「ion irradiation」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a nanocluster that is used as a target that allows an efficient generation of a monochromatic ion beam by irradiation of a laser.例文帳に追加

レーザを照射することによって、単色化されたイオンビームを効率よく発生可能なターゲットとして用いることができるナノクラスタを提供する。 - 特許庁

When the ion irradiation is performed on the surface of the substrate with 70 μA/cm^2 for 100 minutes (embodiment 1), carbon nano-fibers can be obtained in the separate state.例文帳に追加

基板表面に７０μＡ／ｃｍ^2で１００分間のイオン照射を行うと（実施例１）、カーボンナノファイバをバラけた状態で得ることができる。 - 特許庁

Etching processing is carried out by radiating ion beams according to the calculated irradiation position and dose distribution while blowing etching gas toward a glass substrate 34.例文帳に追加

ガラス基板３４へエッチング用ガスを吹き付けながら、算出された照射位置及びドーズ分布に従ってイオンビームを照射し、エッチング加工を行う。 - 特許庁

To provide a plasma generation device capable of generating plasma inside a discharge vessel through restraint of ion irradiation damage without jeopardizing productivity.例文帳に追加

生産性を落とすことなく、イオン照射ダメージを抑制して、放電容器内部でプラズマを生成することができるプラズマ生成装置を提供することにある。 - 特許庁

Namely, the tungsten surface heated up to about 2,200°C surface temperature is made porous by irradiation with the high particle flux helium ion beam (6.7x10^20 He/m_2/s).例文帳に追加

即ち、高粒子束ヘリウムイオンビーム照射（６．７×１０^20Ｈｅ／ｍ^2／ｓ）により、表面温度２２００℃程度まで加熱されたタングステン表面を多孔質化する。 - 特許庁

Moreover, when the n-type impurity is ion-implanted at a high temperature, a region being ion-implanted is heated to 180°C or higher by substrate heating or laser irradiation, a silicon pair between boron and lattice is sufficiently disassociated and the n-type impurity is ion-implanted under existence of an even stress.例文帳に追加

また、Ｎ型不純物の添加を高温イオン注入で行う場合は、基板加熱やレーザー照射などでイオン注入する領域を１８０℃以上に加熱し、ボロン・格子間シリコンペアを十分解離させ、一様な応力が存在する状態の下で、Ｎ型不純物のイオン注入を行う。 - 特許庁

In the method for manufacturing the magnetic head by forming a hard mask on a magnetic material layer and forming the inverted-trapezoidal main magnetic pole by ion milling which is irradiation with ion beams from an oblique direction, the width (the width of the bottom) W and the side wall inclination α of the hard mask before the ion milling are measured.例文帳に追加

磁性材料層上にハードマスクを形成し、斜め方向からイオンビームを照射するイオンミリングで逆台形状の主磁極を形成する磁気ヘッドの製造方法に関し、イオンミリングの前のハードマスクの幅（底部の幅）Ｗ及び側壁傾斜角αを測定する。 - 特許庁

An ion beam 1 in which only a specified ion species is extracted by a filter Y is made to get incident into a beam irradiation point 2a in the sample in a vacuum container, and the scattered ions are passed through a uniform magnetic field area 26a of a substantial sector shape to be detected by a one-dimensional ion detector 8.例文帳に追加

真空容器３内試料２のビーム照射点２ａに，フィルタＹで特定イオン種のみ抽出したイオンビーム１を入射させ，散乱イオンを略扇形状の一様な磁場領域２６ａに通過させた後に１次元のイオン検出器８で検出する。 - 特許庁

A forming method for a polymer ion-exchange membrane which is excellent in resistance to oxidation, dimensional stability and resistance to methanol and also has a wide range with an ion-exchange capacity controlled therein by forming a nano-sized irradiation-damaged are by ion irradiation to a polymer film to be a base material, by grafting or co-grafting a functional monomer, and by introducing sulfonic acid groups into graft chains.例文帳に追加

基材とした高分子フィルムをイオン照射してナノサイズの照射損傷領域を作り、機能性モノマーをグラフト又は共グラフトし、更にグラフト鎖へスルホン酸基を導入することによって、優れた耐酸化性、寸法安定性、及び耐メタノール性を有し、かつイオン交換容量が広い範囲内に制御された高分子イオン交換膜の製造法を確立した。 - 特許庁

To provide an ion gun which realizes a high acceleration of 10 keV or more while maintaining characteristics of small size and simple structure although the acceleration energy of the conventional electron impact type gas ion gun was 5 keV as an upper limit, and which can be easily fitted to the existing vacuum container for performing secondary ion analysis and ion irradiation or the like.例文帳に追加

従来電子衝撃型ガスイオン銃の加速エネルギーは５ｋｅＶまでが限界であったが、小型で構造が簡単である特徴を維持したまま１０ｋｅＶ以上の高加速を実現し、二次イオン分析やイオン照射等を行うために簡易に既存の真空容器に取り付けることができるイオン銃を提供することを目的とする。 - 特許庁

The ion beam apparatus includes a sample holder 4 for fixing a sample 6 formed with a section by irradiating with a predetermined focusing ion beam from a surface side, and a gas ion beam irradiation unit 2 for emitting a gas ion beam to a region including the section of the sample 6 fixed by the holder 4 to remove a damage layer on the section.例文帳に追加

表面側から所定の集束イオンビームが照射されて断面が形成された試料６を固定するための試料ホルダー４と、試料ホルダー４により固定された試料６の、上記断面を含む領域に気体イオンビームを照射して上記断面上のダメージ層を除去する気体イオンビーム照射装置２とを有する。 - 特許庁

To provide a metal ion sensor comprising a simple material and device which easily detects saturation of an adsorbent visually, in a process for recovering a metal ion contained in water, a soil or the like, by the absorbent, to be solidified, and allows for reusing easily a detecting material by photo-irradiation, and a metal ion absorber provided with the ion sensor.例文帳に追加

水や土壌等の中に含まれる金属イオンを吸着材によって回収、固定化する工程において、材料および装置が簡易的で、目視にて容易に吸着材の飽和を検出することができ、かつ、光照射により容易に検知材料を再利用できる金属イオンセンサー、及び該センサーを備えた金属イオン吸着装置を提供する。 - 特許庁

In carrying out a removal work of the three-dimensional shape by irradiating the ion beam, it is irradiated on the same point of the worked object by normal irradiation and bent and inclined irradiation, and by measuring secondary electrons emitted from a work point by the secondary detector, the shape of the ion beam worked part is measured.例文帳に追加

イオンビームを照射して３次元形状の除去加工を行う際にイオンビームを加工物の同一箇所に対して通常照射および屈曲傾斜させて照射し、加工点から放出される２次電子を２次検出器により計測することでイオンビーム加工された部分の形状を計測する。 - 特許庁

To provide a device and a method wherein change of an incident angle of an ion beam is easy, and wherein deviation of an irradiation position and spread of an irradiation area can be suppressed to be small even in the case of making the incident angle small.例文帳に追加

イオンビームの入射角度の変更が容易であり、しかも入射角度を小さくする場合でも照射位置のずれおよび照射領域の広がりを小さく抑えることができる装置および方法を提供する。 - 特許庁

An ion beam irradiation system and an electron beam irradiation system in a different axis direction are set in the same sample chamber, and the working depth is obtained from a difference when a working hole bottom part and a raw area are focused with this electron beam system.例文帳に追加

イオンビーム照射系と軸方向を異にした電子ビーム照射系を同一試料室内に設け、該電子ビーム照射系で加工穴底部と上部に焦点を合わせた時の差分から加工穴深さを求めることとした。 - 特許庁

A copper foundation film is formed on the surface of the resin substrate cleaned by ion irradiation or neutral atom irradiation, etc., by vapor deposition or sputtering, and copper foil is press-bonded to the formed copper foundation film.例文帳に追加

イオン照射あるいは中性原子照射等による清浄化処理を施した樹脂基板の表面に銅の下地膜を蒸着あるいはスパッタリングによって形成し、形成された銅の下地膜上に銅箔を加圧接合する。 - 特許庁

To reduce a running cost in removing organic impurities existing in water to be treated with pH higher than 7 with combination of ultraviolet rays irradiation and ion exchange resin treatment by improving efficiency of decomposition with the ultraviolet rays irradiation.例文帳に追加

ｐＨが７を超える被処理水中に存在する有機質不純物を紫外線照射とイオン交換樹脂の組合せにより除去するにあたり、紫外線照射による分解の効率を上げてランニングコストを低減させること。 - 特許庁

The frequency adjusting apparatus is provided with a shutter 14 in which ion beams B are applied to a wafer 10 through a mask hole 15a of a pattern mask 15 and ion beam irradiation time of a target element is adjusted by selectively opening/closing the predetermined mask hole.例文帳に追加

パターンマスク１５のマスク穴１５ａを介してウエハ１０に対してイオンビームＢを照射すると共に、所定のマスク穴を選択的に開閉し、ねらいの素子のイオンビーム照射時間を調整するシャッタ１４を設ける。 - 特許庁

To provide an ion beam processing device and method capable of accurately specifying a processing site on the surface of a sample, and grasping a processing progress, in case of cross-section processing through irradiation of ion beams from a rear side of the sample.例文帳に追加

試料の裏面からイオンビームを照射して断面加工する場合に、試料の表面における加工場所を正確に特定し、さらに加工進行状況を把握することのできるイオンビーム加工装置及び方法を提供する。 - 特許庁

An RF electric power is applied to a substrate holder while preventing damage of a strain lattice film to be formed by an oxygen negative ion and an epitaxial strain lattice having excellent crystallizability is formed by irradiation with a positive ion having a proper energy.例文帳に追加

形成される歪格子膜の酸素負イオンによる損傷を防止しながら、基板ホルダーにRF電力を印加して、適切なエネルギを有する正イオンの照射により、結晶性の良いエピタキシャル歪格子を形成させる。 - 特許庁

Additionally, the ion beam irradiation device comprises a magnetic field generator 34 for deflecting the direction of extracted thermal electrons 12 to make them advance to an ion beam 2 and to the substrate 4 side, and an electron release port 32 for selectively getting through thermal electrons 12, which move on loci of a prescribed range.例文帳に追加

更に、引き出された熱電子１２を曲げてイオンビーム２および基板４側へ向かわせる磁界発生器３４と、所定範囲の軌道を描く熱電子１２を選択的に通過させる電子放出口３２とを備えている。 - 特許庁

Even if metal ions are implanted in the semiconductor substrate, together with the hydrogen ions in the step of hydrogen ion irradiation, the effect of metal contamination can be suppressed by the gettering process.例文帳に追加

水素イオンの照射工程で、水素イオンと共に金属イオンが半導体基板中に打ち込まれても、ゲッタリング処理によって、金属汚染の影響を抑えることができる。 - 特許庁

The extrapure water manufacturing apparatus 1 is provided with an ultraviolet rays irradiation device 2, a liquid passing type electric double-layer capacitor 3, an ion exchange resin unit 4 and/or a reverse osmotic membrane unit.例文帳に追加

紫外線照射装置２、通液型電気二重層コンデンサ３、イオン交換樹脂装置４及び／又は逆浸透膜装置を備えた超純水製造装置１である。 - 特許庁

To form a narrower slit than a conventional one by a focused ion beam process (FIB) and to suppress change of quality at a beam irradiation part, without using a mask pattern or the like.例文帳に追加

マスクパターン等を用いることなく、集束イオンビーム（ＦＩＢ）加工で従来よりも幅が狭い間隙を形成するとともに、ビーム照射部位の改質を抑制する。 - 特許庁

A part of the ground plane film may also be changed into a region exhibiting no superconductivity by diffusing a dopant or by injecting ions using ion irradiation.例文帳に追加

また、ドープ剤を拡散させたり、イオン照射によってイオンを注入することにより、グランドプレーン膜の一部を超電導性を示さない領域に変化させてもよい。 - 特許庁

The modified photoresist 6 is so formed that a photoresist 7 is provided with carbon-carbon bond by Ar+ ion irradiation or heat treatment in vacuum.例文帳に追加

改質されたフォトレジスト６は、フォトレジスト７がＡｒ^+ イオン照射または真空中での加熱処理により炭素−炭素結合を有するようになったものである。 - 特許庁

To provide a charged particle beam emitting method and a particle beam irradiation system capable of controlling the intensity of an ion beam to be emitted with a simple device constitution.例文帳に追加

出射されるイオンビームの強度制御を簡素な装置構成で実現できる荷電粒子ビーム出射方法及び粒子線照射システムを提供することを課題とする。 - 特許庁

To provide a substrate for a magnetic head having excellent surface smoothness which scarcely breaks in mechanical processing, ion irradiation and so on, its manufacturing method and a magnetic head slider.例文帳に追加

機械加工やイオン照射などの加工によっても破損が少なく、表面平滑性に優れた磁気ヘッド用基板及びその製造方法並びに磁気ヘッドスライダを提供する。 - 特許庁

To provide a collimater for charged particle beam which can be set even in a small setting space and compactly constitute a sample analyzer or ion/electron irradiation equipment itself.例文帳に追加

設置スペースが小さくても設置が可能である他、試料分析装置やイオン・電子照射装置自体をコンパクトに構成し得る荷電粒子ビーム用コリメータを提供する。 - 特許庁

To provide an apparatus and a method to make the alignment direction of a liquid crystal alignment layer uniform when the alignment layer is formed by ion beam irradiation.例文帳に追加

本発明の目的は、イオンビーム照射による液晶配向層を形成するときに、配向層の配向方向を均一にする装置および方法を提供することにある。 - 特許庁

Next, a sample 11 is sliced by irradiation with an ion beam B1 to form a next measuring surface S2 inside by predetermined distance L from the measuring surface S1.例文帳に追加

次に、イオンビームＢ１の照射によって試料１１をスライス加工することにより、測定面Ｓ１から所定距離Ｌだけ内側に、次の測定面Ｓ２を作成する。 - 特許庁

Namely, by the high adhesion by the ion beam irradiation and a high film forming speed by plasma 5, the hard carbon nitride film high in adhesion with the substrate 2 can be obtd.例文帳に追加

すなわち、イオンビーム照射による高い密着力と、プラズマ５による速い成膜速度とで基板２との密着性の高い硬質の窒化炭素膜が得られる。 - 特許庁

The control part 14 controls the ion irradiation part and the board support part so that ions are irradiated on each of the plurality of regions under a plurality of correction treatment conditions.例文帳に追加

制御部１４は、複数の補正処理条件の下で複数の領域のそれぞれに対してイオンが照射されるようにイオン照射部および基板保持部を制御する。 - 特許庁

The surface roughness Ra of this level can be realized by annealing or ion irradiation or the like and the degree of contact between the optical element 3 and the actuator 6 can be enhanced exponentially.例文帳に追加

この程度の面粗度Ｒａは、アニールあるいはイオン照射などによって実現でき、光学素子３とアクチュエータ６との密着度を飛躍的に高めることができる。 - 特許庁

In this case, the golf ball surface after the irradiation of the minus ions and before the painting is preferable to be negatively charged and in particular, the golf ball surface after the irradiation of the minus ion and before the painting is preferable to be discharged from -0.1 to -40kV.例文帳に追加

ここで、マイナスイオンを照射した後のペイント塗布前のゴルフボール表面は、負に帯電していることが好ましく、特にマイナスイオンを照射した後でペイント塗布前のゴルフボール表面は、−０．１〜−４０ｋＶに帯電していることが好ましい。 - 特許庁

To provide a dielectric barrier discharge lamp device, a dielectric barrier discharge lamp lighting device using the same and a ultraviolet irradiation device that can suppress the deposition of ion into a irradiated matter without causing the increase of irradiation non-uniform for the irradiated matter.例文帳に追加

被照射物に対する照射むらの増大を来すことなく、被照射物へのイオン付着を抑制できる誘電体バリヤ放電ランプ装置、これを用いた誘電体バリヤ放電ランプ点灯装置および紫外線照射装置を提供すること。 - 特許庁

To provide an in-line type ion irradiation device, irradiating the upper half and the lower half of a substrate with ions using two ion beam supply devices, which is structured so that a desired dosage can be injected over the whole surface of the substrate even when one ion beam supply device stops or abnormally completes its operation in the course of processing.例文帳に追加

２台のイオンビーム供給装置により基板の上半分と下半分にイオン照射するインライン式のイオン照射装置において、１台のイオンビーム供給装置が停止又は処理途中で異常終了した場合であっても、基板全面に所望のドーズ量が注入できるようにする。 - 特許庁

To provide a method for analyzing secondary ion masses, capable of specifying an analyzing position, even with respect to a sample, where the hole formed by the irradiation with ion beam is difficult to be discriminated, because the optical surface reflectivity is low, by irradiating the surface of the sample with a laser beam through the route of a secondary ion optical system.例文帳に追加

二次イオン光学系の経路を通して試料表面にレーザを照射することにより、表面の光学的な反射率が低いため、イオンビームを照射して形成された穴が判別しにくい試料であっても分析位置を特定することができる二次イオン質量分析方法を提供する。 - 特許庁

To efficiently adjust a current density distribution of beams of respective ribbon-like ion beams in an ion implanter for at least partially overlapping irradiation regions on a glass substrate by m (m is an integer equal to or larger than 2) lines of ribbon-like ion beams and realizing a predetermined implantation amount distribution.例文帳に追加

ｍ（ｍは２以上の整数）本のリボン状イオンビームによるガラス基板上での照射領域を少なくとも部分的に重ね合わせて、ガラス基板上に所定の注入量分布を実現するイオン注入装置において、各リボン状イオンビームのビームの電流密度分布を効率的に調整する。 - 特許庁

A magnetic field generation part 4 for generating a magnetic field to change the direction of an ion beam IB and a magnetic field control part 5 for controlling the direction and strength of the magnetic field to irradiate an optional irradiation area IBA of a material source 6 with the ion beam IB are arranged between an ion gun 3 and the material source (a target 6).例文帳に追加

イオンガン３と材料源（ターゲット６）との間には、イオンビームＩＢの方向を変化させる磁界を発生する磁界発生部４が設けられ、磁界の向き及び強さを制御してイオンビームＩＢを材料源６の任意の照射領域ＩＢＡに照射させる磁界制御部５を備える。 - 特許庁

Alternatively, a time of flight for each going around is measured according to detection signals by an ion-nondestructive detector 4 by changing the number of times of going around for each ion irradiation from an ion source for 1 to N rounds, and the time-of-flight spectra showing a peak at each round are made by combining it.例文帳に追加

或いは、１〜Ｎ周回まで、イオン源１からのイオン出射毎に順次周回数を変化させ、イオン破壊型の検出器４による検出信号に基づいて各周回数に対する飛行時間を測定し、それを合成することで周回毎のピークが現れる飛行時間スペクトルを作成する。 - 特許庁

The multivalent ion irradiation device 30 comprises a multivalent ion generating source 1, a multivalent ion guide 33 for introducing the multivalent ions to a test piece, a movable testpiece table 36 for mounting a test piece 35, and a secondary electron detector 38, and irradiates multivalent ions 34 on a prescribed position of the test piece 35 by controlling the movable testpiece table 36.例文帳に追加

多価イオン照射装置３０は、多価イオン発生源１と、多価イオンを試料に導くための多価イオンガイド３３と、試料３５を搭載する可動の試料台３６と、二次電子検出器３８と、を含み、多価イオン３４を可動の試料台３６の制御により試料３５の所定位置に照射する。 - 特許庁

In the process of removing a part of the floating plane protection film 101, when the irradiation angle of the ion beams is ≥60° from the normal line of the floating face of the magnetic head slider and acceleration voltage of the ion beams is ≤300 V, high denseness and covering properties can be obtained.例文帳に追加

前記浮上面保護膜101の一部を除去する工程において、イオンビームの照射角が、磁気ヘッドスライダ浮上面法線から60度以上であり、イオンビームの加速電圧が300Ｖ以下であるとき、高い緻密性及び被覆性を得ることができる。 - 特許庁

The manufacturing method includes a process of forming a second insulation film on the wiring layer formed on the first insulation film after the defect is irradiated with the converged ion beam when irradiation of the converged ion beam is selected in the selection process.例文帳に追加

そして、選択工程において集束イオンビームを照射すると選択された場合には、欠陥に集束イオンビームを照射した後、第１の絶縁膜上に形成された配線層上に第２の絶縁膜を形成する工程を有する。 - 特許庁

The manufacturing method includes a process of forming a second insulation film on the wiring layer formed on the first insulation film without irradiating the defect with the converged ion beam when the irradiation of the converged ion beam is not selected in the selection process.例文帳に追加

また、選択工程において集束イオンビームを照射しないと選択された場合には、欠陥に集束イオンビームを照射せずに第１の絶縁膜上に形成された配線層上に第２の絶縁膜を形成する工程を有する。 - 特許庁