「ion-etching」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目)

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ion-etchingの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 630件

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例文

To provide a reactive ion etching device capable of facilitating etching in microfabrication on a width of 0.3 μm or smaller without causing etch stop by using magnetic neutral loop discharge.例文帳に追加

本発明の課題は、0.3μｍ幅以下の微細加工においてエッチストップを発生させることなくエッチングできる磁気中性線放電を利用した反応性イオンエッチング装置を提供することにある。 - 特許庁

To provide a cleaning method of a reactive ion etching (RIE) device and the reactive etching device, whereby electrodes and the barrier plates in the vicinity of electrodes can be automatically cleaned without exposing them to the atmosphere when cleaning the electrodes.例文帳に追加

電極をクリーニングする際、大気開放せずに電極及び電極周辺の隔壁を自動クリーニングするリアクティブイオンエッチング（ＲＩＥ）装置のクリーニング方法およびリアクティブエッチング装置の提供。 - 特許庁

When electrically conducting a stage 12 and etching a fixed sample 2 by the focused ion beam, etching current is measured by a microammeter 13 arranged between ground and the stage 12.例文帳に追加

ステージ１２に電気的に導通させて固定した試料２を集束イオンビームによりエッチングする際に、グランドとステージ１２の間に設置した微小電流計１３によりエッチング電流を測定する。 - 特許庁

The method of manufacturing a solar battery comprises a step of forming a concavity and a convexity on the surface of a polysilicon substrate by a reactive ion etching method using first etching gas comprising H_2O.例文帳に追加

Ｈ_２Ｏを含む第一のエッチングガスを用いた反応性イオンエッチング法によって、多結晶シリコン基板の表面に凹凸を形成する工程を備えてなる太陽電池の製造方法とする。 - 特許庁

例文

The sodium hydroxide solution of a high concentration of 20% or higher by weight wherein 10 ppb or more of boron as an alkali metal ion is dissolved is employed as an alkali etching solution, and a silicon wafer is etched using the alkali etching solution.例文帳に追加

アルカリ金属イオンであるボロンが１０ｐｐｂ以上溶解された２０重量％以上の高濃度の水酸化ナトリウム溶液をアルカリ性エッチング液として、シリコンウェーハをアルカリエッチングする。 - 特許庁

例文

The main mask layer mainly consists of carbon, and a material of which the etching rate in reactive ion etching in the main mask layer processing step (S108) is lower than that of carbon is used as the material of the auxiliary mask layer.例文帳に追加

主マスク層の材料は主成分が炭素であり、且つ、副マスク層の材料は、主マスク層加工工程（Ｓ１０８）の反応性イオンエッチングに対するエッチングレートが炭素よりも低い材料を用いる。 - 特許庁

Thereafter, a reactive ion etching process is used to form the pins in the silica wafer by etching away a predetermined amount of the top surface from the silica wafer that is not covered by the photoresist material.例文帳に追加

その後、シリカウエハからフォトレジスト材で覆われていない上面のあらかじめ定められた量をエッチング除去することによりシリカウエハにピンを形成するために、反応性イオンエッチングプロセスが用いられる。 - 特許庁

To enable etching process which assures good pattern shape by using, in the adequate flow ratio, a mixed gas of chlorine gas and rare gas as the etching gas in order to restrain adverse effect of the remaining chlorine ion.例文帳に追加

エッチングガスに塩素ガスと希ガスとの混合ガスを適切なる流量比で用いることで、残留塩素イオンによる悪影響を抑えてパターン形状が良好となるエッチング加工を可能とする。 - 特許庁

The anisotropic etching method includes a crystal anisotropic etching step for performing crystal anisotropic etching of a substrate having a mask of a prescribed shape on the surface under prescribed conditions, by reactive ion etching using a mixed gas containing SF_6 and C_4F_8, or a mixed gas containing SF_6 and C_4F_8 and O_2.例文帳に追加

異方性エッチング方法は、表面に所定形状のマスクを有した基板に対して、ＳＦ_６とＣ_４Ｆ_８とを含む混合ガス、又は、ＳＦ_６とＣ_４Ｆ_８とＯ_２とを含む混合ガスを用いた反応性イオンエッチングによって、所定条件下で結晶異方性エッチングを行う結晶異方性エッチング工程を有している。 - 特許庁

例文

To provide a shutter device of IBE (Ion Beam Etching) which can reduce an offset of a shield range in an opening/closing operation.例文帳に追加

本発明における課題は、開閉動作時の遮蔽範囲の偏りを低減できるＩＢＥのシャッター装置を提供することにある。 - 特許庁

例文

To carry out in short time and efficiently replacement of the shading material M of the mask in the etching process of the sample S by ion beam irradiation.例文帳に追加

イオンビーム照射による試料Ｓのエッチング加工において、マスクとなる遮蔽材Ｍの交換を短時間で効率良く行う。 - 特許庁

Using the developed resist film as a mask, the thin film 102 is subjected to reactive ion etching to form an irregular pattern on the thin film 102.例文帳に追加

現像されたレジスト膜をマスクとして薄膜１０２を反応性イオンエッチングして、薄膜１０２上に凹凸パターンを形成する。 - 特許庁

The glass master disk is formed to a rounded shape of lands by subjecting the residual resistor of land sections to a baking treatment after a reactive ion etching treatment to the master disk.例文帳に追加

ガラス原盤への反応性イオンエッチング処理の後に、ランド部の残留レジスタをベーク処理し、ランドの角取り形状とする。 - 特許庁

The method in which an argon/hydrogen reactive-ion etching is used for removing the tantalum/fluorine byproduct is provided.例文帳に追加

本発明はタンタル/フッ素副生成物を除去するためアルゴン/水素反応性イオンエッチングを使用する方法を提供するものである。 - 特許庁

To provide a method for high-precision ion etching, including RIE, which uses ICP as the plasma source or the like.例文帳に追加

ＩＣＰをプラズマソースに用いたＲＩＥなどを含めて、イオンによるエッチングを高精度で行うことができるエッチング方法を提供する。 - 特許庁

Etching is performed on the prepared substrate through the use of focused ion beam to form a plate-like structure of a desired shape (a finger-like structure).例文帳に追加

集束イオンビームを用いて用意した基板にエッチングを行い、所望の形状の板状構造（フィンガー状構造）を形成する。 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING HEXAVALENT IRON ION SOLUTION, CHEMICAL CONVERSION TREATING AGENT AND CHEMICAL CONVERSION TREATMENT METHOD FOR MAGNESIUM ALLOY AND METHOD FOR ETCHING SURFACE OF RESIN例文帳に追加

六価鉄イオン溶液製造方法及びマグネシウム合金の化成処理剤及び処理方法並びに樹脂表面のエッチング方法。 - 特許庁

To accurately control a groove depth in a method for manufacturing a stamper for an optical disk substrate using RIE (Reactive Ion Etching).例文帳に追加

ＲＩＥ（反応性イオンエッチング）を用いた光ディスク基板用スタンパの製造方法において、正確な溝深さ制御を可能とする。 - 特許庁

To provide a method of forming a metal line of an inductor which is suitable for removing polymer produced in UTM reactive ion etching.例文帳に追加

ＵＴＭ反応性イオンエッチングで発生するポリマーを除去するのに好適なインダクタの金属配線形成方法を提供する。 - 特許庁

The thin part of the polymer film 32 is removed by anisotropic ion etching to form a polymer lattice structure 36 on the glass substrate 35.例文帳に追加

異方性イオンエッチングを用いて、高分子フイルム32の薄い部分を除去して、ガラス基板35上に高分子格子構造36を形成する。 - 特許庁

An intermediate layer pattern 13a is formed by subjecting the intermediate layer 13 to reactive ion etching by using the upper resist pattern 14a as a mask.例文帳に追加

この上層レジストパターンをマスクとして中間層に反応性イオンエッチングが施され、中間層パターン１３ａが形成される。 - 特許庁

The hard mask of a circular dot pattern is formed on a silicon substrate (100), and a circular silicon pillar is formed by reactive ion etching.例文帳に追加

シリコン基板（１００）上に円形ドットパターンのハードマスクを形成し、反応性イオンエッチングにより円形状のシリコンピラーを形成する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing semiconductor device which can easily form T-type patterns in different degrees of apertures to remarkably reduce the manufacturing processes with the single process of reactive ion etching with a kind of BCB film and a kind of the etching gas, by utilizing the property that the etching characteristic of benzocyclobutene film for reactive ion etching changes isotropically and anisotropically depending on execution of hardening process with the Ar plasma.例文帳に追加

Ａｒプラズマによる硬化処理の有無により反応性イオンエッチングに対するベンゾシクロブテン膜のエッチング特性が異方的、等方的と変わる性質を利用し、ＢＣＢ膜一種、エッチングガス一種で、一度の反応性イオンエッチングでＴ型の開口度の異なるパタンを簡易に形成でき、製造工程の大幅な短縮を図ることができるＴ型ゲート電極有する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Then, the substrates 1 and 2 having the track width regulating grooves 10 and 10 formed therein are placed to face an ion beam irradiation device, subjected to etching by ion beams, and the width L of the width deciding wall 32 is formed to be equal to the desired track width.例文帳に追加

次に、トラック幅規制溝10、10を形成した基板1、2を、イオンビーム照射装置に対向させ、イオンビームにてエッチング処理し、幅決め壁32の幅Ｌを所望のトラック幅に形成する。 - 特許庁

By conduction ion implantation, layers 20 having disturbed state oxide film structures are formed on the tops of the sidewalls 15 due to the ion implantation, but the layers 20 are removed through anisotropic etching, which is performed on the oxide film.例文帳に追加

このとき、酸化膜サイドウォール１５の上部にはこのイオン注入により酸化膜構造の乱れた状態の層２０が形成されるが、その層２０を酸化膜の異方性エッチングにより除去する。 - 特許庁

The etalon substrate 11 is installed in a sample chamber 12 of an ion beam radiator, and the mixture of gaseous CHF_3 and gaseous Ar is introduced into an ion gun chamber 13 from a gas introduction tube 15 as a reactive etching gas.例文帳に追加

エタロン基板１１をイオンビーム照射装置の試料室１２に設置し、ガス導入管１５より反応性エッチングガスとしてCHF_3ガスとArガスの混合ガスをイオン銃室１３内に導入する。 - 特許庁

Thus, an increase in density of metal ions in the etching liquid is suppressed, a metal ion in the etching liquid is prevented from being reduced and precipitated to the substrate 9, and a frequency of exchange of the relatively expensive etching liquid is reduced.例文帳に追加

これにより、エッチング液中における金属イオンの濃度増加が抑制され、エッチング液中の金属イオンが還元されて基板９上に析出してしまうことを防止することができるとともに、比較的高価なエッチング液の交換頻度を低減することができる。 - 特許庁

After forming a collector layer 7, a base layer 8, an etching stopper layer 12 for forming an opening in an ion transmission suppressing layer 14, and the ion transmission suppressing layer 14 on the etching stopper layer 12 in order; impurity ions 38 of a first conductivity type are injected into the collector layer 7 through the opening 14a formed in the ion transmission suppressing film to form an SIC region 21.例文帳に追加

コレクタ層７、ベース層８、イオン透過抑制層１４開口のためのエッチングストッパ層１２、エッチングストッパ層１２の上にイオン透過抑制層１４を順に形成した後、イオン透過抑制膜の開口１４ａを通じて第１の導電型の不純物のイオン３８をコレクタ層７に注入して、ＳＩＣ領域２１を形成する。 - 特許庁

This method for producing an iron oxide for the raw material of ferrite, having a process for preliminarily treating the amount of ferrous ion to 70 to 95 wt.% based on the total iron amount of an etching waste liquid and a process for spraying and roasting the etching liquid in which the amount of the ferrous ion is adjusted, and a device for producing the iron oxide.例文帳に追加

エッチング廃液の全鉄量に対する第一鉄イオン量を７０〜９５重量％に調整する前処理工程と、第一鉄イオン量が調整されたエッチング廃液を噴霧焙焼する工程とを有するフェライト原料用酸化鉄の製造方法および装置。 - 特許庁

This manufacturing method includes a process S101 for forming an etching mask material by a lithography process on a silicon substrate, a process S102 for forming a slit in the etching mask material by cutting the etching mask material formed on the silicon substrate by focused ion beam and a process S104 for forming a groove in a slit portion formed in the etching mask material by etching.例文帳に追加

電子部品の製造方法は、シリコン基板上にリソグラフィ工程によってエッチングマスク材を形成する工程Ｓ１０１と、シリコン基板上に形成されたエッチングマスク材を集束イオンビームで切断してエッチングマスク材にスリットを形成する工程Ｓ１０２と、エッチングによってエッチングマスク材に形成されたスリット部分に溝を形成する工程Ｓ１０４とを含む。 - 特許庁

Irradiation with a second converged ion beam 102 from the direction parallel to the side wall of the leaf is performed simultaneously with preparation of the leaf by a sputtering/etching processing using a first converged ion beam 101 to observe the leaf by a scanning ion microscope and the thickness of the leaf is measured.例文帳に追加