interconnectionを含む例文一覧と使い方
該当件数 : 2610件
To provide a system interconnection protective device capable of enhancing reliability of frequency detection accuracy and capable of detecting and protecting single operation of a normal service generator under system interconnection positively and easily on the normal service generator side.例文帳に追加
周波数の検出精度の確度を高めることができ、系統連系中の常用発電装置の単独運転を常用発電装置側で確実にかつ容易に検出して保護することが可能な系統連系保護装置を提供する。 - 特許庁
To provide a multilayer circuit interconnection board for reducing position deviation between laminated conductor layers or between insulating layers, and further improving the fining and high density structure in a circuit pattern, and to provide a method for manufacturing the multilayer circuit interconnection board.例文帳に追加
積層される導体層あるいは絶縁層の間において位置ずれが少なく、回路パターンの微細化および高密度化を、より一層、図ることのできる、多層回路配線板、および、その多層回路配線板の製造方法を提供すること。 - 特許庁
The restriction layer 4 has a plurality of piezoelectrics 8 laid in layers, and individual interconnection electrodes 9 and a common interconnection electrode 10 arranged between the piezoelectrics 8 of respective layers, and regulates displacement of the active layer 2 for one side.例文帳に追加
拘束層4は、互いに積層された複数の圧電体8と、各層の圧電体8間に配置された個別中継電極9及びコモン中継電極10とを有し、一方側に対する活性層2の変位を規制する層である。 - 特許庁
Relatively narrow second interconnection trenches 121 are formed in the second region of the second insulation film 104 and second embedded interconnections 123 of a copper film embedded by plating are formed in the second interconnection trenches 121.例文帳に追加
第2の絶縁膜104の第2の領域には、相対的に狭い溝幅を持つ第2の配線溝121が形成されており、該第2の配線溝121にはめっき法による埋め込まれた銅膜からなる第2の埋め込み配線123が形成されている。 - 特許庁
The inverter device 1 including a semiconductor element 16, input terminals 18, interconnection terminals 22 and output terminals 20 for the semiconductor element, and an insulating substrate 14 for mounting the semiconductor element, the input terminals, the interconnection terminals and the output terminals has such a separated module as the input terminals, the interconnection terminals and the output terminals are independent from other terminals.例文帳に追加
半導体素子16と、半導体素子に対する入力端子18、中継端子22及び出力端子20と、半導体素子、入力端子、中継端子及び出力端子を実装する絶縁基板14と、を備えたインバータ装置1において、入力端子、中継端子及び出力端子の各々を、他の端子に対して独立した分割モジュールとする。 - 特許庁
By using a mixed gas composed of CHF_3 and N_2 in forming interconnection grooves 30 on the Cu interconnections 21 by dry-etching a multilayer film including a silicon carbide/nitride film, sidewalls of the interconnection grooves 30 are worked perpendicular and the trouble allowing deposits or the insulating reaction byproducts to adhere on the surface of the Cu interconnections 21 exposed on the bottoms of the interconnection grooves 30 is suppressed.例文帳に追加
炭化窒化シリコン膜を含む積層膜をドライエッチングしてCu配線21の上部に配線溝30を形成する際、CHF_3とN_2とからなる混合ガスを使用することにより、配線溝30の側壁を垂直に加工すると共に、配線溝30の底部に露出したCu配線21の表面に堆積物や反応物が付着する不具合を抑制する。 - 特許庁
In a semiconductor device including a contact layer, a metal interconnection and an interlayer insulating film on a semiconductor substrate having a gate electrode formed thereon, the interlayer insulating film is formed on the metal interconnection by bias-applied plasma CVD using source gas containing hydrogen atoms, and a silicon oxynitride film is provided in the underlayer of the metal interconnection and the interlayer insulating film.例文帳に追加
ゲート電極を形成した半導体基板上に、コンタクト層と、金属配線と、層間絶縁膜とを備える半導体装置であって、層間絶縁膜は、水素原子を含む原料ガスを用いて、バイアス印加したプラズマCVDにより金属配線上に形成し、金属配線および層間絶縁膜の下層にシリコン酸窒化膜を有することを特徴とする。 - 特許庁
The image sensor includes: a first substrate on which a circuit containing an interconnection is formed; an amorphous layer formed on the first substrate so as to selectively make contact with the interconnection; and a photodiode bonded to the first substrate while making contact with the amorphous layer, and formed in a crystal type semiconductor layer so as to be electrically connected to the interconnection.例文帳に追加
本発明によるイメージセンサは、配線を含む回路が形成された第1基板と、前記配線と選択的に接触するように前記第1基板上に形成された非晶質層と、及び前記非晶質層と接触しながら前記第1基板とボンディングされて、前記配線と電気的に繋がるように結晶型半導体層に形成されたフォトダイオードを含むことを特徴とする。 - 特許庁
To provide a cleaning agent used in a cleaning process after a flattening polishing process in a manufacturing process of a semiconductor device having a copper interconnection, wherein corrosion and oxidation of the copper interconnection and surface roughening of the flattened interconnection on a substrate due thereto, are suppressed and impurities on a semiconductor device surface can effectively be removed, and to provide a cleaning method using the same.例文帳に追加
銅配線を備えた半導体デバイス製造工程における平坦化研磨工程後の洗浄工程に用いられる洗浄剤であって、銅配線の腐蝕や酸化、それに起因する平坦化された基板上配線の表面荒れの発生が抑制され、且つ、半導体デバイス表面の不純物を有効に除去し得る洗浄剤及びそれを用いた洗浄方法を提供する。 - 特許庁
To provide an electrical-optical hybrid three-dimensional semiconductor module in which semiconductor devices are mounted three-dimensionally while shortening the interconnection between respective semiconductor devices, and attaining scaling-down and densification.例文帳に追加
半導体ディバイスを三次元実装し、各半導体ディバイス間の配線の短縮化、微細化、高密度化を図る。 - 特許庁
To provide a method for forming a metal pattern of a semiconductor element, which reduces a contact resistance against a interconnection contact.例文帳に追加
連結コンタクトとの接触抵抗を減少させることができる半導体素子の金属パターン形成方法を提供する。 - 特許庁
To improve efficiency of an inverter circuit to reduce loss of a system interconnection power converter in a comparatively easy circuit configuration.例文帳に追加
比較的簡単な回路構成でインバータ回路の効率を向上させて、系統連系電力変換装置の損失を低減する。 - 特許庁
In the through-hole 4, a through-hole interconnection 6 is formed by plating from the bottom of the recessed portion 3 to the rear face of the substrate 2.例文帳に追加
貫通穴4には凹部3の底面から基板2の裏面にかけてスルーホール配線6がメッキにより形成してある。 - 特許庁
To provide a semiconductor device having high reliability wherein the voids in a buried interconnection are suppressed, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加
埋め込み型配線においてボイドの発生を抑えた信頼性の高い半導体装置とその製造方法を提供する。 - 特許庁
The controller may be controlled so as to increase the generated power output of an inverter 62 to a rated output during a system interconnection operation.例文帳に追加
系統連系運転中には、定格出力までインバータ62の発電出力を増加させるように制御してもよい。 - 特許庁
After ashing the first organic film 8, the stopper film 3 is dry-etched to form a via hole which reaches a copper interconnection layer 1.例文帳に追加
第1の有機膜8をアッシングした後、ストッパー膜3をドライエッチングして銅配線層1に達するビアホールを形成する。 - 特許庁
A first interconnection 13 is formed along a groove of a substrate SB1 and on a bottom surface of the groove, and has a first thickness.例文帳に追加
第1の配線13は、基板SB1の溝部に沿って溝部の底面上に設けられ、第1の膜厚を有している。 - 特許庁
OPTICAL MODULATOR AND ITS MANUFACTURING METHOD, MODULATION OPTICAL SYSTEM AND OPTICAL INTERCONNECTION DEVICE USING SAME, AND OPTICAL COMMUNICATION DEVICE例文帳に追加
光変調器とその製造方法並びに変調光学系とこれを用いた光インターコネクト装置並びに光通信装置 - 特許庁
To provide a compact servo system with interconnection saving when realizing a high precision full close control for network connection.例文帳に追加
ネットワーク接続における高精度なフルクローズ制御を実現するに際し、省配線が可能で小型のサーボシステムを提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor device of such a structure as cracking can be prevented at the pad portion and the underlying interconnection, and destruction of a semiconductor element can be prevented.例文帳に追加
パッド部や下層配線等のクラック、半導体素子の破壊を防止できる構造の半導体装置を提供する。 - 特許庁
One end of a main interconnection 15 is connected to the through hole 16, and the other end is connected to the pin 14 of a buffer IC 3.例文帳に追加
主配線15の一端はスルーホール16に接続されており、他端はバッファIC3のピン14に接続されている。 - 特許庁
Furthermore, the through holes 13, 16, 17 are arranged while spaced apart by the length r or more in the same direction from the edge of the individual interconnection electrode 7.例文帳に追加
また、スルーホール13,16,17は、個別中継用電極7の縁から同方向にr以上離れて配置されている。 - 特許庁
A first interconnection 22 comprises a conductive material arranged in a wiring groove 31 formed on the viahole in the porous insulating film.例文帳に追加
第1配線22は、多孔質絶縁膜内のビア上に形成された配線溝31内に配設された導電材料からなる。 - 特許庁
MULTILAYER INTERCONNECTION BOARD FOR WAFER COLLECTIVE CONDUCT BOARD, CONNECTOR CONNECTING TO IT, CONNECTION STRUCTURE FOR THEM, AND INSPECTING DEVICE例文帳に追加
ウエハ一括コンタクトボード用多層配線基板、該多層配線基板に接続するコネクタ、及びそれらの接続構造、並びに検査装置 - 特許庁
The semiconductor device 10 comprises the electronic component 12 mounted on an interconnection substrate 11 and a plug 13 for plug connection.例文帳に追加
半導体装置10は、配線基板11上に搭載された電子部品12とプラグ接続のためのプラグ13とを備える。 - 特許庁
A common n-side electrode pad 106b is connected to an individual p-side electrode pad 107 via a connecting interconnection 130.例文帳に追加
共通n側電極パッド106bは、接続用配線130を介して、個別p側電極パッド107に接続されている。 - 特許庁
The gateway 103 originates a call through an interconnection point 51 and a subscriber telephone network 50 to a subscriber telephone 60 of the destination.例文帳に追加
ゲートウェイ103は相互接続点51、加入者電話網50を介して宛先の加入者電話機60に発呼する。 - 特許庁
Bonding members 30 are made of silver-based conductor or silver palladium-based conductors and are connected to interconnection portions 20 of the silver-based conductors.例文帳に追加
ボンディング部材30は銀系導体または銀パラジウム系導体からなり、銅系導体の配線部20と接続されている。 - 特許庁
To provide a technology for enhancing the light extraction efficiency without narrowing the interconnection width of an electrode on the light extraction side.例文帳に追加
光取り出し側の電極の配線幅を細くしなくても、光取り出し効率を高めることができる技術を提供する。 - 特許庁
That is, in the interconnection structure of the invention, w_t/h_t fraction is equal to or more than 100%.例文帳に追加
すなわち、本発明の相互接続構造体において、w_t/h_t比は、100%に等しいか又はそれより大きい。 - 特許庁
In the photovoltaic module, electrical interconnection between the photovoltaic cells are achieved by a metal stitch, staple, grommet, metal tape, wire or the like.例文帳に追加
相互接続を金属ステッチ、ステープル、グロメット或いは金属テープ、ワイアなどにて、電気的に接続される太陽電池モジュール。 - 特許庁
To effectively polish a copper interconnection while reducing a noise level of a noisy stick-slip phenomenon which continues over a polishing cycle.例文帳に追加
研摩サイクルに渡って継続する騒がしいスティック−スリップ事象のノイズレベルを下げながら銅配線を効果的に研磨する。 - 特許庁
To provide a barrier layer for the interconnection structure of a semiconductor wafer and a method of depositing the barrier layer.例文帳に追加
本発明は半導体ウェーハの相互接続構造に対するバリア層及びバリア層を堆積するための方法を提供する。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of a semiconductor device which prevents deterioration of characteristics and reliability when copper interconnection is used.例文帳に追加
銅配線を用いた場合に、特性や信頼性の低下を防止することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
An interlayer insulating film 4 is formed on a semiconductor substrate 1 on which a base insulating film 2 and a lower layer interconnection 3 are formed.例文帳に追加
下地絶縁膜2及び下層配線3が形成された半導体基板1上に層間絶縁膜4を形成する。 - 特許庁
To suppress the fall of transfer throughput in plural packets composing data transfer at an interconnection network in a parallel computer system.例文帳に追加
並列コンピュータシステム内のインターコネクションネットワークでの複数パケット構成データ転送における転送スループットの低下を抑える。 - 特許庁
Alternatively, one of adjacent lines is shifted to other interconnection layer and a shield line is laid in the vacated region.例文帳に追加
または、隣接する配線のうち一方の配線を他の配線層に移動させ、それにより空いた領域にシールド線を配線する。 - 特許庁
At the fixing portion, there is provided a gap Pa for interconnection for causing a tip portion 1A of a tail body 1 formed in substantially cylindrical shape to be inserted therethrough.例文帳に追加
該固定部に、略筒状を成したテール本体1の先端部1Aを挿入せしめる連結用間隙Paを設ける。 - 特許庁
To provide a rigid-board interconnection structure which gives a long bending life free from stress concentration in flexible boards when the flexible boards are bent.例文帳に追加
屈曲時にフレキシブル基板に応力集中が起こらず、屈曲寿命の長いリジッド基板の接続構造を提供する。 - 特許庁
To make a user recognize reduction in generation of carbon dioxide, in a system interconnection type solar generator.例文帳に追加
系統連系型太陽光発電装置において、ユーザの二酸化炭素の発生が如何に減少するのか認識できるようにする。 - 特許庁
To provide a ferrule which prevents scattering of light on the end face of the ferrule to be used for interconnection of optical fiber connectors.例文帳に追加
光ファイバーコネクタ相互接続時に用いるフェルールの端面部における光の乱反射を防止するフェルールを提供する。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a semiconductor integrated device which can prevent the corrosion of an external interconnection on a side face of an element.例文帳に追加
素子側面にある外部配線の腐食を防ぐことが出来る半導体集積装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
The portable display device has a display screen housed in a display screen housing equipped with an interconnection module docking port.例文帳に追加
ポータブル表示装置は、相互接続モジュールドッキングポートを備えた表示画面ハウジングに収納されている表示画面を有する。 - 特許庁
The semiconductor has at least the multilayer interconnection and is formed according to the method for manufacturing semiconductor.例文帳に追加
本発明の半導体は、本発明の多層配線を少なくとも有し、本発明の半導体の製造方法により形成される。 - 特許庁
To provide a means with high efficiency effective for performing interconnection between separate melt conduits having reduced leak in a molding system.例文帳に追加
成形システムにおける別個の溶融物導管間の漏れの少ない接続を行う有効な効率の高い手段を提供する。 - 特許庁
SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FORMING POWER MOSFET HAVING SILICIDE LAYER OF INTERCONNECTION STRUCTURE AND LOW PROFILE BUMP例文帳に追加
相互接続構造の珪化物層およびロープロファイルバンプを有するパワーMOSFETを形成する半導体デバイスおよび方法 - 特許庁
To provide a semiconductor device including a local interconnection structure wherein the size of a source/drain region never increases.例文帳に追加
ソースドレイン領域のサイズが増大することがない局所配線構造を備えた半導体装置を実現できるようにする。 - 特許庁
To provide a scan test system for testing operations of a component module of an integrated circuit and the interconnection between their component modules.例文帳に追加
集積回路の成分モジュールと、それらの成分モジュール間の相互接続と、の動作をテストする走査テストシステムを提供する。 - 特許庁
The food processing unit 100 and the base 200 are provided with respective parts 190 and 216 for dissociatable interconnection.例文帳に追加
フードプロセシングユニット(100)およびベース(200)は解離可能な相互接続のためのそれぞれの部分(190および216)を有する。 - 特許庁
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