例文 (483件) |
ion irradiationの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 483件
Equipment is provided with a current measuring device measuring ion current caused by two photon resonance multiphoton ionization of krypton gas by irradiation of the first laser, and a wavelength controller controlling the wavelength of the first laser based on output of the current measuring device.例文帳に追加
この装置において、第1のレーザの照射によるクリプトンガスの二光子共鳴多光子イオン化によって生じるイオン電流を測定する電流測定装置と、電流測定装置の出力に基づいて、第1のレーザの波長を制御する波長制御装置とを設けた。 - 特許庁
Then, it calculates a degree of displacement again with the view magnification when registering the mark while comparing the position of the mark detected with the view magnification when registering the mark with the position of the mark when registered, and executes the processing of the processed pattern after shifting a processing ion beam irradiation position the degree of displacement from the registration position of the processed pattern.例文帳に追加
その後、マーク登録時の視野倍率で検出されたマークと登録時のマークの位置を比較してマーク登録時の視野倍率で再度位置ずれ量を算出し、そのずれ量分だけ加工パターンの登録位置から加工用のイオンビーム照射位置をシフトさせて加工パターンの加工を実行する。 - 特許庁
To provide a gel electrolyte forming composition that can be crosslinked by heating or energy beam irradiation such as ultraviolet rays and electron beams, has a high electrolyte retention rate and high ion electrical conductance, and forms a gel-like electrolyte having proper high-temperature durability, and to provide the gel-like electrolyte where the gel electrolyte forming composition is crosslinked.例文帳に追加
加熱又は紫外線、電子線などのエネルギー線照射によって架橋可能であり、電解液保持率が高く、従ってイオン伝導度が高く、しかも高温耐久性に優れたゲル状電解質を形成するゲル状電解質形成組成物及びこれを架橋させたゲル状電解質を提供することにある。 - 特許庁
The sample preparing method includes a rotation process for changing the direction of the sample 20 which keeps the first surface 10a directed upward and has a contact so that the first surface 10a may be directed laterally or downward and an irradiation process for irradiating the sample 20 with a converged ion beam from the short direction of the contact.例文帳に追加
試料作製方法は、第1面10aが上方を向き、コンタクトを有する試料20を、第1面10aが側方ないし下方を向くように試料20の向きを変える回転工程と、試料20に対して、コンタクトの短手方向から集束イオンビームを照射する照射工程とを含む。 - 特許庁
The refractive layer of the antireflection film is constituted such that the total film thickness of the first to third refractive layers is 180 to 220 nm, the film thickness of the first refractive layer is 10 to 50 nm, the film thickness of the third refractive layer is 150 to 190 nm and, further, only the first to third layer are deposited under ion beam assisted irradiation.例文帳に追加
この反射防止膜の屈折率層の構造は第1〜第3の屈折率層の膜厚の総和を180〜220nmとし、第1の屈折率層の膜厚を10〜50nmとし、第3の屈折率層の膜厚を150〜190nmとし、更に第1層〜第3層のみをイオンアシスト照射下で蒸着させる。 - 特許庁
A method for removing resist includes an irradiation step of irradiating ion-implanted resist with ultraviolet light to an extent such that the cured layer of the resist formed by implanting ions becomes alkali-soluble, and a removing step of bringing the resist into contact with an alkali solution to peel the resist from a silicon substrate.例文帳に追加
レジスト除去方法は、イオンが注入されているレジストに、当該イオンの注入によって形成されたレジストの硬化層にアルカリ可溶性を生じさせる程度の紫外光を照射する照射工程と、前記レジストをアルカリ溶液に接触させて当該レジストをシリコン基板から剥離させる除去工程と、を含む。 - 特許庁
The retardation compensation element includes a layer 62 having a plurality of holes 62b formed by obliquely irradiating an inorganic film 62a with at least one of an ion beam, atomic beam, molecular beam and plasma beam, the holes having a longitudinal direction obliquely intersecting the surface 62s of the inorganic film 62a and along the irradiation direction D of the beam.例文帳に追加
無機膜62aに対して、イオンビーム、原子ビーム、分子ビーム、プラズマビームのうち少なくとも一つのビームを斜めから照射することで、無機膜62aの表面62sに対して斜めに交差しかつビームの照射方向Dに沿った長手を有する複数の空孔62bが形成された層62を含む。 - 特許庁
A normal conductor layer 12 and an insulator layer 13 are laminated between a first superconductor layer 11 and a second superconductor layer 14, and a region (a local conducting region 19) having no locally insulating property by an irradiation of a focused ion beam to a side of the insulator layer 13.例文帳に追加
第1超伝導体層11と第2超伝導体層14の間に常伝導体層12及び絶縁体層13を積層し、絶縁体層13の側面に集束イオンビームを照射することにより局所的に絶縁性を持たない領域(局所伝導領域19)を形成する。 - 特許庁
To provide a gel electrolyte forming composition for forming a gel electrolyte that can be cross-linked by heating or energy rays irradiation such as ultraviolet rays and electron beams and has a high electrolyte holding ratio, and, accordingly, has high ion conductivity and high-temperature durability, and a gel electrolyte that has cross-linked this and its manufacturing method.例文帳に追加
加熱又は紫外線、電子線などのエネルギー線照射によって架橋可能であり、電解液保持率が高く、従ってイオン伝導度が高く、しかも高温耐久性に優れたゲル状電解質を形成するゲル状電解質形成組成物、これを架橋させたゲル状電解質及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
On an arm 24 of the transportation robot 2 holding the glass substrate M, a metallic net plate 4 which is set at a ground potential is arranged to face the glass substrate M with a predetermined distance, and the soft X-ray irradiation unit 3 is arranged so that the air ion can be formed at least between the glass substrate M and the metallic net plate 4.例文帳に追加
ガラス基板Mを保持する搬送ロボット2のアーム24に、接地電位に設定された金網板4を、ガラス基板Mに所定の距離を隔てて対向するように配設し、少なくともガラス基板Mと金網板4との間に空気イオンが形成されるように軟X線照射器3を配設する。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a film of a high strength heat resistant resin composition with formed pattern by forming a pattern in a film of a resin composition containing a thermoplastic precursor convertible to a high strength heat resistant polymer by irradiation with ion beams and curing the film by heating after development.例文帳に追加
高強度、耐熱特性を有するポリマーに変換可能な熱可塑性前駆体を含む樹脂組成物膜にイオンビーム照射によりパターン形成を行い、そのパターン形成された樹脂組成物膜を現像処理後に加熱硬化することにより、パターン形成された高強度、耐熱性樹脂組成物膜を作製する方法。 - 特許庁
Specifically, electrons present among Mg, Al, and O, which are the components of the MgAl_2O_4 material, are highly densely excited through an ion irradiation of the MgAl_2O_4 material, so that the MgAl_2O_4 material is changed into an amorphous state from a crystalline state.例文帳に追加
詳しくは、本発明は、MgAl_2O_4材料をイオン照射処理することにより、その材料の構成要素であるMg、Al及びOの原子間に存在する電子が高密度に励起されMgAl_2O_4が結晶晶状態から非晶質状態に移行することを特徴とする、MgAl_2O_4を非晶質化する方法を課題解決手段とする。 - 特許庁
An etching operation is interrupted halfway, when substrates are subjected to etching in reaction chambers 11A and 11B, the substrate are transferred to ion irradiation chambers 12A and 12B, and the treated surfaces of the substrates are irradiated with positive ions, by which the treated surfaces of the substrates which are charged by the accumulation of electrons are turned electrically neutral.例文帳に追加
反応室11A、11Bにて基板Wのエッチング処理を行っている途中で、エッチング処理を中断して、基板Wを反応室11A、11Bからイオン照射室12A、12Bへ搬送し、基板Wの被処理面へ正イオンを照射することにより、基板Wの被処理面の電子の蓄積による帯電を中和し除電する。 - 特許庁
In the system, an ultraviolet irradiation means, an ion exchange means including at least an anion exchange resin and a circulating system having a 1st water storage vessel for storing water treated by the means are connected to a purified water producing means for producing purified water using at least a cation exchange resin to obtain the replenishing water of the power plant.例文帳に追加
少なくともカチオン交換樹脂を用いて発電所用補給水としての純水を製造する純水製造手段に、紫外線照射手段、少なくともアニオン交換樹脂を含むイオン交換手段、これら手段により処理された水を貯留する第1の貯水槽を有する循環系を接続したことを特徴とする発電所用補給水処理システム、および処理方法。 - 特許庁
The pure water producing method includes processes of: adding the slime control agent to raw water; membrane-treating the slime control agent-containing raw water with the slime control agent added thereto; irradiating the membrane-treated water with ultraviolet ray; and performing ion exchange to the liquid subjected to the ultraviolet ray irradiation treatment.例文帳に追加
原水にスライムコントロール剤を添加するスライムコントロール剤添加工程と、スライムコントロール剤が添加されスライムコントロール剤含有原水を膜処理する膜処理工程と、膜処理した膜処理水を紫外線照射処理する紫外線照射処理工程と、紫外線照射処理した紫外線照射処理液をイオン交換処理するイオン交換処理工程と、を含む純水製造方法である。 - 特許庁
After the surface of the sample for microscope observation, cut out from a substrate sample, is processed by FIB, the vicinity of the surface of the sample is scanned with a probe 4 of a probe microscope and ground by a mechanical method, electrochemical reaction, or an optical technique, such as oxidization or annealing, to conduct processing of removing ionic elements implanted by ion irradiation.例文帳に追加
基板サンプルより切り出された顕微鏡観察用試料の表面をFIBによって加工処理した後、試料の表面近傍をプローブ顕微鏡探針4を走査して機械的方法、電気化学的反応、あるいは酸化、アニーリングといった光学的手法によって研磨することによりイオン照射によって打ち込まれたイオン元素を除去する加工を行うものである。 - 特許庁
A single laser beam emitted from an argon ion laser 6 passes successively through an extinction filter 8, a 1/2 wave plate 9, a scanning X-Y scanner 7 and a condensing lens 10, and then becomes irradiation light 1 having an adjusted plane of polarization, and enters the silicon wafer sample 3 surface at an incident angle by which reflected light is suppressed minimally and only scattered light is generated effectively.例文帳に追加
アルゴンイオンレーザー6から射出された単一レーザー光は、順次減光フィルター8、1/2波長板9、走査用X−Yスキャナー7、集光レンズ10を経た後、偏光面調整された照射光1となり、シリコンウェーハ試料3表面に対して、反射光を最小限に抑え、散乱光をのみを効果的に発生させる入射角度で入射される。 - 特許庁
The size of the iridium complex is normally larger than the size of the entrance of the micro pores and introducing the iridium complex into the micro pores is difficult but the luminescent complex of the invention is obtained in a short time by exchanging iridium ion in the micro pores and then heating a medium added with the ligand material to a temperature higher than the boiling point of the medium under irradiation with a micro wave.例文帳に追加
細孔の入り口よりもイリジウム錯体の方が通常は大きいため、細孔中にイリジウム錯体を導入することは困難であるが、まず細孔中にイリジウムイオンを交換し、その後マイクロ波照射下で配位子物質を加えた媒体を沸点以上に加熱することにより(シップインボトル合成)、目的とする発光複合体を短時間で得ることができる。 - 特許庁
Such a structure can prevent the material powder from moving in the material chamber 26a due to the flow of a carrier medium into the chamber 26a and the deformation of the material powder by heating it during the irradiation with an ion beam and can maintain the temperature of the material powder at which the thermal diffusion of generated radioactive nuclides is easily carried out to improve the recovery ratio.例文帳に追加
このような構成により、イオンビーム照射中に、キャリア媒体の原料室への流入および加熱による原料粉末の変形により、原料室内で原料粉末が移動することを防止でき、原料粉末の温度を生成された放射性核種が熱拡散しやすい温度に維持でき、生成された放射性核種の回収率を向上できる。 - 特許庁
This method, which is a water treatment method using an aquatic plant, is characterized by comprising growing the aquatic plant in water to be treated, the water containing hardly degradable organic matters, under light irradiation, and, in the presence of ferrous or ferric ion, conducting the biological Fenton reaction between the water and hydrogen peroxide existing in the aquatic plant body to thereby oxidize and degrade the hardly degradable organic matters.例文帳に追加
本発明は、難分解性有機物を含有する被処理水中に水生植物を光照射下に生育させ、この被処理水に二価または三価の鉄イオンの存在下に、水生植物の生体内に存在する過酸化水素と生物学的フェントン反応を行なわせ、難分解性有機物を酸化分解することを特徴とする、水生植物を用いた水処理方法である。 - 特許庁
In the micro-capsule containing a diazo compound, the surface of the micro-capsule is irradiated with pulsed ion beams under cooling in a vacuum, and the count number of a cationic compound in the surface of the micro-capsule which is obtained by measuring the mass and intensity of ions produced from the surface of the micro-capsule by the irradiation is 0.015 or below per a unit square micron.例文帳に追加
ジアゾ化合物を内包するマイクロカプセルであって、真空冷却下にて、マイクロカプセル表面にパルスにしたイオンビームを照射し、該照射によって前記マイクロカプセル表面から発生するイオンの質量および強度を測定して得られる前記マイクロカプセル表面におけるカチオン性化合物のカウント数が、単位平方μm当たり0.015以下であることを特徴とするマイクロカプセル。 - 特許庁
A film forming method of forming the antireflective film of a silicon nitride (SiN_x) film on the semiconductor surface of the solar cell includes a preprocessing step of cleaning the semiconductor surface by ion irradiation through plasma processing using N_2 gas and inert gas, and a film forming step of forming the silicon nitride (SiN_x) film on the semiconductor surface through plasma processing after the preprocessing step.例文帳に追加
太陽電池の半導体表面に窒化シリコン(SiN_x)膜の反射防止膜を形成する成膜方法において、半導体表面をN_2ガスおよび不活性ガスを用いたプラズマ処理によるイオン照射によって半導体表面を洗浄する前処理工程と、この前処理工程の後、半導体表面にプラズマ処理により窒化シリコン(SiN_x)膜を成膜する成膜工程とを備える。 - 特許庁
This method for producing the heavy metal-collecting ion exchange fiber, comprising subjecting a substrate fiber to a radiation-grafting polymerization, is characterized by comprising an irradiation process for irradiating the substrate fiber with radiations in an oxygen-removed state and a polymerization process for immersing the radiation-irradiated substrate fiber in a monomer solution having been used for the graft-polymerization to graft-polymerize.例文帳に追加
基材繊維を放射線グラフト重合させて重金属捕集イオン交換繊維を製造する方法であって、前記基材繊維に脱酸素状態で放射線を照射する照射工程と、放射線が照射された基材繊維を、既にグラフト重合に用いられたモノマー液に浸せきさせてグラフト重合させる重合工程とを備える、重金属捕集イオン交換繊維の製造方法。 - 特許庁
With the laser ionization mass spectrometry in which mass spectrum is measured by selectively exciting and ionizing an organic compound jetted into a vacuum chamber with a laser irradiation and accelerating the ion thus obtained with an electrode, laser light is gathered on a Raman cell with hydrogen sealed in to generate a stimulated Raman scattering laser light, and the organic compound in the vacuum chamber is selectively excited and ionized with the use of both excitation light and Raman light.例文帳に追加
真空チャンバー内に噴出された有機化合物をレーザー照射によって選択励起・イオン化させ、該イオンを電極によって加速し質量スペクトルを測定するレーザーイオン化質量分析方法において、水素を封入したラマンセルにレーザー光を集光させて誘導ラマンレーザー光を発生させ、励起光とラマン光の双方を用いて、真空チャンバー内における有機化合物を選択励起・イオン化する。 - 特許庁
The protective film for a plasma display panel is produced by an electron beam deposition method, an ion irradiation deposition method, or a sputtering method using the single crystal magnesium oxide sintered compact as a target material.例文帳に追加
焼結体の相対密度が50%以上90%未満であり、酸化マグネシウム純度が97質量%以上であり、かつ、粒径200μm以上の粗大粒子を含むことを特徴とする単結晶酸化マグネシウム焼結体、及び、この単結晶酸化マグネシウム焼結体をターゲット材として使用し、電子ビーム蒸着法、イオン照射蒸着法、又はスパッタリング法により製造したプラズマディスプレイパネル用保護膜である。 - 特許庁
The ion injection device injecting impure ions into a silicon wafer 2 has a platen 1 supporting the wafer 2, a goniometer moving the platen 1, an X-ray irradiation mechanism 3 irradiating X-rays to the wafer 2 supported by the platen 1, and a scintillation counter 6 detecting a reflected X-ray 5 which is an X-ray 4 irradiated from the mechanism 3 and reflected from the wafer 2.例文帳に追加
本発明に係るイオン注入装置は、シリコンウェーハ2に不純物イオンを注入する装置において、前記ウェーハ2を保持するプラテン1と、プラテン1を動かすゴニオメータと、プラテン1に保持された前記ウェーハ2にX線を照射するX線照射機構3と、機構3によって照射されたX線4が前記ウェーハ2で反射する反射X線5を検出するシンチュレーションカウンター6と、を具備する。 - 特許庁
A surface analyzing apparatus includes a means for irradiating a sample surface with two types of ions having different sizes; an instrument for measuring mass spectra of ions emitted from the sample surface by a time-of-flight secondary ion mass spectrometer; and an information processing device for outputting the difference between two mass spectra measured by irradiation with different types of ions from the measured mass spectra.例文帳に追加
試料表面にサイズの異なる少なくとも2種類のイオンをそれぞれ照射する手段、前記試料表面から放出されるイオンの質量スペクトルを飛行時間型二次イオン質量分析器により計測する計測器、および計測された質量スペクトルから異なる種類のイオン照射で計測された2つの質量スペクトルの差を出力する情報処理装置を有することを特徴とする表面解析装置。 - 特許庁
The protective film for PDP is formed by the electron beam vapor deposition method, the ion irradiation vapor deposition method or the sputtering method using the single crystal MgO sintered compact as the target material.例文帳に追加
粒径200μm以上の粒子を含有するとともに、X線回折法により測定した(200)面のX線強度及び(111)面のX線強度を、それぞれaカウント毎秒及びbカウント毎秒としたとき、20<a/b<300であることを特徴とする単結晶MgO焼結体、及び、この単結晶MgO焼結体をターゲット材として使用し、電子ビーム蒸着法、イオン照射蒸着法、又はスパッタリング法により製造したPDP用保護膜である。 - 特許庁
To provide a black defect correction technique which can cleanly correct black defect in fine patterns in black defect correction of a mask without causing the riverbed in black defect correction of the mask, does not exert damage by ion irradiation to the mask surface, is relatively simple in the device to be used without enlarging and enables the relatively simple conduction of the work, and to provide the device capable of executing such technique.例文帳に追加
本発明が解決しようとする課題は、マスクの黒欠陥修正においてリバーベッドができず、微細なパターンにおける黒欠陥でもきれいに修正が可能で、マスク表面にイオン照射によるダメージを与えることもなく、しかも用いる装置が比較的シンプルで大型化せず、作業も比較的単純に行うことができる黒欠陥修正手法を提示すると共に、そのような手法を実行できる装置を提供することにある。 - 特許庁
In the method for image formation in which ink to be cured by active beam irradiation is discharged to a recording material by a recording head having at least one nozzle to selectively control discharge of ink drops, the ink contains at least one kind of a photo acid generator as a counter ion selected from aryl borate compound-containing diazonium, iodonium and sulfonium aromatic onium compounds and an iron allene complex.例文帳に追加
選択的にインク滴の吐出制御可能な少なくとも一つのノズルを有する記録ヘッドで、活性光線により硬化するインクを記録材料上に吐出する画像形成方法において、該インクが、対イオンとしてアリールボレート化合物を有するジアゾニウム、ヨードニウム、又はスルホニウム芳香族オニウム化合物、鉄アレン錯体から選ばれる少なくとも1種の光酸発生剤を含有することを特徴とする画像形成方法。 - 特許庁
To improve the battery characteristics and productivity of a lithium polymer secondary battery to the concentration of a photopolymerization initiator and ultraviolet ray illuminance in the manufacturing method using a precursor solution containing at least one polymerizable monomer, a lithium salt, a nonaqueous solvent, and the photopolymerization initiator initiating polymerization reaction by ultraviolet ray irradiation in the lithium polymer secondary battery using a lithium ion conductive polymer gel placed between a positive electrode and a negative electrode.例文帳に追加
正極と負極との間にリチウムイオン伝導性ポリマーゲルを用いるリチウムポリマー二次電池において、少なくとも一種の重合性モノマーとリチウム塩、非水溶媒、紫外線照射により重合反応が開始する光重合開始剤を含有しているプレカーサー溶液を用いた製造方法において、光重合開始剤の濃度、紫外線照度に対するリチウムポリマー二次電池の電池特性、生産性を改善することを課題とする。 - 特許庁
The positive resist composition for an ion implantation process contains (A) a resin having a rate of dissolution in an alkaline developer increased by the action of an acid and (B) a compound which generates an acid upon irradiation with an actinic ray, wherein a resist film formed from the positive resist composition has a transmittance at 193 nm of 30-60%.例文帳に追加
(A)酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解速度が増加する樹脂、及び、(B)活性光線の照射により酸を発生する化合物を含有するイオン注入工程用ポジ型レジスト組成物であって、該ポジ型レジスト組成物より形成したレジスト膜の193nmに対する透過率が30〜60%であることを特徴とするイオン注入工程用ポジ型レジスト組成物及び該組成物を用いたイオン注入方法。 - 特許庁
The irradiation of the single-crystal semiconductor substrate with the ions is carried out by using an ion doping method while cooling the single-crystal semiconductor substrate.例文帳に追加
単結晶半導体基板に加速されたイオンを照射することにより単結晶半導体基板中に脆化領域を形成する工程と、絶縁層を介して単結晶半導体基板とベース基板とを貼り合わせる工程と、脆化領域において単結晶半導体基板を分離して、ベース基板上に絶縁層を介して単結晶半導体層を形成する工程とを有し、単結晶半導体基板へのイオンの照射は、イオンドーピング法を用い且つ単結晶半導体基板を冷却しながら行う。 - 特許庁
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