「ion irradiation」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a focused ion beam device capable of performing ion irradiation by removing neutral particles.例文帳に追加

本発明は集束イオンビーム装置に関し、中性粒子を除去してイオン照射が可能なようにした集束イオンビーム装置に関する。 - 特許庁

The ion beam irradiation device has an electrode 20a installed at a position opposed to the side on X direction side of the ion beams 2.例文帳に追加

このイオンビーム照射装置は、イオンビーム２のＸ方向側の側面に対向する位置に設けられた電極２０ａを備えている。 - 特許庁

To optimize an ion irradiation angle when an inorganic alignment film is formed of SiO_2 by oblique vapor deposition using an ion assist in combination.例文帳に追加

イオンアシストを併用した斜方蒸着によりＳｉＯ_2からなる無機配向膜を形成する際のイオン照射角度を最適化する。 - 特許庁

To make the rotary drive device of a rotary gantry compact by improving the irradiation position accuracy of ion beams.例文帳に追加

イオンビームの照射位置精度を向上させ、回転ガントリーの回転駆動装置を小型化する。 - 特許庁

METHOD FOR REFORMING AND REMOVING LSI PROTECTIVE FILM OR THE LIKE BY CATALYST EXCITATION WITH ION IRRADIATION例文帳に追加

イオン照射での触媒励起によるＬＳＩ保護膜等の改質除去方法及び装置 - 特許庁

Ion plasma type electron beam irradiation equipment 100 generates an electron beam that irradiates a wide area.例文帳に追加

イオンプラズマ型電子ビーム照射装置１００は、照射領域が広範な電子ビームを生成する。 - 特許庁

The ion beam emitted from the synchrotron 7 is emitted toward a patient from an irradiation device 12.例文帳に追加

シンクロトロン７から出射されたイオンビームは照射装置１２から患者に照射される。 - 特許庁

An ion irradiation process is executed at least after the first divided implantation process.例文帳に追加

そして、少なくとも最初の分割注入過程の後にイオン照射工程が実行される。 - 特許庁

METHOD FOR GENERATING CHARACTERISTIC X-RAY FROM CONDUCTOR MATERIAL BY LOW ENERGY ION IRRADIATION AND ITS APPARATUS例文帳に追加

低エネルギーイオン照射による導電体物質からの特性Ｘ線発生方法とその装置 - 特許庁

METHOD AND APPARATUS FOR ANALYZING/EVALUATING ELEMENT IN CONDUCTIVE MATERIAL SAMPLE BY LOW ENERGY ION IRRADIATION例文帳に追加

低エネルギーイオン照射による導電体試料中の元素分析・評価方法とその装置 - 特許庁

The strength of the weak coupling can be controlled by the strength of the irradiation of the focused ion beam.例文帳に追加

弱結合の強さは照射する集束イオンビームの強度によって制御することができる。 - 特許庁

The plasma for vapor deposition 10 is generated and maintained with the irradiation of the ion beam 9.例文帳に追加

イオンビーム９の照射によって蒸着用プラズマ１０の生成および維持が行われる。 - 特許庁

When ion irradiation is carried out onto the beam limit (GUN) aperture 2-3, Ga of the irradiation region 7-1 is melt to disperse Ga on the surface of the beam irradiation region of the W aperture.例文帳に追加

ビーム制限(ＧＵＮ)アパーチャ２−３にイオン照射すると、照射領域７−１のＧａが溶融してＷアパーチャのビーム照射領域の表面にＧａが拡散する。 - 特許庁

Alternatively, the first exposure unit 103 may be formed by irradiation of ion beam, and the second exposure unit 104 may be formed by irradiation of electron beam.例文帳に追加

なお、イオンビームの照射により第１露光部１０３を形成し、電子ビームの照射により第２露光部１０４を形成してもよい。 - 特許庁

A gas cluster ion beam irradiation part 20 ionizes and accelerated the gas cluster generated, and gas cluster ion beams G are irradiated on the surface of a substrate W.例文帳に追加

ガスクラスターイオンビーム照射部２０は、生成したガスクラスターをイオン化して加速し、ガスクラスターイオンビームＧを基板Ｗの表面に照射する。 - 特許庁

The ion beam irradiation device is provided with a plasma generating device 24 and an ion beam current measurement device 30 fitted at its downstream side.例文帳に追加

このイオンビーム照射装置は、プラズマ発生装置２４と、その下流側に設けられたイオンビーム電流測定装置３０とを備えている。 - 特許庁

The ion beam irradiation device is of a structure in which ion beams 100 scanned in an X direction are irradiated on the substrate 90 held by a holder 2.例文帳に追加

Ｘ方向に走査されるイオンビーム１００をホルダ２に保持された基板９０に照射する構成のイオンビーム照射装置に関する。 - 特許庁

In the first film-forming step, a first film 103 with the thickness of ≥3 nm is formed on a particle irradiation surface of the substrate 101 after the pre-irradiation step by an ion assisted vapor deposition method using ion beams.例文帳に追加

第１の成膜工程では、前照射工程後の基板１０１の粒子照射面にイオンビームを用いたイオンアシスト蒸着法によって第１の膜１０３を３ｎｍ以上の厚みで成膜する。 - 特許庁

A neutral atom of the element contained in the hair is ionized in the ion source 40 by electron beam irradiation or light irradiation, to mass-analyze an ion obtained therein of the element contained in the hair, by the analytical part 50.例文帳に追加

イオン源４０では、毛髪含有元素の中性原子を電子線照射または光照射によってイオン化し、これにより得られる毛髪含有元素のイオンを分析部５０で質量分析する。 - 特許庁

This nitrogen concentration analyzer 10 includes a storage chamber 11, a primary ion irradiation device 12, a neutralization electron irradiation device 13, a communication tube 14, a flight chamber 15 and a secondary ion detection device 16.例文帳に追加

窒素濃度分析装置１０は、収容室１１、一次イオン照射装置１２、中和電子照射装置１３、連通管１４、飛行室１５および二次イオン検出装置１６を有する。 - 特許庁

To provide a device capable of extracting in a large volume and in good parallelism even ion beam of low energy and capable of reconciling clean irradiation of ion and severe monitoring of ion beam.例文帳に追加

低エネルギーのイオンビームでも多量にかつ平行性良く取り出すと共に、クリーンなイオン照射とイオンビームの厳重なモニタとを両立させることができる装置を提供する。 - 特許庁

The method for producing the zeolite has an ion irradiating step where the linear cluster groups 20 are formed by irradiating a zeolite 10 (LTA-type zeolite and the like) containing metal ions (Ag^+ and the like) with ion irradiation (Au-200 MeV ion beam irradiation and the like).例文帳に追加

本製造方法は、金属イオン（Ａｇ^＋等）を含んだゼオライト１０（ＬＴＡ型ゼオライト等）に対してイオン照射（Ａｕ−２００ＭｅＶイオンビーム照射等）を行って、直線状クラスタ群２０を形成するイオン照射工程を備える。 - 特許庁

To provide an ion beam distribution detection apparatus for electrically measuring the amount of irradiation of an ion beam irradiated to any location to be processed with the ion beam and detecting the divergence of the ion beam on the basis of measurement results and to provide an ion beam orientation processing apparatus.例文帳に追加

任意のイオンビーム処理位置に照射されるイオンビームの照射量を電気的に測定し、この測定結果をもとに、このイオンビームのダイバージェンスを検出するイオンビーム分布検出装置およびこれを用いたイオンビーム配向処理装置を提供すること。 - 特許庁

The single-crystal semiconductor is separated from the single-crystal semiconductor substrate by irradiation with accelerated ions, formation of a fragile layer by the ion irradiation, and heat treatment.例文帳に追加

単結晶半導体基板は、加速されたイオンの照射とそれに伴う脆化層の形成、及び熱処理により、単結晶半導体を分離する。 - 特許庁

A carbon nanotube 3 other than the one held in the space is removed by the irradiation of gallium ion beam.例文帳に追加

空間に保持したカーボンナノチューブ３以外のカーボンナノチューブ３を、ガリウムイオンビームの照射により除去する。 - 特許庁

To provide an ion scattering spectroscopy measuring method which can appropriately determine irradiation quantity of probe particles.例文帳に追加

プローブ粒子の照射量を適切に決定できるイオン散乱分光測定方法を提供する。 - 特許庁

The ion beam device comprises a liquid metal ion beam irradiation device 1 forming a cross section by irradiating a prescribed liquid metal ion beam on a specified site of a specimen 6, and a gaseous ion beam irradiation device 7 removing a damaged layer on a prescribed region by scanning the prescribed region (observing region) of the cross section by the gaseous ion beam converged into a prescribed beam radius.例文帳に追加

試料６の特定部位に所定の液体金属イオンビームを照射して断面を形成する液体金属イオンビーム照射装置１と、所定のビーム径に集束した気体イオンビームで上記断面の所定の領域（観察領域）を走査して、該所定の領域上のダメージ層を除去する気体イオンビーム照射装置７とを有する。 - 特許庁

To reduce the necessary amount of ion irradiation and provide a large margin to the necessary energy of the irradiated ions when a cantilever is bent by IIB (Ion Induced Bending) technique.例文帳に追加

IIB技術で片持ち梁を曲げ加工するに際し、必要なイオン照射量を低減し、かつ、必要な照射イオンのエネルギに大きなマージンを与える。 - 特許庁

To provide a charge up restraint device which can irradiate electrons on ion beam irradiation region of a substrate with excellent uniformity, and an ion injection device.例文帳に追加

高い均一性をもって、基板のイオンビーム照射領域に電子を照射することができるチャージアップ抑制装置およびイオン注入装置を提供する。 - 特許庁

To provide an ion beam irradiation device capable of conducting treatment of good uniformity to a target even when an ion source includes an electrode of a division structure.例文帳に追加

イオン源が分割構造の電極を有していても、ターゲットに対して均一性の良い処理を施すことができるイオンビーム照射装置を提供する。 - 特許庁

The ion injection device 1 comprises an ion irradiation part 11 which can irradiate ions under different conditions for each of a plurality of regions on a treatment board.例文帳に追加

イオン注入装置１は、処理基板上の複数の領域のそれぞれに対して異なる条件でイオンを照射可能なイオン照射部１１を含む。 - 特許庁

Dissociation of the precursor ion effectively starts by receiving irradiation of the exciting laser beam because the selected precursor ion is gathered in the vicinity of the center of the capturing zone A.例文帳に追加

選別されたプリカーサイオンは捕捉領域Ａの中央付近に集まるため、励起レーザ光の照射を受けて効率良く解離が生じる。 - 特許庁

An electron beam irradiation system with a different axial direction from an ion beam irradiation system are set up in the same sample room, and an observation is carried out with the electron beam irradiation system in the sample room under low-vacuum atmosphere.例文帳に追加

イオンビーム照射系と軸方向を異にした電子ビーム照射系を同一試料室内に設け、該試料室を低真空雰囲気にして該電子ビーム照射系で観察するようにした。 - 特許庁

An ion beam irradiation apparatus 10 can be regarded as a structure made by combining an ion/electron generator 20 of a laser-actuated type with an ion transporter 30, and guides ion beams of low directivity generated by the ion/electron generator 20 to the end by enhancing the directivity of them or focusing them in the ion transporter 30.例文帳に追加

このイオンビーム照射装置１０は、レーザー駆動型のイオン・電子発生装置２０と、イオン輸送装置３０とを組み合わせた構成と考えることができ、イオン・電子発生装置２０から発した指向性の低いイオンビームを、イオン輸送装置３０において指向性を高め、あるいは集束して末端まで導く。 - 特許庁

This ion beam irradiation device is equipped with an ion source to generate an ion beam 4, an electron beam source G to emit an electron beam two-dimensionally scanned in the ion source 2, a power supply 14 for it, an ion beam monitor 10 to measure the two-dimensional beam current distribution of the ion beam 4 at a position equivalent to the substrate, and a control device 12.例文帳に追加

このイオンビーム照射装置は、イオンビーム４を発生するイオン源２と、イオン源２内で２次元で走査される電子ビームを放出する電子ビーム源Ｇと、それ用の電源１４と、基板相当位置におけるイオンビーム４の２次元のビーム電流分布を測定するイオンビームモニタ１０と、制御装置１２とを備えている。 - 特許庁

Then, based on the detected quantity of the secondary electrons detected by the secondary-electron detecting sensor, irradiation control of the ion beam is carried out, and at the same time, ion injection into the semiconductor board by ion beam is carried out.例文帳に追加

また、２次電子検出センサで検出した２次電子の検出量に基づいてイオンビームの照射制御を行ないながら半導体基板へのイオンビームによるイオン注入を行なう。 - 特許庁

To suppress a diffusion phenomenon of a metal element induced by oxygen ion beam irradiation as primary ion used for analysis, concerning a depth direction analysis method of the metal element and a secondary ion mass spectrometer.例文帳に追加

金属元素の深さ方向分析方法及び二次イオン質量分析装置に関し、分析に用いる一次イオンとしての酸素イオンビーム照射に誘起される金属元素の拡散現象を抑制する。 - 特許庁

A mass-separating ion irradiation device 1a is composed of an argon-ion sputtering ion source 2, pullout electrodes 3, an electromagnet 4 for mass separation, an accelerator 5, a scanning electrode 6 and a base plate 7.例文帳に追加

質量分離型のイオン照射装置１ａは、アルゴンイオンによるスパッタ式のイオン源２、引き出し電極３、質量分離用電磁石４、加速管５、走査電極６、基板７から構成される。 - 特許庁

Positive ion beam generated by a positive ion source 1 and negative ion beam generated by negative ion source 2 are accelerated together at the same time in front stage accelerators 4, 5, and then the accelerated positive and negative ion beams are commonly utilized in irradiation equipment for RI manufacturing and an accelerator system 9.例文帳に追加

正イオン源１により生成した正イオンビームと負イオン源２により生成した負イオンビームとを前段加速器４，５において同時に加速し、前段加速器４，５によって加速された正イオンビーム及び負イオンビームをＲＩ製造用照射装置８と加速器システム９とで共用する。 - 特許庁

To provide an ion beam position detection plate of an ion beam generation device capable of specifying an ion beam irradiation position without using a phosphor material nor deteriorating the level of vacuum, in relation to an ion beam position detection plate of an ion beam generation device.例文帳に追加

本発明はイオンビーム発生装置のイオンビーム位置検出板に関し、蛍光材を用いることなく、且つ真空度を低下させることのない、イオンのビーム照射位置を特定することができるイオンビーム発生装置のイオンビーム検出板を提供することを目的としている。 - 特許庁

To attain trapping of electrons inside a magnet without causing any trouble on productivity of an ion beam irradiation apparatus.例文帳に追加

イオンビーム照射装置の生産性に支障をきたすことなく、磁石内部での電子の閉じ込めを達成する。 - 特許庁

METHOD AND APPARATUS FOR IMPROVING ELECTROCONDUCTIVITY AND MECHANICAL PROPERTY OF POLYMER SURFACE BY LOW- ENERGY ION BEAM IRRADIATION例文帳に追加

低エネルギーイオンビーム照射によるポリマー表面の電気伝導性及び機械的物性の向上方法とその装置 - 特許庁

In this case, pouring of impurity ion can be effected before or after the laser irradiation.例文帳に追加

その際、不純物イオンの注入は、レーザ線照射の前に行ってもよく、レーザ線照射の後に行ってもよい。 - 特許庁

To restrain secondary particles generated by irradiation of ion beams from adhering again to a processing area.例文帳に追加

イオンビームを照射することによって生成された二次粒子が加工領域に再付着することを抑制する。 - 特許庁

The irradiation is carried out with ultraviolet rays, an excimer laser beam, an electron beam, an ion beam or their combined beam as the energy beam 2.例文帳に追加

エネルギービームとしては、紫外線、エキシマレーザ、電子ビーム、イオンビームまたはこれらを組合せたビームを照射する。 - 特許庁