例文 (483件) |
ion irradiationの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 483件
The irradiation of the Ar ion beam neutralizes the observed area of the sample 3 and prevents the sample from charging up.例文帳に追加
このArイオンビームの照射によって、試料3の被観察領域は電気的に中和され、チャージアップが発生することがない。 - 特許庁
To provide a semiconductor substrate which solves a problem attributed to ion irradiation and which can obtain a favorable property.例文帳に追加
イオンの照射に起因する問題を解決した、良好な特性が得られる半導体基板を提供することを課題とする。 - 特許庁
The sample piece 15 is molded by clipping the original sample 5 at a desired position by using a focused ion beam irradiation optics 2.例文帳に追加
集束イオンビーム照射光学系2により元試料5の所望位置において試料片15の切り出しの成形を行なう。 - 特許庁
A sample machining method includes a process for machining one portion of a sample 14 into a micro sample 6 by irradiating it with a first ion beam radiated from a first ion source for scanning; a process for separating the micro sample machined by the first ion beam from the sample; and a process for machining the micro sample 6 by using the second ion beam through irradiation with an ion beam from a second ion beam machining apparatus 17.例文帳に追加
第1のイオン源から放出される第1のイオンビームを照射し走査して試料14の一部をマイクロサンプル6に加工する手段と、前記第1のイオンビームにより加工された前記マイクロサンプルを前記試料から分離するプローブと、第2のイオンビーム加工装置17から照射し、前記マイクロサンプル6を前記第2のイオンビームを用いて加工する方法。 - 特許庁
When a treatment of ion implantation or the like is applied by irradiating an ion beam 14 to a substrate 2, the charging of the substrate surface accompanied with the ion beam irradiation is suppressed by supplying a plasma 30 discharged from a plasma generator 20 to the neighborhood of the substrate 2.例文帳に追加
基板2にイオンビーム14を照射してイオン注入等の処理を施す際に、プラズマ発生装置20から放出させたプラズマ30を基板2の近傍に供給して、イオンビーム照射に伴う基板表面の帯電を抑制する。 - 特許庁
When ion processing is not executed, the shielding plates 6 covers an opening part of the grounding shield 5 to shield a space between the metal plate 3 for the ion sources and the substrate 7, and the substrate 7 can be heated by the shielding plates 6 heated by the ion irradiation.例文帳に追加
イオン処理を行わない時には、遮蔽板6がアースシールド5の開口部を覆ってイオン源用金属板3と基板7の間を遮蔽するので、イオン照射により加熱された遮蔽板6で基板7を加熱処理することができる。 - 特許庁
To carry out in short time and efficiently replacement of the shading material M of the mask in the etching process of the sample S by ion beam irradiation.例文帳に追加
イオンビーム照射による試料Sのエッチング加工において、マスクとなる遮蔽材Mの交換を短時間で効率良く行う。 - 特許庁
To provide an ion beam irradiation device enabling to easily convey a substrate in a horizontal state, while avoiding jumboization of the device.例文帳に追加
装置の大形化を回避しつつ、水平状態にされた基板を容易に搬送可能とするイオンビーム照射装置を提供する。 - 特許庁
An edge 8b of the mask 8 is etched as an original shape indicated by a dashed line before irradiation of an ion beam is approximately maintained.例文帳に追加
マスク8のエッジ部分8bは、イオンビーム照射前の元の形状(点線で示された元の形状)をほぼ保ちながらエッチングされる。 - 特許庁
More specifically, the ground plane film 1 is subjected to FIB processing (Ga ion irradiation) to remove a part of the film to make a structure having a recess.例文帳に追加
具体的には、グランドプレーン膜1に、FIB加工(Gaイオン照射)により、膜の一部を除去して凹部を有する構造とする。 - 特許庁
By the irradiation of laser light, the implanted ion impurities and the crystal damaged at the time of implantation are subjected to the activation and the restoration process, respectively.例文帳に追加
レーザ光を照射してイオン注入した不純物の活性化と注入時に損傷を受けた結晶の回復処理を行う。 - 特許庁
To carry out with a high throughput both of a thin-film working of high precision by ion beam irradiation and a STEM observation of high resolution by electron beam irradiation of a sample, without moving the sample.例文帳に追加
試料のイオンビーム照射による高精度の薄膜加工と電子ビーム照射による高分解能のSTEM観察の両者を、ほぼ試料を動かすことなく、高スループットで実施する。 - 特許庁
After forming a magnetized fixing layer or a magnetized free layer, an oxidized layer is formed by effecting the oxidization of a surface and, thereafter, the thickness of the oxidized layer is thinned by applying ion beam irradiation or plasma irradiation.例文帳に追加
磁化固着層あるいは磁化自由層作成後、表面の酸化を行うことで酸化層を形成した後、イオンビーム照射、あるいはプラズマ照射を施すことで酸化層を薄膜化する。 - 特許庁
Then, the substrates 1 and 2 having the track width regulating grooves 10 and 10 formed therein are placed to face an ion beam irradiation device, subjected to etching by ion beams, and the width L of the width deciding wall 32 is formed to be equal to the desired track width.例文帳に追加
次に、トラック幅規制溝10、10を形成した基板1、2を、イオンビーム照射装置に対向させ、イオンビームにてエッチング処理し、幅決め壁32の幅Lを所望のトラック幅に形成する。 - 特許庁
This invention relates to irradiation of ion beams inclined with respect to an optical axis of the optical system by controlling a diaphragm, tilt deflector, beam scanner, and objective lens in a focused ion beam optical system.例文帳に追加
本発明は、集束イオンビーム光学系における絞り,チルト偏向器,ビームスキャナー、及び対物レンズを制御し、該光学系の光軸に対して傾斜したイオンビームを照射することに関する。 - 特許庁
To provide an ion beam irradiation device capable of performing maintenance without having an adverse effect on other processing chambers when performing maintenance of an ion beam supply device in use corresponding to an in-line method.例文帳に追加
インライン方式に相当する使用においてイオンビーム供給装置のメンテナンスを行う際、他の処理室に悪影響を与えることなくメンテナンスを行うことができるイオンビーム照射装置を提供する。 - 特許庁
To provide a multivalent ion irradiation device capable of controlling spatially precisely and accurately ion injection amount or the like using low-speed multivalent ions, and a manufacturing method of a fine structure using the same.例文帳に追加
低速の多価イオンを用いて空間的に正確で、かつ、イオン注入量などを精密に制御できる多価イオン照射装置及びそれを用いた微細構造の製造方法を提供する。 - 特許庁
Both permanent magnets 28A and 28B are arranged in opposed relation to each other in parallel to the irradiation axis of the ion beam 13 with a sample stage 32 and scattered ion measuring instruments 34 and 36 in between.例文帳に追加
両永久磁石28A,28Bは、試料ステージ32及び散乱イオン測定装置34,36を挟んでイオンビーム13の照射軸と平行な方向に相対向するように配置される。 - 特許庁
The complex lens system 21, for example, using two quadrupole lenses and forming a reduced image of the ion source 10, is constructed so as to minimize the range of the angle of ion irradiation.例文帳に追加
複合レンズ系21は、例えば2個の四重極レンズで構成され、イオン源10の縮小像を形成するとともに、出射イオンビームの広がり角度が最小となるように構成される。 - 特許庁
Surfaces of the plurality of garnet single crystals are etched by performing ion beam irradiation, high-speed atom beam irradiation, or plasma processing under a vacuum to be cleaned and activated, and then the surfaces are brought into contact with each other without being exposed to an atmosphere except working gas of the ion beam irradiation, high-speed atom beam irradiation or plasma processing, and directly joined together, thereby forming the Faraday rotator.例文帳に追加
複数のガーネット単結晶の表面を、真空中にてイオンビーム照射、高速原子ビーム照射又はプラズマ処理の何れかを行うことによりエッチングして、清浄及び活性化し、前記表面同士を前記イオンビーム照射、高速原子ビーム照射又はプラズマ処理の動作ガス以外の雰囲気にさらすことなく接触させて直接接合することによってファラデー回転子を形成する。 - 特許庁
The manufacturing method of the plate glass 1 comprises a process for melting glass raw materials, a process for shaping the plate by drawing downward, and a process for treating the translucent surface 2 by a plasma irradiation, a laser beam irradiation, and/or an ion beam irradiation.例文帳に追加
また本発明の板ガラス1の製造方法は、ガラス原料溶融工程、下方に延伸成形する板成形工程、透光面2にプラズマ照射、レーザー照射、イオンビーム照射の1以上を行う該透光面2の表面処理工程よりなる。 - 特許庁
To provide a method for fabricating a liquid crystal display device in which light leakage caused by defective rubbing is prevented and of which the contrast ratio is improved by conducting a rubbing step concurrently with ion beam irradiation, light irradiation or plasma irradiation or the like as an aligning step.例文帳に追加
配向工程をラビング工程とイオンビーム照射、光照射、又はプラズマ照射などを並行して行うことで、ラビング不良による光漏れを防止しかつコントラスト比を向上させることのできる液晶表示素子の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a fine region analyzer using focused ion beams capable of simply and accurately reproducing the optimum positional relationship of a focused ion beam irradiation axis, an electronic beam irradiation axis, an axis of a secondary particle take-in port of the analyzer and a sample surface with each other when a sample is exchanged.例文帳に追加
試料交換を行った際に、集束イオンビーム照射軸と電子ビーム照射軸と分析装置の2次粒子取り込み口の軸および試料表面の最適な位置関係を、簡便に精度良く再現することのできる集束イオンビームを用いる微細部位解析装置を提供する。 - 特許庁
In this method of measuring the ion composition in the ion-exchange resin of the present invention, the collected cation-exchange resin is added to an acid solution to dissolve the cation-exchange resin by irradiation of an electromagnetic wave, an ion concentration is analyzed in the cation-exchange resin dissolved solution, and the cation composition in the cation-exchange resin is computed based on the obtained ion concentration.例文帳に追加
採取したカチオン交換樹脂を酸溶液に添加し、電磁波を照射してカチオン交換樹脂を溶解し、カチオン交換樹脂を溶解した液中のイオン濃度を分析し、得られたイオン濃度を基にカチオン交換樹脂のカチオン組成を演算することを特徴とするイオン交換樹脂のイオン組成測定方法。 - 特許庁
This ion beam irradiation device comprises a thermoelectronic emission source 20 for emitting the thermoelectrons 33 in the direction excluding a passage of the ion beam 2, and a thermoelectron transporting unit 50 for transporting the thermoelectrons 33 in a state of being bent by magnetic field to be guided toward the passage of the ion beam 2.例文帳に追加
このイオンビーム照射装置は、熱電子33をイオンビーム2の経路以外の方向に放出する熱電子放出源20と、熱電子33を磁界によって曲げて輸送してイオンビーム2の経路に向けて導出する熱電子輸送器50とを備えている。 - 特許庁
This ion beam irradiation device comprises a field emission type electron source 10 which is arranged at the side of a passage of an ion beam 2 on the upstream side of a holder 6 and emits electrons 22 into the passage of the ion beam 2 and a drawing-out power supply 30 for it.例文帳に追加
このイオンビーム照射装置は、ホルダ6よりも上流側におけるイオンビーム2の経路の側方に配置されていて電子22をイオンビーム2の経路に向けて放出する電界放射型電子源10と、それ用の引出し電源30とを備えている。 - 特許庁
Irradiation with a second converged ion beam 102 from the direction parallel to the side wall of the leaf is performed simultaneously with preparation of the leaf by a sputtering/etching processing using a first converged ion beam 101 to observe the leaf by a scanning ion microscope and the thickness of the leaf is measured.例文帳に追加
第一の集束イオンビーム101のスパッタリングエッチング加工を行って薄片を作製すると同時に、薄片の側壁と平行な方向から第二の集束イオンビーム102の照射を行って走査イオン顕微鏡観察をし、薄片の厚さを測定する。 - 特許庁
To provide an aqueous bactericide and antibacterial composition preventing a color change due to reduction of a silver ion or the like by an influence by irradiation of UV rays, preventing deposition or sedimentation of a compound containing the silver ion due to a chloride ion or the like, and having high viscosity.例文帳に追加
紫外線照射の影響によって銀イオンが還元等して変色することがなく、塩化物イオンなどによって銀イオンを含む化合物が析出・沈殿したりすることがなく、且つ高粘度である、水性殺菌・抗菌剤組成物を提供する。 - 特許庁
On the other hand, regarding a part shielded by the shielding part of the mask 12 from the irradiation with the ion beam, the refractive index never changes as shown in Fig. 11-2.例文帳に追加
一方、マスク12の遮断部分によってイオンビームの照射をさえぎられた部分は、11−2のように屈折率は変化しない。 - 特許庁
To provide a method of performing processing independent of a material and an ion beam irradiation angle in view of the problems.例文帳に追加
本発明は、上記の問題点を鑑み、材料やイオンビーム照射角度に依存しない加工をする手法を提供することを目的としている。 - 特許庁
To reduce space charge phenomenon and sample charging and increase accuracy in measurement of amount of irradiation currents in a gas cluster ion beam processing system.例文帳に追加
ガスクラスターイオンビーム処理システムにおいて、空間電荷現象や試料帯電の低減および照射電流量の測定精度を改善する。 - 特許庁
Ions generated from an irradiation part 4 of the particle beam on the sample 3 are collected by an ion transport tube 7 and sent to a mass spectrometry part.例文帳に追加
そして、試料3上の粒子線の照射部位4から発生したイオンをイオン輸送管7で収集して質量分析部に送る。 - 特許庁
Since the irregularity on the medium surface does not increase after the irradiation with the metallic element ion, the magnetic head can be stably floated.例文帳に追加
また、金属元素イオンの照射後に媒体表面の凹凸が大きくなることはないため、磁気ヘッドが安定して浮上することができる。 - 特許庁
By setting to the low frequency, an ion irradiation rate onto a semiconductor substrate of an H radical is raised, and the H_2 passivation effect of the semiconductor substrate is enhanced.例文帳に追加
低周波とすることで、Hラジカルの半導体基板へのイオン照射率を高め、半導体基板のH_2パッシベーション効果を高める。 - 特許庁
The board support part 13 supports the treatment board and changes the relative location of the treatment board to the location of ions irradiated by the ion irradiation part.例文帳に追加
基板保持部13は、処理基板を保持し、イオン照射部が照射するイオンの位置との相対的な処理基板の位置を変化させる。 - 特許庁
A motor 14a for setting irradiation angle holds a holder 4, and the holder 4 sets irradiation angle θ of the ion beam 58 by making it rotate around a central axis 60 parallel to the X-axis as the center.例文帳に追加
照射角度設定用モータ14aは、ホルダ4を支持していて、このホルダ4を、X軸に平行な中心軸60を中心に回転させることによって、イオンビーム58の照射角度θを設定する。 - 特許庁
The fine processing is carried out by ion irradiation using the stencil mask comprising the self-assembled monolayer constitution body provided with the self-assembled monolayer in which tensile stress is generated on the solid surface by irradiation with corpuscular beam.例文帳に追加
粒子線照射により固体表面に引張り応力を生じさせる自己組織単分子膜を備えている自己組織単分子膜構成体からなるステンシルマスクを用いてイオン照射により微細加工する。 - 特許庁
To prevent degradation in breakdown voltage characteristics of a large-power device resulting from transformation of shallow-level carrier into donor caused by irradiation with light ion without performing selective irradia tion, optimization of irradiation conditions and annealing conditions or the like.例文帳に追加
選択照射や照射条件・アニール条件の最適化等を行うことなく、軽イオン種の照射により生じるシャローレベルのキャリアのドナー化に起因した大電力素子の耐圧特性の劣化を防止する。 - 特許庁
The conductive roller 1 is formed of a thermoplastic elastomer composition in which ion conductive elastomer containing ion conductive salt is dispersed in the base material resin in the presence of a compatible agent, the conductive roller 1 being subjected to the irradiation treatment of electron beams.例文帳に追加
イオン導電性塩を含むイオン導電性エラストマを、相溶化剤の存在下、基材樹脂中に分散させた熱可塑性エラストマ組成物からなり、電子線照射処理した導電性ローラ1である。 - 特許庁
The conductive roller 1 is formed of thermoplastic elastomer composition in which ion conductive elastomer containing ion conductive salt is dynamically cross-linked in the base material resin in the presence of a compatible agent, the conductive roller being subjected to the irradiation treatment of electron beams.例文帳に追加
イオン導電性塩を含むイオン導電性エラストマを、相溶化剤の存在下、基材樹脂中で動的架橋させた熱可塑性エラストマ組成物からなり、電子線照射処理した導電性ローラ1である。 - 特許庁
The method includes a step of irradiating the sample with a neutral atomic beam or ion beam, and a step of irradiating the sample with radiation after the irradiation of the sample with the neutral atomic beam or ion beam and analyzing the electrons from the sample.例文帳に追加
試料に中性原子線又はイオン線を照射する過程と、中性原子線又はイオン線の照射後に、試料に対して放射線を照射し、試料からの電子を分析する過程とを含む。 - 特許庁
To attain a high vacuum at a high purity, the surface of the base plate is irradiated with carbon cations of 20 keV by means of the ion irradiation device 1a with an ion number of 1-5×1017 per square centimeter.例文帳に追加
高純度で、高真空を達成するために、このイオン照射装置1aにより20keVの炭素正イオンを基板表面に1平方cm当たりのイオン量が10^17または5×10^17のイオン照射を行う。 - 特許庁
The irradiation volume of vacuum ultraviolet light 7 irradiated into an ion trap 9 can be increased in such a way that a function to store ions 18 in the ion trap 9 is not obstructed by a metal mesh 25.例文帳に追加
金属メッシュ25により、イオントラップ9中においてイオン18を蓄積する機能が阻害されることなく、イオントラップ9中に照射される真空紫外光7の照射体積を増加させることができる。 - 特許庁
The quantum dot 12 is irradiated with the excitation light pulse 15A of a wavelength shorter than the wavelength of emitted light from the metal ion 13 with a shorter pulse width than the light emission life of the metal ion 13, by using the laser irradiation apparatus 15.例文帳に追加
レーザ照射装置15により金属イオン13の発光寿命よりも短いパルス幅で、金属イオン13の発光波長よりも短い波長の励起光パルス15Aを量子ドット12に照射する。 - 特許庁
To use a compact and inexpensive Penning type inert element ion beam device as one for removing a remnant layer, a crushed layer formed on the surface of a sample by irradiation of focused ion beam device.例文帳に追加
集束イオンビーム照射により試料表面に形成される残存層、破砕層を除去するために用いる不活性元素イオンビーム装置として、小型で安価なペニング型不活性元素イオンビーム装置を用いる。 - 特許庁
To provide a nuclear fusion energy supplying device in which the generation and the irradiation of an ion beam are not subjected to the influence of a metal vapor and which stably prevents a loss due to the scattering of a molten metal.例文帳に追加
イオンビームの発生及び照射が金属蒸気の影響を受けずに安定に、且つ溶融金属の飛散による損失を防止することにある。 - 特許庁
The sputtering device 100 includes: a substrate holder 400; a target holding member 220; a power supply (not shown) for generating the plasma 700; and an ion irradiation part 300.例文帳に追加
このスパッタ装置100は、基板ホルダ400、ターゲット保持部材220、プラズマ700を発生させる電源(不図示)、イオン照射部300と、を備える。 - 特許庁
The heavy-water purification unit 4 includes a UV irradiation device 5, a decarboxylation device 6, a mixed-bed type ion-exchange tower 7, a deaeration device 8 and a UF device 9.例文帳に追加
重水精製ユニット4は、UV照射装置5、脱炭酸装置6、混床式イオン交換塔7、脱気装置8及びUF装置9を備えている。 - 特許庁
To provide a substrate treatment apparatus improving its productivity by stably, continuously operating the irradiation of ion beams and raising the operation rate of the apparatus.例文帳に追加
イオンビーム照射を安定的且つ継続的に稼働させることで、装置の稼働率を上昇させ、生産性の向上を図る基板処理装置を提供する。 - 特許庁
Thereby the renewed original mold is prevented from causing roughening on its surface because ion beam irradiation is not necessary to remove the thin film layer 32 and the mold releasing film 33, and also because the etching-resistant layer 31 does not react with the etching liquid.例文帳に追加
また、耐エッチング層31がエッチング液に反応しないので、再生原型金型に面荒れが発生するのを防止することができる。 - 特許庁
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