「ion-etching」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

REACTIVE ION ETCHING DEVICE, AND METHOD OF ETCHING SUBSTRATE例文帳に追加

反応性イオンエッチング装置と基板のエッチング方法 - 特許庁

ETCHING EQUIPMENT WITH ION CONCENTRATION MEASURING DEVICE例文帳に追加

イオン濃度測定器付きエッチング装置 - 特許庁

REACTIVE ION ETCHING SYSTEM AND METHOD例文帳に追加

反応性イオンエッチング方法及び装置 - 特許庁

PARALLEL PLATE REACTIVE ION ETCHING SYSTEM例文帳に追加

平行平板式反応性イオンエッチング装置 - 特許庁

ION BEAM ETCHING DEVICE, METHOD AND CONTROLLER例文帳に追加

イオンビームエッチング装置、方法及び制御装置 - 特許庁

METHOD AND APPARATUS FOR ION BEAM ETCHING例文帳に追加

イオンビームエッチング方法及びイオンビームエッチング装置 - 特許庁

RETICLE ADAPTER FOR REACTIVE ION ETCHING SYSTEM例文帳に追加

反応性イオンエッチングシステムのためのレクチルアダプタ - 特許庁

MASKING MATERIAL FOR REACTIVE ION ETCHING, MASK AND DRY ETCHING METHOD例文帳に追加

反応性イオンエッチング用のマスク材料、マスク及びドライエッチング方法 - 特許庁

METHOD OF REDUCING REACTIVE ION ETCHING LAG IN DEEP- TRENCH SILICON ETCHING例文帳に追加

ディープ・トレンチ・シリコン・エッチングの反応性イオン・エッチング・ラグを低減する方法 - 特許庁

Ion beam etching is used as the dry etching method of a continuous recording layer 20.例文帳に追加

連続記録層２０のドライエッチング手法としてイオンビームエッチングを用いる。 - 特許庁

CLEANING METHOD OF REACTIVE ION ETCHING (RIE) DEVICE, AND REACTIVE ETCHING DEVICE例文帳に追加

リアクティブイオンエッチング（ＲＩＥ）装置のクリーニング方法およびリアクティブエッチング装置。 - 特許庁

To precisely control etching depth when etching by a focused ion beam.例文帳に追加

集束イオンビームによりエッチングする際に精度良くエッチング深さを制御する。 - 特許庁

REACTIVE ION BEAM ETCHING SYSTEM AND PROCESSING METHOD THEREFOR例文帳に追加

反応性イオンビームエッチング装置とその加工方法 - 特許庁

CONVERGED ION BEAM MACHINING DEVICE AND ETCHING METHOD例文帳に追加

集束イオンビ—ム加工装置およびエッチング加工方法 - 特許庁

Ion beam etching is used as the dry etching method of a continuous recording layer 20.例文帳に追加

又、連続記録層２０のドライエッチング手法としてイオンビームエッチングを用いる。 - 特許庁

To provide a dry etching device which has a high etching rate and prevents ion damages on a surface after etching.例文帳に追加

高いエッチングレートを有しエッチング後の表面のイオン損傷を防止するエッチング装置を提供する。 - 特許庁

METHOD FOR REDUCING NOTCHING GENERATED AT REACTIVE ION ETCHING例文帳に追加

反応性イオンエッチング時に生じるノッチング低減方法 - 特許庁

TREATMENT OF OPTICAL ELEMENT SURFACE BY ION BEAM ETCHING例文帳に追加

イオンビームエッチングによる光学素子表面の処理方法 - 特許庁

In some implementations, the etching may be performed by means of a reactive ion etching process.例文帳に追加

ある実施態様においては、エッチングは反応性イオンエッチングプロセスにより行うことができる。 - 特許庁

At this time, the intermediate layer 33 is used as an etching stop material for the reactive ion etching.例文帳に追加

この際、中間層３３を反応性イオンエッチングのエッチストップ材として使用する。 - 特許庁

Gas pressure in an etching chamber in the case of the reactive ion etching is set to be 9.3-10.7 Pa.例文帳に追加

反応性イオンエッチングの際のエッチング室内のガス圧を９．３〜１０．７Ｐａとする。 - 特許庁

METHOD FOR JOINING LASER OPTICAL CRYSTAL USING ION BEAM ETCHING例文帳に追加

イオンビームエッチングを用いたレーザー光学結晶の接合法 - 特許庁

REACTIVE ION ETCHING METHOD AND APPARATUS THEREOF例文帳に追加

反応性イオンエッチング方法および反応性イオンエッチング装置 - 特許庁

To provide an ion beam etching method and an ion beam etching device capable of suppressing the deformation of a drawing electrode caused by heat.例文帳に追加

引き出し電極の熱による変形を抑制できるイオンビームエッチング方法及びイオンビームエッチング装置を提供する。 - 特許庁

METHOD FOR REMOVING MAGNETORESISTANCE SENSOR CAP DUE TO REACTIVE-ION ETCHING例文帳に追加

反応性イオンエッチングによる磁気抵抗センサキャップの除去方法 - 特許庁

Then, an opening 10 is provided by reactive ion etching.例文帳に追加

次いで、反応性イオンエッチングにより、開口部１０を形成する。 - 特許庁

To form a conductive layer for setting etching species of an ion free at the time of making a through hole on a substrate by reactive ion etching.例文帳に追加

反応性イオンエッチングにより基板に貫通孔を開ける際、イオン等のエッチング種を逃がすための導電層を形成する。 - 特許庁

METHOD FOR FORMING THROUGH HOLE BY REACTIVE ION ETCHING AND SUBSTRATE HAVING THROUGH HOLE FORMED BY REACTIVE ION ETCHING例文帳に追加

反応性イオンエッチングによる貫通孔の形成方法及び反応性イオンエッチングにより形成された貫通孔を有する基板 - 特許庁

MACHINING AMOUNT MEASURING INSTRUMENT AND ION BEAM ETCHING EQUIPMENT USING THE SAME例文帳に追加

加工量測定装置及びこれを用いたイオンビームエッチング装置 - 特許庁

In the reactive ion etching, an etching gas comprising a halogen based gas and a carbon oxide based gas is used.例文帳に追加

反応性イオンエッチングでは、ハロゲン系ガスと酸化炭素系ガスとを含むエッチングガスが使用される。 - 特許庁

NEGATIVE ION SOURCE, ION BEAM ANALYSIS DEVICE, ETCHING DEVICE, OXYGEN RADICAL GENERATION DEVICE AND WASTE GAS PROCESSOR例文帳に追加

負イオン源、イオンビーム分析装置、エッチング装置、酸素ラジカル発生装置及び排ガス処理装置 - 特許庁

To provide a compact ion gun which can make flat both sides of a substrate, an ion beam etching device equipped with it, an ion beam etching equipment, an etching method using the above, and a manufacturing method of a magnetic recording medium.例文帳に追加

基板の両面を平坦化できるコンパクトなイオンガン、これを備えたイオンビームエッチング装置、イオンビームエッチング設備、これらを用いたエッチング方法及び磁気記録媒体の製造方法を提供する。 - 特許庁

Further, a gate trench 21 is formed by reactive ion etching (c).例文帳に追加

さらに，反応性イオンエッチングにより，ゲートトレンチ２１を形成する（ｃ）。 - 特許庁

REACTIVE ION ETCHING CHAMBER THAT CONTAINS MANY TREATMENT STATIONS EXCLUDING COUPLINGS AMONG THEM例文帳に追加

多数の処理ステーションを含む結合を除くリアクティブイオンエッチングチャンバ - 特許庁

ION BEAM ETCHING METHOD AND DEVICE, COMPUTER PROGRAM, AND RECORDING MEDIUM例文帳に追加

イオンビームエッチング方法、イオンビームエッチング装置、コンピュータプログラム、記録媒体 - 特許庁

With the pattern as a mask, reactive ion etching is conducted with a mixed gas of CF4/O2 for etching the SiO2.例文帳に追加

このパターンをマスクにＣＦ_4／Ｏ_2の混合ガスで反応性イオンエッチングを行いＳｉＯ_2をエッチングする。 - 特許庁

To form via-holes, each having a uniform depth, on a silicon by a reactive ion etching method, and to prevent the disappearance of a specific part of a protective film covering a silicon board in an etching process.例文帳に追加

反応性イオンエッチング法により、シリコン基板に深さが均一なビアホールを形成する。 - 特許庁

METHOD FOR FORMING CONTACT HOLE OF SEMICONDUCTOR ELEMENT USING REACTIVE ION ETCHING例文帳に追加

反応性イオンエッチングを用いた半導体素子のコンタクトホール形成方法 - 特許庁

To provide an ion beam etcher capable of more uniformly etching.例文帳に追加

より均一なエッチングを行うことができるイオンビームエッチング装置の提供。 - 特許庁

The method includes an ion etching step, in which the surface of an optical element is irradiated with an ion beam for etching, and a chemical etching step, in which the ion-etched surface is soaked in a prescribed solution that reacts with the materials of the optical element and dissolved for etching.例文帳に追加

光学素子の表面にイオンビームを照射することによりエッチングを行うイオンエッチングステップと、イオンエッチングされた表面を、光学素子の材料と反応する所定の溶液に浸して溶解させることによりエッチングを行うケミカルエッチングステップとを備える。 - 特許庁

Thereby, in RIE (Reactive Ion Etching) in which a pattern is formed in an alumina layer 16, etching (side etching) of the Ta film 18 can be suppressed.例文帳に追加

これにより、アルミナ層１６にパターンを形成するＲＩＥの際に、Ｔａ膜１８がエッチング（サイドエッチング）されるのを抑制することができる。 - 特許庁

HYPERBOLIC DRUM TYPE ELEMENT, AND MANUFACTURING METHOD OF THE ELEMENT USING ION BEAM ETCHING例文帳に追加

双曲面ドラム型素子と、イオンビームエッチングを利用したその製造方法 - 特許庁

The surface of a substrate B is etched with a reactive ion etching(RIE) device.例文帳に追加

基板Ｂの表面はリアクティブイオンエッチング（ＲＩＥ）装置によりエッチングする。 - 特許庁

Since the etching rate increases in the ion implantation region 3, etching is performed to a larger degree and, therefore, the substrate 1 having a shape in accordance with the ion implantation depths is completed (process(d)).例文帳に追加

イオン注入領域３では、エッチングレートが大きくなるので、大きくエッチングされ、イオン注入深さに応じた形状の基板１が完成する（ｄ）。 - 特許庁

An initial trench 4 is formed by etching an Si substrate 1 through reactive ion etching by using an oxide film mask 2 as a mask.例文帳に追加

酸化膜マスク２をマスクとして、Ｓｉ基板１を反応性イオンエッチングして初期のトレンチ４を形成する。 - 特許庁