「ion irradiation」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

By irradiating an ion beam on a surface of the drawing base plate 2a before making a drawing hole, a cleaning of a surface of the drawing base plate is conducted and/or a drawing hole is formed and, then, a blasting of deposition gas and irradiation of ion beams are carried out on the surface of the drawing plate to form a conductive thin membrane on the surface of the drawing plate.例文帳に追加

また、絞り孔を形成する前に絞り基体２ａの表面にイオンビームを照射することにより絞り基体の表面を清浄化する処理及び／又は絞り孔を形成した後に絞りプレートの表面にデポジション用ガスの吹き付けとイオンビーム照射行うことによって絞りプレートの表面に導電性薄膜を形成する処理を行う。 - 特許庁

To provide a substrate connection method which joins separating a connection pat from a functional connection part and locally perform high frequency heating and/or ion irradiation, in order to further increase the intrinsic connection area of the functional connection part, and a substrate connection structure.例文帳に追加

接合部と機能的結合部を分けて接合を行い、機能的結合部の真実結合面積を更に大きくするために、高周波加熱或は／及びイオン照射を局部的に行なう基板結合法及び基板結合構造体である。 - 特許庁

As those protection layer, capable of forming by a thermal CVD method, a plasma CVD method, or an evaporation method with irradiation of ion beam or electron beam, has high sputtering resistant property and big dielectric glass protection effect, the life of the panel is prolonged.例文帳に追加

このような保護層は、熱ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法、或はイオンビームや電子ビームを照射しながら蒸着する方法で形成することができ、耐スパッタリング性が高く、誘電体ガラス層の保護効果が大きいのでパネル寿命が向上する。 - 特許庁

In solid state image pickup device of rear surface irradiation type, an element isolation layer between a light receiving part side and a circuit side is realized by forming an oxide film in a semiconductor substrate through oxygen ion implantation by way of a predetermined mask pattern and a thermal treatment thereafter.例文帳に追加

裏面照射型の固体撮像装置において、受光部側と回路側との素子分離層を所定のマスクパターンを介した酸素イオン注入と、その後の熱処理によって半導体基板中に酸化膜を形成することにより実現する。 - 特許庁

The projection structure is grown and formed by irradiating the surface of the zinc substrate in vacuum with an Ar ion beam at an irradiation angle of 15 to 90 degrees and at an acceleration voltage of 2 to 10 kV to excite and diffuse zinc atoms on the surface.例文帳に追加

そして、これらの突起構造体は、真空中で亜鉛基板の表面上に、１５〜９０ｄｅｇの照射角にて加速電圧２〜１０ｋＶのＡｒイオンビームを照射し、励起した亜鉛原子の表面拡散で成長・形成させる。 - 特許庁

To provide a piezoelectric resonance component whose frequency can efficiently be adjusted with high precision nearly in the state of a complete article and which hardly has a short circuit defect due to irradiation with an ion beam and laser light when the frequency adjustment is carried out.例文帳に追加

完成品に近い状態で高精度にかつ効率良く周波数調整を行うことができ、さらに周波数調整を行うに際してのイオンビームやレーザー光の照射による短絡不良が生じ難い、圧電共振部品を提供する。 - 特許庁

Information on the height of the probe from the surface of the sample is obtained by detecting the shadow 54 of the probe, which occurs immediately before being brought into contact with the sample or from changes in the relative locations of a probe image and a sample image formed when oblique irradiation with an ion beam is conducted.例文帳に追加

プローブの試料表面からの高さ情報を、試料への接触直前に発生するプローブ影５４の検出、あるいはイオンビームを斜照射するとき形成されるプローブ像と試料像との相対位置の変化から得る。 - 特許庁

To solve the problem associated with formation of a laminated thin film through ion beam irradiation wherein the obtained thin film is electrically charged and causes film breakage or oxidation-reduction reaction unnecessary for keeping an electrical neutrality inside the film, and therefore physical properties of the film deteriorate.例文帳に追加

積層薄膜において、イオンビームでイオン照射し薄膜を成膜する場合、作製した薄膜が帯電し、膜破壊や膜内部で電気的中性を保つために必要のない酸化還元反応が起こり、膜物性が劣化すること。 - 特許庁

The method for synthesizing ethyl tertiary butyl ether (ETBE) from a mixture consisting of ethanol and tertiary-butyl alcohol comprises synthesizing ETBE in the presence of a catalyst such as a strong acid ion exchange resin by heating with microwave irradiation.例文帳に追加

エタノールとターシャリーブチルアルコールとを含有する混合物からエチルターシャリーブチルエーテル（ＥＴＢＥ）を合成する方法であって、強酸性イオン交換樹脂などの触媒の存在下、マイクロ波照射により加熱することにより、ＥＴＢＥを合成する。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus or the like and a plasma processing method capable of adopting higher concentration radical irradiation for ensuring high speed etching even under a low pressure and ensuring ion concentration required for vertical etching performance.例文帳に追加

本発明は、低圧下にありながら、高速エッチングを確保するためのラジカルをより高濃度とすることができ、しかも垂直エッチング性に必要なイオン濃度を確保することが可能なプラズマ処理装置等や処理方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method and a device for plasma etching capable of controlling types or density of radical species and ion species existing in plasma, generating plasma suitable for processes, and switching plasma states by presence/absence of irradiation of light.例文帳に追加

プラズマ内に存在するラジカル種及びイオン種の種類又は密度を制御し、プロセスに対して適したプラズマを生成し、かつ、光の照射の有無によりプラズマ状態の切り換えをすることができるラズマエッチング方法及び装置を提供すること。 - 特許庁

The substrate 1 for the optical component consisting of a compound oxide composed of lithium and a metal element other than lithium is subjected to ion irradiation as shown by arrows A so as to form the low resistive part 4 with resistance lower than that of the compound oxide.例文帳に追加

リチウムとリチウム以外の金属元素との複合酸化物からなる光部品用基材１に、矢印Ａのようにイオン照射することによって、複合酸化物の抵抗値よりも低い抵抗値を有する低抵抗部４を形成する。 - 特許庁

Before the peeling of a silicon piece 11 of the single-crystal Si substrate 10a from the hydrogen ion-implanted region 15, an amorphous Si thin film 5 formed by catalytic CVD is modified into a polycrystalline Si thin film 5' by excimer laser irradiation.例文帳に追加

そして、単結晶Ｓｉ基板１０ａのシリコン片１１を水素イオン注入部１５から剥離させる前に、触媒ＳＶＤ法により成幕した非晶質Ｓｉ薄膜５にエキシマレーザーを照射して多結晶Ｓｉ薄膜５’に改質する。 - 特許庁

The beam source 13 is positioned on the holding end side of the sample 3 with respect to the perpendicular line L to the cross section 4, and tilted so as to set the irradiation direction of the inactive ion beam to the cross section 4 at a tilt angle θ with respect to the perpendicular line L.例文帳に追加

そして、除去用ビーム源１３は、断面４の垂線Ｌに対して試料３の保持端側に位置されて、断面４に対する不活性イオンビームの照射方向が、垂線Ｌに対して傾斜角θをもって傾斜されている。 - 特許庁

This corpuscular beam irradiation controller incorporating beam orbit correcting computation processing in a treatment sequence, includes a storage device for updating and storing data of exciting current values to an electromagnet installed in a beam transport system, based on a corrected exciting current value after corrected after irradiation of ion beams for an irradiation object is completed, and a control device for controlling the exciting current for the electromagnet based on the exciting current value after updated.例文帳に追加

上記目的を達成するための手段として、本発明の粒子線照射制御装置は、治療シーケンスの中にビーム軌道補正計算処理を組み込み、照射対象へのイオンビームの照射が終了した後、ビーム輸送系に設置された電磁石への励磁電流値のデータを、補正後の補正励磁電流値に基づいて更新して記憶する記憶装置と、その後は、更新後の励磁電流値に基づいて電磁石の励磁電流を制御する制御装置を備える。 - 特許庁

In the method for generating the negative ion by irradiating the photoelectron releasing material 3 disposed at the whole surface of a gas passage with UV rays 2, the irradiation of the UV rays is performed so that the whole surface of the photoelectron releasing material may have a fixed concentration of higher and the irradiation of the UV rays is performed by using plural UV lamps and germicidal lamps may be used for the UV lamps.例文帳に追加

気体通路の全面に配設した光電子放出材３に紫外線２を照射することによる負イオンの発生方法において、前記紫外線の照射を光電子放出材の全面が一定濃度以上となるように行うものであり、紫外線の照射は、複数の紫外線ランプ２を用い、該紫外線ランプとしては殺菌灯を用いるのがよい。 - 特許庁

The water treatment apparatus is provided with a nitrous oxide adding means for adding nitrous oxide into the treating object water, the ultraviolet ray irradiation device irradiating the water to be treated in which nitrous oxide is added, with ultraviolet ray, for decomposing organic compounds in the water, and an ion exchange resin apparatus for removing ions in the water by introducing thereto the water treated in the ultraviolet ray irradiation device.例文帳に追加

水処理装置が、被処理水に亜酸化窒素を添加する亜酸化窒素添加手段と、前記亜酸化窒素を添加された被処理水に紫外線を照射し、水中の有機化合物を分解する紫外線照射装置と、前記紫外線照射装置によって処理された被処理水を導入し、水中のイオンを除去するイオン交換樹脂装置と、を具備する。 - 特許庁

In another method, the plural refractive index change parts 4 are formed inside the core part 3 by converging a beam diameter of an ion beam formed by accelerated ions below a width of the refractive index change part 4 for constituting the grating G, and intermittently irradiating the ion beam with shifting an irradiation position to a center axis direction to implant the ions into the core part 3.例文帳に追加

また、他の方法として、加速されたイオンにより形成されるイオンビームのビーム径を、グレーティングＧを構成すべき屈折率変化部４の幅以下に収束させ、光ファイバ１の中心軸方向に照射位置を移動しつつイオンビームを断続的に照射してイオンをコア部３内に注入することにより、コア部３内に当該屈折率変化部４を複数形成する。 - 特許庁

In the process for producing a thin film, a substrate 10 is irradiated with an ion beam while depositing a thin film on the substrate by electron beam deposition, and the crystal c-axis of the thin film formed on the substrate 10 is oriented in the in-plane direction of the substrate by setting a substantially right angle between the substrate 10 and the irradiation direction of the ion beam.例文帳に追加

本発明に係る薄膜製造方法は、電子ビーム蒸着法によって基板に薄膜を堆積させつつ基板１０に対してイオンビームを照射するとともに、基板１０とイオンビームの照射方向とのなす角度を略垂直とすることで、基板１０上に形成される薄膜の結晶ｃ軸を基板面内方向で一方向に配向させる。 - 特許庁

To provide drift correction method and apparatus in FIB (Focused Ion Beam) automatic processing, which can make accurate correction for rotation even if the rotation happens in an irradiation position of a test piece.例文帳に追加

本発明はＦＩＢ自動加工時のドリフト補正方法及び装置に関し、試料照射位置に回転が生じた場合でもこの回転の補正を正確に行なうことができるＦＩＢ自動加工時のドリフト補正方法及び装置を提供することを目的としている。 - 特許庁

In the ozone sensor, the surface of a substrate 10 is smoothed to an average roughness of 0.05 μm or less by gas cluster ion irradiation or the like, and an indium oxide film whose thickness is 0.3 or 0.5 μm is used on it as an ozone resistance variation layer 20.例文帳に追加

本発明に係るオゾンセンサは、基板１０の表面がガスクラスタイオン照射などで平均粗さ０．０５マイクロメートル以下に平滑化されており、その上ににオゾン感応抵抗変化層２０として厚さ０．３ないし０．５マイクロメートルの酸化インジウム膜を用いている。 - 特許庁

A single laser beam, emitted from argon ion laser 6, is adjusted in a plane of polarization, and the irradiation light 1 condensed by a condensing lens 10 is allowed to be incident on the surface of the sample 3 at an incident angle which minimizes reflected light and generating only scattered light.例文帳に追加

アルゴンイオンレーザー６から射出させた単一レーザー光を、偏光面調整させ、ついで集光レンズ１０で集光させた照射光１を、反射光を最小限に抑え、散乱光のみを発生させる入射角度で、試料３表面に照射させる。 - 特許庁

This production method for the amorphous nanoscale carbon tube comprises performing an excitation treatment selected from a group consisting of light-, plasma-, electron beam- and ion beam-irradiation treatments of a specific halogen-containing or chalcogen-containing resin in the presence of a catalyst comprising a metal powder and/or a metal salt.例文帳に追加

特定のハロゲン含有樹脂又はカルコゲン含有樹脂を、金属粉および／または金属塩からなる触媒の存在下に、光照射処理、プラズマ照射処理、電子線照射処理及びイオンビーム照射処理からなる群から選ばれる励起処理に供する。 - 特許庁

An objective lens having a built-in ion drawing/einzel pipe lens is used in a laser irradiation section of the flight time mass spectrometer, and a laser beam can be narrowed to several ten μm and radiated on the sample plate, and thus interference between eluant spots is prevented.例文帳に追加

また飛行時間質量分析計のレーザー照射部にイオン引き出し・アインシェルパイプレンズ内臓対物レンズを用い、サンプルプレート上にレーザー光を数１０μｍに絞って照射することが可能で、これにより、溶離液スポット相互間の干渉を防止した。 - 特許庁

An amorphous silicon nitride film is formed on the surface of a silicon substrate as a buffer layer, the buffer layer is annealed by microwave excitation high density radical ion irradiation, or the like, and a crystalline silicon nitride film is formed, thus obtaining the silicon nitride film whose characteristics are stable.例文帳に追加

シリコン基板表面に、バッファ層として、非晶質のシリコン窒化膜を形成し、当該バッファ層をマイクロ波励起高密度ラジカルイオン照射等により、アニールを施し、結晶質のシリコン窒化膜にすることにより、特性の安定なシリコン窒化膜が得られる。 - 特許庁

An H2 gas supplying part 18 supply H2 gas to the post stage accelerating portion 28 such that the total sum of out gas generated from the semiconductor wafer 100 by irradiation of an ion beam IB and H2 gas supplied from the H2 gas supplying part 18 can be fixed nearly and constantly.例文帳に追加

Ｈ_2ガス供給部１８は、イオンビームＩＢの照射によって半導体ウェハ１００から生ずるアウトガスとＨ_2ガス供給部１８から供給されるＨ_2ガスとの総和が常にほぼ一定となるように、後段加速部２８にＨ_2ガスを供給する。 - 特許庁

This method for detecting mercury ion includes: acquisition of a solution containing the test sample, a first single-stranded nucleic acid and a second single-stranded nucleic acid; and detection of excimer emission generated by irradiation, by irradiating the acquired solution with excitation light.例文帳に追加

被験試料、第一の一本鎖核酸、及び第二の一本鎖核酸を含む溶液を得ること；及び、得られた溶液に励起光を照射し、該照射により発生するエキシマー発光を検出することを含む、水銀イオンを検出する方法により解決される。 - 特許庁

The ion beam irradiation device is provided with an expansion and contraction drive mechanism 124a driving the holder 10 in a reciprocating linear motion by expanding and contracting arms 52, 64, and a circling drive mechanism 126 swinging the mechanism 124a in reciprocation with a circling center axis as a center.例文帳に追加

このイオンビーム照射装置は、アーム５２、６４を伸縮させてホルダ１０を往復直線駆動する伸縮駆動機構１２４ａと、当該機構１２４ａを旋回中心軸８６を中心にして往復旋回させる旋回駆動機構１２６とを備えている。 - 特許庁

A magnetic recording medium 10 is formed by performing gas ion irradiation by using a magnetism deactivating gas on a lamination layer including a perpendicular magnetic recording layer 5, a Ru nonmagnetic underlayer 2 containing a magnetism deactivating element selected from chromium, titanium, and silicon, and a nonmagnetic substrate 1.例文帳に追加

磁気記録媒体１０は、垂直磁気記録層５、クロム、チタン、及びシリコンから選択される磁性失活元素を含むＲｕ非磁性下地層２、及び非磁性基板１を含む積層に、磁性失活ガスを用いてガスイオン照射を行なうことにより形成される。 - 特許庁

To provide ^18O enriched water for an ^18F fluoride ion generating raw material which suppresses gasification of dissolved gas even if the temperature of the ^18O enriched water rises by proton irradiation and can efficiently generate ^18F fluoride ions in a stable state.例文帳に追加

プロトン照射により^１８Ｏ濃縮水の温度が上昇しても溶存ガスのガス化を抑制し、安定した状態で効率よく^１８Ｆフッ化物イオンを生成することができる^１８Ｆフッ化物イオン生成原料用の^１８Ｏ濃縮水を提供する。 - 特許庁

According to the washing method of the optical element, the organic matter contamination adhered to the fluorite substrate can be removed by the use of a DC ion source and the irradiation of the fluorine active species produced from plasma at a low energy and at a high density without giving any damage to the substrate.例文帳に追加

本発明による光学素子の洗浄法は、ＤＣイオン源を用い、低エネルギー、高密度でプラズマから生成するフッ素活性種を照射することにより、蛍石基板に付着する有機物汚染を基板にダメージを与えることなく除去できる。 - 特許庁

In this slice sample fixing method, deposition by focused ion beam irradiation is applied to a predetermined position of the slice sample placed on the sample base or the fixing base such as a mesh while gas is jetted by means of a gas gun, and consequently, the slice sample is fixed to the fixing base.例文帳に追加

本発明の薄片試料の固定方法は試料台若しくはメッシュなどの固定台上に載置された薄片試料の所定個所に、ガス銃によってガスを噴射しつつ集束イオンビームを照射するデポジションを施し、これによって、前記固定台に薄片試料を固定するようにした。 - 特許庁

At the time of simultaneously executing the formation of a carbon film by plasma CVD and nitrogen ion beam irradiation, gaseous hydrogen is mixed into a plasma gaseous starting material, and a negative bias is applied on a substrate 2, by which SP2-coupled soft graphite components in the carbon film to be formed on the substrate 2 are subjected to etching.例文帳に追加

プラズマＣＶＤによる炭素膜形成と、窒素イオンビーム照射とを同時に行うにあたり、プラズマ原料ガス中に水素ガスを混合し、基板２に負バイアスを印加することにより、基板２上に形成される炭素膜中のＳＰ_2 結合をした軟弱なグラファイト成分がエッチングされる。 - 特許庁

The oxidizing agent (alkaline potassium peroxodisulfate) added by being measured by a measuring part 5 for reference sample water supplied to the inside of the oxidation decomposition of an oxidation decomposition part 1, and nitrogen oxide in the reference sample water by ultraviolet ray irradiation by a low pressure mercury lamp 3 are oxidized and decomposed into nitrate ion.例文帳に追加

酸化分解部１の酸化分解槽２内に供給さた基準試料水への計量部５で計測されて添加された酸化剤（アルカリ性ペルオキソ二硫酸カリウム）と、低圧水銀灯３よりの紫外線照射で、基準試料水内の窒素酸化物を硝酸イオンに酸化分解する。 - 特許庁

The system is so constituted that a tape target 3 irradiated with a high-intensity laser beam 4a to generate ions 2 and a capillary board 1, located directly behind the position where ions are generated to collimate the ions generated from the tape target, and emit them outside an ion beam irradiation head 7 are placed in the head.例文帳に追加

イオンビーム照射ヘッド７内に、高強度レーザー光４ａを照射してイオン２を発生させるテープターゲット３と、イオン発生位置の直後に位置するように設置され、テープターゲットから発生したイオンをコリメートしてヘッド外に発出させるキャピラリー基盤１を設けるように構成する。 - 特許庁

In the fluorescence analyzing method due to the irradiation with single ions, a sample to which the fluorescent coloring matter is preliminarily added or a sample emitting fluorescence itself is irradiated with single ions, and the quantity of fluorescence emitted from the sample and the energy of the single ion transmitted through the sample are measured.例文帳に追加

予め蛍光色素を添加した試料や自らが蛍光を発する試料にシングルイオンを照射し、前記試料から発せられる蛍光の光量と前記試料を透過する前記シングルイオンのエネルギーとを測定することを特徴とする、シングルイオン照射による蛍光分析方法。 - 特許庁

A diamond wafer 13 is characterized in that a recess 17 formed by the irradiation of a gas cluster ion beam and having a bottom 17c with a surface roughness Rms of 0.1 to 10 nm is formed at a position where a absorber 16 for absorbing radiation light, etc., is arranged on the surface of a permeable membrane 12 facing a material to be transferred.例文帳に追加

ダイヤモンドウェハ１３は、透過膜１２の被転写体側の面であって照射光等の吸収体１６を配設する部位にガスクラスターイオンビームの照射によって表面粗さがＲｍｓ＝０．１〜１０ｎｍの底面１７ｃを有する凹部１７が設けられたことを特徴とする。 - 特許庁

A plurality of electrostatic analyzers are arranged so that only the secondary ions accelerated by the pulse gate electrode are selected, and the secondary ions having the same charge-to-mass ratio enter an ion detector 50 simultaneously while holding the two-dimensional information of the irradiation surface and the position and time are detected.例文帳に追加

パルスゲート電極部で加速された二次イオンのみが選別されるとともに同一の電荷質量比を有する二次イオンは照射面の二次元情報を保持したままイオン検出器５０に同時に入射して位置と時刻が検出されるように複数の静電型分析器が配置される。 - 特許庁

To provide a microscope sample preparing technique, wherein by solving the problem of ions injected by ion irradiation and remaining in the vicinity of the surface of a sample when of preparing a sample to be observed through the use of FIB, the sample is properly observed without being affected by the ions.例文帳に追加

ＦＩＢを用いて観察試料を作製する場合に、イオン照射によって注入され、試料表面近傍に残留するイオンの問題を解決し、その影響を受けることなく本来の試料観察ができる顕微鏡試料作製手法を提示することにある。 - 特許庁

To provide a method of producing a diffraction grating by direct plotting using charged particle beam such as electron beam or ion beam and in detail, a method of precisely plotting the diffraction grating having an optional spatial frequency without depending on beam irradiation position control resolution of the plotting device.例文帳に追加

本発明は、電子ビームやイオンビーム等の荷電粒子ビームを用いた、直接描画による回折格子の形成方法に係り、さらに詳しくは、描画装置のビーム照射位置制御分解能によらず、任意の空間周波数の回折格子を精度良く描画する方法に関するものである。 - 特許庁

The waste water recycling device 9 is constituted of a waste water part 9a containing a ceramic filter 12 for filtering the waste water to separate into the working water and the concentrated waste water and a regenerating part 9b containing a means for treating the working water from the waste water part 9a with ultraviolet irradiation or ion exchange and removing a fine mixture.例文帳に追加

廃水リサイクル装置は、廃水を濾過して加工水と濃縮廃水に分離するセラミックフィルターを含む廃水部と、廃水部からの加工水を紫外線照射やイオン交換で処理し且つ微細な混合物を排除する手段を含む再生部とから構成される。 - 特許庁

To provide a processing device having a compact stage structure that can irradiate respective surfaces of an object to be processed which has a three-dimensional structure with a gas cluster ion beam and can measure a beam current value and a beam current distribution at an irradiation position on a surface of the object to be processed even during the process.例文帳に追加

３次元構造をもつ加工対象物の各面にガスクラスターイオンビームを照射することができ、かつ各加工対象面の照射位置におけるビーム電流値やビーム電流分布をプロセス中にも計測可能なコンパクトなステージ構造を有する加工装置を提供する。 - 特許庁

The composition contains one or more kinds of resist compounds expressed by general formula (1) or (2) and one or more kinds of acid generating agents which directly or indirectly generate an acid by irradiation with any radiation selected from visible rays, UV rays, excimer laser light, electron beams, X rays and ion beams.例文帳に追加

下記一般式（Ｉ）又は（ＩＩ）で表されるレジスト化合物を一種以上と、可視光線、紫外線、エキシマレーザー、電子線、Ｘ線およびイオンビームから選ばれるいずれかの放射線の照射により直接的又は間接的に酸を発生する酸発生剤を一種以上含む。 - 特許庁

To provide a polyelectrolyte membrane for a solid polymer-type fuel cell having a high ion exchange capacity and a high proton conductivity by solving the problem of the deterioration of the material characteristics of a base material by causing graft reaction to a fluorinated polymer through irradiation of radiation beam.例文帳に追加

フッ素系高分子に放射線照射してグラフト反応させることによって基材の材料特性が低下する問題を解消し、かつ、高イオン交換容量、高プロトン伝導性を有する固体高分子形燃料電池用の高分子電解質膜を提供する。 - 特許庁

To provide an energy beam machining device and an energy beam machining method capable of maintaining the condensing state of energy beams such as ion beams, the irradiation direction of energy beams on a work, and simplifying the work of converting the energy of the energy beam with which the work is irradiated according to a machining condition or the like such as the machining depth of the work.例文帳に追加

イオンビーム等のエネルギービームの収束状態や被加工物への照射方向等を維持すると共に，被加工物の加工深さなどの加工条件等に応じて被加工物へ照射するエネルギービームのエネルギーを変更する際の作業を簡略化すること。 - 特許庁