「ion-etching」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

First, the relationship between the angle of incidence of an ion beam and an etching rate distribution in a shaping surface 12 is calculated beforehand each for tungsten carbide (WC) composing a substrate, chromium (Cr) composing an intermediate layer and chromium nitride (CrN) composing a surface layer, under the irradiation conditions identical to those applied at the time of surface treatment except the angle of incidence of the ion beam.例文帳に追加

まず、予め基材、中間層及び表面層を構成するタングステンカーバイド（ＷＣ）、クロム（Ｃｒ）及び窒化クロム（ＣｒＮ）のそれぞれに対して、イオンビームの入射角度以外は表面処理時と同一の照射条件にして、イオンビームの入射角度と成形面１２内のエッチングレート分布との関係を求める。 - 特許庁

The N well-ion-implantation is carried out in the region where the oxide film 120 is removed, and a second alignment key 220 is formed in the inside of the region key, which is provided by removing the oxide film 120, by etching using a P well mask, in a process where the N well is formed using a P well-ion-implantation mask.例文帳に追加

前記酸化膜１２０が除去された領域にＮウェルイオン注入を実行し、Ｐウェルイオン注入マスクを利用してＮウェル形成工程時、前記酸化膜１２０除去により既設定された領域キーの内部にＰウェルマスクを利用したシリコンエッチングで第２整列キー２２０を形成する。 - 特許庁

To favorably obtain an extinction characteristic, in metal fine particle-dispersed type polarizing glass, and to stably enhance mass-productivity, by manufacturing an aggregate of metal elementary pieces arranged with an island shape by a process using a nano-ion-print lithography and a reactive ion etching method, not through a process of drawing, reduction and the like of glass.例文帳に追加

金属微粒子分散型偏光ガラスにおいて、その消光特性を良好に得ると共に、ガラスの延伸、還元等の工程を経ずに、島状に配設された金属素片の集合体をナノインプリントリソグラフィと反応性イオンエッチング法を用いた工程で作製することにより安定な量産性の向上を図る。 - 特許庁

To provide an outer packaging for a lithium ion battery having high electrolyte resistance and high hydrofluoric acid resistance even if the surface etching of aluminum foil performing by immersion in an acid bath or an alkali bath is eliminated regardless of no chromate treatment on the surface of aluminum foil, and to provide a method of manufacturing the outer packaging of the lithium ion battery.例文帳に追加

アルミニウム箔表面にクロメート処理が施されないにもかかわらず、酸浴やアルカリ浴への浸漬によるアルミニウム箔表面のエッチングを省略しても、優れた耐電解液性及び耐フッ酸性を有しているリチウムイオン電池用外装材、及び該リチウムイオン電池用外装材の製造方法の提供を目的とする。 - 特許庁

The hybrid element film is manufactured by emitting an ion beam to a heat-resistant resin film, chemically etching the resin film, and filling micro holes of an ion perforated film having several nanometers to several micrometers in diameter with metal, semiconductor or electroluminescent substance.例文帳に追加

ハイブリッド素子膜の製造方法であって、耐熱性樹脂膜に、イオンビームを照射し、その後化学エッチング処理し、得られた孔径数ナノメートル〜数マイクロメートルの微細孔をもつイオン穿孔膜の微細孔に、金属、半導体または電界発光体を充填することから構成される方法、及びそれらの方法により製造されたハイブリッド素子膜。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor element capable of preventing overlap of a doped region by cell channel ion implantation with a junction region by source/drain ion implantation and damage of a substrate in isotropic etching for formation of a valve pattern of a valve-shaped recess, improving refreshing characteristics of the element, and stabilizing a process.例文帳に追加

セルチャネルイオン注入によるドーピング領域とソース／ドレインイオン注入による接合領域とのオーバーラップ、及び、バルブ型リセスのバルブパターン形成のための等方性エチング時の基板の損傷を防止し、素子のリフレッシュ特性の改善及び工程の安定化が可能な半導体素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁

This etching agent for the silicongermanium comprises an aqueous solution containing an oxo-acid ion represented by general formula (X_mO_n)-Y (wherein, X is Br or I; m is 1 or 2; n is 1, 3, 4, 6 or 9; and Y is 1, 4 or 5) and a hydrofluoric acid.例文帳に追加

一般式（ＸｍＯｎ）−Ｙ （ＸはＢｒまたはＩ、ｍは１または２、ｎは１、３、４、６または９、Ｙは１、４または５）で表されるオキソ酸イオンとフッ化水素酸を含む水溶液からなる、シリコンゲルマニウムのエッチング剤。 - 特許庁

An MTJ lamination structure is obtained by sequentially, selectively etching the region other than the element region by ion milling etc., after laminating an anti-ferromagnetic layer 12, a pinned layer 13, an insulating tunnel layer 14, a free layer 15, and a cap layer 16 in this order.例文帳に追加

反強磁性層１２、ピンド層１３、絶縁トンネル層１４、フリー層１５およびキャップ層１６を順次積層したのち、素子領域以外の領域をイオンミリング等によって選択エッチングし、ＭＴＪ積層構造を得る。 - 特許庁

A magnetron reactive ion etching device 1 is equipped with a unit composed of electrodes which are opposed to each other sandwiching a semiconductor device 3 between them, a high-frequency power supply 9 which generates an electronic field on the unit of electrodes, a dipole ring magnet 23, and a switching mechanism 25.例文帳に追加

マグネトロン反応性イオンエッチング装置１は、半導体装置３を挟んで対向する電極ユニットと、電極ユニットに電界を形成する高周波電源９と、ダイポールリング磁石２３と、切換機構２５とを備えている。 - 特許庁

Then, the sample layer 4 including the mask 5 and the upper surface side of the glass substrate 1 are removed as much as about 2 μm by argon ion etching, and a protrusion 2 for sample part formation comprising a glass layer 3, the sample layer 4 and the mask 5 is formed.例文帳に追加

次に、マスク５を含む試料層４およびガラス基板１の上面側をアルゴンイオンエッチングにより２μｍ程度除去し、ガラス層３、試料層４およびマスク５からなる試料部形成用凸部２を形成する。 - 特許庁

As a first stage, an alkali etching liquid of aluminum is introduced into a first electrolytic tank, and is passed through an ion exchange membrane, so as to separate Na^+ to the cathode side, and the Na+ is coupled with OH^- generated by cathode reaction, so as to obtain NaOH.例文帳に追加

第一工程としてアルミニウムのアルカリエッチング液を第一電解槽に導き、イオン交換膜を通してＮａ^＋を陰極側に分離し、前記Ｎａ^＋を陰極反応で生成されるＯＨ^−と結合させてＮａＯＨを得る。 - 特許庁

A semiconductor element is constituted in a structure that a high-concentration B-doped semiconductor diamond layer is formed on an insulative high-pressure synthetic diamond single crystal substrate 1, and semiconductor layers 2a and 2b used as source and drain regions are formed on the substrate 1 by a reactive ion etching.例文帳に追加

絶縁性の高圧合成ダイヤモンド単結晶基板１上に、高濃度Ｂドープ半導体ダイヤモンド層を形成し、反応性イオンエッチングにより、ソース及びドレイン領域となる半導体ダイヤモンド層２ａ及び２ｂを形成する。 - 特許庁

In addition, the silicon layer 8 is patterned with dry etching using a reactive gas with the second inorganic film 8 used as a mask, an ion 12 is implanted into the silicon substrate 2 in energy of 5 MeV to 8 MeV using the silicon layer 6 as a mask.例文帳に追加

さらに、第２の無機膜８をマスクとする反応性ガスを用いたドライエッチングによりシリコン層６をパターン化し、このシリコン層６をマスクとして、５ＭｅＶないし８ＭｅＶのエネルギーでシリコン基板２にイオン１２を注入する。 - 特許庁

In addition, the surface of the synthetic resin can be metalized to a surface similar to the mirror surface of a beautifully polished metal, by forming only a thin film by directly coating a metal or a metal compound using dry-etching such as ion-plating or sputtering.例文帳に追加

さらにイオンプレーティング又はスパッタリング等の乾式めっきにより直接金属あるいは金属化合物をコーティングすることで、薄膜でもきれいに磨かれた金属の鏡面のようにメタライズ化することが可能となる。 - 特許庁

By using the component made of the resin-based raw material in the outer-periphery portion of this ceiling board, there is provided the structure having a characteristic that reaction products generated in etching are stuck thereto hardly, an excellent corrosion resistance to the plasma, and a relaxant quality of ion bombardment.例文帳に追加

この天板外周部に樹脂系素材のパーツを用いることによりエッチング時に発生する反応生成物が付着しにくい特性を有し、プラズマに対する耐食性に優れ、イオン衝突の緩和を図る構造を備える。 - 特許庁

A silicon substrate W is placed on a susceptor 12 arranged inside a chamber 10 that can be evacuated an etching gas is electrically discharged inside the chamber 10 to generate a plasma; and a primary radio-frequency wave RF_L for pulling in ion to the susceptor 12 is impressed.例文帳に追加

真空可能なチャンバ１０内に配置されたサセプタ１２上にシリコン基板Ｗを載置し、チャンバ１０内でエッチングガスを放電させてプラズマを生成し、サセプタ１２にイオンを引き込むための第１の高周波ＲＦ_Ｌを印加する。 - 特許庁

Then, reactive ion etching is carried out by O_2/CF_4, the second carbon and silicon films not covered with the resist pattern for forming the projection are removed, and a third carbon film is formed on the first carbon film exposed in the removed parts.例文帳に追加

次に、Ｏ_2／ＣＦ_4による反応性イオンエッチングを行い、突起形成用レジストパターンで覆われていない第２カーボン膜及び第２シリコン膜を除去し、除去部分に露出した第１カーボン膜上に第３カーボン膜を形成する。 - 特許庁

A silicon substrate 101 is selectively etched by RIE (Reactive Ion Etching) using a silicon oxide layer 104 as a mask to form a through-hole 106 reaching one surface of the silicon substrate 101 (an interface with a buried oxide layer 102).例文帳に追加

酸化シリコン層１０４をマスクとしたＲＩＥにより、シリコン基板１０１を選択的にエッチングすることで、シリコン基板１０１の一方の面（埋め込み酸化層１０２との界面）に到達する貫通孔１０６を形成する。 - 特許庁

A silicon oxide film of 10-50 nm thick is deposited on the entire surface of a semiconductor substrate 11 and subjected to anisotropic etching to form an ion implantation regulating film 18 of silicon oxide on the side face of a gate structure 17.例文帳に追加

半導体基板１１の全面に膜厚が１０〜５０ｎｍのシリコン酸化膜を堆積し、異方性エッチングを行なうことにより、ゲート構造体１７の側面上に酸化シリコンからなるイオン注入調整膜１８を形成する。 - 特許庁

A processed layer pattern 4 is formed using an alternating phase shift mask, then ion implantation of an impurity is selectively carried out in the unnecessary pattern 4b to increase an etching rate of the unnecessary pattern 4b, after which the unnecessary pattern 4b is etched away.例文帳に追加

レベンソン型位相シフトマスクを用いて被加工層パターン４を形成した後、不要パターン４ｂに選択的に不純物をイオン注入して不要パターン４ｂのエッチングレートを上げた後に、不要パターン４ｂをエッチングにより除去する。 - 特許庁

A polysilicon 103 is grown on a semiconductor substrate and ion-implanted to be patterned, so as to form a gate electrode by etching away the gate polysilicon 103 using the films 104, 105 after successively depositing an oxide film 104 and a nitride film 105.例文帳に追加

半導体基板上にゲートポリシリコン１０３を成長させてイオン注入を行い、酸化膜１０４、窒化膜１０５を順次堆積した後、パターニングし、これらをマスクにしてゲートポリシリコンをエッチングしてゲート電極を形成する。 - 特許庁

Etching is performed without damaging a silicon substrate 1 by bringing the surface of a second gate insulation film 5 of metal oxide into contact with a chloride atom imparting gas without forming an ion sheath the surface of the second gate insulation film 5 thereby causing reaction.例文帳に追加

金属酸化物からなる第２のゲート絶縁膜５の表面にイオンシースを形成することなく、塩素原子供与性ガスと接触させて反応させることにより、シリコン基板１にダメージを与えずにエッチング処理を行う。 - 特許庁

Then, after a protective oxide film 11 is formed on the inner wall of the trench 4, the film 11 formed on the bottom of the trench 4 is etched by reactive ion etching together with the substrate 1 which forms the bottom of the trench 4.例文帳に追加

次に、トレンチ４の内壁に保護酸化膜１１を形成したのち、反応性イオンエッチングによりトレンチ４の底部に配置された保護酸化膜１１をエッチングすると共に、トレンチ４の底部においてＳｉ基板１のエッチングを進める。 - 特許庁

Thus, even when the second nitride film is penetrated or damaged by etching while forming a contact hole, the sidewall of the laminated gate of the nonvolatile memory cell is protected against moving charge such as a moving ion or the like by the first nitride film.例文帳に追加

本発明によると、第２窒化膜がコンタクトホールを形成する間に、貫通されたり、エッチング損傷を受けたりしても、不揮発性メモリセルの積層ゲートの側壁は第１窒化膜により移動イオン等の移動電荷から保護される。 - 特許庁

This annealing process can be applied mainly to a polishing process for manufacturing the wafer, or an ion implantation process, a dry etching process or a chemical mechanical polishing process for manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

本発明のアニーリングが主として適用される段階としては、ウェーハを製作するためのポリシング段階、半導体素子を製造するための各種のイオン注入段階、ドライエッチング段階、化学的及び機械的ポリシング段階がある。 - 特許庁

To provide a photoresist release agent causing little damage to the surface of a silicon substrate and having excellent striping performance for a photoresist subjected to a dry etching process or an ion implantation process or for a residue produced after the oxygen plasma treatment of a photoresist.例文帳に追加

シリコン基板の表面へのダメージが少なく、しかもドライエッチング工程やイオン注入工程を経たフォトレジスト、フォトレジストを酸素プラズマで処理した後に生じる残渣物の剥離性能に優れたフォトレジスト剥離剤を提供する。 - 特許庁

To provide an ion beam etching method in which ESD (electrostatic damage) can be prevented from being generated by suppressing fluctuations in substrate potential regardless of the type of shape and conductivity of the shutter in a shutter device.例文帳に追加

シャッターの形状や導電性などシャッター装置の種類に関わらず、基板電位の変動を抑制し、ＥＳＤ（Ｅｌｅｃｔｒｏsｔａｔｉｃ Ｄａｍａｇｅ）の発生を防ぐことができるイオンビームエッチング方法を提供する。 - 特許庁

After depositing the light shielding film, the Ga ion implanted glass region 26 having a lowered transmittance is removed by alkali cleaning or such gas assisted etching as not to lower the transmittance of the glass to ensure the transmissivity necessary for exposure.例文帳に追加

遮光膜堆積後、透過率が下がるGa注入ガラス領域26をアルカリ洗浄もしくはガラスの透過率を下げないようなガスアシストエッチングによりGaの注入されたガラス領域を取り除き露光に必要な透過率を確保する。 - 特許庁

Then processing using a pattern on the resist film as a mask (e.g. etching processing using the pattern on the resist film as the mask and an ion injection processing using the pattern on the resist film as the mask) is applied to the wafer on which the resist film having the rugged surface is formed.例文帳に追加

その後、レジスト膜の表面に凹凸が形成されたウエハは、レジスト膜のパターンをマスクとした処理（たとえば、レジスト膜のパターンをマスクとするエッチング処理、レジスト膜のパターンをマスクとするイオン注入処理）を受ける。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an electronic device for removing a metal bonded to the surface and sidewalls of wiring, a polymer caused by a resist and the residue of an alteration layer without thinning the wiring by etching, in post-treatment by which wiring constituted of aluminum or an aluminum alloy is formed by reactive-ion etching.例文帳に追加

リアクティブイオンエッチングを用いてアルミニウムまたはアルミニウム合金からなる配線を形成した後処理において、その配線のエッチングによる細り等を招くことなく、前記配線の表面および側壁に付着された金属、レジストに由来するポリマーおよび変質層などの残渣物を除去することが可能な電子デバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁

After a trench 14 for contact is formed through anisotropic etching using an interlayer dielectric 11 having a narrow opening width as a mask, the trench 14 for contact is widened in width through isotropic etching and the interlayer dielectric 11 having a narrower opening width than the trench 14 for contact is used as a mask to perform ion implantation for contact region formation in a well region.例文帳に追加

狭い開口幅の層間絶縁膜１１をマスクとして異方性エッチングによりコンタクト用トレンチ１４を形成した後、等方性エッチングをおこないコンタクト用トレンチ１４の幅を広げ、コンタクト用トレンチ１４よりも狭い開口幅の層間絶縁膜１１をマスクとして、ウェル領域内にコンタクト領域形成のためのイオン注入を行う。 - 特許庁

An upper part photoresist layer 18 which is relatively thin is patterned with an improved resolution and, next, an intermediate metal or a ceramic layer 16 is stipulated by using the upper part photoresist layer 18 as a reactive ion etching(RIE) mask and the lowermost thick photoresist layer 14 is stipulated in a second RIE process by using the intermediate layer as an etching mask.例文帳に追加

改良された解像度で比較的薄い上部フォトレジスト層（１８）がパターニングされ、次に上部フォトレジスト層を反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）マスクとして利用し中間金属またはセラミック層（１６）が規定され、次に中間層をエッチングマスクとして使用して、最下層の厚いフォトレジスト層（１４）が第２のＲＩＥプロセスにおいて規定される。 - 特許庁

A sine-wave or sine-wave half-wave type resist pattern corresponding to grating grooves is formed on a substrate 10 by a holographic exposure method, and then the substrate 10 and resist 21 are etched until the resist reaches an approximately 1/3 height through a 1st etching stage of irradiating them with an ion beam obliquely at the same angle as a blaze angle while using CF_4 as etching gas.例文帳に追加

ホログラフィック露光法により基板１０上に格子溝に対応した正弦波状又は正弦半波状のレジストパターン２１を作製し、その後、ＣＦ_4をエッチングガスとしてブレーズ角と同じ角度で斜めからイオンビームを照射する第１エッチング工程によりレジストが約１／３の高さになるまで基板１０とレジスト２１とを削る。 - 特許庁

An etching operation is interrupted halfway, when substrates are subjected to etching in reaction chambers 11A and 11B, the substrate are transferred to ion irradiation chambers 12A and 12B, and the treated surfaces of the substrates are irradiated with positive ions, by which the treated surfaces of the substrates which are charged by the accumulation of electrons are turned electrically neutral.例文帳に追加

反応室１１Ａ、１１Ｂにて基板Ｗのエッチング処理を行っている途中で、エッチング処理を中断して、基板Ｗを反応室１１Ａ、１１Ｂからイオン照射室１２Ａ、１２Ｂへ搬送し、基板Ｗの被処理面へ正イオンを照射することにより、基板Ｗの被処理面の電子の蓄積による帯電を中和し除電する。 - 特許庁

The etching method comprises a step of forming a copper oxide 103 anisotropically oxidized for all thickness directions of a copper film 101 in the copper film 101 by irradiating the copper film 101 where a mask material 102 was formed on its surface with an oxygen ion 6 using the mask material 102 as a mask and a step of etching an anisotropically oxidized copper oxide 103.例文帳に追加

表面にマスク材１０２が形成された銅膜１０１に、マスク材１０２をマスクに用いて酸素イオン６を照射し、銅膜１０１内に、銅膜１０１の厚さ方向の全てに対して異方的に酸化された酸化銅１０３を形成する工程と、異方的に酸化された酸化銅１０３をエッチングする工程と、を具備する。 - 特許庁

Since the etching rate at the interface between a resist film 13 and the metal film 11 is speeded up/down by the impurity 12 which is subjected to ion-implantation, the taper of the etching cross section of the metal film 11 is controlled to an appropriate angle, independently of the kinds or minute changes in the metal film 11 (which means unevenness, etc.).例文帳に追加

レジスト膜１３と金属膜１１との界面部分のエッチングレートは、イオン注入された不純物１２によって速くされたり遅くされたりするので、結果的に金属膜１１の種類や微妙な変化（凹凸等を意味する）に拘らず、金属膜１１のエッチング断面のテーパを適正な角度にコントロールすることができる。 - 特許庁

To provide a flexible base material for preventing the generation of ion migration due to the dissolution or elution of the metal components of a barrier layer in a cover lay or moisture or the like containing chlorine components, and for preventing the generation of etching residue by surely dissolving the barrier layer in etching solution with hydrochloric acid as main components in the case of forming a pattern.例文帳に追加

バリア層の金属成分が塩素成分を含有するカバーレイや水分などに溶解あるいは溶出することによるイオンマイグレーションの発生を防止でき、その一方で、バリア層をパターン形成の際に塩酸を主成分とするエッチング液に確実に溶解させて、エッチング残渣の発生も防止できるフレキシブル基材を提供する。 - 特許庁

A magnetic reproducing head 1 is provided with a stopper layer 12 having a core width length corresponding to magnetic domain control films 17 provided at both sides of a core width direction of a magneto-resistance effect film 13A between a lower part shield layer 11 and the magneto-resistance effect film 13A, the stopper layer 12 is formed by using a soft magnetic material having etching durability for reactive ion etching.例文帳に追加

磁気再生ヘッド１は、下部シールド層１１と磁気抵抗効果膜１３Ａとの間に、磁気抵抗効果膜１３Ａのコア幅方向の両側に設けられる磁区制御膜１７に対応したコア幅長さを有するストッパ層１２を備え、ストッパ層１２は、反応性イオンエッチングに対するエッチング耐性を有する軟磁性材料を用いて形成される。 - 特許庁

A thick-film resist formed by a photolithographic technique and a film represented by a silicon oxide film formed by an etching technique with the resist patterns of the thick-film resist as a mask are laminated as a mask for ion implantation in a semiconductor manufacturing process step, by which the ion implantation mask patterns having fine patterns of a high aspect ratio not possible heretofore are obtained.例文帳に追加

半導体製造工程におけるイオン注入用マスクとして、フォトリソグラフィ技術により形成した厚膜レジストと、この厚膜レジストのレジストパターンをマスクとしてエッチング技術により形成した酸化シリコン膜に代表される膜を積層し、従来にない高アスペクト比の微細パターンを有するイオン注入マスクパターンを得るようにした。 - 特許庁

The system includes a processor 33 having an element constituted so that the optimum motor bias route for a deep reactive ion etcher 22 is determined on a wafer, a stepper for imprinting a pattern of the gyro in the direction corresponding to the optimum motor bias route calculated to be the nearest to each gyro on the wafer, and a deep reactive ion etcher 37 for etching the gyro on the wafer.例文帳に追加

システムは、ウェハ上で深反応性イオンエッチャ２２用の最適モータバイアス経路を決定するように構成された要素を備えたプロセッサ３３、ウェハ上で各ジャイロに最も近いものと算出された最適モータバイアス経路に対応した向きに該ジャイロのパターンをインプリントするステッパ３５及びウェハにジャイロをエッチングする深反応性イオンエッチャ３７を含む。 - 特許庁

The silicon single crystal wafer grown by Czochralski method is free of any defective region detectable by RIE (reactive ion etching) method, in the N region outside the OSF region formed in a ring when the whole wafer surface is thermally oxidized.例文帳に追加

チョクラルスキー法により育成されたシリコン単結晶ウエーハにおいて、ウエーハ全面が熱酸化処理をした際にリング状に発生するＯＳＦの外側のＮ領域であって、ＲＩＥ法により検出される欠陥領域が存在しない。 - 特許庁

Since the through hole 31b is such a hole as formed by etching a part in which Ar ion is implanted from a surface, the aperture of the through hole 31b becomes significantly smaller than that of the through hole 31a when the implantation pattern is smaller.例文帳に追加

貫通孔３１ｂは、表面からのＡｒイオン注入された部分がエッチングされて形成された孔であるので、注入パターンを小さいものにすれば、貫通孔３１ｂの径を貫通孔３１ａの径に比べて十分小さくなる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a diamond semiconductor for obtaining a high-quality P-type/N-type diamond semiconductor which can not be obtained by a conventional method by preventing the etching of a diamond surface caused by the high-temperature/high-pressure annealing of an ion-implanted diamond.例文帳に追加

イオン注入したダイヤモンドの高温高圧アニールにより起こるダイヤモンド表面のエッチングを防ぎ、従来の方法では得られない高品質Ｐ型、Ｎ型ダイヤモンド半導体を得るダイヤモンド半導体の作製方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a production method of an electrode foil for an electrolytic capacitor, which removes and replaces chlorine ion adhering to the foil while minimizing dissolution of a foil surface layer after etching, and can produce a high powered foil by improving chemical conversion property.例文帳に追加

エッチング工程後、箔表層の溶解を最小限にしつつ、箔に付着している塩素イオンを除去・置換し、化成性向上による高倍率箔を製造することのできる電解コンデンサ用電極箔の製造方法を提供する。 - 特許庁

A deposited substance on a monitoring substrate 3 is etched by applying a voltage for etching several kVs to the monitoring substrate 3, which is loaded inside a plasma apparatus, and the substance emitted from the deposited substance is analyzed by a mass spectrometer or an ion chamber.例文帳に追加

プラズマ装置の内部に設けられたモニタ基板３に、数ｋＶのエッチング用電圧を印加してモニタ基板３上の堆積物をエッチングし，堆積物から放出される物質を質量分析装置又はイオンチャンバを用いて分析する。 - 特許庁