「ion-etching」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

In the method, since metal copper is not reduced from an etching waste liquid, there is no need of using an extraction solution easily contaminating chemicals and an expensive ion selective membrane, and there is no need of using high temperature molten copper and purification which extremely consumes electric power.例文帳に追加

本発明の方法はエッチング廃液から金属銅を還元しないため、容易に薬品を汚染する抽出溶液や高価なイオン選択膜を使用する必要も、高温溶銅と非常に電力を消費する純化を用いる必要もない。 - 特許庁

Before cleaning the silicon wafer 11 after implanting the oxygen ion into the silicon wafer 11, a step for etching an SiO_2 film formed on the surface of the silicon wafer 11 by dipping the silicon wafer 11 in the hydrofluoric acid solution 12 is further included.例文帳に追加

シリコンウェーハ１１に酸素イオンを注入した後であってシリコンウェーハ１１を洗浄する前に、シリコンウェーハ１１をフッ酸水溶液１２に浸漬してシリコンウェーハ１１の表面に形成されたＳｉＯ_2膜をエッチング処理する工程を更に含む。 - 特許庁

A conical dome of a conductive material is formed in a tip part of a conical electrode, formed mechanically by a CVD working method using the converged ion beam, and the tip part is shaped by sputter etching, to form the extraction electrode close to an ideal shape.例文帳に追加

また、機械的に形成された円錐状電極の先端部に集束イオンビームを用いたＣＶＤ加工法で導電性材料の円錐ドームを形成し、スパッタエッチングによって先端部を整形し理想形状に近い引出電極を形成する。 - 特許庁

Then the water repellent agent 14a entering the inside of the nozzle 2 is removed, and moreover ashing is carried out by reactive ion etching with an oxygen gas introduced from a rear face of the nozzle plate 6 so as to alter an inner wall of the nozzle 2 to be hydrophilic.例文帳に追加

次に、ノズル２の内部に入り込んだ撥水剤１４ａを除去し且つノズル２の内壁を親水性に変質させるように、ノズル板６の裏面側から酸素ガスを導入した反応性イオンエッチング処理により、アッシングを行う。 - 特許庁

When the etching residue is stripped, at least two kinds of the removers are used together, wherein one is the remover having the solubility of titanium and a titanium compound, and the other is the remover including at least salt of a hydrofluoric acid and a metal ion-free base.例文帳に追加

エッチング残渣物を剥離するに際し、剥離液として、チタンおよびチタン化合物の溶解性を有する剥離液と、少なくともフッ化水素酸と金属イオンを含まない塩基との塩を含有する剥離液との少なくとも２液を併用する。 - 特許庁

By forming the dielectric layer 13 including aluminum between the silicon nitride layer 12 and the dielectric layer 14 including silicon and oxygen, the damage on the surface of the semiconductor material 10 by exposure to the high output reactive ion etching is prevented.例文帳に追加

窒化シリコン層１２と、シリコンおよび酸素から成る誘電体層１４との間にアルミニウムから成る誘電体層１３を形成することによって、高出力反応性イオン・エッチングに晒すことによる半導体物質１０表面への損傷を防ぐ。 - 特許庁

To provide a ceramic substrate material for a thin film magnetic head having excellent processability by designing such that the particles composing a second phase and those composing a first phase have substantially the same hardness and ion beam etching rate.例文帳に追加

第２相を構成する粒子の硬度およびイオンビームエッチング速度と第１相を構成する粒子の硬度およびイオンビームエッチング速度とをほぼ同じにすることによって、優れた加工性を備える薄膜磁気ヘッド用セラミックス基板材料を提供する。 - 特許庁

To provide a method and a device for plasma etching capable of controlling types or density of radical species and ion species existing in plasma, generating plasma suitable for processes, and switching plasma states by presence/absence of irradiation of light.例文帳に追加

プラズマ内に存在するラジカル種及びイオン種の種類又は密度を制御し、プロセスに対して適したプラズマを生成し、かつ、光の照射の有無によりプラズマ状態の切り換えをすることができるラズマエッチング方法及び装置を提供すること。 - 特許庁

When a part of an optically opaque slit 3 is etched in a position apart from an intersection between flow passage grooves 6, 7 by a fixed distance by means of reactive ion etching and the like, an optically transparent position detection mark 8 is formed.例文帳に追加

流路溝６と流路溝７との交点から一定の位置に、光学的に不透明なスリット３の一部を例えば反応性イオンエッチング等の手段によりエッチングすることにより、光学的に透明な位置検出用マーク８を形成する。 - 特許庁

The production method includes a process of forming a film consisting of any of an oxide of molybdenum silicon, nitride of molybdenum silicon, oxide nitride of molybdenum-silicon, nitride of silicon and oxide nitride of silicon on a quartz substrate, and a process of forming a phase shift mask pattern by reactive ion etching to selectively etch and remove the film by using an etching gas containing gaseous chlorine.例文帳に追加

石英基板上にモリブデン−シリコンの酸化物、モリブデン−シリコンの窒化物、モリブデン−シリコンの酸窒化物、シリコンの窒化物およびシリコンの酸窒化物のいずれかからなる被膜を形成する工程と、前記被膜を塩素ガスを含むエッチングガスを用いた反応性イオンエッチングにより選択的にエッチング除去することにより位相シフトマスクパターンを形成する工程とを具備したことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a cleaning agent for magnetic disk substrate having a satisfied dispersibility of particle desorbed from a substrate surface and also an excellent re-adhering prevention property, by comprising an excellent cleaning ability to the particle derived from a metallic ion represented by iron ion eluted from a device for use at a manufacturing process and also by comprising an appropriate etching property.例文帳に追加

製造工程時に使用する装置から溶出する鉄イオンに代表される金属イオンに由来するパーティクルに対して優れた洗浄性を有するとともに、適度なエッチング性を有することで基板表面から脱離したパーティクルの分散性が良好であり、かつ再付着防止性に優れた磁気ディスク用基板洗浄剤を提供することを目的とする。 - 特許庁

This method of manufacturing a semiconductor device comprises a step of ion-implanting impurities into a trench formation region 10 on the main surface of a silicon substrate 1, a step of forming trenches 5a-5c, by etching the trench formation region 10 so as to ion-implant the impurities, and to embed the trenches 5a-5c, to form an element isolation insulating region 7.例文帳に追加

この半導体装置の製造方法は、シリコン基板１の主表面のトレンチ形成領域１０に不純物をイオン注入する工程と、その不純物がイオン注入されたトレンチ形成領域１０をエッチングすることによってトレンチ５ａ〜５ｃを形成する工程と、トレンチ５ａ〜５ｃを埋め込むように素子分離絶縁膜７を形成する工程とを備えている。 - 特許庁

To provide a construction and a manufacturing method, wherein an etching margin is assured when a connection hole is formed in an active layer of a thin-film transistor, the controllability of ion implantation is improved in the depth direction, and further the crystal defects and distortion are eliminated in a channel region.例文帳に追加

薄膜トランジスタの活性層上に接続孔を形成する際のエッチングマージンが確保し、イオン注入での深さ方向の制御性を良くし、さらにチャネル領域の結晶欠陥や歪みを解消する構成および製造方法を提供する。 - 特許庁

A slant which is formed of a face (110) where a face (100) is set as a base and has an angle of 45° is formed in a recess 107 by wet etching using alkali solution to which ion system surfactant is added in a silicon substrate 100 with a silicone oxide film 101 as a mask.例文帳に追加

シリコン酸化膜１０１をマスクとして、シリコン基板１００をイオン系界面活性剤が添加したアルカリ溶液を用いたウエットエッチングによって、（１００）面を底面とした（１１０）面からなる４５°の角度を持った斜面を凹部１０７に形成する。 - 特許庁

To improve the stability of quality by solving the problem of cross-sectional distortion of a core, relating to an optical waveguide which is made of a polymer resin material and manufactured by using the techniques of stacking, photo-lithography, and reactive ion etching.例文帳に追加

本発明は積層技術、フォトリソグラフィー技術、反応性イオンエッチング技術を使用して製造された高分子樹脂材料製の光導波路に関し、コアの断面が歪んでしまう問題を解決して品質の安定性の改善を図ることを目的とする。 - 特許庁

This method for making a sample comprises thinning a sample piece 2 that becomes the transmission electron microscopic sample, forming a pattern by a photo resist 3 followed by etching, and polishing a formed etched part 4 by an ion milling device to form an observation part 5.例文帳に追加

透過型電子顕微鏡観察用の試料となる試料片２を薄片化した後、フォトレジスト３でパターンを形成して、エッチングを行い、形成されたエッチング部４にイオンミリング装置による研磨を行って観察部５を形成する試料作製方法である。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a plastic optical waveguide which can manufacture a core part easily without generating cracks on both sides of the core and which can manufacture an optical waveguide in which an optical transmission loss value is stable and which has a low optical transmission loss in core formation by RIE (Reactive Ion Etching) while using a heat resistive resin.例文帳に追加

耐熱性樹脂を用いながら、ＲＩＥによるコア形成において、コア部の両サイドにクラックを生じないでコア部を設計通りに容易に作製でき、光損失値が安定した低損失な光導波路作製法を提供することにある。 - 特許庁

This method, wherein a ZnSe substrate 1 is placed on a silicon wafer 2 and then etched, comprises a step of placing the ZnSe substrate 1 on the silicon wafer 2 with grease 11 sandwiched in between; and a step of ion- etching the ZnSe substrate 1.例文帳に追加

ＺｎＳｅ基板１をシリコンウエハ２上に置いてエッチングする方法であって、ＺｎＳｅ基板１とシリコンウエハ２との間にグリース１１を挟み込んで、ＺｎＳｅ基板をシリコンウエハ２に配置する工程と、ＺｎＳｅ基板をイオンでエッチングする工程とを備える。 - 特許庁

After sequentially forming a main pole layer 21a and an STO layered body layer 11a, unnecessary materials are removed until reaching a base body by an ion beam etching method using a single mask 44 for demarcating the range of an STO layered body 11 and a main magnetic pole 21.例文帳に追加

主磁極層２１ａとＳＴＯ積層体層１１ａとを順次成膜したのち、ＳＴＯ積層体１１および主磁極２１の範囲を画定するための単一のマスク４４を用いたイオンビームエッチング法により、基体に至るまで不要な材料を除去する。 - 特許庁

This composition comprising a polymer having at least one kind of silicon, germanium and tin, and a protective group grafted on the skeleton of the polymer is useful as a resist, has a sensitivity to the radiation for forming an image, and exhibits an enhanced resistance to reactive ion etching.例文帳に追加

シリコン、ゲルマニウム、スズのうちの少なくとも１種類を有する重合体と、重合体の骨格にグラフトさせた保護基を含む組成物は、レジストとして有用であり、像形成する放射に感度を有するとともに、強化された耐反応性イオン・エッチング性を示す。 - 特許庁

To provide a transfer mask data correction system to obtain a transfer mask suitable to eliminate the troubles caused by the physical phenomenon which follows the etching or ion implantation and the electron beam lithography when manufacturing a mask pattern.例文帳に追加

エッチングやイオン注入等に伴う物理現象に起因した不都合、および、マスクパターンを製作する際の電子線描画に伴う物理現象に起因した不都合を解消に適した転写用マスクを得るための転写用マスクデータ補正装置を提供する。 - 特許庁

The etching liquid is injected from an opening 25 into a storage space defined by the ring 10 and the upper-side sheet material 20, and a surface layer portion of the plate-like body sample 40 is dissolved to collect dissolved liquid, and the metal or ion in the collected dissolved liquid is analyzed quantitatively.例文帳に追加

開口２５からエッチング液をリング１０と上側シート材２０で画定された貯留空間に注入し、板状体試料４０の表層部分を溶解させ、溶解液を採取し、採取した溶解液中の金属またはイオンを分析定量する。 - 特許庁

Two second covers 21a, 21b are mounted onto the shaft 13 and seal a gap between the shaft 13 and the insert hole 20a at two opening/closing positions of a shutter, respectively to prevent sputter particles generated by etching using ion beams, from invading the inside of the first cover 12.例文帳に追加

シャッタの開閉二位置において、シャフト１３と挿通穴２０ａとの隙間を塞ぎ、イオンビームでエッチングされて発生したスパッタ粒子が第１カバー１２の内側に侵入するのを防止する２枚の第２カバー２１ａ，２１ｂをシャフト１３に取り付ける。 - 特許庁

After removing the nitride film 1 therefrom, a nitride film 6 is deposited again, and after removing the nitride film 6 of an N-well region therefrom by photolithographing and etching, phosphorus 8 is so ion-implanted into the substrate 10 as to form an oxide film 9 having the same thickness as the oxide film 4 by thermal oxidation.例文帳に追加

窒化膜１を除去した後、再度、窒化膜６を堆積し、写真製版とエッチングによりＮウエル領域の窒化膜６を除去した後、基板１０にリン８をイオン注入し、熱酸化により酸化膜９を酸化膜４と同じ厚さに形成する。 - 特許庁

The resistance-element regions 8, 8 are made of the ion-implanted polysilicon film 3 with a predetermined impurity, and the outer peripheral edge of each of them is separated inward from the outer peripheral edge of the polysilicon film 3 by a distance corresponding to the dimesional variation generated when forming the polysilicon film 3 by etching.例文帳に追加

抵抗素子領域８，８，…は、ポリシリコン膜３に所定の不純物がイオン注入されてなり、その外縁が、ポリシリコン膜３の外縁から、ポリシリコン膜３をエッチングで形成する際の寸法のバラツキに応じた距離だけ内側に隔てられている。 - 特許庁

The magnetic recording layer 13 is etched with reactive ion etching under heating, by using a reaction gas composed of gaseous chlorine in a vacuum, and using the first mask layer 14a having a width corresponding to the width of a trailing side edge part of the magnetic recording head as a mask.例文帳に追加

真空中で塩素ガスからなる反応ガスを用い、当該磁気記録ヘッドのトレーリング側端部の幅に対応する幅を有する第１のマスク層１４ａをマスクとして、加熱下で反応性イオンエッチングによって記録用磁性層１３をエッチングする。 - 特許庁

The method of manufacturing electrode fibers of silicon or silicon containing materials for an anode of a lithium ion battery, includes steps of: etching a silicon substrate or a silicon containing substrate to form pillars; and removing the pillars from the substrate.例文帳に追加

リチウムイオン電池のアノード用の、シリコン又はシリコン含有物質の電極繊維を製造する方法であって、該方法は、ピラーを作製するためにシリコン基板又はシリコン含有基板をエッチングする工程、及び、該基板から該ピラーを分離する工程を含む方法。 - 特許庁

To prevent an impurity ion from being injected into a semiconductor layer of a semiconductor wafer periphery without forming a photoresist on the semiconductor wafer periphery and prevent electric shortage between the surface side and the backside of a semiconductor wafer during electrolytic etching.例文帳に追加

半導体ウェハ周縁部にフォトレジストを形成することなく半導体ウェハ周縁部の半導体層に不純物イオンが注入されるのを防止し、電解エッチング処理の際に半導体ウェハの表面側と裏面側で電気的に短絡するのを防止する。 - 特許庁

The method for making cross-sectional observation samples includes covering a top of a work piece with a shield plate, and etching an unshielded part with ion beam irradiation to form a mirror polished part, in which the work piece includes two samples, and ion beam-irradiated portions of the two samples are placed in contact with or close to each other and arranged perpendicularly to or in parallel with the irradiation direction of the ion beam.例文帳に追加

被加工物の上部を遮蔽板で覆い、非遮蔽部をイオンビーム照射によりエッチングして鏡面研磨部を形成する断面観察試料の作製方法であって、前記被加工物が、２個の試料よりなり、前記２個の試料のイオンビーム照射される部分が、互いに密着又は近接して配置されており、かつ、イオンビームの照射方向に直交する方向、又は、イオンビームの照射方向に平行な方向に並べられていることを特徴とする断面観察試料の作製方法。 - 特許庁

The manufacturing method of the silicon carbide semiconductor element includes a step of successively laminating a polysilicon film and an oxide film on a silicon carbide wafer; a step of forming a trench on the silicon carbide wafer by reactive ion etching using these films as a partially open masking material to have the polysilicon film retreated to expose an upper end corner of the trench; and a step of rounding the upper end corner by etching.例文帳に追加

炭化珪素ウェハー上にポリシリコン膜と酸化膜を順次積層する工程と、これらの膜を一部が開口したマスク材として反応性イオンエッチングにより炭化珪素ウェハーにトレンチを形成し、ポリシリコン膜を後退させて前記トレンチの上端コーナーを露出させる工程と、エッチングにより前記上端コーナーを丸める工程と、を有する炭化珪素半導体素子の製造方法とする。 - 特許庁

A straight line drawn on the surface in the part to be observed for shape observation is formed by local CVD or etching using a focused ion beam, and the straight line drawing direction on the sample surface in the part to be observed for shape observation and the sample stage tilting direction cross each other at right angles.例文帳に追加

形状を観察したい個所の試料表面に引く直線は、局所ＣＶＤ若しくは集束イオンビームを用いたエッチングによって施し、形状を観察したい個所の試料表面に引く直線の方向と試料ステージの傾斜方向は、直交するようにとる。 - 特許庁

To provide an evaluation method for simple, easy and high-sensitivity selection of ion-exchange resin, that is suitable for manufacturing ultrapure water for reducing the degree of etching on the surface of a silicon material, when the ultrapure water, used as cleaning water, is to be produced during the manufacturing of semiconductor or liquid crystals.例文帳に追加

半導体や液晶製造用の洗浄水として使用される超純水を製造するに際し、シリコン物質表面のエッチング度合が低い超純水を製造するのに適したイオン交換樹脂を簡易かつ高感度に選定するための評価方法を提供する。 - 特許庁

A composition for etching silver or the silver alloy includes, by wt.%, 0.01-10% copper ion, 0.01-10% nitric acid, 10-69% phosphoric acid, 30-50% of a carboxylic acid with respect to the total composition, and the balance water.例文帳に追加

銀又は銀合金のエッチングにおいて、組成物全体に対し、銅イオンを０．０１〜１０重量％、硝酸を０．０１〜１０重量％、燐酸を１０〜６９重量％、カルボン酸を３０〜５０重量％含有し、残部は水である銀又は銀合金エッチング用組成物を用いる。 - 特許庁

In a process of forming the well region, a part of a part (silicon oxide film 51) which is formed in the formation scheduled region A2 of the MOS transistor 4 of the silicon oxide film 31 is removed by wet etching and after that, the first ion implantation is performed by using the silicon oxide film 31 as a mask.例文帳に追加

ウェル領域を形成する工程では、シリコン酸化膜３１のうちＭＯＳトランジスタ４の形成予定領域Ａ２に形成されている部分（シリコン酸化膜５１）の一部をウェットエッチングにより除去してから、シリコン酸化膜３１をマスクとして第１のイオン注入を行う。 - 特許庁

At the time of simultaneously executing the formation of a carbon film by plasma CVD and nitrogen ion beam irradiation, gaseous hydrogen is mixed into a plasma gaseous starting material, and a negative bias is applied on a substrate 2, by which SP2-coupled soft graphite components in the carbon film to be formed on the substrate 2 are subjected to etching.例文帳に追加

プラズマＣＶＤによる炭素膜形成と、窒素イオンビーム照射とを同時に行うにあたり、プラズマ原料ガス中に水素ガスを混合し、基板２に負バイアスを印加することにより、基板２上に形成される炭素膜中のＳＰ_2 結合をした軟弱なグラファイト成分がエッチングされる。 - 特許庁

The surface of a semiconductor chip (wafer 10) is subjected to ion milling with a mixture gas of Ar and H2 to form conductor layers 14, 16 on an Al layer 12 and a polyimide layer 13, and the exposed surface of the polyimide layer 13 is subjected to sputter etching with am N2 gas.例文帳に追加

半導体チップ（ウエハ１０）の表面に対し、ＡｒとＨ_2 の混合ガスによりイオンミリングを行い、Ａｌ層１２とポリイミド層１３の上に導体層１４，１６を形成した後、露出しているポリイミド層１３の表面に対し、Ｎ_2 ガスによりスパッタエッチングを行う。 - 特許庁

In the master optical disk using RIE (reactive ion etching), a resist stored in air at a room temperature is subjected to exposure and development for 200 to 400 hours, preferably 350 hours to make a pattern in which the end of a land projects, and the RIE is carried out by using the resist pattern as a mask.例文帳に追加

ＲＩＥを用いた光ディスク原盤作製において、２００時間から４００時間、望ましくは３５０時間以上、室温、空気中で保管したレジストに対して露光、現像を行うことで、ランドの端部が突出したパターンを作製し、そのレジストパターンをマスクとしてＲＩＥを行う。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a large number of reproducible, hyperbolic drum type elements by using an ion beam etching process, and a hyperboloidal drum type structure that is adjustable in size of an active layer and that is usable for manufacturing optical devices and an electronic devices of nano-scale.例文帳に追加

イオンビームエッチング法を利用して再演性のある双曲面ドラム型素子を大量に製造する方法、及び活性層の大きさの調節が可能であって、ナノ規模の光素子及び電子素子の製造に活用することができる、双曲面ドラム型構造を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma generator capable of generating lengthy line plasmas with uniformity and a high density; and to provide a film forming device capable of forming film on a large area substrate, an etching device, a surface treatment device, and an ion implantation device, by utilizing the above plasma generator.例文帳に追加

均一で高密度な長尺のライン状プラズマを生成することが可能であるプラズマ発生装置、及びこのプラズマ発生装置を利用した大面積基板への成膜が可能である成膜装置、並びにエッチング装置、表面処理装置、イオン注入装置を提供すること。 - 特許庁

The high-frequency power of 13.56 MHz is applied to a substrate S including the insulating film I in the range of 50-300 W while exposing the substrate S to the plasma, whereby the insulating film I is etched in a condition where an etching reaction by an ion component in the plasma becomes dominant.例文帳に追加

上記絶縁膜Ｉを有する基板Ｓをこのプラズマに曝しつつ、該基板Ｓに対し５０Ｗ〜３００Ｗの範囲で１３．５６ＭＨｚの高周波電力を印可することにより、プラズマ中のイオン成分によるエッチング反応が支配的となる条件で絶縁膜Ｉをエッチングする。 - 特許庁

Butadiene on the surface is removed by etching a molded article molded with an ABS resin or an ABS/PC based polymer alloy in chromic acid, argon ion bombardment is performed and the electromagnetic wave shield film of one or more kinds selected from a group composed of copper, nickel, aluminum, chromium, tin and silver is formed.例文帳に追加

ＡＢＳ樹脂またはＡＢＳ／ＰＣ系ポリマーアロイで成形された成形品を、クロム酸中でエッチングすることにより表面のブタジェンを除去し、アルゴンイオンボンバードを行い、銅、ニッケル、アルミニウム、クロム、錫および銀からなる群から選ばれる１種以上の電磁波シールド膜を成膜する。 - 特許庁

Moreover, even if the dimension of the opening 6a is increased only by α and a part of the desired pattern 4a which should not be essentially etched away is exposed, the retrogression of the pattern is suppressed, for the ion implantation is not carried out in the exposed desired pattern 4a and the etching rate is low.例文帳に追加

また、たとえ開口部６ａの寸法がαだけ広がり、本来除去されるべきでない所望パターン４ａの一部が露出しても、露出した所望パターン４ａはイオン注入が行われておらずエッチングレートが低いため、パターンの後退を抑制することができる。 - 特許庁

After narrowing and thinning the electrode layer 24 as indicated by a solid line by an isotropic etching processing, an n^--type source region 32 and an n^--type drain region 34 are formed by the ion implantation processing with the lamination of the electrode layer 24 and the insulating film 20, and the insulating film 16 as the masks.例文帳に追加

等方性エッチング処理により電極層２４を実線で示すように細く且つ薄くした後、電極層２４及び絶縁膜２０の積層と絶縁膜１６とをマスクとするイオン注入処理によりＮ^−型ソース領域３２及びＮ^−型ドレイン領域３４を形成する。 - 特許庁

To obtain a silicon-containing photosensitive resin capable of exhibiting excellent performances as a resist material for a multi-layered resist method or a resist material for forming plasma display panel(PDP) ribs, especially a resist material excellent in plasma resistance [O2-reactive ion etching(RIE) resistance] and capable of providing a high aspect ratio when forming a pattern.例文帳に追加

多層レジスト法用のレジスト材やＰＤＰ障壁形成用レジスト材として優れた性能を示すケイ素含有感光性樹脂を提供すること、特に、耐プラズマ性（耐Ｏ_2−ＲＩＥ）性に優れると共に、パターンを形成したとき、高いアスペクト比を得ることができるレジスト材を提供すること。 - 特許庁

A very deep etch pit 1b is formed in the position corresponding to a leak portion by performing molten KOH etching and the like after Al ion implantation and activation annealing, based on findings that a dislocation causing leak such as a drain leak of a vertical MOSFET is a threading screw dislocation.例文帳に追加

縦型ＭＯＳＦＥＴのドレインリークなどのリークを引き起こす転位は貫通らせん転位であるということに基づき、Ａｌイオンの注入および活性化アニール後に溶融ＫＯＨエッチング等を行うことにより、リーク部に相当する場所に非常に深いエッチピット１ｂを形成する。 - 特許庁