「ion-etching」に関連した英語例文の一覧と使い方(12ページ目) - Weblio英語例文検索

After etching the dielectric film pattern 110a exposed by the polysilicon film pattern 120b, a source region 134a/a drain region 134b having a vertical profile are formed by means of the ion implantation of impurities into the substrate by using the polysilicon film pattern as a mask.例文帳に追加

ポリシリコン膜パターン１２０ｂにより露出される誘電膜パターン１１０ａをエッチングした後、ポリシリコン膜パターンをマスクとして用いて、基板に不純物をイオン注入することにより、垂直プロファイルを有するソース領域１３４ａ／ドレーン領域１３４ｂを形成する。 - 特許庁

The cavity part is etched by a reaction ion etching method and completely specified along side surfaces by side walls arranged at angles between 80°-100° with respect to the membrane, and the adjacent side walls are arranged at an angle of at least 40° with respect to each other.例文帳に追加

空洞部は反応イオンエッチング法によってエッチングされ、空洞部は、薄膜に対して８０度と１００度との間の角度で配置された側壁によって側面に沿って全面的に規定され、隣接する側壁は互いに対して少なくとも４０度の角度で配置される。 - 特許庁

Namely, when the specified analyzing energy of the electrostatic semispherical analyzer 9 is, for example, 0 eV or larger and 20 eV or smaller during ion etching of a sample, the central control means 19 feeds to the power control means 16 a control signal for stopping of application of the voltage to the channeltron 10.例文帳に追加

すなわち、中央制御手段１９は、試料のイオンエッチングが行われている場合、静電半球アナライザ９の指定分析エネルギーが例えば０ｅＶ以上２０ｅＶ以下のとき、チャンネルトロン１０への電圧印加を停止させる制御信号を電源制御手段１６に送る。 - 特許庁

In forming aluminum electrode foil for an electrolytic capacitor, a process which roughens the aluminum foil in an etching liquid containing at least a chlorine ion to make it etched foil, a chemical cleaning process which removes a deposit from the etched foil, and an anodic oxidation process for the etched foil are carried out.例文帳に追加

電解コンデンサ用アルミニウム電極箔を製造するにあたって、少なくとも塩素イオンを含むエッチング液中でアルミニウム箔を粗面化してエッチド箔とするエッチング工程と、エッチド箔から付着物を除去するケミカル洗浄工程と、エッチド箔に対する陽極酸化工程とを行う。 - 特許庁

In order to make a part of the 2 film (oxide film) 3 at the upper part of the drain regain be about 10 nm in thickness, it is etched by RIE(reactive ion etching, etc.), in a mixed gas of CS4, Ar, and CHF3, to form a tunnel gate oxide film 10.例文帳に追加

次に、ドレイン領域の上部のＳｉＯ_2膜（酸化膜）３の一部を、約１０ｎｍ厚にするため、ＲＩＥ（反応性イオンエッチングなど）によりＣＦ_4、ＡｒおよびＣＨＦ_3の混合ガスをでＳｉＯ_2膜（酸化膜）３の一部をエッチングし、トンネルゲート酸化膜１０を形成する。 - 特許庁

In the laminated film, pretreatment by reactive ion etching (RIE) is applied to at least one side of a polyethylenenaphthalate (PEN) substrate 1, a transparent primer layer 2 is laminated on the surface of the pretreated substrate, and an inorganic compound layer 3 is laminated on the transparent primer layer.例文帳に追加

ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）からなる基材１の少なくとも一方の面に、リアクティブイオンエッチング（ＲＩＥ）による前処理を施し、前記前処理を施した基材面上に透明プライマー層２を積層し、前記透明プライマー層上に無機化合物層３を積層することを特徴とする積層フィルム。 - 特許庁

To provide a manufacturing method and a manufacturing device of a micro pillar array element capable of precisely forming a fine pillar array structure at low cost by using a reactive ion etching method on a polymer material of polymethyl methacrylate (PMMA), poly carbonate (PC), etc. and the micro pillar array element used for a micro fluid chip, etc.例文帳に追加

ＰＭＭＡやＰＣ等のポリマー材料に対して、反応性イオンエッチング法を用いて、正確に微細なピラーアレイ構造を安価に形成することができるマイクロピラーアレイ素子の製造方法と製造装置並びにマイクロ流体チップ等に用いるマイクロピラーアレイ素子を提供する。 - 特許庁

A conductive film is processed in a first etching process, and thinned by reprocessing using light ashing, the conductive film is thinly reprocessed, and at the same time, an exposed portion of an insulating film is etched away in the film thickness direction, thereby forming a step on the insulating film, and implanting impurity ions into the semiconductor layer by an ion implantation.例文帳に追加

第１のエッチング工程で導電膜を加工し、ライトアッシングして細く再加工し、導電膜を細く再加工するとともに露出していた部分の絶縁膜を膜厚方向に削り、絶縁膜に段差を作り、イオン注入で不純物イオンを半導体層に注入する。 - 特許庁

Subsequently, by using an Ar ion etching technology, in addition to normal lithographic technology, the Ni thin film 3 is formed into an Ni thin-film pattern 4 of a diffraction grating pattern by a two-dimensional photonic crystal, having a basic unit of a triangle of one piece of 230 nm with a column diameter of 100 nm (Fig.1(b)).例文帳に追加

続いて、通常のリソグラフィ技術にＡｒイオンエッチング技術を用いて、Ｎｉ薄膜３を、直径１００ｎｍの柱径で、一片が２３０ｎｍの三角形を基本単位とする２次元フォトニック結晶による回折格子パターン状のＮｉ薄膜パターン４に形成する（図１（ｂ））。 - 特許庁

In the method for manufacturing a section observation sample by covering an upper portion of a workpiece with a shielding plate, and etching a non-covered part by ion beams, an angle formed by the surface to be machined in the workpiece before machining and the bottom surface of the shielding plate is sharp.例文帳に追加

被加工物の上部を遮蔽板で覆い、遮蔽されない部分をイオンビームでエッチング加工して断面観察試料を作製する方法において、加工前の被加工物の加工対象面と遮蔽板の底面とのなす角度が鋭角である断面観察試料の作製方法。 - 特許庁

The fine pillar structure is formed on the polymer material by carrying out dry-etching under the condition of process pressure of the reactive ion by mixed gas of more than 0.01 Pa and less than 0.2 Pa by using the mixed gas of oxygen or inactive gas mainly with oxygen and halogen containing gas.例文帳に追加

酸素もしくは酸素を主体とした不活性ガスやハロゲン含有ガスとの混合ガスを用いて、これら混合ガスによる反応性イオンのプロセス圧力を０．０１Ｐａ以上０．２Ｐａ以下の条件にして、ドライエッチングを行い、ポリマー材料に微細なピラー構造を形成する。 - 特許庁

A resist film 53 is used as a mask to etch the shifter film 52 by reactive ion etching using CF_4+O_2 gas for MoSiO and MoSION or using Cl_2CO_2 gas for CrO and CrON to form a light transmitting portion 852 corresponding to an auxiliary measurement pattern.例文帳に追加

レジスト膜５２をマスクにして、ＭｏＳｉＯとＭｏＳｉＯＮとに対してはＣＦ_4＋Ｏ_2ガス、ＣｒＯとＣｒＯＮとに対してはＣＬ_2ＣＯ_2ガスを用いた反応性イオンエッチングにより、シフタ膜５２のエッチングを行ない、補助測定パターンに対応する光透過部８５２を形成する。 - 特許庁

The etching liquid for copper comprises: a cupric ion source; an acid; and water, and comprises: azole having only nitrogen atoms as heteroatoms in the ring; and at least one of aromatic compound selected from phenols and aromatic amines.例文帳に追加

本発明のエッチング液は、第二銅イオン源、酸及び水を含む銅のエッチング液であって、環内にある異原子として窒素原子のみを有するアゾールと、フェノール類及び芳香族アミン類から選択される少なくとも一種の芳香族化合物とを含むことを特徴とする。 - 特許庁

The surface of the sample is shaven off by ion milling and the scanning image by the scanning electron microscope is observed while the surface of the sample is removed by chemical etching and the scanning image by the scanning electron microscope is again observed to prepare the sample for the scanning electron microscope.例文帳に追加

イオンミリングによって試料の表面を削り取り、走査電子顕微鏡による走査像を観察し、ケミカルエッチングによって試料の表面を除去し、再度、走査電子顕微鏡による走査像を観察することによって、走査顕微鏡用の試料を作製する。 - 特許庁

To provide a working method which is capable of realizing sharp working of not producing bluntness in corner parts and bent parts in as-designed pattern boundary regions when the corner parts and end bent parts are subjected to deposition processing or etching processing of prescribed patterns by using a convergent ion beam device and a device therefor.例文帳に追加

本発明の目的課題は、集束イオンビーム装置を用いて所定パターンのデポジション加工またはエッチング加工を施す場合に、設計どおりのパターン境界領域であって、角部・曲部に鈍りが出ないシャープな加工を実現出来る加工方法並びにその装置を提供することである。 - 特許庁

In a dry cleaning method, a resist is provided on a plurality of portions of a metal layer formed on a semiconductor device and the metal layer is etched, and after the remaining metal-contaminated resistor is ashed through reactive ion etching(RIE), downstream type microwave process is performed so as to make the remaining resist easily removable.例文帳に追加

半導体デバイス上に形成された金属層の複数の部分上にレジストを設け、該金属層をエッチングし、このとき残留する金属汚染されたレジストをＲＩＥアッシングした後、ダウンストリーム型マイクロ波プロセスを行って残留レジストを除去しやすくする。 - 特許庁

Then, ion in the plasma is irradiated while rotating the structure with its inclined by a prescribed angle θ in the same chamber, so that the electron emission film except for the electron emission film in the opening part is removed by etching and the electron emission layer 5 is formed into a desired shape.例文帳に追加

続いて同一チャンバ内にて、構造体を所定角度θ傾けて回転させつつ、プラズマ中のイオンを照射することにより、開口部内の電子放出膜以外の電子放出膜をエッチングにより除去し、電子放出層５を所望の形状に形成する。 - 特許庁

The second resist 24d is treated by photo lithography, the intermediate insulation film 22d and the first resist 20d are treated by reactive ion etching, and the protection film 18d is wet-etched in order, thus forming a contact hole in the protection film 18d without exposing the thin-film metallic resistance 16 in a plasma.例文帳に追加

第２レジスト２４ｄに対するフォトリソグラフィー、中間絶縁膜２２ｄ及び第１レジスト２０ｄに対するリアクティブイオンエッチング、保護膜１８ｄに対するウエットエッチングを順次行うことにより薄膜金属抵抗１６をプラズマに晒すことなく保護膜１８ｄにコンタクトホールを形成する。 - 特許庁

Similarly in correcting a black defect, an etching source material in a liquid state is supplied from the probe of a scanning probe microscope onto only the black defect region by a similar method to Dip-Pen Nanolithography, and an ion beam or an electron beam is supplied to etch to correct the black defect.例文帳に追加

黒欠陥修正の場合も同様に、走査プローブ顕微鏡の探針から液体状のエッチング原料をＤｉｐ−Ｐｅｎ Ｎａｎｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙと同様な方法で黒欠陥領域上のみに供給し、イオンビームや電子ビームを供給してエッチングを行い黒欠陥を修正する。 - 特許庁

In the vapor deposition film, plasma treatment by a reactive ion etching (RIE) method is applied to one side of a coextrusion stretched film base material made of at least a polyester resin and a polyamide resin, and a vapor deposition film layer of an inorganic compound is formed on the plasma-treated surface.例文帳に追加

少なくともポリエステル樹脂とポリアミド樹脂からなる共押出し延伸フィルム基材の片面に、リアクティブイオンエッチング（ＲＩＥ）法によるプラズマ処理を施し、該プラズマ処理面上に無機化合物の蒸着膜層を設けたことを特徴とする蒸着フィルムである。 - 特許庁

In a semiconductor device in which an ion implantation process for ROM writing is performed after an interlayer insulating film is formed in order to shorten a TAT(turn around time), an etching stopper film consisting of a polysilicon film 12 acting as the bottom part of a through hole 20 for ion implantation lies at least at a desired position of the interlayer insulating film formed on a transistor 6 region where ROM writing is performed.例文帳に追加

ＴＡＴ短縮を図るために層間絶縁膜を形成した後にＲＯＭ書き込み用のイオン注入工程が施される半導体装置において、前記イオン注入用のスルーホール２０の底部となるポリシリコン膜１２から成るエッチングストッパ膜が、少なくともＲＯＭ書き込みが行われるトランジスタ６領域上に形成された層間絶縁膜の所望位置に介在されていることを特徴とする。 - 特許庁

A manufacturing method includes the steps for forming a connection hole 32 on an interlayer insulating film 31 with an etching mask of a resist film 41 after the resist film 41 with an opening pattern 42 for forming a connection hole is formed in the interlayer insulating film 31 on a silicon substrate 11, and a step for ion-implanting impurities to the silicon substrate 11 with the ion implanting mask of the resist film 41.例文帳に追加

シリコン基板１１上に形成した層間絶縁膜３１上に接続孔を形成するための開口パターン４２を形成したレジスト膜４１を形成した後、レジスト膜４１をエッチングマスクに用いて層間絶縁膜３１に接続孔３２を形成する工程と、レジスト膜４１をイオン注入マスクに用いてシリコン基板１１に不純物をイオン注入する工程とを備えた半導体装置の製造方法である。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for separating metal ions and recovering phosphoric acid at high yield from a mixed acid aqueous solution containing the metal ions such as a metal ion-containing mixed acid waste liquid produced from a metal etching process or the like in a semiconductor manufacturing plant or the like using a distillation and extraction means in place of a membrane or an ion exchange treatment which is commonly used as a conventional technique.例文帳に追加

半導体製造工場などにおける金属エッチング工程などから発生する金属イオン含有混酸廃液のような金属イオンを含有する混酸水溶液から、金属イオンを分離するとともにリン酸を高い収率で回収するにあたり、従来技術では膜処理またはイオン交換処理を行なうのが常識であったが、本発明では発想を全く変えて蒸留、抽出手段を用いた回収方法および装置の提供。 - 特許庁

An aluminum oxide vapor deposition layer of aluminum oxide expressed by the general formula of AlOx (X is 1.5-1.7) is formed on a plasma-pretreated layer formed by applying pretreatment by reactive ion etching (RIE) using plasma on at least one surface of a substrate of a plastic material.例文帳に追加

プラスチック材料からなる基材の少なくとも一方の面にプラズマを利用したリアクティブイオンエッチング（ＲＩＥ）による前処理によって設けられているプラズマ前処理層上に、一般式ＡｌＯｘで表され、Ｘが１．５〜１．７の範囲である酸化アルミニウムからなる酸化アルミニウム蒸着層を設ける。 - 特許庁

The laminated film is obtained by subjecting at least one side of a substrate made of polyethylene terephthalate (PET) to preparatory treatment by reactive ion etching (RIE), laminating a primer layer on the treated surface of the substrate, laminating an inorganic compound layer on the primer layer, and laminating a gas-barrier coat layer on the inorganic compound layer.例文帳に追加

ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）からなる基材の少なくとも一方の面に、リアクティブイオンエッチング（ＲＩＥ）による前処理を施し、この前処理を施した基材面上にプライマー層を積層し、このプライマー層上に無機化合物層を積層し、この無機化合物層にガスバリア被覆層を積層する。 - 特許庁

A magnetic circuit to form a magnetic field in which the plasma emitted from the target is converged on the substrate is disposed outside the target in the vicinity of the aperture, and an ion acceleration electrode is provided between the aperture and the substrate so as to apply the voltage in a range in which the etching is not predominant to the acceleration electrode.例文帳に追加

該開口部近傍で、該ターゲットの外側に、ターゲットから放出されたプラズマが基板上へ収束するような磁場を形成するための磁気回路が設けられ、また、該開口部と基板との間にイオン加速電極を設け、該加速電極に対してエッチングが優勢とならない範囲の電圧を印加するように構成される。 - 特許庁

That is, the n+a-Si:H layer 5 is etched by a pure chemical etching depending upon the chemical reaction substantially only by the radical species 24 with no physical reaction to the n+a-Si:H layer 5 and an a-Si:H layer 4 by ion species, and the a-Si:H layer 4 is exposed in the channel forming region.例文帳に追加

つまり、イオン種によるｎ＋ａ−Ｓｉ：Ｈ層５及びａ−Ｓｉ：Ｈ層４に対する物理的反応を伴わない、実質的にラジカル種２４のみによる化学的反応に依拠する純化学的エッチングによって、ｎ＋ａ−Ｓｉ：Ｈ層５がエッチングされ、チャネル形成領域のａ−Ｓｉ：Ｈ層４が露出されることになる。 - 特許庁

The first mask layer 14 and the magnetic recording layer 13 are etched with reactive ion etching under heating by using a mixed gas composed of gaseous chlorine, gaseous argon, and gaseous oxygen in a vacuum, and using the second mask layer 15a having a width corresponding to the width of a trailing side edge part of the magnetic recording head as a mask.例文帳に追加

真空中で塩素ガスとアルゴンガスと酸素ガスとの混合ガスを用い、当該磁気記録ヘッドのトレーリング側端部の幅に対応する幅を有する第２のマスク層１５ａをマスクとして、加熱下で反応性イオンエッチングによって第１のマスク層１４及び記録用磁性層１３をエッチングする。 - 特許庁

To provide a method for exfoliating the resist without causing resin remainder and exfoliation of the resin layer in a manufacturing method of a polymer optical waveguide substrate comprising a process for removing an unnecessary part of the polymer optical waveguide by reactive ion etching via a resist containing silicon, and then exfoliating the resist.例文帳に追加

シリコン含有レジストを介して反応性イオンエッチングによりポリマー光導波路の不要部を除去し、次いでレジストを剥離する工程を含むポリマー光導波路基板の製造方法において、樹脂残りや樹脂層の剥離を発生させずにレジストを剥離することができる方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device for improving operating characteristics and process yield by preventing generation of an etching residue or a damage of a semiconductor substrate and preventing an oxidation of a tungsten layer by a high temperature step such as an ion implantion for forming an LDD region and a source/drain regions.例文帳に追加

食刻残留物が発生するか又は半導体基板が損傷されることを防止し、LDD領域及びソース／ドレイン領域を形成するためのイオン注入工程等の高温工程により前記タングステン層が酸化する現象を防止し、素子の動作特性及び工程収率を向上させる技術を提供する。 - 特許庁

Characteristically, a water-repellent treatment layer 4 is provided by applying water-repellent treatment to one side of a base material 2 which is composed of a transparent polymeric material; a thin film 3 of an inorganic compound is formed on the other side of the base material; and the water-repellent treatment is performed by using plasma, particularly in a reactive ion etching mode, in fluorine gas.例文帳に追加

透明性を有する高分子材料からなる基材２の一方の面に撥水処理を施し撥水処理層４を設け、その基材の反対面に無機化合物の薄膜３を形成してなり、前記撥水処理がフッ素ガス中でブラズマ、特にリアクティブイオンエッチングモードのプラズマを用いて行われたことを特徴とする。 - 特許庁

In the pore machining method of the diamond, an oxide film 2 is formed on the diamond base material 1, and a part of the diamond base material is exposed by forming the pore 5 by irradiating a focused ion beam 3 on the oxide film 2, and the etching by plasma is performed on the exposed diamond base material 1.例文帳に追加

ダイヤモンド基材１に酸化物被膜２を形成し、該酸化物被膜２に集束イオンビーム３の照射を行って孔５を形成して該ダイヤモンド基材１の一部を露出させ、露出させた該ダイヤモンド基材１にプラズマによるエッチングを行うことを特徴とする、ダイヤモンドの細孔加工方法である。 - 特許庁

A first impurity is ion-implanted into the active region exposed by the lamination gate to form a source/drain region at a first concentration, a word line is used as a mask for etching to remove the exposed field oxide film, and the first insulating film on the word line is also removed or equally etched.例文帳に追加

前記積層ゲートにより露出されたアクティブ領域に第１不純物をイオン注入して第１濃度のソース／ドレイン領域を形成し、ワードラインをエッチング用マスクとして用いて露出されたフィールド酸化膜を取り除くと共に、前記ワードライン上の第１絶縁をも取り除くか、均等にエッチングする。 - 特許庁

At a thin part of the recess-shaped processing part 211, U-shaped parts 212a and 212b which are cut from one side and the other side to the center of the member of the superconductive film 210 are formed by sputter etching using a converged ion beam to form opposite tips of the U-shaped parts 212a and 212b as a weak coupling part tm.例文帳に追加

この凹形加工部２１１の薄い部分に一方側及び他方側から超電導膜２１０の部材の中心方向に向かって切り欠いたＵ字形状部２１２ａ，２１２ｂを集束イオンビームのスパッタエッチングで形成して、Ｕ字形状部２１２ａ，２１２ｂの対向する先端部を弱結合部ｔｍとして生成する。 - 特許庁

A SOG (Spin on Glass) 201 composed of one material selected from silica glass, alkyl siloxane polymer, alkyl silsesqui oxysan polymer (MSQ), hydrogenation silsesqui oxysan polymer (HSQ), hydrogenation alkyl siloxane polymer (HOSP) is provided at protrusions of a magnetic layer 103, the SOG 201 is transformed to a SiO_2 102 by performing an ion milling, thereby being functioned as an etching mask of the magnetic layer 103.例文帳に追加

シリカガラス、アルキルシロキサンポリマー、アルキルシルセスキオキサンポリマー（MSQ）、水素化シルセスキオキサンポリマー（HSQ）、水素化アルキルシロキサンポリマー（HOSP）から選ばれる１つの材料からなるSOG２０１を磁性層１０３の凸部に設け、イオンミリングを行うことにより、ＳＯＧ２０１がＳｉＯ2１０２に変質し、磁性層１０３のエッチングマスクとして機能する。 - 特許庁

The surface treatment method for the optical member for EUVL is characterized in that the optical plane of an optical member for EUVL made of a quartz glass material having OH concentration of ≥100 ppm, essentially consisting of SiO_2 and comprising TiO_2 is subjected to GCIB (Gas Cluster Ion Beam) etching using a source gas comprising at least either fluorine or chlorine.例文帳に追加

ＯＨ濃度が１００ｐｐｍ以上で、ＴｉＯ_2を含有し、ＳｉＯ_2を主成分とする石英ガラス材料製のＥＵＶＬ用光学部材の光学面に、フッ素または塩素の少なくとも一方を含有するソースガスを用いたＧＣＩＢエッチングを施すことを特長とするＥＵＶＬ用光学部材の表面処理方法。 - 特許庁

In a dry etching process of the fine mask pattern of a membrane mask, a radical and an ion, containing at least one of nitrogen, carbon, and oxygen that do not contribute to pattering, are generated by plasma for supplying to the upper and side surfaces and foundation of the mask pattern, and a layer (membrane) for restraining the generation of stress is reliably formed on the side.例文帳に追加

メンブレンマスクの微細マスクパターンのドライエッチング工程において、パターニングに寄与しない窒素、炭素もしくは酸素の少なくとも一つ以上を含むラジカルやイオンをプラズマにより発生させて、マスクパターンの上面、側面および下地に供給し、側面に応力発生を抑制する層（膜）を確実に形成する。 - 特許庁

By growing a silicon single crystal ingot containing no COP and dislocated clusters by the CZ method, cutting out a silicon wafer 40 from the silicon single crystal ingot, and subjecting the silicon wafer 40 in the as-grown state to a reactive ion etching, grown-in defects containing silicon oxide are actualized as protrusions on the etched surface.例文帳に追加

ＣＺ法によってＣＯＰ及び転位クラスタを含まないシリコン単結晶インゴットを育成し、シリコン単結晶インゴットからシリコンウェーハ４０を切り出し、as-grown状態のシリコンウェーハ４０に対して反応性イオンエッチングを施すことにより、酸化シリコンを含むgrown-in欠陥をエッチング面上の突起として顕在化させる。 - 特許庁

The method for manufacturing the optical waveguide device further includes steps of applying a photoresist to the Si film, patterning the photoresist so that a portion of the photoresist corresponding to the optical waveguide remains, forming a groove on the substrate along the optical waveguide by reactive ion etching, and removing the photoresist and the Si films.例文帳に追加

光導波路デバイスの製造方法は更に、Ｓｉ膜上にフォトレジストを塗布し、光導波路に対応する部分のフォトレジストが残るようにフォトレジストをパターニングし、反応性イオンエッチングにより、光導通路に沿って基板に溝を形成し、フォトレジスト及びＳｉ膜を剥離するステップを含んでいる。 - 特許庁

The optical film comprises a substrate containing triacetyl cellulose and is characterized in that: one surface of the substrate is subjected to a pretreatment by reactive ion etching using plasma; a first functional layer is formed on the one surface of the substrate; and the first functional layer is one of a hard coat layer, an antistatic layer and an IR absorbing layer.例文帳に追加

トリアセチルセルロースを有する基材からなり、基材の一方の面に、プラズマを利用した反応性イオンエッチングによる前処理が施され、基材の一方の面上に第１の機能層が形成され、第１の機能層はハードコート層、帯電防止層及び赤外線吸収層のいずれかであることを特徴とする光学フィルム。 - 特許庁

The method of forming an oxide film pattern includes a step of forming an oxide film on a semiconductor substrate, a step of implanting boron ions of 1.0×10^16 pieces/cm^2 or more into the oxide film in a predetermined region, and a step of wet-etching a region where no boron ion is implanted in the oxide film.例文帳に追加

半導体基板上に酸化膜を形成する工程と、所定領域の酸化膜上に１．０×１０^１６個／ｃｍ^２以上のボロンイオンを注入する工程と、前記酸化膜における前記ボロンイオンの注入されなかった領域を湿式エッチングする工程と、を含む酸化膜パターンの形成方法とした。 - 特許庁

This manufacturing method of the laminated metallic plate is featured that after ion-etching of at least one side of joining surfaces of the first metallic sheet 4 and the second metallic sheet 5, the first metallic sheet 4 and the second metallic sheet 5 are pressure joined and successively, a heating diffusion treatment is applied, in a vacuum vessel.例文帳に追加

真空槽内で、第一の金属帯４の被接合表面と第二の金属帯５の被接合表面の少なくとも一方の面側をイオンエッチングした後、前記第一の金属帯４と第二の金属帯５とを圧接し、ついで加熱拡散処理を行うことを特徴とする積層金属板の製造方法である。 - 特許庁

A sample 2 is cut from a semiconductor chip to be made thin by mechanical polishing and the thin sample is attached to a single-ported mesh 6 for transmission type electron microscope observation and a Pt film 7 is formed to the part with specific depth of an end surface and irradiated with gallium ion beam 8 parallel to the main surface of the sample to make the part other than a principal part thin by etching.例文帳に追加

半導体チップから試料２を切り出し、機械的研磨により薄くした後、透過型電子顕微鏡観察用の単孔メッシュ６に取付け、端面の特定深さの部分にＰｔ膜７を形成し、試料の主面に平行なガリウムイオンビーム８を照射して要部以外の部分をエッチングして薄膜化する。 - 特許庁

Pretreatment using plasma of a reactive ion etching (RIE) mode is applied to at least one surface of a polyethylene naphthalate (PEN)/polyethylene terephthalate (PET) co-extrusion film and a vapor deposition layer consisting of a metal or an inorganic compound of 5-100nm thickness is provided on the treated surface of the co-extrusion film to constitute the high performance barrier film.例文帳に追加

ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）／ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）共押し出しフィルムの少なくとも一方の面に、リアクティブイオンエッチング（ＲＩＥ）モードのプラズマを利用した前処理を施し、その上に厚さ５〜１００ｎｍの金属もしくは無機化合物からなる蒸着層を設けることを特徴とする高性能バリアフィルムである。 - 特許庁

Even if a part of an N-diffusion layer 6 is overetched and the P well 1 is exposed due to pattern displacement of contact pads, no etching damage is left on the border between the N-diffusion layer 6 and the P well 1, since the exposed surface is covered with an N-diffusion layer 11 by ion implantation or solid phase diffusion of phosphorus.例文帳に追加

コンタクト用パッド９の目ずれが原因でＮ−拡散層６の一部がオーバーエッチングされてＰウェル１が露出しても、その露出面をイオン注入或いはリンの固相拡散によりＮ−拡散層１１で覆うため、Ｎ−拡散層６とＰウェル１との境界のエッチングダメージを残すことはない。 - 特許庁