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「interconnection」に関連した英語例文の一覧と使い方(27ページ目) - Weblio英語例文検索
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interconnectionを含む例文一覧と使い方

該当件数 : 2610



例文

To provide an optical module which has such a structure as to reduce the inductance of an interconnection for connecting a semiconductor light emitting device and a driving device.例文帳に追加

半導体発光素子と駆動素子とを接続する配線のインダクタンスを低減できる構造を有する光モジュールを提供する。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR INTERCONNECTION CONSTITUTED BY USE OF METAL FILM CONTAINING CARBON NANOTUBE AND ITS MANUFACTURING METHOD, AND METHOD OF MANUFACTURING METAL FILM CONTAINING CARBON NANOTUBE例文帳に追加

カーボンナノチューブ含有金属膜を用いてなる半導体配線とその製造方法、およびカーボンナノチューブ含有金属膜の製造方法 - 特許庁

COPPER INTERCONNECTION STRUCTURE USING AMORPHOUS TANTALUM-IRIDIUM DIFFUSION BARRIER, FORMING METHOD THEREFOR, AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE BY THE METHOD例文帳に追加

アモルファスなタンタル−イリジウム拡散バリアを用いた銅相互接続構造、その形成方法、および該方法による半導体デバイス製造方法 - 特許庁

To provide a multilayer interconnection board that has low expansion properties, small change in capacitance, even under high-humidity atmosphere, and has superior stability.例文帳に追加

低膨張性を有し、高湿雰囲気下でも静電容量の変化が小さく、安定性に優れた多層配線基板を提供する。 - 特許庁

例文

To obtain a method for manufacturing a multilayer interconnection board for facilitating fine wiring while improving connection reliability between a via and a via hole.例文帳に追加

ビアとビアランドとの接続信頼性を向上させるとともに、微細配線化の容易な多層配線基板の製造方法を得る。 - 特許庁


例文

INTERCONNECTION OF POROUS LOW-DIELECTRIC CONSTANT DIELECTRICS WITH IMPROVED ADHESIVE PROPERTY FORMED BY PARTIAL COMBUSTION OF PORE FORMING AGENT ON SURFACE例文帳に追加

表面の細孔形成剤の部分燃焼によって生成される接着性を改善したポーラス低誘電率誘電体の相互接続 - 特許庁

The interconnection units are interconnected by other management communication line 140, and the conversion information of each VPN is exchanged.例文帳に追加

相互接続装置同士は、さらに別の管理用通信回線140によって接続され、互いのVPNの変換情報を交換する。 - 特許庁

To provide an electrical connector for coaxial cables that reduces manufacture, material, and mounting costs and achieves a strong environment-sealing interconnection.例文帳に追加

製造、材料、及び取り付けコストを低減し、強力な環境シール相互接続を実現した同軸ケーブルの電気コネクタを提供する。 - 特許庁

The mechanism interconnection part and plug part can be inserted and detached without moving each module to any of adjacent modules.例文帳に追加

機械的相互接続部とプラグ部は、各モジュールを隣接するモジュールのいずれも移動させずに挿入および取り外すことを可能とする。 - 特許庁

例文

A second conductive wiring layer 14A is formed through the intermediary of a first insulating layer 15, so that a multilayer interconnection can be realized.例文帳に追加

また、第1の絶縁層15を介して第2の導電配線層14Aを形成するので、多層配線を実現することができる。 - 特許庁

例文

When the second photonic switch detects the transmitted light, the optical fiber interconnection passes the continuity test.例文帳に追加

第2の光スイッチがそのレシーバにより送信された光を検出すると、光ファイバ相互接続は、連続性のテストに合格したことになる。 - 特許庁

The optical component 11 has an electric conductivity, and is used as part of the interconnection for connecting the driving device 13 and the laser diode 9.例文帳に追加

光学部品11は導電性を有しており、駆動素子13とレーザダイオード9とを接続する配線の一部として用いられる。 - 特許庁

After an interconnection groove 5 and a hole 6 are formed on the interlayer insulating film 4, a TaN film 7 and a Cu film 8 are sequentially formed.例文帳に追加

その後、層間絶縁膜4に配線溝5及びホール6を形成した後、TaN膜7及びCu膜8を順次形成する。 - 特許庁

The interconnection structure of a semiconductor device contains a tungsten plug (14) deposited in a via or a contact window (11).例文帳に追加

本発明によると、半導体デバイスの相互接続構造は、バイア或いはコンタクト窓(11)内に堆積されたタングステンプラグ(14)を含む。 - 特許庁

To obtain a stable multilayer interconnection board incorporating components by laminating a number of circuit boards where a plurality of electronic components are mounted.例文帳に追加

複数の電子部品が実装された回路板を多数積層して安定な部品内蔵多層配線板を得ることができるようにする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor package capable of forming buildup type multilayer interconnection structures with occurrence of metal board warpage prevented.例文帳に追加

金属板の反り発生を防止してビルドアップ多層配線構造を形成できる半導体パッケージの製造方法を提供する。 - 特許庁

A printed board 1 includes an insulation layer, with an interconnection 3a with one end serving as an electrode pad 4a formed on the top face of the insulation layer.例文帳に追加

プリント基板1は、絶縁層を有し、その上面に、一端部が電極パッド4aとなる配線3aが形成されている。 - 特許庁

Then, the semiconductor substrate 1 is heat-treated in a vacuum to remove a Cu oxide formed on the surface of the Cu interconnection 7a.例文帳に追加

次に、半導体基板1を真空中で熱処理を行い、Cu配線7aの表面に形成されたCu酸化物を除去する。 - 特許庁

To provide a connector device for circuit board interconnection capable of readily matching the conductive path pitch with an electrode pitch on a circuit board side.例文帳に追加

回路基板側の電極間ピッチに導電路間ピッチを容易に合わせることができる回路基板相互接続用コネクタ装置を得る。 - 特許庁

An interconnection device 100A transmits an Ethernet packet from an Ethernet LAN line 50 by utilizing an idle time of an FL-net LAN line 40.例文帳に追加

相互接続装置100Aは、イーサネットLAN回線50からのイーサネットパケットをFL-netLAN回線40の空き時間を利用して送信する。 - 特許庁

To provide a simple and inexpensive an optical interconnection device (OXC) without limiting channel spacing and the switching flexibility of the OXC.例文帳に追加

光相互接続装置(OXC)のチャネルスペーシング及びスイッチングのフレキシビリティを制限せず、簡易且つ安価なOXCを提供すること。 - 特許庁

Bonding interconnection information is obtained from the bonding device for wire bonding the electronic component according to a CAD wiring diagram information.例文帳に追加

CAD配線図情報の設定に従って電子部品にワイヤボンディングを行うボンディング装置からボンディング配線情報を取得する。 - 特許庁

To provide a multilayer package capable of performing a high density-interconnection by achieving a high frequency matching in a small installation area.例文帳に追加

小さな設置面積での高周波マッチングを実現することによって、高密度の相互接続を可能とする多層パッケージを提供する。 - 特許庁

These APIs provide for access to, and interconnection of, messaging systems whose architecture is in accordance with the CCITT/ISO X.400 Series of standards. 例文帳に追加

これらのAPIは, そのアーキテクチャがCCITT/ISO X.400シリーズの標準に合致するメッセージング・システムへのアクセス, およびそれへの相互接続とを提供する. - コンピューター用語辞典

Since the Ti film is used for interconnection, the thin film capacitor 12 can be fabricated integrally on the semiconductor substrate 1 through a high temperature process.例文帳に追加

Ti膜を配線に使用することで、薄膜コンデンサ12の形成を高温プロセスで、半導体基板1上に一体化できる。 - 特許庁

When the light cannot be detected, the optical fiber interconnection has a fault that must be repaired.例文帳に追加

第2の光スイッチが光を検出できないときは、光ファイバ相互接続は、交換されなければならない故障を持っていることになる。 - 特許庁

In particular, the interconnection line has a line width thinner than that of the microstripline so as to have a characteristic impedance higher than that of the microstripline.例文帳に追加

特に、中継ラインは、マイクロストリップラインよりも特性インピーダンスが高くなるよう、該マイクロストリップラインの線幅よりも細い線幅を有する。 - 特許庁

The image sensor according to an embodiment includes a first substrate where a lower interconnection 110 and the circuitry are formed, a crystalline semiconductor layer bonded to the first substrate 100 in contact with the lower interconnection 110, the photodiode formed in the crystalline semiconductor layer to be electrically coupled to the lower interconnection, and a light shield layer formed in the photodiode.例文帳に追加

実施の形態によるイメージセンサは、下部配線と回路(circuitry)が形成された第1基板と、前記下部配線と接触するとともに前記第1基板とボンディングされた結晶半導体層(crystalline semiconductor layer)と、前記結晶半導体層内に前記下部配線と電気的に連結されるように形成されたフォトダイオードと、前記フォトダイオード内に形成された光遮断層と、を含むことを特徴とする。 - 特許庁

The solar cell module 12 comprises a printed circuit board medium which comprises an interconnection path of a prescribed pattern; a plurality of solar cells 16 which are arrayed in matrix on the printed circuit board medium and connected with the interconnection path of the prescribed pattern; and an integrated circuit 14, which comprises a program for specifying a sub-pattern reconfigurable from the interconnection path of the prescribed pattern.例文帳に追加

太陽セルモジュール12は、予め規定されたパターンの相互接続路を有する印刷回路板媒体と、印刷回路板媒体上にマトリクスで配列され、予め規定されたパターンの相互接続路によって接続されている複数の太陽セル16と、予め規定されたパターンの相互接続路から再構成可能なサブパターンを規定するプログラムを有している集積回路14とを備えていることを特徴とする。 - 特許庁

The semiconductor device includes: a semiconductor substrate having a semiconductor device on a surface thereof; an interconnection formed on the semiconductor substrate; a via connected to the under side of the interconnection; a first insulating film formed on the same layer of the via; and a second insulating film integrally formed between the first insulating film and the interconnection, and between the first insulating film and the via.例文帳に追加

本発明の実施の形態による半導体装置は、表面に半導体素子を有する半導体基板と、前記半導体基板上に形成された配線と、前記配線の下側に接続されるビアと、前記ビアと同じ層に形成された第1の絶縁膜と、前記第1の絶縁膜と前記配線との間、および前記第1の絶縁膜と前記ビアとの間に一体に形成された第2の絶縁膜と、を有する。 - 特許庁

The image sensor comprises: the readout circuit 120 formed in a first substrate 100; the interconnection 150 electrically connected to the readout circuit 120 and formed on the first substrate 100; the image sensing part 210 formed on the interconnection 150; and a via plug 250 formed at a pixel boundary so as to electrically connect the image sensing part 210 and the interconnection 150.例文帳に追加

本発明によるイメージセンサは第1基板100に形成されたリードアウト回路120と、前記リードアウト回路120と電気的に接続されて前記第1基板100上に形成された配線150と、前記配線150上に形成されたイメージ感知部210と、前記イメージ感知部210と前記配線150が電気的に接続されるようにピクセル境界に形成されたビアプラグ250と、を含むことを特徴とする。 - 特許庁

(2) The specified interconnection charges of NTT East and NTT West during the period specified in the applicable Ordinance of MIC specified in the preceding paragraph shall, in accordance with the method specified in the applicable Ordinance of MIC, calculated based upon the amount of money by adding together costs pertaining to the specified interconnection charges of NTT East and NTT West. In this case, said specified interconnection charges shall be deemed to be in compliance with Article 33 paragraph (4) item (ii). 例文帳に追加

2 前項に規定する総務省令で定める期間における東会社と西会社の特定接続料は、総務省令で定める方法により、それぞれの特定接続料に係る原価を合算した額に基づいて算定するものとする。この場合において、当該特定接続料は、電気通信事業法第三十三条第四項第二号に適合しているものとみなす。 - 日本法令外国語訳データベースシステム

In order to compensate the defective image caused by the difference of length between the interconnection lines with the capacitor of a layered structure type, a conductive layer is formed so that thicknesses of interconnection line parts for applying a signal from a driving integrated circuit to a liquid crystal display panel are differentiated, or the center part on a substrate of the interconnection line part has a wider area than the peripheral part thereof.例文帳に追加

本発明は、相互接続線は、配線の長さの差による画像不良を積層構造方式のキャパシタンスに補償するため、ドライブICからの信号を液晶表示パネルに印加するための相互接続線部の厚さを異にしたり、相互接続線部の基板上の中央部分が周辺部分より更に広い面積を有するように導電層を形成してあることを特徴とする。 - 特許庁

In the manufacturing process of the semiconductor device, a first connection element 14a for applying the first fixed voltage Vdd to the output interconnection 16 or a second connection element 14b for applying the second fixed voltage GND to the output interconnection 16 is selectively formed at a predetermined place in the device.例文帳に追加

本半導体装置の製造工程において、出力配線16に第1固定電圧Vddを印加する第1接続素子14aまたは、出力配線16に第2固定電圧GNDを印加する第2接続素子14bのいずれかを、所定の箇所に選択的に形成する。 - 特許庁

When a signal interconnection 5 is formed so as to cross a grounding conductor pattern 7, a parallel grounding line 10 is formed in such a way that it is parallel to the signal interconnection 5 and that it connects grounding patterns 6 formed on both end sides of the crossed grounding conductor pattern 7.例文帳に追加

信号配線5をグランド用導体パターン7を跨いで配線する場合、この信号配線5に対して並行でかつ跨いだグランド用導体パターン7の両端側に形成されたグランド用導体パターン6間を接続するように並行グランド線10を形成した。 - 特許庁

The interconnection structure of the invention has improved technical extensibility for semiconductor society compared with the interconnection structure of the prior art in which a barrier material is formed by a conventional PVD process, conventional ionized plasma deposition, CVD, or ALD.例文帳に追加

本発明の相互接続構造体は、従来のPVDプロセス、従来のイオン化プラズマ堆積、CVD、又はALDによってバリア材料が形成される従来技術の相互接続構造体と比べると、半導体業界のための改善された技術拡張性を有する。 - 特許庁

To provide the manufacturing method, of multilayer interconnection boards, that is advantageous for mass production, since a gap for forming an insulating layer is controlled easily, can thin the entire board, and is also advantageous to the planarization of a board surface; and to provide the multiplayer interconnection boards obtained by the manufacturing method.例文帳に追加

絶縁層を形成するためのギャップの制御が容易なため量産化に有利であり、しかも基板全体の薄層化が可能で、基板表面の平坦化にも有利な多層配線基板の製造方法、並びに、その製法で得られうる多層配線基板を提供する。 - 特許庁

A semiconductor chip 24 is mounted close to a wiring board, on one main face 30u of a substrate 40, comprising the wiring board 30 having an insulation property and the interconnection 32 having conductivity, via a die bonding layer 26, solder resist layer 34c and the interconnection 32a, and these are covered by a sealing resin 38.例文帳に追加

絶縁性を有する配線板30と導電性を有する配線32とを含んで構成される基板40の一方の主面30uに、半導体チップ24が、ダイスボンド層26、ソルダーレジスト層34c及び配線32aを介して配線板に密着されて搭載され、封止樹脂38でこれらを覆う構造とする。 - 特許庁

Then the interconnection groove is completed by etching and removing the second insulation film 107 and the intermediate stopper film 106 using the upper groove 110 as a mask and the via hole is connected with the lower interconnection 101 by etching and removing the cap layer 104 exposing at the bottom of the via hole 112.例文帳に追加

そして、上溝110をマスクに第2絶縁膜107及び中間ストッパ膜106をエッチング除去して配線溝を完成すると共にビアホール112の底部に露出したキャップ層104をエッチング除去してビアホールを下層配線101と接続する。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a first interconnection 31 with a signal transmitted, a plurality of pads 11, 12, 13, and first switching elements 33a, 33b, 33c provided electrically in parallel each other and respectively connecting the pads 11, 12, 13 to the first interconnection 31.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置は、信号が伝送される第1の配線31と、複数のパッド11,12,13と、電気的に互いに並列であり、パッド11,12,13それぞれを第1の配線31に接続する第1のスイッチング素子33a,33b,33cとを具備する。 - 特許庁

In the method for forming the multilayer interconnection in which the multilayer interconnection 50 is formed on a semiconductor substrate 1, a first aluminum wiring 17 is formed on an ILD (inter layer dielectric) 11 so that the wiring 17 may come into contact with the upper surface of a first plug electrode 13 after the electrode 13 is formed in a contact hole H.例文帳に追加

半導体基板1に多層配線50を形成する方法であって、コンタクトホールH内に第1プラグ電極13を形成した後、この第1プラグ電極13の上面と接触するようにILD11上に第1アルミ配線17を形成する。 - 特許庁

Also, a flip-chip package includes the die having solder bumps attached to interconnection pads in an active surface, and a substrate having the narrow interconnection pads on electrically conductive traces in a die attaching surface, and the bumps on the substrate are fitted onto the narrow pads on the traces.例文帳に追加

また、フリップチップパッケージは、活性表面において配線パッドに取り付けられた半田の隆起を有しているダイと、ダイ取り付け表面において導電性トレースの上に狭い配線パッドを有している基板とを含んでおり、上記基板における隆起は、トレース上の狭いパッドに嵌合される。 - 特許庁

In a MISFETQ, although the mask 10 is used to expose a gate electrode pattern having a larger gate length Lg, similarly the mask 20 is used to expose a connecting interconnection section which has a fine interconnection width Wj and a contact section having a contact width Wp.例文帳に追加

MISFETQにおいて、レベンソン位相シフトマスク10は最も微細なゲート長Lgを持つゲート電極のパターンを露光し、ハーフトーン位相シフトマスク20はゲート長Lgよりは大きいが同様に微細な配線幅Wjを持つ接続配線部、コンタクト幅Wpを持つコンタクト部を露光する。 - 特許庁

A connection structure 50 is formed by providing two bands 15 extending from the circuit unit 11 of the wiring board 10 serving as one interconnection object and fastening a wiring board (PCB) serving as the other interconnection object and the flexible wiring board with the bands 15.例文帳に追加

一方の配線体のフレキシブル配線板10の回路部11から延びる2本の帯15を備え、その帯15によって、他方の配線体である配線基板(PCB)と、当該フレキシブル配線板とを締結して、接続構造体50を形成することを特徴とする。 - 特許庁

To determine a target value of power at an interconnection point based on a predicted value of power generation by a naturally varying power supply without use of climate forecasting information to enhance the power quality at the interconnection point, and to provide a simple and inexpensive micro-grid system.例文帳に追加

自然変動電源の発電予測値に基づいて系統連系点での潮流目標値を決定する際に、気象予測情報を用いることなく決定し、系統連系点における電力品質を向上すると共に、簡易で廉価なマイクログリッドシステムを提供する。 - 特許庁

The light emitting module 10 has: a metal substrate 12; multilayer interconnections (first and second interconnection layers 14, 18) formed on the upper surface of the metal substrate 12; and a light-emitting device 20 electrically connected to the upper layer, namely the second interconnection layer 18.例文帳に追加

本発明の発光モジュール10は、金属基板12と、金属基板12の上面に形成された多層配線(第1配線層14および第2配線層18)と、上層の第2配線層18に電気的に接続された発光素子20とを備えた構成となっている。 - 特許庁

To provide a method for correcting an FIB wiring of a flip-chip LSI by an FIB of only a normal ion beam, by enabling removal of the upper layer interconnection and the lower layer interconnection on an FIB processing region through wet etching.例文帳に追加

FIB加工領域上の上層配線および下層配線をウェットエッチングで除去することができるようにすることにより、通常のイオンビームのみのFIBで、フリップチップLSIのFIB配線修正加工が可能である、フリップチップLSIの配線修正方法を提供する。 - 特許庁

To reduce overheads of wiring resources without decreasing flexibility of function expression of logic for an interconnection structure for inter-connecting between an external wiring and a logic cells group including a plurality of logic cells and a logic circuit device having the interconnection structure.例文帳に追加

外部配線と複数の論理セルを含む論理セル群とを相互に接続する相互接続構造、および相互接続構造を有する論理回路装置に関し、論理のファンクション表現の柔軟性を低下させることなく配線リソースのオーバヘッドを低減させることを目的とする。 - 特許庁

At least one or more capacitors having conductive layers on and beneath a dielectric layers are arranged across adhesive layers in only the region having interconnection circuits and no interconnection circuits of a capacitor supporting layer arranged in an inner layer to form the multilayer printed circuit board with built-in capacitor.例文帳に追加

配線回路を有し、且つ、内層に配されているキャパシタ支持層の配線回路がない領域にのみ、誘電体層の上下に導体層を有するキャパシタが、接着層を介して少なくとも1つ以上配置されていることを特徴とするキャパシタ内蔵型多層プリント配線板。 - 特許庁

例文

A chip package 40 achieves miniaturization and excellent high-speed operation by employing flip chip interconnection between a die 24 and a package substrate 42 and mounting a chip on the same side of the package substrate 42 as solder balls 28 for the second level interconnection to a printed circuit board.例文帳に追加

ダイ24とパッケージ基板42との間にフリップチップ相互接続を用い、プリント回路基板に第2レベルの相互接続をするための半田ボール28と同じ側のパッケージ基板42にチップを取り付けることにより、チップパッケージ40が小型化及び優れた高速動作を達成する。 - 特許庁




  
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※この記事は「日本法令外国語訳データベースシステム」の2010年9月現在の情報を転載しております。
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