interconnectionを含む例文一覧と使い方
該当件数 : 2610件
To provide a method for manufacturing a reliable semiconductor device that has multilayer interconnection structure, and prevents short-circuiting accidents or decrease in a breakdown voltage for semiconductor devices having the multilayer interconnection structure, especially, that of borderless one.例文帳に追加
多層配線構造、特にボーダーレス構造の多層配線構造の半導体装置においても、短絡事故、あるいは耐圧低下を来すことがなく信頼性の高い、この種の半導体装置を得ることができる多層配線構造を有する半導体装置の製造方法を提供するものである。 - 特許庁
The package comprises a glass substrate 11 on which electrode pads 13 are formed following an interconnection pattern 13a, a semiconductor component 12 arranged on the glass substrate and conducting to the interconnection pattern, and a glass cap 20 arranged on the glass substrate so as to cover the semiconductor component.例文帳に追加
配線パターン13aとそれに続く電極パッド13が形成されたガラス基板11と、ガラス基板上に設置されるとともに、配線パターンに導通される半導体素子12と、その半導体素子を覆うようにしてガラス基板上に設置されるガラスキャップ20を備える。 - 特許庁
A plurality of child side bumps B2 is protrudingly formed on the surface 21 of the child chip 2; and the child side bumps B2 includes a functional bump BF connected to an internal interconnection 24 of the child chip 2 and a dummy bump BD insulated from the internal interconnection 24 of the child chip 2.例文帳に追加
子チップ2の表面21には、複数の子側バンプB2が隆起して形成されており、この子側バンプB2には、子チップ2の内部の配線24に接続された機能バンプBFと、子チップ2の内部の配線24と絶縁されたダミーバンプBDとが含まれている。 - 特許庁
To obtain a high density semiconductor device, and a method of fabrication, by forming plugs and an interconnection readily for a fine pattern when conductive plugs buried in contact holes and an interconnection are formed simultaneously.例文帳に追加
本発明は、コンタクトホールに埋め込んだ導電性プラグと溝を利用した配線を同時に形成する際に、微細なパターンに対して容易にプラグと配線を形成することが可能となり、その結果、高密度な半導体デバイスを作製することができる半導体装置および半導体装置製造方法を得る。 - 特許庁
To provide an optical interconnection structure which includes a substrate in which a hole penetrating a predetermined region is formed, and an optical guide member fixed to the inside of the hole of the substrate, wherein the optical guide member and the substrate are fixed by metal oxide, and to provide a method for manufacturing the optical interconnection structure.例文帳に追加
本発明は光連結構造物およびその製造方法に関し、一定領域を貫通するホールが形成される基板と、基板のホール内部に固定された光ガイド物とを備え、光ガイド物と基板は金属酸化物によって固定された光連結構造物を提供する。 - 特許庁
To provide a method of forming a through interconnection line in a semiconductor substrate by which a through interconnection line can be so formed as to have a fine embeddability with respect to the inside of a through hole penetrated in a semiconductor substrate and have a good adhesion with an insulation layer formed on the inner surface of the through hole.例文帳に追加
半導体基板に貫設した貫通孔の内側への埋め込み性が良好で且つ貫通孔の内周面に形成された絶縁層との密着性が良好な貫通配線を形成可能な半導体基板への貫通配線の形成方法を提供する。 - 特許庁
An interconnection (e.g. M2a) connected to a first bit line BL (e.g. BL2a) is formed as a second-layer interconnection M2 on a second layer different from a layer on which the bit line BL is formed, and they are connection in a connection region 2 between a memory-cell formation region 2 and a sense amplifier region.例文帳に追加
第1のビット線BL(例えば、BL2a)と接続される配線(例えばM2a)をビット線BLが形成される層と異なる第2の層に第2層配線M2として形成し、メモリセル形成領域2とセンスアンプ領域との間の接続領域2において接続する。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a multilayer interconnection circuit substrate which assures the sufficient adhesive strength of an interface between a conductor layer and a thermosetting adhesive layer to be laminated to enhance connecting strength between the conductor layer, and thereby manufactures the multilayer interconnection circuit substrate having high reliability.例文帳に追加
積層される導体層と熱硬化性接着剤層との界面の十分な接着強度を確保して、各導体層間での接続強度を高め、これによって、信頼性の高い多層配線回路基板を製造することのできる多層配線回路基板の製造方法を提供すること。 - 特許庁
Also, two die packages have a first die attached to the same surface as the second level interconnect structures and connected using flip chip interconnection, and a second die 44 connected to the opposite surface of the substrate and interconnected either by wire bonding or by flip chip interconnection.例文帳に追加
また、2つのダイパッケージは、第2レベルの相互接続構造と同じ平面に取り付けられ、フリップチップ相互接続を用いて接続された第1のダイと、前記基板の反対側の表面に接続され、ワイヤボンディング又はフリップチップ相互接続の何れかによって接続された第2のダイ44とを備える。 - 特許庁
To suppress increase in k value of a low permeability insulating film or oxidation of interconnection in an element region, by preventing the low permeability insulating film from being damaged in a pad region, or preventing a moisture absorption state based on the damage from being transmitted to the low permeability insulating film or the interconnection in the element region.例文帳に追加
パッド領域で生じた低誘電率絶縁膜のダメージやそれに基づく吸湿状態が素子領域の低誘電率絶縁膜や配線に伝わることを防ぐことによって、素子領域における低誘電率絶縁膜のk値の上昇や配線の酸化を抑制する。 - 特許庁
An image sensor comprises: a transistor circuitry on a substrate; a lower interconnection on the substrate; carbon nanotubes on the lower interconnection; a conductive polymer layer on the carbon nanotubes; and a transparent electrode on the carbon nanotubes.例文帳に追加
本発明に係るイメージセンサは、基板上に形成された回路(circuitry)と、上記基板上に形成された下部配線と、上記下部配線上に形成されたカーボンナノチューブと、上記カーボンナノチューブに形成された導電性高分子と、上記カーボンナノチューブ上に形成された透明電極とを含むことを特徴とする。 - 特許庁
A resist mask is formed and subsequently, a metallic thin resistor 11a, a low resistance metallic interconnection 5a positioning at the both side of the metallic thin film resister 11a, a low resistance metallic interconnection 5b of the other circuit and a thin film metallic pattern 11b (D).例文帳に追加
レジストマスク13を形成し、続いてドライエッチングにより金属薄膜抵抗体11a、金属薄膜抵抗体11aの両端側に位置する低抵抗金属配線5a、他の回路の低抵抗金属配線5b及び薄膜金属パターン11bを形成する(D)。 - 特許庁
The image sensor includes the interconnection 150 and the readout circuitry 120 formed on a first substrate 100, a metal layer 160 formed on the interconnection 150, and an image sensing part electrically connected to the metal layer 160 containing a first conduction type conduction layer and a second conduction type conduction layer.例文帳に追加
イメージセンサーは、第1基板100に形成された配線150とリードアウト回路120と、配線150上に形成された金属層160と、第1導電型伝導層と第2導電型伝導層を含んで金属層160と電気的に繋がったイメージ感知部を含む。 - 特許庁
To be able to simplify an interconnection system between a telephone device and an information processing terminal, accomplish a certain connection, and reduce communication cost.例文帳に追加
電話装置と情報処理端末との接続方式の簡素化と、より確実な接続成就と通信費用の削減とを図ることができる。 - 特許庁
An opening part which reaches an upper surface of the lower interconnection 11 is formed in the insulating film 21 and a plug 31 is formed in the opening part.例文帳に追加
絶縁膜21内には下層配線11の上面に達する開口部が形成され、この開口部内にプラグ31が形成されている。 - 特許庁
To manufacture a flexible circuit board (COF package) formed with interconnection layers which are formed with bumps and are arranged at fine pitch without causing faults.例文帳に追加
何ら不具合が発生することなく、バンプが設けられたファインピッチの配線層を備えたフレキシブル回路基板(COFパッケージ)を製造すること。 - 特許庁
SURFACE EMISSION LASER ELEMENT, MANUFACTURING METHOD THEREOF, SURFACE EMISSION LASER ARRAY, ELECTROPHOTOGRAPHIC SYSTEM, OPTICAL COMMUNICATION SYSTEM, AND OPTICAL INTERCONNECTION SYSTEM例文帳に追加
面発光レーザ素子およびその製造方法および面発光レーザアレイおよび電子写真システムおよび光通信システムおよび光インターコネクションシステム - 特許庁
An interconnection 12 to be a global data line is connected to a local data line formed in a p-type well region 3 via a selection transistor ST1.例文帳に追加
グローバルデータ線となる配線12とp型ウェル領域3内に形成されるローカルデータ線とを選択トランジスタST1を介して接続する。 - 特許庁
At least one section of an interconnection (22, 23, 31, 51, and 52) connected to one end of the diode 50 is coated with a magnetic substance 10.例文帳に追加
そのダイオード50の一端に接続される配線(22、23、31、51、52)の少なくとも一区間は、磁性体10によって覆われている。 - 特許庁
In a plate body which is so formed as to be bent, electronic components 22 and interconnection lines 24 for electrically connecting the electronic components 22 are formed.例文帳に追加
屈曲可能に形成されたプレート体の内部に電子部品22と、電子部品22を電気的に接続する配線24が形成されている。 - 特許庁
To provide an HA address acquisition method capable of dynamically resolving an HA address in a WLAN system at a high speed and to provide an inter-heterogeneous-network interconnection system.例文帳に追加
WLANシステムにおいて、端末がHAアドレスを高速かつ動的に取得することができるHAアドレス取得方法を提供する。 - 特許庁
RF interconnection between RF and a printed wiring board (PWB) comprises a wave guide transmission line 16 for carrying out connection between RF and PWB.例文帳に追加
RF プリント基板(PWB)間のRF相互接続であって、RF PWB間を接続する導波管伝送ライン16を備えている。 - 特許庁
The interconnection means 140 carries out the switching operation of the checking body 131 to the checking state when the speed-changing lever 93 is in an advancing region or a backing region.例文帳に追加
連係手段140は、変速レバー93が前進域や後進域にあると、牽制体131が牽制状態に切り換え操作する。 - 特許庁
The high speed signal interconnections consist of microstriplines 110a, 210a, conductive pads 120a, 220a, and interconnection lines 130a, 230a.例文帳に追加
高速信号配線は、マイクロストリップライン110a,210aと、導電性パッド120a,220aと、中継ライン130a,230aから構成される。 - 特許庁
To provide a polishing solution for metal having a quick polishing speed, enhancing the planarity and not forming a groove easily between an interconnection and an insulating layer.例文帳に追加
迅速な研磨速度を有し、平坦性が向上し、配線と絶縁層との間に溝を形成しにくい金属用研磨液を提供する。 - 特許庁
Analyzing the traffic flow is performed on at least one of layer 4, layer 5, layer 6 and layer 7 of an open systems interconnection model.例文帳に追加
トラフィックフローの分析は、開放型システム間相互接続モデルの層4、層5、層6および層7の少なくとも1つにおいて実施される。 - 特許庁
To obtain an interconnection structure and a method of preparing the same, capable of easily protecting interconnections made of a metal, such as copper which are formed on a substrate.例文帳に追加
基材に形成する銅などの金属の配線を容易に保護することができる配線構造及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
The sacrificial etching segment is positioned between adjacent dual damascene interconnection lines which are formed on the etching stop layer.例文帳に追加
犠牲的エッチングセグメントは、エッチング停止層(818)上に形成される隣接する二重ダマシーン連結ライン(864及び866)間に配置される。 - 特許庁
One of pair of wirings is laid out in parallel in vicinity of other wirings and interconnection lengths of the wirings are approximately same.例文帳に追加
ペアの配線のうち、一方の配線は他方の線の近傍に平行してレイアウトされており、これら配線の配線長が略同じとしている。 - 特許庁
A speed-changing lever 93 of a traveling speed-changing device, and an operation arm 134 of the checking body 131 are interlocked with an interconnection means 140.例文帳に追加
走行変速装置の変速レバー93と、停止牽制体131の操作アーム134とを連係手段140によって連係させてある。 - 特許庁
A cleaner body 6 is connected with a bath boiler 2 through a passage connector 9 mounted on the circumferential wall of interconnection openings 3, 4.例文帳に追加
洗浄機本体6と風呂釜2とを浴槽内の連通口3・4の周囲壁に装着される通路接続装置9で接続する。 - 特許庁
The first nitride film 4 is composed of SiN and formed across the adjoining copper interconnections 5 to cover the lower surface of the copper interconnection 5 partially.例文帳に追加
第1窒化膜4は、SiNからなり、銅配線5の下面の一部を覆うとともに、隣接する銅配線5間にわたって形成されている。 - 特許庁
When the plurality of disk controllers function as one large disk controller by the interconnection network, a processor is set as an independent resource.例文帳に追加
相互結合網により、複数のディスク制御装置が一つのディスク制御装置として機能する場合に、プロセッサを独立したリソースとする。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a ceramic part, which forms the interconnection of a fine pattern comparatively simply and securely, and furthermore at low cost.例文帳に追加
微細パターンの配線を比較的簡単にかつ確実にしかも低コストで形成可能なセラミック部品の製造方法を提供すること。 - 特許庁
The LED module 1 is provided with: a board; an interconnection 22 formed on an upper surface of the board; and an LED package 14 mounted on the board.例文帳に追加
LEDモジュール1において、基板と、基板の上面に形成された配線22と、基板に実装されたLEDパッケージ14と、を設ける。 - 特許庁
The body of the contactless IC card has such a structure that two interconnection substrates 12 and 13 are clamped and stacked between two external sheets.例文帳に追加
非接触ICカードの本体は、2枚の外装シートの間に2枚の配線基板12、13を挟み込んで積層した構造を有する。 - 特許庁
To improve reliability of a mounting structure by reducing the load structurally imposed upon electronic components of an optoelectronic interconnection module mounted on a mounting board.例文帳に追加
実装基板上に搭載される光電配線モジュールの電子部品に構造的にかかる負担を軽減でき、信頼性の向上をはかる。 - 特許庁
To provide a technique for improving the harmonic distortion rate of the output voltage when a rectifier load is connected in a system interconnection inverter.例文帳に追加
系統連系インバータにおいて、整流器負荷が接続されたときの出力電圧の高調波歪率を改善する技術を提供する。 - 特許庁
A Micro-Electro-Mechanical-Systems (MEMS) interconnection pin 51 is fabricated on a sacrificial layer 23, which is formed on a conductive layer 12 and a substrate 11.例文帳に追加
微小電気機械システム(MEMS)接続ピン51は、導電層12及び基板上11に形成される犠牲層23上に作られる。 - 特許庁
To provide a digital imaging apparatus which includes an optical sensor, an analog-to-digital converter, a plurality of computational elements, and an interconnection network.例文帳に追加
本発明は、光学センサ、アナログ−デジタル・コンバータ、複数の計算要素、および相互接続ネットワークを備えるデジタル・イメージ処理装置を提示する。 - 特許庁
SURFACE-EMITTING LASER ELEMENT, SURFACE-EMITTING LASER ARRAY, OPTICAL INTERCONNECTION SYSTEM, OPTICAL COMMUNICATION SYSTEM, ELECTROPHOTOGRAPHY SYSTEM, AND OPTICAL DISC SYSTEM例文帳に追加
面発光レーザ素子および面発光レーザアレイおよび光インターコネクションシステムおよび光通信システムおよび電子写真システムおよび光ディスクシステム - 特許庁
To improve reliability of a semiconductor device in which a plated film is formed on bonding pads on a surface of an interconnection substrate on which semiconductor chips are mounted.例文帳に追加
半導体チップが搭載される配線基板の表面のボンディングパッドにメッキ膜が施された半導体装置の信頼性を向上させる。 - 特許庁
The insulation film constituting an interconnection layer is a silicon oxide film 4 in the vicinity of the circumferential fringe of the wafer and is HSQ(hydrogen silisesquioxane) in other regions.例文帳に追加
配線層を構成する絶縁膜は、ウェーハ周縁近傍ではシリコン酸化膜4、それ以外の領域ではHSQ(Hydrogen Silisesquioxane)膜15とする。 - 特許庁
The output currents I_1-I_n of each of the system interconnection inverters 11-1 to 11-n are supplied to a power system via power lines 12.例文帳に追加
各系統連系インバータ11−1〜11−nの出力電流I_1 〜I_n は、電力線12を介して電力系統へ供給される。 - 特許庁
To provide the interconnection structure of a semiconductor device, and its designing method, in which layout area can be reduced while interrupting clock noise surely.例文帳に追加
クロックノイズを確実に遮断しながらレイアウト面積を縮小できる半導体装置の配線構造およびその設計方法を提供する。 - 特許庁
To provide a security group managing system which can make a safe interconnection or safe resource sharing between devices belong to a predetermined group.例文帳に追加
所定のグループに所属するデバイス間の安全な相互接続もしくは資源共有を可能としたセキュリティグループ管理システムを提供する。 - 特許庁
To increase automation rate of work about prior evaluation for the systematic interconnection of distributed power sources, and to enable the work to be done flexibly.例文帳に追加
分散型電源の系統連系に対する事前評価についてその作業の自動化率を高め、また柔軟な対応をなせるようにする。 - 特許庁
To offer a semiconductor memory device which is suitable for mixed mounting of a logic circuit and which can utilize a multi-layer interconnection structure in a memory array part efficiently.例文帳に追加
多層配線構造を効率的にメモリアレイ部において利用することのできるロジック混載に適した半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁
A relation S1≤S0 is satisfied between the opening area S0 of the ejection opening 1 and the opening area S1 of an atmosphere interconnection opening 10.例文帳に追加
吐出口1の開口面積はS_0であり、大気連通口10の開口面積はS_1であり、開口面積S_0、S_1の関係は、S_1≦S_0である。 - 特許庁
Interconnection of a suction pipe 6 is switched between the pressure conversion chamber R2 and the second pressure conversion chamber R5 using the pilot valve 210.例文帳に追加
パイロット弁210を用いて、吸入管6の連通先を圧力変換室R_2 と第2圧力変換室R_5 との間で切り換える。 - 特許庁
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