「ion-etching」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

The introduction of gaseous iodine into the device through a valve 13 is made possible, and the conditions under which the transmittance of a processing region is high, and an etching rate is low are selected for the irradiation conditions of an ion beam 2 under a gaseous iodine atmosphere.例文帳に追加

沃素ガスをバルブ13を介して装置内に導入できるようにし、沃素ガス雰囲気下で、イオンビーム2の照射条件を加工領域の透過率が高く、エッチレートも低くくなる条件を選ぶ。 - 特許庁

After the flattening operation, the etching stopper film remaining on the silicon oxide film is used as a mask to etch the silicon oxide film, and using this silicon oxide film and the gate electrode as masks, ion is implanted into the silicon layer.例文帳に追加

平坦化後、シリコン酸化膜上に残ったエッチングストッパ膜をマスクとして、シリコン酸化膜のエッチングを行い、このシリコン酸化膜、及び、ゲート電極をマスクとして、シリコン層にイオン注入を行う。 - 特許庁

An intermediate layer 35 and a corrosion preventing layer 36 are stacked on a free magnetic layer 28, and the corrosion preventing layer 36 prevents the free magnetic layer 28 from corroding due to reactive ion etching.例文帳に追加

フリー磁性層２８の上に中間層３５、腐食防止層３６が積層されており、前記腐食防止層３６はリアクティブ・イオン・エッチングによってフリー磁性層２８が腐食するのを防止している。 - 特許庁

Prior to cladding metal with a high melt point, a natural silicon oxide film that is formed on a polycrystalline silicon layer is removed by sputter etching of an argon gas ion with low energy of 5 to 50 eV.例文帳に追加

高融点金属の被着に先立ち、多結晶シリコン層上に形成された自然のシリコン酸化膜の除去を、５〜５０ｅＶの範囲のエネルギを持った低エネルギーのアルゴンガスイオンのスパッタエッチングにより行う。 - 特許庁

The etching of an optical member OW by the ion GI of reaction gas progresses with sputtered particles SP as a mask, and innumerable cone-shaped projections CP are formed corresponding to the positions of the sputtered particles SP.例文帳に追加

スパッタ粒子ＳＰがマスクとなって反応ガスのイオンＧＩによる光学部材ＯＷのエッチングが進行し、スパッタ粒子ＳＰの位置に対応してコーン状の突起ＣＰが無数に形成される。 - 特許庁

Then, by using a parallel planar reactive ion etching device and making the ions of a BCl_3 gas and an N_2 gas be incident on the surface of the semiconductor 1, the exposed surface of the semiconductor 1 is etched.例文帳に追加

次に、平行平板型リアクティブイオンエッチング装置を用いて、半導体１の表面に対してＢＣｌ_3ガスとＮ_2ガスとのイオンを入射させることにより、露出した半導体１の表面をエッチングする。 - 特許庁

The method is performed by a reactive ion etching by using a mask, plasma and a fluorinated organic compound arranged on a substrate, and the fluorinated organic compound is provided in solid polymer form.例文帳に追加

この方法は基板上に配置したマスクおよびプラズマならびにフッ素含有有機化合物を用いて反応性イオンエッチングによって行われ、フッ素含有有機化合物は固体ポリマーの形態で設けられる。 - 特許庁

A recessions 5 are formed between the voltage electrodes 4a and 4b and between the current electrode 2a and the voltage electrode 4a on the upper side of the ferromagnetic thin line 1 by means of ion beam etching etc.例文帳に追加

強磁性細線１の上の面の、電圧電極４ａと４ｂとの間、および電流電極２ａと電圧電極４ａとの間に、イオンビームエッチング等の手段を用いて、窪み５を作成する。 - 特許庁

A sacrifice oxide layer is caused to grow on the surface of a semiconductor, a first subset of line elements is exposed to ion injection beams including dopant seeds, the first subset it doped, and its etching rate is varied.例文帳に追加

半導体表面上で犠牲酸化物層を成長させ、ライン要素の第１サブセットを、ドーパント種を含むイオン注入ビームに露出させて、この第１サブセットをドープし、そのエッチング速度を変化させる。 - 特許庁

To provide a frequency adjusting method which does not cause deterioration of electrical characteristics of a piezoelectric oscillator due to ion etching used for adjusting the frequency of the piezoelectric oscillator.例文帳に追加

圧電振動子の周波数調整を行うために用いるイオンエッチングに起因した圧電振動子の電気的特性劣化を引き起こさない周波数調整方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To eliminate the differences in levels within chips after copper plating by selectively removing the build-up segments of a projecting shape produced on the surface of a copper plating film without using lithography and reactive ion etching techniques.例文帳に追加

リソグラフィー技術や反応性イオンエッチング技術を用いることなく、銅メッキ膜表面に生じている凸状の盛り上がり部分を選択的に除去して、銅メッキ後のチップ内段差の解消を図る。 - 特許庁

Desired magnetic characteristics can be found by adjusting film deposition conditions during manufacturing of the ferromagnetic thin film, and the fine particles formation and structure thereof can be controlled by the ion etching thereafter.例文帳に追加

強磁性薄膜作製時において製膜条件を調整することにより所望の磁気特性を発現させ，その後のイオンエッチングによって微粒子形成ならびにその組織制御を行うことができる。 - 特許庁

To provide a two-or three-dimensional periodic structure by processing a dielectric multilayer with a reactive ion etching and forming a groove excellent in perpendicularity having a high aspect ratio with high processing efficiency.例文帳に追加

誘電体多層膜を反応性イオンエッチングにより加工し、アスペクト比が高く、垂直性の優れた溝を高い加工効率で形成し、２次元もしくは３次元周期構造体を提供する。 - 特許庁

A double refraction layer is formed on a substrate and reactive ion etching is performed after a desired patterning is performed onto the double refraction layer to form a plurality of pits having different depth in the surface of the double refraction layer.例文帳に追加

基板上に複屈折層を形成し、当該複屈折層に所望のパターニングをした後に反応性イオンエッチングを施すことによって複屈折層に深さの異なる複数のピットを形成する。 - 特許庁

The resist mask Re1 is used as an etching mask, the Al film 22x is patterned, an Al mask 22 as an intermediate mask is formed, the resist mask Re1 and the Al mask 22 are used as an etching mask; and the silicon dioxide film 21x is patterned so that a silicon dioxide mask 21 can be formed as an ion implantation mask.例文帳に追加

レジストマスクＲｅ１をエッチングマスクとして用い、Ａｌ膜２２ｘをパターニングして中間マスクであるＡｌマスク２２を形成し、レジストマスクＲｅ１及びＡｌマスク２２をエッチングマスクとして用いて、二酸化珪素膜２１ｘをパターニングしてイオン注入マスクである二酸化珪素マスク２１を形成する。 - 特許庁

As a result, a metal ion, and a silicon oxide, which is an etching residue, do not combine together even when a etching processing of a silicon oxide film is conducted by soaking the substrate W into the hydrofluoric acid; the forming of particles can be prevented; and the particle transfer when lifting the substrate W from the deionized water can be restrained.例文帳に追加

その結果、基板Ｗをフッ酸中に浸漬してシリコン酸化膜のエッチング処理を行ったときにも、金属イオンとエッチング残渣であるシリコン酸化物とが結合することはなく、パーティクルの生成を防止することができ、純水から基板Ｗを引き揚げるときのパーティクル転写を抑制することができる。 - 特許庁

In this manufacturing method, the conductive layer 2 of a semi- insulating substrate 1 is element-isolated into a required patterning shape through mesa etching and left inside an element formation area, an insulator such as ozone is ion-implanted to step part 4, formed at the peripheral edge part of the conductive layer 2 by mesa etching and the step part 4 is constructed as an electrical insulating body.例文帳に追加

半絶縁性基板１の導電層２をメサエッチにより必要なパターニング形状に素子分離して素子形成領域１ａ内に残し、メサエッチにより導電層２の周縁部に形成される段差部４にオゾン等の絶縁物をイオン注入し、段差部４を電気絶縁体として構築する。 - 特許庁

The etching method comprises a step of using the periphery of a copper film 101 where a mask material 102 was formed on its surface as the atmosphere of an organic compound gas 22 and a step of anisotropically etching the copper film 101 by irradiating the copper film 101 with an oxygen ion 6 using the mask material 102 as a mask in the atmosphere of the organic compound gas 22.例文帳に追加

表面にマスク材１０２が形成された銅膜１０１の周囲を、有機化合物ガス２２雰囲気とする工程と、有機化合物ガス２２雰囲気中で、銅膜１０１に、マスク材１０２をマスクに用いて酸素イオン６を照射し、銅膜１０１を異方性エッチングする工程と、を具備する。 - 特許庁

To provide a method for uniformly etching a gate insulating film and a semiconductor substrate without damaging them and for forming a gate electrode, when regions different in etching rates are given in the same gate polysilicon film by means of introducing different concentration ions or different ion types.例文帳に追加

本発明は、異なる濃度のイオンが導入されたり、異なるイオン種が導入されることにより、同一ゲートポリシリコン膜内において、エッチングレートが異なる領域を有する場合に、ゲート絶縁膜や半導体基板にダメージを与えることなく均一にエッチングしてゲート電極を形成する方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The method for straightening the warping of the ceramic plate 50 in which the warping is generated has an etching process of etching a surface 50A formed to a convex shape by the warping in the ceramic plate 50 by irradiating the surface 50A formed to the convex shape with a beam of at least either of an ion beam or neutral particle beam.例文帳に追加

反りを生じたセラミック板５０の反りの矯正方法であって、セラミック板５０において反りによって凸状とされている面５０Ａに対してイオンビーム又は中性粒子ビームの少なくとも一方のビームを照射して、凸状とされている面５０Ａをエッチングするエッチング工程を備える。 - 特許庁

Only silicon tetrachloride is used for an etching gas when a cathode is formed on a n-type semiconductor layer by removing a part of a light emitting layer and a p-type semiconductor layer in reactive-ion etching process after the n-type semiconductor layer, light emitting layer and p-type semiconductor layer are sequentially laminated on a substrate.例文帳に追加

基板上にｎ型半導体層、発光層及びｐ型半導体層をこの順序で積層した後、発光層およびｐ型半導体層の一部を反応性イオンエッチング法により除去してｎ型半導体層上に負極を形成する際に、エッチングガスに四塩化珪素のみを用いる。 - 特許庁

A silicon single crystal ingot 20 which does not include COP (Crystal-Originated Particles) and dislocation clusters is grown by a CZ (Czochralski) method, a silicon wafer is cut out from the silicon single crystal ingot 20, and the silicon wafer as-grown is subjected to reactive ion etching, thus a grown-in defect including silicon oxide is actualized as a projection on an etching face.例文帳に追加

ＣＺ法によってＣＯＰ及び転位クラスタを含まないシリコン単結晶インゴット２０を育成し、シリコン単結晶インゴット２０からシリコンウェーハを切り出し、as-grown状態のシリコンウェーハに対して反応性イオンエッチングを施すことにより、酸化シリコンを含むgrown-in欠陥をエッチング面上の突起として顕在化させる。 - 特許庁

To reduce dimensional differences due to inconsistencies in pattern density in a plane by using a mixed gas, wherein a reducing gas is added to a reactive ion etching gas consisting of an oxygen-containing gas and a halogen- containing gas as a reactive etching gas.例文帳に追加

微細なパターンを形成する手段としてのドライエッチングにおいて、面内のパターンの疎密の違いに起因する寸法差を小さくするドライエッチング方法、この方法を利用して得たクロム系ハーフトーン位相シフトフォトマスクおよびその作製方法、ならびにこのフォトマスクを用いて得た半導体回路およびその製作方法の開発。 - 特許庁

This etching method is provided with a process wherein ion implantation is performed to a nitride based compound semiconductor layer 2 to form a region 4 to be etched by deteriorating crystallinity, and a process wherein the region 4 where crystallinity is deteriorated is removed selectively with respect to a region where crystallinity is not deteriorated by wet etching.例文帳に追加

窒化物系化合物半導体層２にイオン注入を行って結晶性を悪化させることにより被エッチング領域４を形成する工程と、ウエットエッチングにより、結晶性を悪化させた被エッチング領域４を結晶性が悪化していない領域に対して選択的に除去する工程とを備えている。 - 特許庁

In the method for simultaneously forming the contact holes on a gate electrode on the Si active layer and via an insulating SiO_2 film, oxide films that are left in the irregularities of the Si active layer are removed effectively, by subsequently performing sputter etching by Ar gas with a sputtering device and continuously performing sputtering deposition after performing reactive ion etching by a fluorine gas system and wet etching by a buffered hydrofluoric acid.例文帳に追加

Ｓｉ活性層上、及び絶縁ＳｉＯ_２膜を介してゲート電極上にコンタクト孔を同時に形成する方法において、フッ素ガス系による反応性イオンエッチング及びバッファードフッ酸によるウェットエッチングの後に、引き続いてスパッタ装置によりＡｒガスによるスパッタエッチング、及びスパッタ成膜を連続して行うことにより、Ｓｉ活性層の凹凸部に残留する酸化膜を効果的に除去する。 - 特許庁

In addition, the metal film forming method includes a process to form a photo resist pattern of a desired shape on the metal film divided into a plurality of areas and the resin film, and a process to form the metal film pattern of a desired shape by removing a part of the metal film divided into a plurality of areas by the chemical etching method, a plasma etching method or the ion beam etching method.例文帳に追加

さらに、上記複数の領域に分けて形成した金属膜および樹脂フィルム上に、所望形状のフォトレジストパターンを形成する工程と、化学エッチング法またはプラズマエッチング法もしくはイオンビームエッチング法により、上記複数の領域に分けて形成した金属膜の一部を除去し、所望形状の金属膜パターンを形成する工程とを含む金属膜の形成方法とする。 - 特許庁

To provide a method for preparing a sample reduced in its surface unevenness in preparing a cross-sectional sample for use in observing TEM or SEM by an ion beam etching method, and to provide a sample preparing apparatus.例文帳に追加

本発明は、ＴＥＭやＳＥＭ等の観察に用いる断面試料をイオンビームエッチング法により作製するに当たり、試料表面の凹凸の少ない試料を作製する方法及び装置を提供する。 - 特許庁

A nitride film 1 is deposited on a substrate 10, and after removing the nitride film 1 of a lightly doped N-well region therefrom by photolithographing and etching, phosphorus 3 is so ion-implanted into the substrate 10 as to form an oxide film 4 by thermal oxidation.例文帳に追加

基板１０に窒化膜１を堆積し、写真製版とエッチングによりLightly−Ｎウエル領域の窒化膜１を除去した後、基板１０にリン３をイオン注入し、熱酸化により酸化膜４を形成する。 - 特許庁

Moreover, a photoresist pattern having T-shaped sectional plane is formed with lower and upper layer resist and ion etching of a thickness equal to the thickness of the laminated body of the lower dielectric material layer 2-the protective dielectric material layer 6 is performed onto the substrate 1.例文帳に追加

さらに、下層レジスト及び上層レジストで断面がＴ字型のフォトレジストパターンを形成し、下部誘電体層２〜保護誘電体層６の積層厚と等しい厚さだけ基板１にイオンエッチングを施す。 - 特許庁

To provide a method for removal of contaminants during electron beam-induced deposition, ion beam-induced deposition and laser beam-induced deposition, or a method for real-time inhibition of oxidation during deposition or etching of oxidizable materials.例文帳に追加

電子ビーム誘起付着、イオンビーム誘起付着およびレーザビーム誘起付着中に汚染物を除去する、または酸化可能な材料の付着またはエッチング中の酸化をリアルタイムで抑制する方法を提供する。 - 特許庁

Then, a resist pattern 40 having an opening is formed at a part to form the main magnetic pole 32 and the side shield 36, reactive ion etching is performed with the resist pattern 40 as a mask, and an opening is formed on the nonmagnetic insulating film 37.例文帳に追加

次に、主磁極３２とサイドシールド３６を形成する部分に開口部を有するレジストパターン４０を形成し、これをマスクにして反応性イオンエッチングを行い、非磁性絶縁膜３７に開口部を形成する。 - 特許庁

This avoids reducing the adhesion due to excessive etching of the object surface 8b by oxygen ion 31, thereby realizing a satisfactory surface reforming effect at a low cost by a simple mechanism.例文帳に追加

これにより、処理対象面８ｂが酸素イオン３１によって過度に除去されることによる密着性の低下を招くことなく、低コスト且つ簡便な機構で良好な表面改質効果を実現することができる。 - 特許庁

The stress relaxing treatment is an ion implantation 12 to the nitride film 11 to be a wet etching stop layer, before opening capacitance contacts 7 for connecting the charge storing lower electrode 14 to the diffused layer region 2.例文帳に追加

応力緩和処理は、電荷蓄積用下部電極１４と拡散層領域２を接続する容量コンタクト７の開口に先立ち、ウェットエッチングストップ層となる窒化膜１１に、イオン注入１２を行う処理である。 - 特許庁

The spread of ion sheath in the vacuum vessel 101 is controlled, and the density of plasma in the vacuum vessel 101 is uniformized by the adjustment of the DC power supply 110, whereby the in-plane uniformity of etching can be improved.例文帳に追加

直流電源１１０の調整により真空容器１０１内のイオンシースの広がりを制御し、真空容器１０１内のプラズマ密度を均一化し、エッチングの面内均一性を向上させることができる。 - 特許庁

Moreover, the top of the conductor layer of the trench gate 4 is made equal to or slightly higher than the main face of the semiconductor substrate by etching the semiconductor substrate, and then a channel region and a source region are formed through ion implantation.例文帳に追加

また、半導体基板をエッチングしてトレンチゲートの導体層の上面を半導体基板の主面と同等若しくはそれよりも高く形成した後、チャネル領域及びソース領域をイオン打込みで形成する。 - 特許庁

The washing chemicals having etching function for a glass material and ion strength which is the sum of molar concentration of all the ions existent in the washing chemicals of 1×10^-5 to 1 mol/L are used as the washing chemicals used in this treatment.例文帳に追加

この洗浄薬液には、ガラス材料に対してエッチング能を有し、かつ洗浄薬液中に存在する全てのイオンのモル濃度を合計した値であるイオン強度が１×１０^-5〜１ｍｏｌ／Ｌのものが用いられる。 - 特許庁

To provide an optical film having enhanced adhesiveness between a TAC (triacetyl cellulose) substrate and PVA or an optical thin film, one surface of the substrate subjected to a pretreatment by reactive ion etching using plasma, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

一方の面にプラズマを利用した反応性イオンエッチングによる前処理が施されたＴＡＣ基材とＰＶＡ、光学薄膜との密着性を強化する光学フィルム及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

A groove is cut in the surface of a silicon base material 1 by a reactive ion etching method, at a position at which a gourd ring 3 is formed, and silicon different in characteristics from the silicon base material is deposited in the groove for the formation of the guard ring.例文帳に追加

シリコン母材１表面のガードリング３を形成すべき箇所に、反応性イオンエッチングにより溝を形成し、この溝に母材と特性の異なるシリコンを堆積させて、ガードリング３を形成する。 - 特許庁

The method for manufacturing the magnetic head comprising subjecting a contact surface 14 of the magnetic head 1a or 1b to a short time of ion etching, then directly coating the surface with a thin DLC film 15 as the protective layer and the magnetic head are provided.例文帳に追加

磁気ヘッド１ａ又は１ｂの接触面１４に短時間のイオンエッチングを施した後に保護層としての薄いＤＬＣ膜１５を直接的にコーティングした磁気ヘッドの製造方法及び磁気ヘッドを得る。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device suppressing the increase of etching rate of an insulating film due to the pouring of ion upon forming a channel region or an impurity region which becomes a well region.例文帳に追加

チャネル領域またはウェル領域となる不純物領域の形成の際のイオン注入に起因する絶縁膜のエッチングレートの増大を抑制することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A method for roughening a surface of copper foil or sheet by etching it in an electrolyte including a salt, is characterized by adding an anion capable of forming a poorly soluble chemical compound through reacting with the copper ion, into the electrolyte.例文帳に追加

塩を含む電解液中で銅箔又は銅板の表面をエッチングにより粗化する方法であって、前記電解液中に銅イオンと反応して難溶性の化合物を形成し得る陰イオンを添加する。 - 特許庁

Then, after thermal processing is performed as required, resist coating, patterning, etching and the like are performed, a dopant dispersion region 10 is formed by ion implantation or the like to form the semiconductor device of MOS structure.例文帳に追加

その後、必要に応じて熱処理を施した後、レジスト塗布、パターニング、エッチング等を行い、さらにイオン注入等によって不純物拡散領域１０を形成し、ＭＯＳ構造の半導体装置を形成する。 - 特許庁

In the capacity coupling type plasma etching device, a first plasma-generating high frequency and a first ion-drawing high frequency are applied from first and second high frequency power supplies 30 and 32 to a susceptor 12 respectively.例文帳に追加

この容量結合型プラズマエッチング装置において、サセプタ１２には第１および第２の高周波電源３０，３２よりプラズマ生成用の第１高周波、イオン引き込み用の第１高周波がそれぞれ印加される。 - 特許庁

Since the dielectric body consisting of ceramic having plasma resistance is installed between the cathode and the anode, the organic substance sputtered by the RIE (Reactive Ion Etching) is prevented from being stuck on the anode side.例文帳に追加

カソードとアノード間にプラズマ耐性を有したセラミックなどからなる誘電体が設置されていることで、ＲＩＥ（リアクティブイオンエッチング）によりスパッタされた有機物がアノード側に付着することを防ぐことができる。 - 特許庁

The sample production device achieves sample production suitable for observation by a scanning electron microscope, by forming a micro irregularity every structure by focused ion beam assistant etching using assist gas for increasing the spatter yield difference for every material.例文帳に追加

材料毎のスパッタイールド差を大きくするアシストガスを利用した集束イオンビームアシストエッチングにより、構造毎の微小凹凸を形成することで、走査電子顕微鏡観察に適した試料作製を実現する。 - 特許庁