「ion irradiation」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

In this method for annealing diamond in which a defective layer generated in the diamond monocrystal at the time of injecting an additional element into the diamond crystal is restored through heat treatment, the temperature of the heat treatment is adjusted to 600-1,100°C, and the inside of the diamond crystal is irradiated with a helium ion beam by adjusting the ion irradiation energy of the ion beam to 40-100 keV.例文帳に追加

本発明のアニール方法は、ダイヤモンド単結晶中に添加元素を注入する際に生じた欠陥層を熱処理により回復させるアニール方法において、熱処理の温度を６００℃以上１１００℃以下にして、ヘリウムイオンのイオンビームを用い、イオン照射エネルギーを４０keV以上１００keV未満にして、ダイヤモンド単結晶中に照射することにより行われる。 - 特許庁

The magnetic structure analyzer is composed of a spin polarized ion producing part for producing spin polarized ions, a spin polarized ion beam line for throwing the spin polarized ions from the spin polarized ion producing part on the surface of the sample by desired energy, a vacuum tank for holding the sample and the measuring instrument positioned in the vacuum tank to measure the spin polarized ions scattered by the irradiation of the sample.例文帳に追加

スピン偏極イオンを発生させるスピン偏極イオン発生部と、前記スピン偏極イオン発生部からのスピン偏極イオンを所望のエネルギーで試料表面に入射させるスピン偏極イオンビームラインと、試料を保持する真空槽と、前記真空槽内に位置して、前記試料に照射されて散乱したスピン偏極イオンを計測する計測器よりなる。 - 特許庁

The method for making cross-sectional observation samples includes covering a top of a work piece with a shield plate, and etching an unshielded part with ion beam irradiation to form a mirror polished part, in which the work piece includes two samples, and ion beam-irradiated portions of the two samples are placed in contact with or close to each other and arranged perpendicularly to or in parallel with the irradiation direction of the ion beam.例文帳に追加

被加工物の上部を遮蔽板で覆い、非遮蔽部をイオンビーム照射によりエッチングして鏡面研磨部を形成する断面観察試料の作製方法であって、前記被加工物が、２個の試料よりなり、前記２個の試料のイオンビーム照射される部分が、互いに密着又は近接して配置されており、かつ、イオンビームの照射方向に直交する方向、又は、イオンビームの照射方向に平行な方向に並べられていることを特徴とする断面観察試料の作製方法。 - 特許庁

To solve the problem wherein a reducing power strong enough to reduce hexavalent uranium to tetravalent uranium by ultrasonic irradiation can not be provided if only 2-propanol is added in such a method as of reducing tetravalent platinum ions to metal platinum by ultrasonic irradiation in a tetravalent platinum ion water solution to which a small amount of 2-propanol is added.例文帳に追加

2-プロパノールを少量添加した４価プラチナイオン水溶液内に超音波照射することによって、４価プラチナイオンを金属プラチナへ還元しているが、同法のように2-プロパノールを添加しただけでは、超音波照射によって6価ウランを４価ウランへ還元するに足る還元力を得ることができない。 - 特許庁

An electron source 20A is provided so as to face the whole of the ion irradiation object part of a workpiece W, and filaments 2a, 2a', 2a" in the electron source 20A are distributed in parallel with each other in discontinuity in a plurality of steps over the whole electron source 20A.例文帳に追加

電子源20A を物品Ｗのイオン照射対象部分の全体に臨むように設け、電子源20A におけるフィラメント2a、2a’、2a”は、電子源20A の全体にわたり不連続に複数段に分散並列配置する。 - 特許庁

This method for producing the sterile plant is characterized in that the sterile plant in which only sterile characters are mutated is selected from plants subjected to the irradiation treatment of irradiating an organ or a tissue of the plant with a heavy ion beam.例文帳に追加

植物の器官又は組織に重イオンビームを照射し、当該照射処理をした植物の中から稔性形質のみ変異した不稔植物を選抜することを特徴とする不稔植物の作製方法。 - 特許庁

To provide a method capable of preparing a section of a soft sample, a sample easily affected by heat, a sample having water absorbing property, a sample having difficulty in being embedded into a resin, or the like by avoiding a heat damage caused by ion beam irradiation.例文帳に追加

イオンビーム照射による熱損傷を避けて、柔らかい試料、熱に弱い試料、吸水性の有る試料、樹脂埋め込みが困難な試料等の断面作製を行うことのできる方法を提供する。 - 特許庁

In the irradiation process, the second surface 10b upward directed by the rotation process of the sample 20 is irradiated with the converged ion beam, and a membrane region 20a is formed at the sample 20 in the extending direction of the contact.例文帳に追加

照射工程において、回転工程により上面を向いた第２面１０ｂに対して集束イオンビームを照射し、コンタクトの延在方向に沿うように試料２０に薄膜領域２０ａを形成する。 - 特許庁

By optimizing the quantity of the introduced gas and an irradiation condition of the primary ion beam, a matrix effect between the compound and the substrate is removed, and simultaneously the position of the compound film/substrate interface can be specified.例文帳に追加

導入するガス量および一次イオンビームの照射条件を最適化することにより、化合物と基板におけるマトリックス効果を解消すると同時に、化合物膜／基板界面の位置を特定することが可能となる。 - 特許庁

From the shape of a halo component 33 formed during deposition processing, such an ion beam irradiation profile (dose distribution) on a processing target as forms a sharp edge when the halo component 33 is removed is obtained.例文帳に追加

デポジション加工を行った際に形成されたハロー成分３３の形状から、当該ハロー成分３３を除去した時に急峻なエッジとなるような、加工目標のイオンビーム照射プロファイル（ドーズ分布）を得る。 - 特許庁

The irradiation damage generated with this is serially and continuously annealed by irradiating with laser beams simultaneously with ion injection.例文帳に追加

本願発明においては、試料を低温に保ちながらイオン注入を行い、それに伴って生成される照射損傷をイオン注入と同時にレーザー光を照射することにより逐次連続的にアニールする方法を提供する。 - 特許庁

To obtain a photochromic compound capable of reversibly and photoresponsively controlling color changes and viscosities, and requiring no UV irradiation to control nor mixing of a metal ion to stabilize a merocyanine structure.例文帳に追加

変色と共に粘度も可逆的に光応答性制御でき、制御に紫外光照射を必要とせず、またメロシアニン構造を安定化させる金属イオンの混合を行わないフォトクロミック化合物を提供する。 - 特許庁

A plasma etching method according to an embodiment of the invention comprises, upon etching amorphous TiO_2, a first etching step where a radical reaction is dominant; and a second etching step where an ion irradiation is dominant.例文帳に追加

本発明の一実施の形態に係るプラズマエッチング方法では、アモルファスＴｉＯ_２をエッチングするに際して、ラジカル反応が支配的な第１のエッチング工程と、イオン照射が支配的な第２のエッチング工程を含む。 - 特許庁

To use laser light having lower power than hitherto, in a method for desorbing a material immobilized on the substrate surface from the surface by laser light irradiation, capturing ion therefrom, and performing mass spectrometry.例文帳に追加

基板の表面に固定した物質をレーザ光照射により該表面から脱離させ、そのイオンを捕捉して質量分析する方法において、従来と比べてより低パワーのレーザ光を使用可能とする。 - 特許庁

The flat plate Pt single crystal having a not smaller than 400 nm particle diameter is formed on a substrate by repeating an ion irradiation and a heating treatment by turns to the Pt thin film formed on the amorphous silica substrate.例文帳に追加

非晶質シリカ基板上に形成されたPt薄膜にイオン照射と加熱処理を交互に繰り返すことにより、基板上に粒径４００ｎｍ以上の大きさを持つ平板状Pt単結晶を形成する。 - 特許庁

The method for creating the mutant of the cyclamen plant comprises irradiating a tuber of the cyclamen plant with heavy ion beam, raising the tuber in which irradiation treatment was carried out and selecting a cyclamen plant in which mutation was induced.例文帳に追加

シクラメン植物の塊茎に重イオンビームを照射し、当該照射処理をした塊茎を育成し、変異の生じたシクラメン植物を選抜することを特徴とする、シクラメン植物の突然変異株の作出方法。 - 特許庁

To provide an ion beam irradiation device which is equipped with an electron source that can generate large amount of electrons of low energy by a drawing voltage lower than the conventional technology as an electron source for charge suppression of the treatment body.例文帳に追加

被処理体の帯電抑制用の電子源として、従来技術よりも低い引出し電圧で低エネルギーの電子を多量に発生させることができる電子源を備えるイオンビーム照射装置を提供する。 - 特許庁

The electrolyte membrane for fuel cell has a catalyst electrode layer formed on a surface of a polymer electrolyte film substrate in which a concavo-convex structure is formed on the surface by carrying out ion irradiation and by etching the damaged region.例文帳に追加

イオン照射し、損傷領域をエッチングすることによって表面に凹凸構造を生じさせた高分子電解質フィルム基材表面に触媒電極層が形成された燃料電池用電解質膜。 - 特許庁

To provide a negative ion generator which can create a more comfortable environment by changing the amount of negative ions (photoelectrons) to be generated without losing the bactericidal effect possessed by a UV irradiation source.例文帳に追加

紫外線照射源のもつ除菌効果を失うことなくマイナスイオン（光電子）の発生量を変えることにより、より快適な環境を作り出せるマイナスイオン発生装置を提供することを目的とするものである。 - 特許庁

The method for manufacturing the inkjet head using a piezoelectric element is characterized in that after a piezoelectric material substrate 1 in which a plurality of side walls and channels 11 being paths for ink are alternately arranged side by side is plasma-treated, an electrode 6 is formed by vapor deposition without ion irradiation by an ion gun.例文帳に追加

圧電素子を使用するインクジェットヘッドの製造方法において、複数の側壁とインクの通路となるチャネル１１とが交互に並設された圧電材料基板１をプラズマ処理した後、イオン銃によるイオン照射なしに蒸着により電極６を形成することを特徴とするインクジェットヘッドの製造方法。 - 特許庁

First, the relationship between the angle of incidence of an ion beam and an etching rate distribution in a shaping surface 12 is calculated beforehand each for tungsten carbide (WC) composing a substrate, chromium (Cr) composing an intermediate layer and chromium nitride (CrN) composing a surface layer, under the irradiation conditions identical to those applied at the time of surface treatment except the angle of incidence of the ion beam.例文帳に追加

まず、予め基材、中間層及び表面層を構成するタングステンカーバイド（ＷＣ）、クロム（Ｃｒ）及び窒化クロム（ＣｒＮ）のそれぞれに対して、イオンビームの入射角度以外は表面処理時と同一の照射条件にして、イオンビームの入射角度と成形面１２内のエッチングレート分布との関係を求める。 - 特許庁

The antimicrobial water generator comprises at least a microbubble generation part generating microbubbles to make microbubble-containing water, a silver ion generation part contacting water or the microbubble-containing water to elute silver ions, and a light irradiation part irradiating microbubble-containing silver ion water containing the microbubble-containing water and the silver ions with light.例文帳に追加

マイクロバブルを発生し、マイクロバブル含有水を製造するマイクロバブル発生部と、水またはマイクロバブル含有水との接触により銀イオンを溶出する銀イオン発生部と、前記マイクロバブル含有水と前記銀イオンとを含むマイクロバブル含有銀イオン水に光照射する光照射部と、を少なくとも備える抗菌水生成装置。 - 特許庁

The light emitting body comprises the glass composition containing a transition metal ion (d^0 ion) in which all electrons are lost from outermost d-orbit in the d-orbits having electrons present in the ground state of atom and emits light by the irradiation with electromagnetic wave having equal to or below ultraviolet wavelength, typically ultraviolet light.例文帳に追加

原子の基底状態において電子が存在するｄ軌道のうち、最も外殻にあるｄ軌道から全ての電子が失われた遷移金属イオン（ｄ^0イオン）を含むガラス組成物からなり、紫外線以下の波長を有する電磁波、典型的には紫外線、の照射により発光する発光体とする。 - 特許庁

A mark based on a deposition film is formed by irradiating an electron beam 12 onto a defect of a wafer 31 which is detected by the irradiation of the electron beam 12 while supplying deposition gas 52, a sample piece is processed by a projection ion beam 22 generated from a gas ion source 21 on the basis of the mark, and the processed sample piece is extracted.例文帳に追加

電子ビーム１２の照射により検出したウェーハ３１の欠陥部にデポガス５２を供給しながら電子ビーム１２を照射することでデポジション膜によるマークを形成し、そのマークを基準に、ガスイオン源２１で発生させたプロジェクションイオンビーム２２により、試料片に加工して取り出す。 - 特許庁

In the method for treating the strongly oxidizing metal ion-containing aqueous solution, the solid material dispersed and the supported with noble metal is added in the little quantity, and the strongly oxidizing metal ion is reduced into a low oxidizing state and made to harmless by utilizing the reduction to be induced in the aqueous solution and on the surface of the solid material, with the irradiation from the radiation.例文帳に追加

強酸化性金属イオン含有水溶液の処理方法については、貴金属分散・担持固体材料を少量添加し、放射線照射により前記水溶液中および固体材料表面に誘起される還元反応を利用して、強酸化性金属イオンを低い酸化状態に還元して無害化する。 - 特許庁

The level of capture center is revealed by measuring the peak of intensity and wavelength of emitting light, because if ion beam 21 is irradiated on sample 15, the light of wavelength accoding to the difference of energy level of valence band and capture center is emitted, when holes excited by ion irradiation move to the capture center.例文帳に追加

試料１５にイオンビーム２１を照射すると、イオン照射によって励起した正孔が捕獲中心に遷移するとき、価電子帯と捕獲中心のエネルギー準位の差に応じた波長の光を放出するので、放出光の強度のピークとその波長を測定すると、捕獲中心の準位が分かる。 - 特許庁

In a method to nitride the silicon oxide film by introducing nitride into the silicon oxide film formed in the surface of a substrate, a process to irradiate nitride ion with an angle of 50° or more to the normal line of a processed film, and a process to irradiate nitrogen atom more than the amount of the ion irradiation are simultaneously or alternately performed.例文帳に追加

基板表面に形成されたシリコン酸化膜中に窒素を導入して該シリコン酸化膜を窒化する方法において、被処理膜の法線に対して５０°以上の角度を持って窒素イオンを照射する工程と、イオン照射量以上の窒素原子を照射する工程とを、同時または交互に行う。 - 特許庁

The magnet 1 used in the ion beam irradiation apparatus includes a pair of magnetic poles 2 oppositely arranged across an ion beam 8, a plurality of magnetic field concentration members 3 arranged on respective opposite faces of the pair of magnetic poles 2 and creating trapping actions of electrons between the magnetic poles 2, and the protective member 4 for covering the faces respectively faced each other across the ion beam 8 on at least the plurality of magnetic field concentration members 3.例文帳に追加

イオンビーム照射装置で用いられる磁石１は、イオンビーム８を挟むように対向して配置された一対の磁極２と、一対の磁極２の各対向面に設けられ、磁極２間における電子の閉じ込め作用を発生させる複数の磁場集中部材３と、少なくとも複数の磁場集中部材３におけるイオンビーム８を挟んで相対向している面を覆う保護部材４とを備えている。 - 特許庁

To provide a green light-emitting phosphor for a light-emitting device excited by vacuum ultraviolet rays, and a method of preparing the same, which is very stable with regard to heat, ion bombardment, and vacuum ultraviolet rays irradiation, and which has excellent discharging characteristics.例文帳に追加

放電特性が優れると共に熱，イオン衝撃，及び真空紫外線照射に対して非常に安定した真空紫外線を励起源とする発光素子用緑色蛍光体及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A helium gas atmosphere is formed in a small space enclosed by three parts, namely, a sample S, the head of the beam introduction pipe 2 and the head of the X-ray introduction sleeve 3a, and ion beam irradiation and introduction of a characteristic X-ray are executed in the atmosphere.例文帳に追加

試料Ｓ、ビーム導入管２の先端、Ｘ線導入用スリーブ３ａの先端の三者に囲まれた小空間にヘリウムガス雰囲気を形成し、この雰囲気内でイオンビーム照射、特性Ｘ線の導入を行う。 - 特許庁

When a lamp 5 on the side of the first space 26 and the ion trap 9 on the side of the second space 27 are partitioned by the partition 25, the irradiation volume of vacuum ultraviolet light 7 with reference to a sample gas can be increased in the first space 26.例文帳に追加

第１空間２６側のランプ５と第２空間２７側のイオントラップ９とを仕切り壁２５で仕切ることにより、第１空間２６中において、サンプルガスに対する真空紫外光７の照射体積を増加できる。 - 特許庁

Thereafter, grooves 6 are formed on both sides of a center part of the protrusion 2 for sample part formation by drilling by irradiation of a focused ion beam, and a sample part 7 is formed by the protrusion 2 for sample part formation remained between both grooves 6.例文帳に追加

次に、試料部形成用凸部２の中央部両側に、集束イオンビームの照射による掘削加工により、溝６を形成し、両溝６間に残存された試料部形成用凸部２により試料部７を形成する。 - 特許庁

When the upper substrate SA is attracted by the substrate holding part 44, the detection sensor 50 is shielded from the outside by the upper substrate SA, and therefore, the detection sensor 50 is not influenced by the impurities caused by irradiation of the ion gun 32.例文帳に追加

基板保持部４４に上側基板ＳＡが吸着されると、上側基板ＳＡにより検知センサ５０が外部から遮蔽されるため、検知センサ５０は、イオンガン３２の照射に起因する不純物の影響を受けない。 - 特許庁

In the step of forming the embrittled region, ion species which are not mass-separated are used as the ions and a temperature of the single crystal semiconductor substrate is set to 250°C or higher during irradiation with the ions.例文帳に追加

そして、前記脆化領域を形成する工程において、前記イオンとして質量分離されていないイオン種を用いるとともに、前記イオンを照射する際の前記単結晶半導体基板の温度を２５０℃以上に設定する。 - 特許庁

To provide a copper-modified titanium oxide capable of developing good catalytic activity under visible light irradiation when it is used as a photocatalyst, a method for producing the same, and a photocatalyst essentially comprising the copper ion-modified titanium oxide.例文帳に追加

光触媒とした場合に、可視光照射下において良好な触媒活性を発現し得る銅修飾酸化チタン及びその製造方法、並びに該銅イオン修飾酸化チタンを主成分とする光触媒を提供する。 - 特許庁

The surface of a high melting metallic material is simultaneously subjected to irradiation with an ion beam of a high energy/high particle flux and heating, thereby the microporous layer ( nano porous layers of the porous diameter below 1μm) is formed on the surface.例文帳に追加

高融点金属材料表面の高エネルギー・高粒子束のイオンビームによる照射と加熱を同時に行うことにより、その表面に微細多孔質層（１μｍ以下の孔径のナノ多孔質層）を形成するものである。 - 特許庁

The master disk is irradiated, after development, with at least one of irradiation treatment media 104, such as light, plasma, and ion having 1 or under in the etching selection ratio of the master disk substrate and below 40 nm/min in an etching treatment rate.例文帳に追加

原盤現像後、フォトレジスト層に対する原盤基板のエッチング選択比が１未満であって、かつ、エッチング処理速度が４０ｎｍ／分以下である光、プラズマ、イオンなど照射処理媒質１０４を少なくとも一つ照射する。 - 特許庁

To reduce electric charges on the surface of a substrate accompanying ion beam irradiation, without deteriorating the vacuum level in a beam line or a substrate processing chamber, by generating a large number of low energy electrons and utilizing them for neutralization.例文帳に追加

ビームラインや基板処理室の真空度悪化を惹き起こすことなく、低エネルギーの電子を大量に発生させてそれを中和に利用して、イオンビーム照射に伴う基板表面の帯電を小さく抑えることができるようにする。 - 特許庁

To simultaneously overcome such a problem as film damage by oxygen negative ion irradiation specific to the time of oxide sputtering and such a problem as relaxation of strain in film formation and removal of strain in a method for forming an epitaxial strain lattice film of oxide.例文帳に追加

酸化物のエピタキシャル歪格子膜の成膜方法に関し、酸化物のスパッタ時特有の酸素負イオン照射による膜の損傷という問題と、成膜時に歪が緩和して歪まなくなるという問題を同時に克服する。 - 特許庁

The SiO2-GeO2-base glass thin film 12 formed on a substrate 10 is subjected to irradiation with ion beams of argon ions, etc., only at the specified portions where the glass transition temperature is made lower than that of the non-irradiated portions by cutting between silica networks.例文帳に追加

基板１０上に形成したＳｉＯ_2−ＧｅＯ_2系ガラス薄膜１２に、アルゴンイオン等のイオンビーム照射を特定部位のみに行い、シリカネットワーク間の切断によりガラス転位温度を非照射部位より低下させる。 - 特許庁

A semiconductor film is separated from the semiconductor substrate using the embrittlement layer formed on the semiconductor substrate by irradiation with a plurality of kinds of ions produced from a hydrogen gas by an ion doping device and including at least H_3^+ ions.例文帳に追加

なお、イオンドーピング装置により水素ガスから生成される、少なくともＨ_３^＋イオンを含む複数種のイオンを照射することにより半導体基板に形成する脆化層を用いて、半導体基板から半導体膜を分離する。 - 特許庁

The vacuum container for the beam deflection electromagnet comprises the distribution ion pump 1 keeping vacuum inside the container 2 and the absorber 8 receiving radiated light and protecting the generation of the high-temperature part inside the container caused by the irradiation of radiated light.例文帳に追加

容器２内部を真空に保つための分布イオンポンプ１と、放射光の照射により容器内に高温部が発生するのを防ぐよう放射光を受光するアブソーバ８とを有するビーム偏向電磁石用真空容器である。 - 特許庁

To provide a method for removing oxides without damaging a light-emitting end face and a light-reflecting end face of a semiconductor laser when the oxides are removed by plasma ion irradiation before coating is applied on the end faces.例文帳に追加

半導体レーザの光出射端面及び光反射端面にコーティングを施す前にプラズマイオン照射して酸化物を除去するに際し、これらの面に損傷を与えずに酸化物を除去する方法を提供する。 - 特許庁

Even when an ionic decomposition product is formed from the liquid crystal and the alignment film by light irradiation, the ionic decomposition product is adsorbed by the ion adsorbing film and reduction of the voltage holding ratio of the liquid crystal can be avoided.例文帳に追加

光の照射によってたとえ液晶および配向膜からイオン性分解物が生成されても、そのイオン性分解物はイオン吸着膜によって吸着され、液晶の電圧保持率を低下させるのを回避できるようになる。 - 特許庁

The method for creating the mutant filamentous fungi comprises irradiating conidium of filamentous fungi with heavy ion beam and selecting mutated filamentous fungi from among filamentous fungi formed by culturing the conidium subjected to irradiation treatment.例文帳に追加

糸状菌の分生子に重イオンビームを照射し、当該照射処理をした分生子を培養して形成した糸状菌の中から変異の生じた糸状菌を選抜することを特徴とする、突然変異糸状菌の作出方法。 - 特許庁