「ion-etching」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

After a surface modified layer 21 insoluble in an etching solution E (for example limonene) is formed on the substrate P by ion implantation treatment, an opening portion 21U is formed on the surface modified layer 21 by dry etching treatment.例文帳に追加

イオン注入処理によりエッチング溶液Ｅ（例えばリモネン）に不溶な表面改質層２１を基板Ｐの表面に形成したのち、ドライエッチング処理により表面改質層２１に開口部２１Ｕを形成する。 - 特許庁

A gas mixture of hydrogen iodide gas and helium gas is introduced into inside of a reaction vessel 1 through a gas inlet opening 6, and the ITO layer of a specimen 8 placed on a lower electrode 2 is dry etching by reactive ion etching.例文帳に追加

ガス導入口６からヨウ化水素ガスとヘリウムガスとの混合ガスを反応容器１内に導入し、下部電極２上に載置された試料８のＩＴＯ層を反応性イオンエッチングによりドライエッチングする。 - 特許庁

To provide a dry etching method for precisely treating an area to be etched of a workpiece with the use of a reactive ion etching process using a carbon monoxide gas including a nitrogen-containing compound gas, as a reactant gas.例文帳に追加

含窒素化合物ガスが添加された一酸化炭素ガスを反応ガスとする反応性イオンエッチングを用いて被加工体のエッチング対象領域を精密に加工することができるドライエッチング方法等を提供する。 - 特許庁

Thereafter, the surface layer section of the thin bonded single-crystal silicon film 5, laminated on the base wafer 7 when the thin 5 is peeled from the wafer 1, is etched back to an etching stopper layer 6', formed based on the ion-implanted layer 6 for stopping etching.例文帳に追加

そして、この剥離によりベースウェーハ７上に貼り合わされた結合シリコン単結晶薄膜５表層部を、エッチストップ用イオン注入層６に基づいて形成されたエッチストップ層６’までエッチバックする。 - 特許庁

Then, when reactive ion etching using the gas mixture of a fluorine gas (100 sccm) and an oxygen gas (100-400 sccm) as an etching gas is performed, the silicon nitride film 22 in an area other than the one below the resist film 23 is dry-etched, and its etching rate is about 2,000 Å/min.例文帳に追加

そして、エッチングガスとしてフッ素ガス（１００ｓｃｃｍ）および酸素ガス（１００〜４００ｓｃｃｍ）の混合ガスを用いた反応性イオンエッチングを行なうと、レジスト膜２３下以外の領域における窒化シリコン膜２２がドライエッチングされ、そのエッチングレートは約２０００Å／ｍｉｎであった。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing semiconductor device by which satisfactory etching can be performed by strengthening etching utilizing a chemical action by lowering ion energy at the time of etching metallic films composed of titanium, molybdenum, tantalum, etc., or their nitrides or silicides; and to provide a semiconductor manufacturing device for executing the method.例文帳に追加

チタン、モリブデン、タンタル等の金属膜や、その窒化膜、珪化膜をエッチングする際に、イオンエネルギーを下げて、化学的な作用によるエッチングを増強し、良好なエッチングの行える半導体装置の製造方法およびそれを実施するための半導体製造装置を提供する。 - 特許庁

This etching method for metal, which employs an aqueous agent solution containing an acid component and an oxidizing component, is characterized by keeping the mol number of the oxidizing agent in the etching solution, larger than the product of the mol number of an etched metal ion generated by the etching and a valence number of the ionized metal.例文帳に追加

酸成分、及び酸化剤成分を含むエッチング水溶液剤を用いた金属のエッチング方法であって、エッチング系内における酸化剤モル数を、エッチングにより生成した被エッチング金属イオンモル数と該金属のイオン化価数との積より大きく保つことを特徴とするエッチング方法。 - 特許庁

The dry etching method of the device sheet includes a stage for sticking the device sheet 4 via wax W onto the flat surface of a ceramic substrate (substrate) 20 consisting of AlTiC or the like and a stage for performing dry etching e.g. ion beam etching(IBE) to the stuck device sheet 4.例文帳に追加

ＡｌＴｉＣなどからなるセラミック基板(基板)２０の平坦な表面上に、ワックスＷを介してデバイスシート４を貼り付ける工程と、この貼り付けられたデバイスシート４に対してイオンビームエッチング(ＩＢＥ)などのドイラエッチングを施す工程と、を含む、デバイスシートのドライエッチング加工方法。 - 特許庁

The surface working method is for performing reactive ion etching to the base material 1 made of the silicon carbide, and films 3 and 4 including at least one etching suppressing element selected from an element group including Ni and at least one etching accelerating element selected from an element group including W are turned to etching masks.例文帳に追加

本発明に係る表面加工方法は、シリコンカーバイドからなる基材１に反応性イオンエッチングを行う表面加工方法であって、Ｎｉを含む元素群から少なくとも１つ選択されるエッチング抑制元素と、Ｗを含む元素群から少なくとも１つ選択されるエッチング促進元素とを含む膜３，４をエッチングマスクとするものである。 - 特許庁

The method for manufacturing a silicon carbide mold includes forming a dry etching mask having an opening and comprising tungsten silicide on a silicon carbide substrate, and then dry-etching the silicon carbide substrate by a reactive ion etching method using a single fluorine-containing gas or a mixture gas of the fluorine-containing gas and oxygen gas as an etching gas.例文帳に追加

炭化ケイ素基板上に、開口部を有するタングステンシリサイドからなるドライエッチング用マスクを形成した後、エッチングガスとしてフッ素含有ガス単独又はフッ素含有ガスと酸素ガスとの混合ガスを用いて、反応性イオンエッチング法によって炭化ケイ素基板をドライエッチングすることを特徴とする炭化ケイ素製モールドの製造方法。 - 特許庁

To provide a method of controlling a nitric acid-containing solution in nitrite ion concentration and restraining NOx gas from being generated when a silicon wafer is subjected to etching by using a nitric acid-containing solution.例文帳に追加

硝酸含有液でシリコンウエハをエッチング処理する場合における亜硝酸イオン濃度の制御、ＮＯxガスの発生を抑制する方法を提供する。 - 特許庁

(2) In the manufacturing process of the Si chip 2, the Si chip 2 is formed by subjecting a silicon wafer acquired by the preceding process to each process such as etching, oxidation, diffusion, CVD or ion implantation.例文帳に追加

（２）Ｓｉチップ２の製造工程では、シリコンウェーハに、前工程により、エッチング、酸化、拡散、ＣＶＤ、イオン注入、等の工程を経て形成する。 - 特許庁

Accumulated coating thickness is controllable by a sputter etching reaction using the ion sheath on the front surface of divided wall 8 to which high frequency electricity is applied.例文帳に追加

高周波電力が印加されている分割壁８前面では、イオン・シースを用いたスパッタ・エッチング反応によって堆積膜厚を制御することができる。 - 特許庁

The etching gas discharged from a shower head 20 is converted to plasma through the electrical discharge, and the wafer W is etched with radical or ion generated with the plasma.例文帳に追加

シャワーヘッド２０より吐出されるエッチングガスは放電してプラズマ化され、このプラズマで生成されるラジカルやイオンによってウエハＷがエッチングされる。 - 特許庁

Moreover, an SF_6 gas is introduced, and the electrical insulation films 12 on the bottom faces of the grooves 16 are removed through reactive ion etching to expose the silicon of the substrate 7.例文帳に追加

更にＳＦ_6ガスを導入して、反応性イオンエッチングにより、溝１６の底面の電気絶縁膜１２を除去し、基板７のシリコンを露出させる。 - 特許庁

To provide a magnetic element and manufacturing method thereof where use of etching method with physical sputtering such as ion milling method is suppressed as much as possible.例文帳に追加

イオンミリング法等の物理的スパッタリングによるエッチング法の使用を極力抑えることにより製造する磁気素子と、その製造方法を提供すること。 - 特許庁

A light-sensitive mask 510 is formed to cover a desired sensor are therewith, and reactive ion etching (RIE) is performed to transfer a pattern of the light-sensitive mask 510 onto a low order ARC layer 508.例文帳に追加

光電性マスク510を形成して所望のセンサ領域を覆い、リアクティブ・イオン・エッチング（RIE）を実行して、光電性マスク510のパターンを下位のARC層508上に移す。 - 特許庁

Next, the shading film 15 on the photodiode is removed by reactive ion etching containing sulfur hexafluoride and chlorine but not containing oxygen.例文帳に追加

次に、フォトダイオード上の遮光膜１５を六弗化硫黄と塩素とを含み酸素を含まないエッチングガスを用いた反応性イオンエッチングにより除去する。 - 特許庁

To provide a plasma reactor suitable to soft etching treatment advantageous in supplying more electric power to ion generation than free radical generation.例文帳に追加

自由ラジカルの生成よりもイオンの生成に多くの電力を供給することが有利となるソフトエッチングプロセスに好適なプラズマ反応装置を提供すること。 - 特許庁

After an impurity is ion implanted to the polysilicon, the polysilicon is heat treated, and a nitride film capacitor 5 and a second polysilicon resistor 10b are formed by the selective etching.例文帳に追加

そして、ポリシリコンに不純物をイオン注入後、熱処理を行い、選択的エッチングにより窒化膜キャパシタ５、第２のポリシリコン抵抗１０ｂを形成する。 - 特許庁

The diffraction grating layer 41 is etched by the reactive ion etching using the hydrogen gas at the thus determined flow, whereby forming a pattern 12a of a diffraction grating 12.例文帳に追加

決定された流量の水素ガスを用いた反応性イオンエッチングによって回折格子層４１をエッチングし、回折格子１２のパターン１２ａを形成する。 - 特許庁

On the basis of the conversion difference D1 and the correlation data, a flow of a hydrogen gas used for the reactive ion etching of the diffraction grating layer 41 is determined.例文帳に追加

その変換差Ｄ１と相関データとに基づいて、回折格子層４１の反応性イオンエッチングのための水素ガスの流量を決定する。 - 特許庁

To remove a damaged layer generated in a cut end face by sputtering- etching with a convereged ion beam, when preparing a thin sample piece for a transmission electron microscope.例文帳に追加

透過型電子顕微鏡用の薄片試料を作製する際に、集束イオンビームによるスパッタエッチングによって切削端面に生じたダメージ層を除去する。 - 特許庁

To provide a substrate penetration etching method in which steps can be simplified, a substrate can be efficiently cooled, and the flow of the plasma ion flux is maintained constant.例文帳に追加

工程を単純化させ、基板の冷却を効率よく行わせ、プラズマイオンフラックスの流れが一定に保たれる基板貫通エッチング方法を提供する。 - 特許庁

The height of the defect being machined by electron beam or gas ion beam etching is measured with one probe in the independently actuatable probes to detect an end point.例文帳に追加

独立に駆動できる探針のうち1本の探針で、電子ビームまたはガスイオンビームエッチングで加工中の欠陥の高さを測定して終点検出を行う。 - 特許庁

An ion exchange layer 11 is formed on the surface of an optical crystal substrate 10 and the layer 11 is removed by wet etching with hydrofluoric acid.例文帳に追加

光学結晶基板１０表面にイオン交換層１１を形成した後、フッ酸を用いたウエットエッチングにより、前記イオン交換層１１を除去する。 - 特許庁

After etching of a trench groove 1a, a solid diffusion source film 5 including boron is formed in the trench groove 1a instead of the conventional implantation of tilt ion.例文帳に追加

トレンチ溝１ａのエッチング後に、従来のチルトイオン注入の代わりに、ボロンを多く含む固体拡散源膜５をトレンチ溝１ａ内に成膜する。 - 特許庁

Then, the magnetic layer 26 is selectively etched by reactive ion etching with the second layer 27b as a mask, and the first layer 27a is formed.例文帳に追加

次に、第２の層２７ｂをマスクとして、反応性イオンエッチングによって磁性層２６が選択的にエッチングされて、第１の層２７ａが形成される。 - 特許庁

Various cluster tool configurations including gas-cluster ion-beam processing modules for copper capping, cleaning, etching, and film formation steps are disclosed.例文帳に追加

銅のキャップ化処理、清浄化処理、エッチング処理、および膜形成処理用の、ガスクラスターイオンビーム処理モジュールを含む、各種クラスターツール構成について示した。 - 特許庁

Ion implantation is conducted into the surface of the semiconductor substrate 1 exposed by etching to form the emitter region 21 of a vertical PNP bipolar transistor.例文帳に追加

次いで、このエッチングにより露出した半導体基板１の表面にイオン注入を行い、縦型ＰＮＰ型バイポーラトランジスタのエミッタ領域２１を形成する。 - 特許庁

To suppress a residue of a gate electrode forming film which is generated in a sidewall portion of an ion implantation mask by etching upon gate electrode processing.例文帳に追加

ゲート電極加工時のエッチングでイオン注入マスクの側壁部分に発生するゲート電極形成膜の残渣を抑制することを可能にする。 - 特許庁

Then, a silicon mask 50a and the DLC film 42 are simultaneously etched through reactive ion etching (RIE), by using the mixed gas of tetrafluorocarbon (CF4) and oxygen.例文帳に追加

次に、テトラフルオロカーボン（ＣＦ_４）と酸素との混合ガスを用いて、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）により、シリコンマスク５０ａとＤＬＣ膜４２とを同時にエッチングする。 - 特許庁

A load chamber 102 introducing a wafer W is connected to an RIE apparatus 1 performing reactive ion etching treatment to the wafer W via a gate valve 101.例文帳に追加

ウエハＷを導入するロード室１０２とウエハＷをリアクティブ・イオン・エッチング処理するＲＩＥ装置１とが、ゲートバルブ１０１を介して接続されている。 - 特許庁

The magnetic fine particles manufacturing method can independently control the magnetic characteristics and fine particles formation by using ion etching.例文帳に追加

イオンエッチングを用いることにより磁気特性の制御と微粒子形成をそれぞれ独立に制御可能な磁性微粒子の製造方法であることを特徴とする。 - 特許庁

A metal mask of which a window (region A) of 60% of the total area is opened is tightly attached onto a substrate 31 and the etching is performed by applying ion beam.例文帳に追加

基板３１上に全体面積の６０％（領域Ａ）の窓の開いた金属マスクを密着させイオンビームを照射することによりエッチングを行った。 - 特許庁

An alumina layer is patterned to form a mask precursor, and then this mask precursor is subjected to etching by ion milling to form a first mask 22a.例文帳に追加

アルミナ層をパターニングしてマスク前駆体を形成したのち、このマスク前駆体に対してイオンミリングによるエッチング処理を施して第１のマスク２２ａの形成する。 - 特許庁

After a magnetic layer is formed on a flat substrate, a portion of the magnetic layer is removed by a reactive ion etching method and a dielectric layer is formed thereon.例文帳に追加

平坦な基板上に磁性層形成後、反応性イオンエッチング法で磁性層の一部を除去し、かつその上に誘電体層を形成する。 - 特許庁

The hydrogen ion implantation step and the wet etching step are repeated several times until the glass substrates 1, 21 reach to a state in which both of them have desired film thickness.例文帳に追加

水素イオン注入工程とウエットエッチング工程とを、ガラス基板１、２１が共に所望の膜厚を有する状態になるまで、数回繰り返して行う。 - 特許庁

A microwave is introduced from a waveguide 16 into the ion gun chamber 13 to ionize the reactive etching gas, and the etalon substrate 11 is etched for a prescribed time.例文帳に追加

そして、導波管１６よりイオン銃室１３内にマイクロ波導入し、反応性エッチングガスをイオン化して、エタロン基板１１を所定時間だけエッチングする。 - 特許庁

The stamper has a form corresponding to the fine pattern, and is formed by decreasing the reactive ion etching rate to about 1/3 of the normal process.例文帳に追加

スタンパは、上記微細パターンに対応する形状を有し、製造時に反応性イオンエッチングのレートを、通常の１／３程度に落として形成される。 - 特許庁

An etch-stopping layer 6', which is higher in oxygen concentration than its peripheral area is formed in a second single-crystal silicon substrate 1, by forming an ion-implanted layer 6 for stopping etching through ion implantation and performing an oxygen diffusing step of making oxygen diffuse toward the ion-implanted layer 6.例文帳に追加

第二シリコン単結晶基板１中に、イオン打ち込み法によりエッチストップ用イオン注入層６を形成し、次いでエッチストップ用イオン注入層６に向けて酸素を拡散させる酸素拡散工程を行なって、周囲部分よりも酸素濃度が高いエッチストップ層６’を形成する。 - 特許庁

To provide a negative ion source, an ion beam analysis device, an etching device, an oxygen radical generation device and an waste gas processor which can attain a large ion current by generating a surface-like negative ions by utilization of diamond semi-conductor device structure, with a diamond serving as a semi-conductor.例文帳に追加

ダイヤモンドを半導体と捉えて、ダイヤモンド半導体デバイス構造を利用して、面的な負イオン生成を実現することにより、大きなイオン電流を実現することができる負イオン源、イオンビーム分析装置、エッチング装置、酸素ラジカル発生装置及び排ガス処理装置を提供する。 - 特許庁

About a process by a particle seed such as ion having a strong anisotropic for an entering, an ion angle energy distribution function (IAEDF) which is respectively the function of an angle θ and an energy E, and an etching yield energy component which is the coefficient of an action with respect to the surface, are numerically integrated to generate the weighted etching yield ion angle distribution function (EYIADF) in advance.例文帳に追加

入射に関する異方性の強いイオンなどの粒子種によるプロセスに関して、それぞれ角度θおよびエネルギーＥの関数であるイオン角度エネルギー分布関数（ＩＡＥＤＦ）と、表面との作用の係数としてのエッチング・イールドのエネルギー成分とを数値積分して、エッチング・イールドの重み付けのついたイオン角度分布関数（ＥＹＩＡＤＦ）をあらかじめ作成する。 - 特許庁

To provide an etching method using a hexavalent iron ion solution with less environmental load instead of an etching treatment agent such as harmful chromic acid conventionally used for improving adhesion property between a nonconductive member such as a resin, and a plating layer, and to provide a method for manufacturing a hexavalent iron ion solution.例文帳に追加

本発明は、従来樹脂等の非導電性部材をメッキ被覆層との密着性向上のために用いられていた、有害なクロム酸などによるエッチング処理剤に代わり、環境負荷の少ない六価鉄イオン溶液によるエッチング方法および六価鉄イオン溶液の製造方法を提供する。 - 特許庁

The master disk is irradiated, after development, with at least one of irradiation treatment media 104, such as light, plasma, and ion having 1 or under in the etching selection ratio of the master disk substrate and below 40 nm/min in an etching treatment rate.例文帳に追加

原盤現像後、フォトレジスト層に対する原盤基板のエッチング選択比が１未満であって、かつ、エッチング処理速度が４０ｎｍ／分以下である光、プラズマ、イオンなど照射処理媒質１０４を少なくとも一つ照射する。 - 特許庁