を抑える。 - 特許庁

The method to repair damaged components of the turbine consists of three processes, the first process to cover the surface of any turbine component including a damaged part with a preliminary molding of solder, the second process to fix the preliminary molding of solder to the surface, and the third process to heat the turbine component to the proper temperature for formation of a brazed joint between the solder and the turbine component.例文帳に追加

本方法は、損傷部分を含むタービン部品の表面にろう材の予備成形体をかぶせる段階と、ろう材の予備成形体を表面に固定する段階と、ろう材とタービン部品との間にろう接継手を形成するのに有効な温度まで該タービン部品を加熱する段階とを含む。 - 特許庁

In the processing apparatus in which a lithographic printing plate coated with a photosensitive material subjected to image formation with an FM screen or a high-definition AM screen is processed through at least a developing process and a washing process in order, the lower roller 62B of a pair of inlet rollers 62 present at the inlet of the washing process 10 has projected and recessed parts and grooves.例文帳に追加

ＦＭスクリーンまたは高精細ＡＭスクリーンで画像形成する感光材料が塗設された平版印刷版を少なくとも現像プロセス、水洗プロセスを順に処理する処理装置において、水洗プロセス１０の入口にある一対の入口ローラ６２の下ローラ６２Ｂに凹凸部または溝を設けた。 - 特許庁

The outer peripheral part of the lens base material is worked into a prescribed shape by cutting (outer fairing process; step 32), thereafter, cut edge faces are polished up to the same extent as lens surface (polishing process; step 33) and the primer layer or the hard coat layer is formed on the surface of the lens base material (layer formation process; steps 34, 35).例文帳に追加

レンズ基材の外周部を切削により所定形状に切り出した（外整工程、ステップ３２）後、切削されたコバ面をレンズ表面と同程度まで研磨し（研磨工程、ステップ３３）、レンズ基材の表面にプライマー層またはハードコート層を形成する（層形成工程、ステップ３４および３５）。 - 特許庁

This method for forming a porous film comprises a primary film formation process for forming a primary film where skeletal materials and vacancy raw materials are contained in mixed states, a decomposing process for decomposing porous raw materials configuring the primary film, and an extraction process for extracting the porous raw materials decomposed by the decomposition process by using super-critical fluid.例文帳に追加

本発明による多孔質膜の形成方法は、骨格材料と孔源材料とが混合状態で含まれる一次膜を形成する一次膜形成工程と、前記一次膜を構成する孔源材料を分解する分解工程と、前記分解工程によって分解された孔源材料を超臨界流体を用いて抽出する抽出工程とを有する。 - 特許庁

The formation method of a thin-film transistor comprises a first process for forming a source electrode and a drain electrode in the element side board, a second process for forming a semiconductor layer brought into contact with the source electrode and the drain electrode, a third process for forming a gate insulating layer which overlaps with the semiconductor layer, and a fourth process for forming a gate electrode which overlaps with the gate insulating layer.例文帳に追加

薄膜トランジスタの形成方法が、素子側基板にソース電極およびドレイン電極を設ける第１の工程と、前記ソース電極およびドレイン電極に接する半導体層を設ける第２の工程と、前記半導体層に重なるゲート絶縁層を設ける第３の工程と、前記ゲート絶縁層に重なるゲート電極を設ける第４の工程と、を包含している。 - 特許庁

The method for treating substrate for subjecting a supplied substrate FB to prescribed treatment and recovering the substrate includes: a formation process of forming the substrate endlessly by bonding one end of the substrate to the other end thereof; a conveyance process of conveying the endless substrate; a treatment process of subjecting the conveyed substrate to a prescribed treatment; and a recovery process of recovering the substrate subjected to the prescribed treatment.例文帳に追加

供給された基板ＦＢに所定の処理を施し回収する基板処理方法であって、基板の一端を他端と接合して基板を無端状に形成する形成工程と、無端状の基板を搬送する搬送工程と、搬送された基板に所定の処理を施す処理工程と、所定の処理が施された基板を回収する回収工程と、を有する。 - 特許庁

There are included measurement of a small number of recording regions where data points characterizing a process are obtained, formation into a model of gradations of the printing process on the basis of the obtained data points by using a model curve in which various gradation behaviors of the process among various regimes are incorporated, and use of the model curve for obtaining a gradation correction curve to correct the process.例文帳に追加

プロセスを特徴付けているデータ・ポイントが得られる少数の記録領域を測定すること、得られたデータ・ポイントに基づき、種々のレジームの中でプロセスの種々のグラデーション挙動を組込んだモデル曲線を用いて印刷プロセスのグラデーションをモデル化すること、プロセスを校正するためのグラデーション修正曲線を得るためにモデル曲線を用いることを含む。 - 特許庁

The TMR element manufacturing method is provided with: a resist pattern formation process for forming a resist pattern on a generated TMR film; a first ion milling process for performing the ion milling using the resist pattern as a mask; a slimming process for slimming the resist pattern; and a second ion milling process for performing the ion milling of the TMR film again using the slimmed resist pattern as the mask.例文帳に追加

本発明のＴＭＲ素子製造方法は、生成したＴＭＲ膜上にレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、レジストパターンをマスクとしてＴＭＲ膜をイオンミリングする第１イオンミリング工程と、レジストパターンのスリミングを行うスリミング工程と、スリミングされたレジストパターンをマスクとしてＴＭＲ膜を再びイオンミリングする第２イオンミリング工程と、を備えるよう構成する。 - 特許庁

The manufacturing method for a fuel cell 100 comprises a first arrangement process of arranging a protection layer 20 made of formation metal of an oxide electrode or formation metal of an oxide electrolyte on a metal support 10 having gas permeability, a second arrangement process of arranging an oxide electrolyte 30 on the protection layer 20, and a calcining process of calcining the oxide electrolyte and the protection layer under an oxidizing atmosphere.例文帳に追加

本発明に係る燃料電池（１００）の製造方法は、ガス透過性を有する金属支持体（１０）上に酸化物電極の構成金属または酸化物電解質の構成金属からなる保護層（２０）を配置する第１配置工程と、保護層上に酸化物電解質（３０）を配置する第２配置工程と、酸化雰囲気において酸化物電解質および保護層を焼成する焼成工程と、を含むことを特徴とするものである。 - 特許庁

To find one method capable of producing tetramethoxybutene by an industrially simple process especially continuously in an excellent yield and reducing formation of pentamethoxybutane in the production.例文帳に追加

テトラメトキシブテンを工業的に簡単な方法でなかんずく連続的に良好な収量で製造することができ、その際にペンタメトキシブタンの形成を減少させる１つの方法を見出す。 - 特許庁

The blackened surface is exposed to various chemicals to be used for the etching process, and the reflectivity change of the blackened surface after copper mesh formation by etching is set to be 2 or less.例文帳に追加

黒色化処理した表面がエッチング工程に用いられる各種薬剤に暴露され、エッチングによる銅メッシュ形成後の黒色化された表面の反射率変化が２以下とした。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a flash memory device that prevents a thin tunnel oxide film from being formed at the upper corner of a trench during device separation film formation to which the STI process applies.例文帳に追加

ＳＴＩ工程を適用する素子分離膜の形成に関し、トレンチの上部コーナー部位でトンネル酸化膜が薄く形成される現象を防いだフラッシュメモリ素子製造方法の提供。 - 特許庁

To reduce a processing time required for the formation of a picture used in the energy subtraction processing and an energy subtraction picture and to reduce the storage capacity required in the process of the processing.例文帳に追加

エネルギーサブトラクション処理に用いられる画像やエネルギーサブトラクション画像の生成に要する処理時間を削減するとともに、処理の過程で要する記憶容量を削減する。 - 特許庁

To conduct substrate treatment such as the formation of a film, with a substrate in-plane temperature being uniformized, by suppressing the elastic deformation of the substrate caused by a difference in the substrate in-plane temperature during a substrate heat-up process.例文帳に追加

基板昇温過程における基板面内温度差に起因した基板の弾性変形を抑制し、基板面内温度均一状態で成膜等の基板処理を行えるようにする。 - 特許庁

When the transfer material is an OHT sheet, it is carried to the fixing unit at a speed faster than the process speed through the both-surface image formation path (S7, S12 to S25) to perform 2nd fixation (S26).例文帳に追加

そしてＯＨＴシートである場合、両面画像形成経路により該プロセススピードより高速で定着器まで搬送し（Ｓ７、Ｓ１２〜Ｓ２５）、２度目の定着を行なう（Ｓ２６）。 - 特許庁

To provide an optical recording medium which allows the formation of the homogeneous thin films of the optical recording medium dealing with a trend toward the higher density of a recording capacity and a process for producing the same and an apparatus for production therefor.例文帳に追加

記録容量の高密度化に対応した光記録媒体の均質な薄膜の膜形成が可能な光記録媒体およびその製造方法、製造装置を提供する。 - 特許庁

To extract a component of spatial frequency which particularly needs evaluation in formation of a device or in analysis of a material or process of edge roughness on a micro line pattern, and express it by an index.例文帳に追加

微細ラインパターン上のエッジラフネスのうち、デバイスの作成上あるいは材料やプロセスの解析上特に評価が必要となる空間周波数の成分を抽出し、指標で表す。 - 特許庁

A winding device 40 winds the resin film 11 to keep the fixed interval S between the wound layers of the resin film 11 after a molding process of the small protruding parts 13 by the small protruding part formation device 15.例文帳に追加

巻取装置40は小凸部形成装置15による小凸部13の成形工程後、樹脂フィルム11を巻き付けて小凸部13により樹脂フィルム11の間に一定の間隔Ｓを保持する。 - 特許庁

To provide an apparatus and a method whereby high-speed and high-quality image formation is carried out by reducing effects due to memory accessing that requires a high bandwidth generated in a process of image processing.例文帳に追加

画像処理過程で生じる高いバンド幅が要求されるメモリアクセスによる影響を低減して、高速かつ高品位な画像形成を行なう装置や方法を提供することである。 - 特許庁

To provide a cleaning device capable of easily recovering foreign matters, a process cartridge which has the cleaning device and is used for satisfactory image formation, and to provide an image forming apparatus.例文帳に追加

異物を簡単に回収することができるクリーニング装置、このようなクリーニング装置を有し、良好な画像形成を行うためのプロセスカートリッジ、および画像形成装置を提供する。 - 特許庁

Then the composite image for the nup printing wherein intermediate data of (n) pages including the intermediate data that the stamp image is put together with on one sheet is generated (formation process).例文帳に追加

そして、スタンプ画像が合成された中間データを含むｎページの中間データを１シート上に配置してｎｕｐ印刷を行うための合成画像を生成する（形成工程）。 - 特許庁