「ion-etching」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

For example, the etching may be carried out by a reactive ion etching method whose temperature condition is made about 200°C and which uses chlorine gas.例文帳に追加

例えば、温度条件を２００℃程度とし、塩素ガスを用いた反応性イオンエッチング法によりエッチングすればよい。 - 特許庁

Correlation data corresponding to correlation between a flow of a hydrogen gas and an amount of side etching in reactive ion etching is obtained.例文帳に追加

反応性イオンエッチングにおける水素ガスの流量とサイドエッチング量との相関を示す相関データを取得する。 - 特許庁

To provide an electrostatic chuck device which can be commonly used for both down flow etching and reactive ion etching.例文帳に追加

ダウンフロー型のエッチング及びリアクティブイオンエッチングの両方に共用できる静電チャック装置及び載置台を提供する。 - 特許庁

This etching step includes a step (step S7) of setting an incident angle of an ion beam made incident on the surface of the magnetic recording medium side of the laminated part to ≥40° to ≤88°, and carrying out ion beam etching or dry etching by ion milling.例文帳に追加

このエッチング段階は、前記積層部の前記磁気記録媒体側の面に入射させるイオンビームの入射角度を、４０゜以上８８゜以下に設定して、イオンビームエッチング又はイオンミリングによるドライエッチングを行う段階（ステップＳ７）を含む。 - 特許庁

To provide an etching method capable of maintaining an appropriate concentration of an indium ion, in particular, out of an indium ion and a tin ion included in an etchant.例文帳に追加

エッチング液に含まれるインジウムイオン及びスズイオンの内、特にインジウムイオンの濃度を適切な濃度に維持することができるエッチング方法を提供する。 - 特許庁

The hole is formed by groove processing utilizing a dicer and etching by an ion beam.例文帳に追加

穴は、ダイサーを利用した溝加工やイオンビームによるエッチングによって形成する。 - 特許庁

PARTIAL ETCHING FOR SURFACE MODIFICATION OR CONTROLLING OF DEPOSITION BY PULSE ION BEAM例文帳に追加

パルスイオンビームによる表面改質のための局所エッチングまたは堆積の制御 - 特許庁

To provide an ion beam film forming device that can strictly control the thickness of a thin film to be formed and an ion beam etching device that can strictly control the thickness of etching.例文帳に追加

形成する薄膜の膜厚を厳密にコントロールできるイオンビーム成膜装置およびエッチング厚を厳密にコントロールできるイオンビームエッチング装置を提供する。 - 特許庁

In the method for forming an etching mask, a focused ion beam is irradiated to a surface of a substrate 200 and the etching mask 204 used for oblique etching which generates a portion including an ion in the irradiated region is formed.例文帳に追加

エッチングマスクの形成方法において、基板２００表面に、集束イオンビームを照射し、該照射領域にイオン含有部分からなる斜めエッチングに用いるエッチングマスク２０４を形成する構成とする。 - 特許庁

After that etching for the remaining electrode film 12 is made by Ar ion milling being slightly over etching and the electrode film 12 is eliminated completely.例文帳に追加

この後、残った電極膜１２を、Ａｒイオンミリングでオーバーエッチングぎみにエッチングし、電極膜１２を完全に除去する。 - 特許庁

The third stage is performed by a wet etching process, and the fourth stage is performed by laser beam work or reactive ion etching.例文帳に追加

第３段階は湿式蝕刻工程によりなされ、第４の段階はレーザービーム加工または反応性イオン蝕刻によりなされる。 - 特許庁

Then etching is carried out by reactive ion etching in a region which is not covered, in the resist 14.例文帳に追加

そして、反応性イオンエッチングによりレジスト１４の覆われていない領域の水晶位相差板１２０のエッチングが行なわれる。 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING HEXAVALENT IRON ION SOLUTION, ETCHING TREATMENT AGENT FOR NONCONDUCTIVE MEMBER, AND METHOD FOR ETCHING NONCONDUCTIVE MEMBER例文帳に追加

六価鉄イオン溶液製造方法及び非導電性部材のエッチング処理剤並びに非導電性部材のエッチング処理方法。 - 特許庁

After an ion implantation process is carried out, the silicon nitride film 3 is removed by wet etching using a hot phosphoric acid.例文帳に追加

イオン注入後、熱燐酸によりウェットエッチングによりシリコン窒化膜３を除去する。 - 特許庁

To reduce damage on a substrate at the time of patterning electrodes by reactive ion etching.例文帳に追加

電極を反応性イオンエッチングによりパターニングする際の、基板の損傷を低減する。 - 特許庁

The plasma chemical vapor growth means performs film deposition to the film 3 by inductively coupled plasma generated by the plasma linear source 7, and, simultaneously with this film deposition, the ion etching treatment means performs ion etching treatment to the film 3 by ions from the ion etching roller 5.例文帳に追加

前記プラズマ化学気相成長手段は、プラズマリニアソース７により発生する誘導結合プラズマによってフィルム３に成膜を行い、この成膜と同時に前記イオンエッチング処理手段はイオンエッチングローラー５からのイオンによってフィルム３にイオンエッチング処理を行う。 - 特許庁

The sacrifice layer 14 is etched by a reactive ion etching to reduce its thickness.例文帳に追加

犠牲層１４を反応性イオンエッチングによってエッチングしその厚さを減少させる。 - 特許庁

To provide a method for forming a contact hole of a semiconductor element using a reactive ion etching.例文帳に追加

反応性イオンエッチングを用いた半導体素子のコンタクトホール形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide an ion etching method which does not include the supply of a fluorinated organic compound gas.例文帳に追加

気体のフッ素系有機化合物の供給を含まないイオンエッチング方法を提供する。 - 特許庁

Then the residue of etching 11 is removed by using the detergent solution containing a fluoride ion.例文帳に追加

次いでフッ化物イオンを含有する洗浄液を用いてエッチング残渣１１を除去する。 - 特許庁

Protruding parts 4 are formed by reactive ion etching of the foundation layer 3.例文帳に追加

反応性イオンエッチングにより、下地層３をエッチングすることで、凸部分４を形成する。 - 特許庁

Two-dimensional arrays of vertical-cavity-surface-emitting laser diodes (VCSELs) have been fabricated by an ion-milling etching-technique. 例文帳に追加

２次元アレイ面発光レーザ（VCSEL）ダイオードは、イオン・ミリング・エッチング技術で製造されてきた。 - コンピューター用語辞典

To provide an ion working device and an ion working method capable of stably executing plasma CVD or plasma etching.例文帳に追加

安定してプラズマＣＶＤあるいはプラズマエッチングを行うことができるイオン加工装置及びイオン加工方法を提供する。 - 特許庁

A plasma etching method according to an embodiment of the invention comprises, upon etching amorphous TiO_2, a first etching step where a radical reaction is dominant; and a second etching step where an ion irradiation is dominant.例文帳に追加

本発明の一実施の形態に係るプラズマエッチング方法では、アモルファスＴｉＯ_２をエッチングするに際して、ラジカル反応が支配的な第１のエッチング工程と、イオン照射が支配的な第２のエッチング工程を含む。 - 特許庁

A focused ion beam IB is irradiated on a penetrated hole part 16 to form a drawing hole on a drawing base plate 2a by an operation of an ion etching.例文帳に追加

集束したイオンビームＩＢを穿孔部１６に照射し、イオンエッチングの作用により絞り基体２ａに絞り孔を形成する。 - 特許庁

An exposed portion of the insulation layer 11 corresponding to an aperture 13a of a mask layer 13 is etched with the reactive ion etching, an element remaining in the process atmosphere after this reactive ion etching process is then eliminated and thereafter further etching is conducted with the sputter etching process to form a through hole.例文帳に追加

マスク層１３の開口１３ａに対応する絶縁層１１の露出部分を反応性イオンエッチングによってエッチングし、次いでこの反応性イオンエッチング後に処理雰囲気中に残留する成分を除去した後、スパッタエッチングによってさらにエッチングして貫通させる。 - 特許庁

The metal thin film 14 is subjected to reactive ion etching treatment, pattern formation being faithful to the mask 17 is carried out by the ion etching, isotropic etching of a radical is utilized for advancing the etching from the gap between the mask 17 and the metal thin film 14, and the sectional shape of a gate electrode 18 is tapered.例文帳に追加

金属薄膜14をリアクティブ・イオン・エッチング処理し、イオンエッチングによってマスク17に忠実にパターン形成し、ラジカルの等方性エッチングを利用してマスク17と金属薄膜14の隙間からエッチングを進行させ、ゲート電極18の断面形状を肩の落ちたテーパ形状にする。 - 特許庁

The process is, for example, a reverse sputtering process for physically etching the opening edge of the via hole by ion bombardment.例文帳に追加

例えばイオン衝撃でビアホール開口縁部を物理的にエッチングする逆スパッタ工程である。 - 特許庁

The underlying film 12 is then exposed by subjecting the electrode film 13 to reactive ion etching with chlorine based gas.例文帳に追加

塩素系ガスにより電極膜１３を反応性イオンエッチングして下地膜１２を露出させる。 - 特許庁

The process for cleaning the electrode surface can be carried out by reactive ion etching.例文帳に追加

ここで、電極表面をクリーニングする工程を反応性イオンエッチングにより行なうことができる。 - 特許庁

A part of the second hard mask 40 where ion implantation is not executed is removed by wet etching.例文帳に追加

ウエットエッチングにより第２ハードマスク４０のイオン注入されていない部分をエッチング除去する。 - 特許庁

To check the damage rate of a photosensitive film and the infiltration of ion impurities during an etching process.例文帳に追加

エッチング工程時の感光膜の損傷率及びイオン不純物の浸透を防止すること。 - 特許庁

Then the film to be patterned is etched by reactive ion etching using the magnetic layer 12a as a mask.例文帳に追加

次に、磁性層１２ａをマスクとして、反応性イオンエッチングによって、被パターニング膜をエッチングする。 - 特許庁

The aerial wiring 7 of the metal deposited film which becomes unnecessary after correction is removed by ion beam etching.例文帳に追加

修正後不要となった金属デポジション膜空中配線7をイオンビームエッチングで除去する。 - 特許庁

The etching and activation of the synthetic substance substrate are simultaneously performed in a solution comprising one or more etching reagents, an etching activation wetting agent, and a hydrochloric acid, and noble metal ion-containing activator.例文帳に追加

一つ以上の腐食剤、腐食活性浸潤剤、塩酸および貴金属イオン含有活性化剤を含む溶液を合成物質基板の腐食と活性化を同時に行う。 - 特許庁

To reduce irregularity of etching caused when an etching processing is performed by a reactive ion etching (RIE) device for forming fine ruggedness on the surface of a silicon substrate for solar cell.例文帳に追加

太陽電池用シリコン基板の表面に微細な凹凸を形成するための反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）装置で、エッチング処理する際に生じるエッチングのムラを低減すること。 - 特許庁

A dry etching method is to apply patterning to a stack including the element which does not form the volatile compound, using the conventional reactive-ion etching.例文帳に追加

本発明は、従来の反応性イオンエッチングを用いて、揮発性の化合物を形成しない元素を含むスタックをパターニングする方法に関する。 - 特許庁

Subsequently, a wafer is reversed together with a holder such that an ion beam is not directly applied to the wafer during the etching, and dry etching is performed by chlorine radical.例文帳に追加

次に、ウエハーをホルダーごと反転させ、エッチング中イオンビームが直接ウエハーに当たらないようにし、塩素ラジカルによるドライエッチングを行う。 - 特許庁

The ion beam etching method according to the embodiment comprises: a cooling stage S52 of cooling a drawing electrode E with an inert gas; and an etching stage S54 of etching a substrate W using an ion beam IB drawn by the drawing electrode E.例文帳に追加

実施形態に係るイオンビームエッチング方法は、引き出し電極Ｅを不活性ガスにより冷却する冷却工程Ｓ５２と、引き出し電極Ｅによって引き出されたイオンビームＩＢを用いて基板Ｗをエッチングするエッチング工程Ｓ５４とを含む。 - 特許庁

Furthermore, because the optical microscope 15 is out of a vacuum chamber, when an ion etching process of the sample 6 is carried out, no stain caused by particles dispersed from the sample in the ion etching process is formed on a lens of the optical microscope 15.例文帳に追加

また、試料６のイオンエッチングの際には光学顕微鏡１５が真空チャンバ外にあるので、イオンエッチングによって試料から飛散した粒子で光学顕微鏡１５のレンズが汚れることはない。 - 特許庁

The substrate holder 20 is grounded by bringing the grounding part 13 into contact with the substrate holder 20 during the etching or immediately before the etching performed by irradiating the substrate 9 with ion beams from the ion beam source.例文帳に追加

そして、イオンビーム源から基板９にイオンビームを照射してエッチングしている間又はエッチングする直前に基板ホルダ２０にアース接続部１３を接触させることにより、基板ホルダ２０を接地する。 - 特許庁

To provide a plasma etching method and a device that can perform effective etching processing by generating plasma effective for etching of a substrate by controlling radical species or ion species effective for the etching of the substrate.例文帳に追加

基板のエッチングに対して効果的なラジカル種又はイオン種の密度を制御することにより、エッチングに対して有効なプラズマを生成して効果的なエッチング加工を行うことができるプラズマエッチング方法及び装置を提供すること。 - 特許庁

(e) A reactive ion etching utilizing the trench etching mask 32 is carried out by using a reactive gas having a high etching selection ratio between a monocrystalline silicon and a silicon oxide, thereby performing an anisotropic etching for the monocrystalline silicon layer 21C.例文帳に追加

（ｅ）トレンチエッチングマスク３２を利用した反応性イオンエッチングを、単結晶シリコン及び酸化シリコン間のエッチング選択比が高い反応性ガスを使用して行うことにより単結晶シリコン層２１Ｃを異方性エッチングする。 - 特許庁

Etching for forming a side wall 51 is performed by two steps of reactive ion etching (RIE) and wet etching, i.e. a silicon oxide film 5A is left on an LDD layer 4 on a silicon substrate 1 by the RIE and the silicon oxide film 5A is removed by the wet etching.例文帳に追加

サイドウォール５１形成時のエッチングをＲＩＥとウエットエッチングの二段階で行い、ＲＩＥでシリコン基板１のＬＤＤ層４上に酸化シリコン膜５Ａを残存させ、ウエットエッチングでこの酸化シリコン膜５Ａを除去する。 - 特許庁

Thereby the renewed original mold is prevented from causing roughening on its surface because ion beam irradiation is not necessary to remove the thin film layer 32 and the mold releasing film 33, and also because the etching-resistant layer 31 does not react with the etching liquid.例文帳に追加

また、耐エッチング層３１がエッチング液に反応しないので、再生原型金型に面荒れが発生するのを防止することができる。 - 特許庁