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「interconnection」に関連した英語例文の一覧と使い方(23ページ目) - Weblio英語例文検索
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interconnectionを含む例文一覧と使い方

該当件数 : 2610



例文

In some embodiments, underfil is placed between the sub-mount and either a first or second interconnection.例文帳に追加

幾つかの実施形態において、アンダーフィルが、サブマウントと第1及び第2の相互接続の一方との間に配置される。 - 特許庁

To overcome the problem of a prior art such that a small area high capacitance structure is required for an integrated circuit employing a copper interconnection.例文帳に追加

銅相互接続線路を使用した集積回路では、小さい面積の高静電容量構造が必要である。 - 特許庁

METHOD AND SYSTEM FOR DESIGNING INTEGRATED CIRCUIT LAYOUT INCLUDING METHOD FOR DETERMINING ARRANGING DIRECTION OF FUNCTIONAL BLOCK WHILE TAKING ACCOUNT OF INTERCONNECTION PERFORMANCE例文帳に追加

配線性を考慮した機能ブロックの配置方向の決定方法を含む集積回路レイアウト設計の方法と装置 - 特許庁

The head 2 is connected with the suction nozzle 3 so that the interconnection opening 13 and the connection opening 22 are interconnected.例文帳に追加

また、ヘッド本体2と吸着ノズル3とは、連通口13と接続口22とが連通するように接続する。 - 特許庁

例文

The MEMS interconnection pin has a pin base 58 attached to a frame 38 that has direct contact to the conductive layer.例文帳に追加

該MEMS接続ピンは、該導電層に直接接触しているフレーム38に付着されたピンベース58を有する。 - 特許庁


例文

To provide a circuit board excellent in an adhesiveness between an insulating resin layer and an interconnection layer.例文帳に追加

本発明は、絶縁樹脂層と配線層との間の密着性に優れた回路基板を提供することを課題とする。 - 特許庁

To provide an organic electroluminescent element (organic EL element) and an optical interconnection that improves its response speed.例文帳に追加

応答速度を向上せしめた有機エレクトロルミネッセンス素子(有機EL素子)とそれを用いた光インターコネクションの提供。 - 特許庁

Then, an interconnection, electrically connected to the conductive portion 11 inserted in the through-hole H1, is formed by using a droplet discharge method.例文帳に追加

そして、液滴吐出法を用いて、スルーホールH1内に臨む導電部11に導通する配線を形成する。 - 特許庁

An interconnection 4a for high-frequency power feeding penetrates through a variable valve 70 for adjusting exhaust of a vacuum chamber 2.例文帳に追加

高周波電力供給用の配線4aに真空チャンバ2の排気調整用可変バルブ70を貫通させる。 - 特許庁

例文

To provide a method of manufacturing a semiconductor device by less steps for power bus interconnection structure.例文帳に追加

電力バス相互接続構造の工程数を低減して製造できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

例文

To provide an interconnection structure with improved adhesion between a noble metal liner and dielectric material adjacent thereto.例文帳に追加

貴金属ライナとこれに隣接する誘電材料との間の付着性を向上させた相互接続構造を提供する。 - 特許庁

During the test, a photonic switch uses its transmitter to transmit light through an optical fiber interconnection to a second photonic switch.例文帳に追加

テスト中、光スイッチは、光ファイバ相互接続を介して光を第2の光スイッチに送信するためにトランスミッタを用いる。 - 特許庁

The interconnection elements can be arranged in a repetitive pattern that has a secondary pitch, which is substantially greater than the first pitch.例文帳に追加

相互接続素子は第1のピッチより実質的に大きい第2のピッチを有する反復パターンに配列され得る。 - 特許庁

The metal layer 51 is embedded in a second contact hole 50b to connect the dummy interconnection 52 to the n^+-type region 42.例文帳に追加

メタル層51は、第2コンタクト孔50bに埋入されてダミー配線52をn^+型領域42に接続している。 - 特許庁

DISTRIBUTED BRAGG REFLECTOR, SURFACE EMISSION LASER ELEMENT, SURFACE EMISSION LASER ARRAY, OPTICAL INTERCONNECTION SYSTEM AND OPTICAL COMMUNICATION SYSTEM例文帳に追加

分布ブラッグ反射器および面発光レーザ素子および面発光レーザアレイおよび光インターコネクションシステムおよび光通信システム - 特許庁

To provide a method for manufacturing a Through Silicon Via (TSV) interconnection structure reducing a bad influence on characteristics of an adjacent device.例文帳に追加

隣接デバイスの特性への悪影響を低減するTSV相互接続構造の製造方法を提供する。 - 特許庁

ALUMINIUM PAD POWER BUS FOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE USING COPPER TECHNOLOGY INTERCONNECTION STRUCTURE, AND SIGNAL ROUTING TECHNOLOGY例文帳に追加

銅技術相互接続構造を使用する集積回路デバイス用のアルミニウム・パッド電力バスおよび信号ルーティング技術 - 特許庁

The method includes a CVD step using copper as the material of the interconnection conductor substance together with the catalyst.例文帳に追加

ここに開示された発明は、触媒と共に銅を配線導電体物質の原料とするCVD工程を含む。 - 特許庁

METHOD AND DEVICE FOR CONTROLLING FLOW OF TCP CONNECTION ON FLOW-CONTROLLED NETWORK, AND INTERCONNECTION EQUIPMENT例文帳に追加

フロー制御されたネットワーク上におけるTCP接続のフローを制御するための方法および装置、相互接続機器 - 特許庁

Capacitors and interconnection structures for silicon carbide having silicon oxynitride layer as a dielectric structure are also provided.例文帳に追加

誘電体構造として酸窒化ケイ素層を有する炭化ケイ素用のコンデンサおよび内部接続構造もまた提供される。 - 特許庁

STEEL PIPE UNIT FOR STEEL PIPE CONCRETE COLUMN AND STRUCTURE AND METHOD FOR INTERCONNECTING STEEL PIPE CONCRETE COLUMN FORMED BY INTERCONNECTION THEREOF例文帳に追加

鋼管コンクリート柱のための鋼管ユニット、これを接続して成る鋼管コンクリート柱の接続構造及び接続方法 - 特許庁

To provide a method for removing silicon nitride film on a copper interconnection by etching, while suppressing generation of copper fluoride.例文帳に追加

銅配線上のシリコン窒化膜をエッチング除去する際に、銅フッ化物の生成を抑制したエッチング方法を提供する。 - 特許庁

To provide slurry for polishing a semiconductor wafer during metal interconnection formation and a polishing method using it.例文帳に追加

金属相互接続形成の際に半導体ウェーハを研磨するためのスラリと、それを用いた研磨方法を提供すること。 - 特許庁

INTERLAYER CONNECTION STRUCTURE OF MULTILAYER INTERCONNECTION BOARD, MANUFACTURING METHOD AND LAND SECTION FORMATION METHOD OF FLEXIBLE PRINTED CIRCUIT BOARD例文帳に追加

多層配線基板の層間接続構造及びフレキシブルプリント基板の製造方法並びにこの基板のランド部形成方法 - 特許庁

The interconnection apparatus can further comprise networking switch functions (115, 312) integrated to the substantially-rigid connection element.例文帳に追加

相互接続装置は実質的に剛性の接続要素に統合されたネットワークスイッチ機能(115,312)を更に備えることができる。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a semiconductor device that has reliable high-density multilayer interconnection with low resistance.例文帳に追加

低抵抗で信頼性の高い高密度多層配線を有する半導体装置の製造方法を提供することにある。 - 特許庁

SOURCE ALTERNATE MOCVD PROCESS OF DEPOSITING TUNGSTEN NITRIDE THIN FILM AS BARRIER LAYER FOR MOCVD COPPER INTERCONNECTION例文帳に追加

MOCVD銅インターコネクトのためのバリア層としてタングステンナイトライド薄膜を堆積するソースオールタネイトMOCVDプロセス - 特許庁

The wiring pattern 8 is formed in the interconnection region 4 by using an ink containing a conductive material.例文帳に追加

その配線パターン8は、配線領域4内において導電性の材料を含むインクを用いて形成されている。 - 特許庁

Afterward, the Damacene trench 670 is filled with the metal pattern of a copper wire that connects electrically to the interconnection contact 55.例文帳に追加

その後、ダマシントレンチ670を満たして連結コンタクト55に電気的に連結される銅配線の金属パターンを形成する。 - 特許庁

The interlayer insulation film 6 having low permittivity is formed over the base substrate 1 so as to fill spaces between the interconnection 5b.例文帳に追加

配線5b間を埋め込む状態で下地基板1の上方に低誘電率の層間絶縁膜6を形成する。 - 特許庁

SYSTEM AND APPARATUS FOR PROVIDING ELECTRICAL AND COOLING INTERCONNECTION IN MAGNETIC RESONANCE IMAGING (MRI) SYSTEM例文帳に追加

磁気共鳴撮像(MRI)システムにおいて電気的及び冷却的な相互接続を提供するためのシステム及び装置 - 特許庁

SYSTEM, METHOD, AND DEVICE FOR ROUTING SIGNAL FROM INTEGRATED CIRCUIT BY UTILIZING THICK FILM AND PRINTED CIRCUIT INTERCONNECTION例文帳に追加

厚膜及びプリント回路相互接続を利用して信号を集積回路からルーティングする為のシステム、方法及び装置 - 特許庁

To provide club head-shaft interconnections that have the integrity and rigidity of conventional club head-shaft interconnection.例文帳に追加

従来型のクラブヘッド対シャフト相互接続の完全性と剛性を備えたクラブヘッド対シャフト相互接続を提供する。 - 特許庁

PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION, PHOTOSENSITIVE ELEMENT, INSULATING RESIN MATERIAL, AND PRODUCTION OF MULTILAYER INTERCONNECTION BOARD USING THE SAME例文帳に追加

感光性樹脂組成物、感光性エレメント、絶縁樹脂材料及びそれを用いた多層配線基板の製造方法 - 特許庁

PROVIDER NETWORK INTERCONNECTION CONTROL METHOD, PROVIDER SERVER, SERVICE PROCESSING APPARATUS, ROUTING CHANGE REQUEST PROGRAM, AND SERVICE PROCESSING PROGRAM例文帳に追加

プロバイダ網相互接続制御方法、プロバイダサーバ、サービス処理装置、ルーチング変更要求プログラム、およびサービス処理プログラム - 特許庁

An interconnection device 100B transmits the Ethernet packet to be transmitted on the FL-net LAN line 40 to an Ethernet LAN line 60.例文帳に追加

相互接続装置100Bは、FL-netLAN回線40を伝送するイーサネットパケットをイーサネットLAN回線60に送信する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a multilayer interconnection board superior in high-frequency characteristics and reliability with proper productivity.例文帳に追加

高周波特性に優れ、且つ信頼性の高い多層配線板を生産性良く製造する方法を提供する。 - 特許庁

After a gate insulation film 25 is deposited, parts for forming a local interconnection 31 and a contact plug 32 are opened.例文帳に追加

また、ゲート絶縁膜25を堆積した後、局所配線31およびコンタクト・プラグ32の形成部をそれぞれ開孔する。 - 特許庁

When connecting an image signal generation source with an output device (projector 18) by a commercial interconnection cable, an image signal controller 10 detects and corrects the attenuation of the image signal caused by the length of the interconnection cable 20, the line type or the like.例文帳に追加

市販の接続ケーブルで画像信号発生源と出力装置(プロジェクタ18)を接続する場合に、接続ケーブル20の長さ、線種等に起因する画像信号の減衰を、画像信号制御装置10によって検出、補正するようにした。 - 特許庁

A plurality of foaming chambers 10 are formed while being divided in the second channel CH2 in correspondence with a plurality of nozzles 9, and the foaming chambers 10 are interconnected through a first interconnection portion 10a and a second interconnection portion 10b.例文帳に追加

第2の流路内CH1には、複数のノズル9に対応して複数の発泡室10が分割形成されており、各発泡室10は、第1連通部10a及び第2連通部10bを通じて発泡室10と連通している。 - 特許庁

Power is supplied to an inversion layer interconnection 15 at the end portion 19 and the central portion 20 of the memory mat, and an interconnection 14 formed in parallel with a word line WL (control electrode 6) is employed for power supply at the central portion 20 of the memory mat.例文帳に追加

反転層配線15へはメモリマットの端部19とメモリマットの中央部20において給電されており、メモリマットの中央部20での給電はワード線WL(制御電極6)と並行して形成された配線14が用いられる。 - 特許庁

To secure insulation between a transmission-side first circuit and a reception-side second circuit while correctly transmitting a signal when connecting an interconnection substrate to the transmission-side first circuit and the interconnection substrate to the reception-side second circuit by a pair of inductors.例文帳に追加

配線基板と送信側の第1回路、及び配線基板と受信側の第2回路とをインダクタ対によって接続するときに、信号を正確に伝達しつつ、第1回路と第2回路の間の絶縁を確保することができるようにする。 - 特許庁

To improve the adhesiveness between a metal interconnection layer and an insulation resin layer without applying a rough surface treatment and giving adverse influence on electrical characteristics or on insulation film characteristics, in a substrate comprising a multilayer interconnection layer and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

多層配線層を有する基板及びその製造方法に関し、粗面化処理を施すことなく且つ電気的特性或いは絶縁膜特性に悪影響を与えることなく、金属配線層と絶縁樹脂層との密着性を改善する。 - 特許庁

A first antenna coil 15 formed on the interconnection substrate 12 and a second antenna coil 16 formed on the interconnection substrate 13 are opposite in winding direction, and the number of turns of the second antenna coil 16 is larger than the number of turns of the first antenna coil 15.例文帳に追加

配線基板12に形成された第1アンテナコイル15と配線基板13に形成された第2アンテナコイル16は、巻き方向が互いに逆になっており、第2アンテナコイル16の巻き数は第1アンテナコイル15の巻き数よりも多い。 - 特許庁

The device preferably forms a battery protection circuit which is surface-mounted on a printed circuit board assembly (20) and connected to a battery/cell by battery strap interconnection, and microspot welding of one of the battery strap interconnection is performed to the welding plate of the device.例文帳に追加

デバイスは好ましくはプリント回路基板アセンブリ(20)に表面実装されて、バッテリストラップ相互接続によってバッテリ/セルに接続されるバッテリ保護回路を形成し、このバッテリストラップ相互接続の1つはデバイスの溶接板にマイクロスポット溶接される。 - 特許庁

To provide a semiconductor device equipped with an interlayer insulating film as materially one film using same insulating material in locations where arrangement densities of interconnection differ each other and causing parasitic capacitances each corresponding to the arrangement density of the interconnection in the each location, and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

1の層間絶縁膜について、配線の配置密度が異なる場所に同じ絶縁材料を使用し、且つ、配線の配置密度に対応した寄生容量を有する半導体装置或いは半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Then, after the slave station 9 outputs pseudo abnormal values to the interconnection protective relay 54, according to whether the slave station 9 receives a trip signal from the interconnection protective relay 54 or not, the slave station 9 transmits a test result indicating normal or abnormal to the key station 3 through the relay station 4.例文帳に追加

次に、連系保護リレー54に擬似的な異常値を出力した後、連系保護リレー54からトリップ信号を受信したか否かに応じて、正常又は異常の試験結果を中継局4経由で親局3に送信する。 - 特許庁

At the bottom of the insulation layer 3, the filling material 4 embedded in the insulation layer 3 on the top face side of the substrate 1 (or the first interconnection layer 2) is exposed and the substrate 1 (or the first interconnection layer 2) is in direct contact with part of the filling material 4.例文帳に追加

絶縁層3の底部では、基材1(または第1の配線層2)の上面側において絶縁層3に充填された充填材4が剥き出しになり、基材1(または第1の配線層2)は充填材4の一部と直に接している。 - 特許庁

To provide a method of forming a metal interconnection of a semiconductor device which can solve the problems caused by a defective contact between upper and lower metal interconnections, due to insufficient process margin in a process of forming the upper metal interconnection of the high integration semiconductor device.例文帳に追加

高集積半導体素子の上部金属配線形成工程において工程マージンの不足による下部金属配線との接触不良からの問題点を解決することができる半導体素子の金属配線形成方法を提供する。 - 特許庁

例文

Even if a long time elapses after turning off a power source and the interconnection parts become high resistance owing to deterioration, before reading or writing user data, good conductive state of the interconnection parts can be restored.例文帳に追加

この処理により、電源オフされた後に長い時間が経過し、上記相互接続部が劣化することで高抵抗となっていても、ユーザ・データのリードあるいはライトを行う前に、上記相互接続部の良好な導通状態を回復することができる。 - 特許庁




  
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