「ion-etching」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

The method is provided with an outline etching process (S104) for etching a mask material positioned on the outline of a region to be removed in a mask so that it is penetrated by using convergent ion beams and etching gas, and a removing process (S106) for removing the mask material positioned on the inner side of the outline of the region to be removed in the mask.例文帳に追加

収束イオンビームとエッチングガスとを用いて、マスクの除去したい領域の輪郭に位置するマスク材料を貫通するようにエッチングする輪郭エッチング工程（Ｓ１０４）と、前記マスクの除去したい領域の輪郭の内側に位置するマスク材料を除去する除去工程（Ｓ１０６）と、を備える。 - 特許庁

To provide a magnetic neutral line discharge plasma generation device for ion implantion system, plasma etching system, plasma CVD system or the like, which is free of interference or disturbances by an external magnetic fields.例文帳に追加

外部磁場による干渉や擾乱等のない、イオン注入装置、プラズマエッチング装置、プラズマＣＶＤ装置等用の磁気中性線放電プラズマ発生装置を提供する。 - 特許庁

Firstly, impurities are subject to ion-implantation into at least a part of a wafer, so as to form an isolated layer, having a higher etching rate than a wafer material by a predetermined etchant.例文帳に追加

先ず、ウエハの少なくとも一部の範囲に不純物をイオン注入し、所定のエッチャントによるエッチングレートがウエハ材料よりも高い分離層を形成する。 - 特許庁

To remove such an ion-damaged layer as a surface oxide layer, which is generated in an antifuse film, due to a dry etching when the antifuse film is opened, and to realize a program voltage having little variations.例文帳に追加

アンチヒューズ開口の際のドライエッチングによるアンチヒューズ膜の表面酸化層のようなイオンダメージ層を除去し、ばらつきの少ないプログラム電圧を実現する。 - 特許庁

As to this multicolor film forming method, films different in colors are piles to coat by ≥2 layers by an ion plating method, and a part of the film as the upper layer is removed by an etching method or a laser marking method.例文帳に追加

イオンプレーティング法で色の異なる被膜を２層以上重ねてコーティングし、エッチング法またはレーザーマーキング法で上層の被膜の一部を除去する。 - 特許庁

To provide a magnetoresistance effect element which is formed by suppressing as much as possible, the usage of etching method using physical sputtering such as ion milling method or the like, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

イオンミリング法等の物理的スバッタリングによるエッチング法の使用を極力抑えて形成された磁気抵抗効果素子とその製造方法を提供する。 - 特許庁

A cross-section for observation of the film is formed by forming a coat of the cosmetic on a supporting body by applying the cosmetic to the surface of the supporting body, and etching the coat by an ion beam.例文帳に追加

支持体の表面に化粧料を塗布し、支持体上に化粧料の皮膜を形成させ、イオンビームでエッチングをして、該膜の観察用断面を形成する。 - 特許庁

After carbon on the surface of the first film 1 is removed by the ion etching, the film is subjected to the annealing, and then, subjected to the heat treatment for the precipitation hardening to obtain a second film.例文帳に追加

第１の被膜１表面の炭素をイオンエッチングにより除去した上で、焼きなまし処理した後に、析出硬化処理する熱処理を施して第２の被膜を得る。 - 特許庁

To provide a frequency controller for a quartz resonator in which the frequency of the quartz resonator can be exactly controlled by ion beam etching.例文帳に追加

イオンビームエッチングによって水晶振動子の周波数を正確に調整する事が出来る水晶振動子の周波数調整装置を提供することを目的としている。 - 特許庁

To form an insulating film over a wafer so as to have a precise thickness at the bottom of a trench, without using inclined ion implantation or a photoresist as an etching mask.例文帳に追加

斜めイオン注入法やホトレジストをエッチングマスクとして用いることなくウェーハ全面に亘ってトレンチ底部に高精度の膜厚を有する絶縁膜を形成する。 - 特許庁

A film-removing mechanism, which removes the thin film deposited on the substrate holder 90 by sputtering etching using ion impact is provided in the film-removing chamber 70.例文帳に追加

膜除去チャンバー７０内には、基板保持具９０の表面の堆積膜をイオン衝撃によりスパッタエッチングにより除去する膜除去機構が設けられている。 - 特許庁

After development, with the resist remaining on the surface of the master disk set as a mask, the surface of the master disk is subjected to reactive ion etching to manufacture a master disk for an information recording medium.例文帳に追加

現像後、原盤の表面に残存したレジストをマスクとして、原盤表面をリアクティブイオンエッチングを行い、情報記録媒体用原盤を作製する。 - 特許庁

After that, the soft magnetic material only of the flat part is removed by an etching method having the anisotropy such as an ion milling so as to leave the soft magnetic material on the side surface of the dummy pattern.例文帳に追加

その後、イオンミリングなどの異方性をもつエッチング手法により、平坦部の軟磁性材料のみを除去し、ダミーパターン側面の軟磁性材料を残すようにする。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device that reduces a processing amount of a non-processed film when selectively processing a processed film and the non-process film in a reactive ion etching (RIE) method.例文帳に追加

加工膜と非加工膜をＲＩＥ法で選択的に加工するときに、非加工膜の加工量を低減させる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A plasma treatment device is preferably a parallel flat plate reactive ion etching(RIE), the RIE device is preferably a type to impress a high frequency power to each of two electrode plates facing.例文帳に追加

プラズマ処理装置はＲＩＥ装置が好ましく、ＲＩＥ装置は対向する２つの電極板の各々に高周波電力を印加する方式が好ましい。 - 特許庁

Subsequently the magnetic recording layer 13a is etched with reactive ion etching under heating by using gaseous chlorine in a vacuum, and using the etched first mask layer 14a as a mask.例文帳に追加

その後、真空中で塩素ガスを用い、エッチングされた第１のマスク層１４ａをマスクとして、加熱下で反応性イオンエッチングによって記録用磁性層１３ａをエッチングする。 - 特許庁

A level difference 30 between the upper surface of the silicon oxide film 44 and the upper surface of the tungsten plug 48 produced at this time is smoothed by performing sputter etching using an argon ion.例文帳に追加

その際に生じるシリコン酸化膜４４の上面とタングステンプラグ４８の上面との間の段差３０を、アルゴンイオンによるスパッタエッチングを行って平滑化する。 - 特許庁

The nanofiltration membrane is composed of a polymer material soluble in an organic solvent, and at least a part of the surface of the membrane is modified by an ion injection treatment and an etching treatment.例文帳に追加

有機溶媒に可溶な高分子材料より構成され、表面の少なくとも一部がイオン注入処理及びエッチング処理により改質されている、ナノ濾過膜。 - 特許庁

To provide a remote plasma CVD device eliminating an etching product from a member for shielding an ion seed generated at a CNT growth process and to provide the CNT growth process.例文帳に追加

ＣＮＴ成長プロセスにおいて発生するイオン種を遮蔽する部材からのエッチング生成物をなくしたリモートプラズマＣＶＤ装置及びＣＮＴ成長方法の提供。 - 特許庁

After the formation of an interlayer insulation film 6, the interlayer insulation film 8 is etched by reactive ion etching with a resist pattern 8 as a mask so as to form the connection hole (Figure 1 (a)).例文帳に追加

層間絶縁膜６の形成後、接続孔を形成すべくレジストパターン８をマスクとして、反応性イオンエッチングにより層間絶縁膜８のエッチングを行なう（図１（ａ））。 - 特許庁

When a resist pattern 15 is formed after the exposure, reactive ion etching is carried out to a part exposed by the resist pattern to the whole surface of a photoresist master set to form a pattern 17.例文帳に追加

露光後、レジストパターン１５が形成されると、フォトレジスト原盤の全面に対して、レジストパターンにより露出した部分にリアクティブイオンエッチングを行い、パターン１７を形成する。 - 特許庁

A method of producing a thin-film transistor is provided, in which thin film transistor components of SiO2 or metal film are formed on a quartz substrate 10 by reactive ion etching technique.例文帳に追加

反応性イオンエッチング技術を用いて石英基板１０上に、ＳｉＯ_2 や金属膜からなる薄膜トランジスタ構成要素を形成する、薄膜トランジスタの製造方法である。 - 特許庁

This reverse tapered shape is obtained by etching the main magnetic pole formed by a frame plating method by ion milling, and an a top surface is made flat.例文帳に追加

この逆テーパ形状は、フレームめっき法により形成された主磁極をイオンミリングにより、エッチングすることにより得られ、かつ上面を平坦化することもできる。 - 特許庁

The through-hole insulator 11 is selectively etched by a reactive ion etching method to the height of a bottom part 19 of the dishing part 17 of the through-hole conductor 5.例文帳に追加

反応性イオンエッチング法によって、スルーホール絶縁体１１を、スルーホール導電体５のディッシング部１７の底部１９の高さになるまで、選択的にエッチングする。 - 特許庁

Then, a resist is formed on the region where the TFT1 is present, and subjected to reactive ion etching using a mixture gas of CF4 gas and oxygen gas (with 10% volume concn. of CF4).例文帳に追加

次いで、ＴＦＴ１の個所にレジストを形成して、ＣＦ_４ガスと酸素ガスと混合ガス（ＣＦ_４の体積濃度１０％）を用いて、反応性イオンエッチングを行う。 - 特許庁

Also, after the whole surface formation of a reflection preventing member film 12a, the ion implantation can be performed before the formation of the reflection preventing film 12 by selective etching.例文帳に追加

尚、反射防止材膜１２ａの全面形成より後、その選択的エッチングによる反射防止膜１２の形成前にそのイオン注入を行うようにしても良い。 - 特許庁

By using the resist film 13 as a mask, reactive ion etching is performed and made to progress as far as the lower side silicon oxide film 12 through the apertures 53.例文帳に追加

レジスト膜１３をエッチングマスクとして用いて反応性イオンエッチングを行うことにより、開口部５３を通して下側の酸化シリコン膜１２までエッチングを進行させる。 - 特許庁

This invention is related to the method to supply a dynamic protective layer to at least one mirror M for protecting at least one mirror M from ion etching.例文帳に追加

本発明は、イオンによるエッチングから少なくとも１つのミラーＭを保護するために、少なくとも１つのミラーＭに動的保護層を供給する方法に関する。 - 特許庁

The method uses a mask (e.g., a mask that has been previously used for etching features into a device) for selective epitaxial growth or selective ion implantation.例文帳に追加

この発明に従った方法は、マスク（たとえば機構を素子にエッチングするために以前使用されたマスク）を選択的エピタキシャル成長または選択的イオン注入用に使用する。 - 特許庁

By this setup, round etching usually carried out for the rearrangement of silicon atoms to smooth the side faces of the gate groove 9 by means of ion bombardment can be dispensed with.例文帳に追加

これにより、従来、ゲート溝９の側面を滑らかにするために実施されていたシリコン原子の再配列をイオン衝撃により行うラウンドエッチングが不要となる。 - 特許庁

To provide an electromagnetic induction accelerator capable of easily adjusting the velocity of plasma ion and excellent in anisotropy, selectivity, film homogeneity and process reproducibility, and usable for an etching process.例文帳に追加

プラズマイオンの速度を容易に調節でき、異方性、選択性、膜均質度及び工程再現性に優れるエッチング工程に利用可能な電磁気誘導加速器を提供する。 - 特許庁

After a sheet 16 is stuck to the whole surface of a semiconductor Si wafer 11 on the pattern forming side, chemical etching is performed to the no-pattern forming side (rear surface side) of the Si wafer 11 to the bottom face of a step 15 formed by performing reactive ion etching.例文帳に追加

半導体Ｓｉウエハ１１のパターン形成側全面に、シート１６を貼り付けた後、半導体Ｓｉウエハ１１の非パターン形成側（裏面側）に対して、リアクティブイオンエッチングを行って形成した段差１５の底面までケミカルエッチングを行う。 - 特許庁

Further, the substrate 10 is etched into a slightly over-etched state wherein the resist is completely removed through a 2nd etching stage of irradiating them with an ion beam in the same direction with the bisector of the vertical angle while using mixed gas of CF_4 and O_2 as etching gas.例文帳に追加

その後に、ＣＦ_4とＯ_2との混合ガスをエッチングガスとして頂角の２等分線と同じ方向からイオンビームを照射する第２のエッチング工程により、レジストが完全に消失して若干オーバエッチングとなるまで基板１０を削る。 - 特許庁

When the recipe of plasma cleaning treatment is set, a decision is made whether the recipe is for the plasma etching (PE) system or the reactive ion etching (RIE) system by means of a personal computer 15, and the limitation of plasma treatment is read from an internal memory if the recipe is for the RIE system.例文帳に追加

プラズマ洗浄処理のレシピ設定をする際には、パソコン１５により、プラズマエッチング（ＰＥ）方式かリアクティブイオンエッチング（ＲＩＥ）方式かのどちらであるかを判定し、ＲＩＥ方式であればプラズマ処理制限を内部メモリから読み込む。 - 特許庁

As shown in (d), a photoresist pattern of a ring shape having a width of 5 μm is formed and etched deeper than an MQW active layer 4 from a P-electrode 7 by dry etching such as RIBE(reactive ion beam etching).例文帳に追加

（ｄ）に示すように、幅５μｍのリング形状のフォトレジストパターンを形成し、Ｃｌ_2などを用いたＲＩＢＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ Ｂｅａｍ Ｅｔｃｈｉｎｇ）などのドライエッチングによりＰ−電極７からＭＱＷ活性層４より深くセルフアラインにエッチングする。 - 特許庁

To provide a plasma treatment apparatus which can obtain an etching grade higher than a conventional one, where a damage of a treated matter due to etching is little, and which can produce a surface wave downstream negative ion in a radio frequency band; and to provide a plasma producing method.例文帳に追加

従来の装置よりも高いエッチングレートを得られ、エッチングによる被処理物へのダメージが少なく、ラジオ周波数帯で表面波ダウンストリーム負イオンの生成が可能であるプラズマ処理装置およびプラズマ発生方法を提供する。 - 特許庁

The absorbent cartridge 13 has a sheet-like absorbent 131 and is immersed in the etching liquid together with the substrate 9 so that a silver ion generated by the etching treatment for the top surface 91 of the substrate 9 can be absorbed by the absorbent 131.例文帳に追加

吸着材カートリッジ１３は、シート状の吸着材１３１を備え、基板９と共にエッチング液に浸漬されることにより、基板９の上面９１に対するエッチング処理により発生する銀イオンが吸着材１３１に吸着される。 - 特許庁

A silicon wafer is processed with a mixed acid etching solution 2 of nitric acid, hydrofluoric acid, and acetic acid, and when the mixed etching solution 2 is electrolyzed at a potential of 0.3 V to 0.7 V, nitrite ion contained in the solution is linearly and proportionally changed in concentration to an electrolyzing current.例文帳に追加

硝酸、弗酸及び酢酸からなる混酸エッチング液２でシリコンウエハを処理する場合に０．３Ｖ〜０．７Ｖの間の特定電位で電解を行うと液中の亜硝酸イオン濃度は電解電流値に比例して直線的に変化する。 - 特許庁

In such a case, a halogen ion having an atomic radius larger than that of the halogen contained in the etching gas for etching the film 2 to be etched is introduced into the resist pattern 3 after the resist pattern 3 is formed and before the film 2 to be etched is etched.例文帳に追加

その際、レジストパターン３を形成する後であって被エッチング膜２をエッチングする前に、レジストパターン３に対し、被エッチング膜２をエッチングするためのエッチングガスに含まれるハロゲンよりも原子半径が大きいハロゲンのイオンを導入する。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus or the like and a plasma processing method capable of adopting higher concentration radical irradiation for ensuring high speed etching even under a low pressure and ensuring ion concentration required for vertical etching performance.例文帳に追加

本発明は、低圧下にありながら、高速エッチングを確保するためのラジカルをより高濃度とすることができ、しかも垂直エッチング性に必要なイオン濃度を確保することが可能なプラズマ処理装置等や処理方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The iron alloy after the pre-process which is placed inside of the wet etching tank 111 is taken out and placed in a film forming chamber 330, and after the oxidized coating film is further removed by ion beam etching, a carbon film is formed on the surface by arc discharge etc.例文帳に追加

ウェットエッチング槽１１１の内部に置かれた前処理後の鉄合金は、取り出されて成膜チャンバー３３０に置かれ、イオンビームエッチングにより酸化被膜をさらに除去された後、アーク放電などにより表面に炭素膜を形成される。 - 特許庁

An impurity 12, which determines the etching rate on the surface of a metal film 11 which is an etched film on a wafer 10 that is formed in a film-forming process, is ion-implanted in advance, in an impurity implantation process before the etching process.例文帳に追加

成膜工程にて形成されるウェハ１０上の被エッチング膜である金属膜１１の表面に対するエッチングレートを律速するような不純物１２を、エッチング工程前の不純物注入工程にて予めイオン注入しておくようにする。 - 特許庁

When a secondary ion 4 released from the surface of a sample 1 through sputter etching by ion beam radiation is detected, and the depth-wise distribution of the element containing in the sample 1 is measured, an ion beam is irradiated in a state where sample 1 is exposed to an oxygen atmosphere 2, and the element distribution on the extreme surface of the sample 1 is evaluated.例文帳に追加

イオンビーム照射によるスパッタエッチングによって試料１の表面から放出される二次イオン４を検出し、試料１中に含まれる元素の深さ方向分布を測定する際に、試料１を酸素雰囲気２に曝した状態でイオンビームを照射して、試料１の極表面での元素分布評価を行う。 - 特許庁

In the metal surface treatment method of the copper or copper alloy in the etching amount within the limit of 0.1-30 μm, a metal surface treatment solution including (a) hydrogen peroxide, (b) an inorganic acid or organic acid, (c) azoles (d) a halogen ion, and (e) a silver ion, is used.例文帳に追加

（ａ）過酸化水素、（ｂ）無機酸、有機酸、（ｃ）アゾール類（ｄ）ハロゲンイオン、および（ｅ）銀イオンから成る金属表面処理液を用いて、０．１μｍ〜３０μｍの範囲内でのエッチング量における銅または銅合金の金属表面処理方法。 - 特許庁

The method of ion beam etching includes a step of oppositely disposing a mask member 20 having an opening 21 formed to define the working region of an ITO (indium tin oxide) film 12 on a substrate 10 to be processed, and illuminating an ion beam IB to the ITO film 12 via the mask member 20 to etch the ITO film 12.例文帳に追加

ＩＴＯ膜１２の加工領域を定める開口２１が形成されたマスク部材２０を被処理基板１０上に対向配置し、マスク部材２０を介してＩＴＯ膜１２にイオンビームＩＢを照射しエッチングする。 - 特許庁