「ion irradiation」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

The ion implantation method of implanting ion by irradiating ion beams IB on a semiconductor substrate W through a deflector consists of a process of slanting a beam irradiation face 14a of the deflector 14 against the semiconductor substrate in a stationary state, and a process of irradiating the ion beams IB from the slanted beam irradiation face 14a and implanting ion into the semiconductor substrate W.例文帳に追加

イオンビームＩＢを偏向器１４を介して半導体基板Ｗに照射しイオンを注入するイオン注入方法において、静止させた半導体基板Ｗに対して偏向器１４のビーム出射面１４ａを傾斜させる工程と、傾斜させたビーム出射面１４ａからイオンビームＩＢを照射し、半導体基板Ｗへイオンを注入する工程とを有する。 - 特許庁

This ion beam irradiation device is equipped with a plasma generation device 14 as an example of an electron supply source for supplying electrons to a substrate 4 held to a holder 6 to restrain charge up of the substrate 4 caused by ion beam irradiation.例文帳に追加

このイオンビーム照射装置は、ホルダ６に保持された基板４に電子を供給してイオンビーム照射に伴う基板４のチャージアップを抑制する電子供給源の一例として、プラズマ発生装置１４を備えている。 - 特許庁

This catalyst having activity under irradiation of visible light comprises an oxide semiconductor such as titanium oxide containing hydrogen ion and/or an alkali metal ion on at least the surface layer.例文帳に追加

少なくとも表層に水素イオン及び／又はアルカリ金属イオンを含有する酸化チタン等の酸化物半導体からなる可視光照射下で活性を有する触媒。 - 特許庁

The fine particle 2 is irradiated with a converged ion beam, and secondary ions discharged by the irradiation of the converged ion beam are detected so as to perform the component analysis of the fine particle 2.例文帳に追加

また、微粒子２に集束イオンビームを照射し、この集束イオンビームの照射により放出される二次イオンを検出して微粒子２の成分分析を行う。 - 特許庁

Furthermore, the ion beam irradiation device includes beam current density distribution adjustment mechanisms 70a, 70b for respectively adjusting beam current density distributions in the vicinity of an end of ion beams 54a, 54b.例文帳に追加

更に、イオンビーム５４ａ、５４ｂの一端付近のビーム電流密度分布をそれぞれ調整するビーム電流密度分布調整機構７０ａ、７０ｂを備えている。 - 特許庁

To provide an ion beam processing method in which damages due to heat are not caused to a cross-section and the processing surface does not have roughness in the cross-section processing by irradiation of ion beams.例文帳に追加

イオンビームの照射による断面加工において，断面に熱によるダメージを与えず，加工面に荒れを生じさせないイオンビーム加工方法を提供する。 - 特許庁

To evaluate with higher accuracy the influence on atoms forming a substrate due to irradiation of ion in regard to ion radiation effect evaluation method, process simulator, and device simulator.例文帳に追加

イオン照射効果評価方法、プロセスシミュレータ及びデバイスシミュレータに関し、イオン照射にともなって基板を構成する原子が受ける影響を精度良く評価する。 - 特許庁

The electrons supplied to the ion beams B are irradiated on the substrate 90 and restrain generation of positive charge up by irradiation of ion beams B on the substrate 90.例文帳に追加

イオンビームＢに供給された電子は、基板９０に照射され、基板９０においてイオンビームＢの照射による正のチャージアップが発生するのを抑制する。 - 特許庁

The ion implanting device has an ion irradiation means for irradiating the opening of the trench with ions, and an electric field generation means for generating an electric field inside the trench.例文帳に追加

このイオン注入装置は、トレンチの開口部に向けてイオンを照射するイオン照射手段と、トレンチの内部に電界を発生させる電界発生手段を備えている。 - 特許庁

The fragment ion dislocates an exciting beam irradiation zone B due to greater vibration so that the generated fragment ion is immediately excited with the exciting signal by an action of an exciting electric field.例文帳に追加

これにより生成されたフラグメントイオンは励振信号による励振電場の作用で即座に励振されるため、大きく振動して励起光照射領域Ｂを外れる。 - 特許庁

In the deposition method performing thin-film formation by irradiating a target material with ions in a vacuum chamber to deposit the constitution material of the target material on a substrate, at least one or more seconds of non-irradiation time is set within one period of a first operation period of intermittent ion irradiation consisting of ion irradiation and ion non-irradiation.例文帳に追加

本発明によって、真空チャンバー内においてターゲット物質にイオン照射を行い該ターゲット物質の構成物質を基板に堆積させて薄膜作製を行う成膜法であって、イオン照射とイオン非照射とからなる断続的なイオン照射の第１の動作周期の１周期内に少なくとも１秒以上の非照射時間を設ける、ことを特徴とする成膜方法が提供される。 - 特許庁

Furthermore, the ion beam irradiation device includes a beam shaping mechanism 70a for shaping an end of the ion beam 54a located on the dividing band 82, and a beam shaping mechanism 70b for shaping an end of the ion beam 54b located on the dividing band 82.例文帳に追加

更に、イオンビーム５４ａの、分割帯８２に位置する端部を整形するビーム整形機構７０ａと、イオンビーム５４ｂの、分割帯８２に位置する端部を整形するビーム整形機構７０ｂとを備えている。 - 特許庁

And when viewing the ion beam outlet 14 along the gravity direction G, a dust-proof plate 11 is provided to cover the lower surface of the ion beam outlet 14 without interfering with irradiation of the ion beam 2 to the substrate 4.例文帳に追加

そして、重力方向Ｇに沿ってイオンビーム引出し口１４を見たときに、イオンビーム引出し口１４の下面を覆うとともに、基板４へのイオンビーム２の照射を妨げない防塵板１１を備えている。 - 特許庁

An ion implanter includes ion irradiation means capable of applying a plurality of types of ions, a plurality of stages where semiconductor wafers are installed, transfer means for transferring each stage relative to the ion irradiation means, transportation means for installing semiconductor wafers on the stages, control means, and input means for supplying a type of ion to the control means.例文帳に追加

複数種類のイオンを照射可能なイオン照射手段と、半導体ウエハが設置される複数のステージと、各ステージをイオン照射手段に対して相対移動させる移動手段と、ステージ上に半導体ウエハを設置する搬送手段と、制御手段と、イオンの種類を制御手段に入力する入力手段を備えるイオン注入装置。 - 特許庁

To provide an ion current density measuring method and a device for measuring ion current density indicating the amount of ion irradiation to a treated article in plasma treatment, along with plasma density and an electron temperature using a probe measuring instrument without depending on an ion current measuring instrument.例文帳に追加

プラズマ処理において被処理物品へのイオン照射量を示すイオン電流密度を、イオン電流計測器に頼ることなく、プローブ計測器を利用して、プラズマ密度や電子温度と併せて計測できるイオン電流密度計測方法及び装置を提供する。 - 特許庁

To provide an ion beam irradiation device capable of uniformly irradiating ion beams to the whole surface of a large-scaled substrate and restraining upsizing of an ion beam supply device and upsizing of a processing chamber while making a dimension of the ion beam smaller than a dimension of the substrate.例文帳に追加

大型の基板に対してもその全面に均一性良くイオンビーム照射を行うことができ、しかもイオンビーム寸法を基板寸法よりも小さくしてイオンビーム供給装置の大型化、処理室の大型化等を抑えることができるようにする。 - 特許庁

To provide a new method for efficiently creating a new mutant of a cyclamen plant by irradiation of heavy ion beam.例文帳に追加

シクラメン植物の新しい変異株を効率よく作出できる新しい方法を提供することが課題である。 - 特許庁

To reduce the frequency of replacement of a peripheral member which is consumed by ion irradiation of a plasma, and to stabilize the process characteristics.例文帳に追加

プラズマのイオン照射により消耗した周辺部材の交換頻度を減らし、プロセス特性の安定化を図る。 - 特許庁

Next, a P^+-drain layer 1 is formed on the rear surface of the N^+-buffer layer 2 by means of the ion implantation and irradiation of a second laser light beam.例文帳に追加

次に、Ｎ^＋バッファ層２の裏面にイオン注入と第２のレーザ照射によりＰ^＋ドレイン層１を形成する。 - 特許庁

Before the gas ion irradiation, the perpendicular magnetic recording layer contains platinum and at least one of iron and cobalt.例文帳に追加

ガスイオン照射を行なう前の垂直磁気記録層は、鉄及びコバルトのうち少なくとも１つ、及びプラチナを含有する。 - 特許庁

The surface modified layer 24 and surface protective layer 25 are preferably formed by irradiation of ions using ion sources.例文帳に追加

表面改質層２４および表面保護層２５はイオン源を用いたイオン照射により形成されることが望ましい。 - 特許庁

To improve the safety of medical treatment in the case of on-off controlling emission of ion beams during irradiation for treatment.例文帳に追加

治療照射中にイオンビームの出射をＯＮ／ＯＦＦ制御する場合において、治療の安全性を向上する。 - 特許庁

In addition, the irradiation volume of the ultraviolet light 7 with reference to a sample gas in the ion trap 9 can be increased.例文帳に追加

さらに、イオントラップ９中のサンプルガスと真空紫外光７との照射体積を増加させることができる。 - 特許庁

The photoresponsive copper ion adsorption material includes a copolymer prepared by copolymerizing a photoresponsive compound which reversibly exhibits transition of adsorption and desorption of a metal ion in a metallic ion solution according to the presence or absence of light irradiation and a monomer component containing a quaternary amine compound, wherein the copolymer selectively adsorbs Cu(II) ion in a dark place from the metallic ion solution including Cl ion, Na ion and Cu(II) ion.例文帳に追加

金属イオン溶液中で金属イオンの吸着及び脱離の転移を光照射の有無により可逆的に示す光応答性化合物と、四級化アミン化合物とを含む単量体成分を共重合させてなる共重合体を含む光応答性銅イオン吸着材料であり、前記共重合体は、塩素イオン、ナトリウムイオンおよび銅（II）イオンを含む金属イオン溶液から、暗所下で銅（II）イオンを選択的に吸着する。 - 特許庁

This ion beam irradiation device comprises a plasma generating device 20 which, by generating a plasma 12 by high frequency discharge, supplies it in the vicinity of the upstream side of the substrate 4 and contains charging on the substrate surface resulting from irradiation of the ion beam 2.例文帳に追加

このイオンビーム照射装置は、高周波放電によってプラズマ１２を生成してそれを基板４の上流側近傍に供給して、イオンビーム２の照射に伴う基板表面の帯電を抑制するプラズマ発生装置２０を備えている。 - 特許庁

On the basis of the coordinated information found, it is decided whether the irradiation range of the energy beam satisfies a positional relationship allowable for a predetermined irradiation point of the ion beam.例文帳に追加

この求めた座標情報に基づいて、中和用エネルギー線の照射範囲がイオンビームの予め定めた照射点に対し許容される位置関係にあるかを判定する。 - 特許庁

As a result, as the direction of drawing and acceleration of the ions 18 intersects the direction of irradiation of the vacuum ultraviolet light 7 at right angles, the ion- accelerating region 25 between the ion trap 9 and the ion-accelerating electrode 4 is not irradiated with the vacuum-ultraviolet light 7.例文帳に追加

この結果、イオン１８の引き出し加速方向と真空紫外光７の照射方向とが直交するので、真空紫外光７がイオントラップ９とイオン加速電極４との間のイオン加速域２５に照射されない。 - 特許庁

An ion source voltage generation part 7 sets voltages impressed on respective electrodes 11, 12 and 13 so as to make kinetic energy imposed on an ion released from an ion irradiation port of an ion trap 1 different from the other, and performs the mass spectrometry once on one sample, respectively.例文帳に追加

イオン源電圧発生部７は、イオントラップ１のイオン出射口１４から放出するイオンに付与する運動エネルギーがそれぞれ異なるように各電極１１、１２、１３に印加する電圧を設定して、同一試料についての質量分析をそれぞれ１回ずつ実行する。 - 特許庁

To provide a stencil mask for ion implantation, which is used in an ion implantation process in the manufacture of a semiconductor device, has excellent ion irradiation resistance, and stably carries out high precision and high purity ion implantation for a long period of time.例文帳に追加

半導体デバイスの作製におけるイオン注入工程で使用するイオン注入用ステンシルマスクであって、イオン照射耐性に優れ、長時間に渡って、高精度かつ高純度のイオン注入を安定して行うことができるイオン注入用ステンシルマスクを提供する。 - 特許庁

After setting of irradiation energy of a primary ion is implemented (S104) and then setting of an incident angle of the primary ion is implemented (S106), the primary ion beam is irradiated with a sample to measure intensity in the depth direction of main metallic elements (S108) using the secondary ion discharged over the depth direction of the sample.例文帳に追加

一次イオンの照射エネルギーを設定し（Ｓ１０４）、次いで、一次イオン入射角度を設定して（Ｓ１０６）、一次イオンビームを試料に照射し、試料の深さ方向に亘って放出された２次イオンにより主要金属元素の深さ方向の強度測定を行う（Ｓ１０８）。 - 特許庁

The negative resist composition for ion beam writing comprises (A) a resin which has a polymer unit of formula (1), a polymer unit prepared by ring opening polymerization and hydrogenation of a cyclic olefin, or a vinyl ether polymer unit, and is made slightly soluble or insoluble in a developer upon ion beam irradiation, and (B) at least one organic solvent which dissolves the resin (A).例文帳に追加

次の成分（Ａ）および（Ｂ）を含有するイオンビーム描画用ネガ型レジスト組成物並びに上記のネガ型レジスト組成物を利用するパターン形成方法。 - 特許庁

(c) Irradiation of the upside of the layer, with at least one ion beam (9), is performed at least once so that the layer (7) is locally etched at the place of the ion beam according to the removal characteristics.例文帳に追加

ｃ）層（７）がイオンビームの場所において除去特性に応じて、局部的にエッチングされるように、少なくとも１本のイオンビーム（９）を層の上に少なくとも１度行う。 - 特許庁

To provide a time-of-flight secondary ion mass spectrometer using a gas cluster ion beam in which secondary ions with a high mass-number can be pulsed while holding the two-dimensional information of the irradiation surface.例文帳に追加

照射面の二次元情報を保持したまま高質量数の二次イオンをパルス化できるガスクラスターイオンビームを用いた飛行時間型二次イオン質量分析装置を提供する。 - 特許庁

This decoration display substrate is formed by forming an ion irradiated layer on a diamond growth substrate by ion irradiation, then it is processed in a specified pattern, and finally by epitaxial growth of a single crystal of a diamond film on the surface.例文帳に追加

ダイヤモンド成長基板にイオン照射してイオン照射層を形成し、これを所定のパターンに加工し、この表面に単結晶のダイヤモンド膜をエピタキシャル成長させ、形成する。 - 特許庁

To provide an ion beam irradiation device capable of driving a holder in a reciprocating linear motion in a direction crossing a scanning direction ion beams, even without introducing a linear movement into a processing room.例文帳に追加

直線運動を処理室内に導入しなくても、ホルダをイオンビームの走査方向と交差する方向に往復直線駆動することができるイオンビーム照射装置を提供する。 - 特許庁

The shaved quantity of the semiconductor substrate 1 due to the focused ion beams 5 is controlled by changing the irradiation time of the focused ion beams 5 to the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

このとき、集束イオンビーム５による半導体基板１の削れ量を、半導体基板１に対する集束イオンビーム５の照射時間を変化させることによって調整する。 - 特許庁

A substrate 1 on a placement table 12 is irradiated with an ion beam from an ion source 13, at a position of a functional layer FL corresponding to the desired pattern shape with a prescribed intensity for a prescribed irradiation time.例文帳に追加

イオン源１３からイオンビームを載置台１２上の基板１に向けて、機能層ＦＬの所望のパターン形状に対応する位置に所定の強度および照射時間で照射する。 - 特許庁

To shut up particles generated by laser irradiation into an ion source container and to restrain the particles from flowing out to the devices of latter stages connected to a vacuum evacuation system or ion source.例文帳に追加

レーザ照射の際に発生する微粒子をイオン源容器内に閉じ込め、真空排気系やイオン源に接続される後段の装置へ微粒子が流出するのを抑制する。 - 特許庁

To provide an apparatus and a method for ion irradiation processing capable of continuously executing the heating and the ion processing of a substrate in a film deposition process at the same position.例文帳に追加

成膜工程における基板の加熱処理とイオン処理を、同じ位置において連続的に実施することができるイオン照射処理装置及びイオン処理方法を提供する。 - 特許庁

The probe device reduces adverse effect on the sample caused by sputter particles generated by ion beam irradiation to the probe, debris of the probe, and the ion beams passing through the vicinity of the probe.例文帳に追加

本発明により、プローブへのイオンビーム照射により発生したスパッタ粒子，プローブの破片，プローブの近傍を通過したイオンビームなどによる試料などへの悪影響を低減できる。 - 特許庁

As the energy irradiation, any of sputtering treatment using an inactive material, a sputtering treatment using a chemically active ion, ion milling, and plasma etching can be employed.例文帳に追加

エネルギー照射としては、不活性材料を使用したスパッタリング処理、化学的に活性を有するイオンを使用したスパッタリング処理、イオンミリング、及びプラズマエッチングのうちのいずれかを利用できる。 - 特許庁

While executing etching work by scanning and irradiating the vicinity of a sample cross section region with a focused ion beam 1, secondary ions 2 generated by the irradiation of the focused ion beam 1 are detected.例文帳に追加

試料断面領域近傍に集束イオンビーム１を走査照射してエッチング加工しながら、集束イオンビーム１を照射することにより発生する二次電子２を検出する。 - 特許庁

A part of the ion beam reached the interior of the irradiation field forming device 18 irradiates a patient 61 through the beam passage 35.例文帳に追加

照射野形成装置１８内に到達したイオンビームの一部はビーム通路３５を通過して患者６１に照射される。 - 特許庁

The present invention relates to a silver ion-containing faujasite type zeolite which is a photoluminescent material that emits a visible light by irradiation of ultraviolet ray.例文帳に追加

銀イオンを含有するフォージャサイト型ゼオライトであり、紫外線の照射によって可視光を発光するフォトルミネッセント材料。 - 特許庁

Thereby, the density of ion irradiation in the depth direction on the surface of the object 20 is controlled and the distribution of Young's modulus is controlled.例文帳に追加

これによって、被処理物２０の表面における深さ方向のイオン照射密度を制御し、ヤング率分布を制御する。 - 特許庁