「ion-etching」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

The method of etching the multilayer film comprising at least one kind of metal film and at least one kind of oxide film provided on a substrate uses, as etching gases, a gas generating a radical in plasma and a gas generating an ion in plasma.例文帳に追加

基板上に設けられた少なくとも１種の金属膜と少なくとも１種の酸化物膜とからなる多層膜をエッチングする方法であって、エッチングガスとして、プラズマ中でラジカルを発生するガスとプラズマ中でイオンを発生するガスとを用いて行う。 - 特許庁

An opening 141, which becomes broader toward end part at which the width of the tapered part of the silicon core 103 decreases in extended direction, is formed on a resist film 104, and the silicon core 103 exposed at the opening 141 is processed by a heretofore known reactive ion etching method, for example, a dry etching method using fluorocarbon based gas and hydrocarbon based gas as etching gases.例文帳に追加

シリコンコア１０３が延在している方向の幅が、テーパ部の細くなる先端部に行くほど広くなる開口部１４１をレジスト膜１０４に形成し、公知の反応性イオンエッチングにより、例えば、フッ化炭素系ガスおよび炭化水素系ガスをエッチングガスとしたドライエッチングにより、開口部１４１に露出したシリコンコア１０３を加工する。 - 特許庁

This method comprises adding metallic iron in the existence of Ni ion resulting in the deposition of cobalt ion which is contained as an impurity in the ferrous chloride and/or ferric chloride aqueous solution or is generated in the ferrous chloride and/or ferric chloride aqueous solution through an etching treatment or the like.例文帳に追加

塩化鉄水溶液に不純物として含まれるコバルトイオン、又はエッチング処理などによって塩化鉄水溶液中に生成されたコバルトイオンを、ニッケルイオンの存在下に金属鉄を加え、塩化鉄水溶液中に含まれるコバルトイオンを析出させる。 - 特許庁

The etching agent for copper or copper alloy is an aqueous solution containing 0.01-20 mass% cupric ion, 0.1-30 mass% organic acid, 0.01-20 mass% halogen ion, 0.001-2 mass% azole and 0.001-2 mass% polyalkylene glycol.例文帳に追加

本発明の銅又は銅合金のエッチング剤は、第二銅イオン０．０１〜２０質量％、有機酸０．１〜３０質量％、ハロゲンイオン０．０１〜２０質量％、アゾール０．００１〜２質量％及びポリアルキレングリコール０．００１〜２質量％を含有する水溶液である。 - 特許庁

This method for evaluating a structural change in a tooth substance surface layer is characterized in that a sliced segment of a tooth is treated by the dyeing liquid for tissue dyeing or treated by ion etching to observe an obtained segment.例文帳に追加

歯の薄切切片を組織染色用染色液処理、又はイオンエッチング処理し、得られる切片を観察することを特徴とする歯質の構造変化の評価方法。 - 特許庁

Next, an opening part 8 is formed on an oxidized film 6a formed on the other surface in the thickness direction of the main substrate 1 to be used for a mask, and the through-holes 4a, 4b are formed by a reactive ion etching.例文帳に追加

次に、主基板１の厚み方向の他面に形成した酸化膜６ａに開口部８を形成してマスクに用い、反応性イオンエッチングにより貫通孔４ａ，４ｂを形成する。 - 特許庁

Then, a beam irradiation angle θ when performing the ion milling of the magnetic material layer is determined according to the etching amount (shifting amount S) in the width direction of the hard mask and the side wall inclination α of the hard mask.例文帳に追加

そして、磁性材料層をイオンミリングする際のビーム照射角θを、ハードマスクの幅方向のエッチング量（シフト量Ｓ）と、ハードマスクの側壁傾斜角αとに応じて決定する。 - 特許庁

Thus, a frequency shift-back quantity after the end of ion beam etching in the frequency control for the quartz resonator can be fixed such that highly accurate frequency control is enabled.例文帳に追加

これによって、水晶振動子の周波数調整のイオンビームエッチング終了後の周波数戻りシフト量を一定にすることができ、高精度の周波数調整が可能となった。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an optical waveguide device, in which a wafer is prevented from being damaged in an RIE (reactive ion etching) step and from being stuck to a stage and automatic conveyance of the wafer is made feasible.例文帳に追加

ＲＩＥ工程でのウェハの破損防止、ステージへの張り付き防止及びウェハの自動搬送を可能とした光導波路デバイスの製造方法を提供することである。 - 特許庁

The amorphous silicon film 24 and the SiN film 22 are used as masks, and the silicon substrate 20 is subjected to RIE(reactive ion etching), thereby forming trenches 25 for element isolation.例文帳に追加

そして、このアモルファスシリコン膜２４とＳｉＮ膜２２とをマスクにしてＲＩＥによりシリコン基板２０のエッチングを行い、素子分離用のトレンチ２５を形成することを特徴としている。 - 特許庁

Part of the halftone defect 2 in the binary mask to which the FIB-CVD light shielding film 8 is made less attachable by implantation of gallium of focused ion beams 1 is shaved up to a glass substrate by gas assisted etching.例文帳に追加

まず集束イオンビーム1のガリウムの注入によってFIB-CVD遮光膜8がつきにくくなったバイナリマスクのハーフトーン欠陥2の一部分をガス支援エッチングでガラス基板まで削り込む。 - 特許庁

Then, the frame is removed and, further, the unnecessary part of the substrate film 21 other than a part present blow the track width defining layer 12a is removed by using dry etching such as ion milling.例文帳に追加

次に、フレームを除去し、更に、下地膜２１のうち、トラック幅規定層１２ａの下に存在する部分以外の不要な部分をイオンミリング等のドライエッチングを用いて除去する。 - 特許庁

To manufacture a master mold high in the uniformity of a recess of an uneven pattern containing a wide recess and a narrow recess in manufacturing the master mold using a reactive ion etching method.例文帳に追加

反応性イオンエッチング法を用いたマスターモールドの製造において、広幅凹部および狭幅凹部を含む凹凸パターンの凹部の均一性の高いマスターモールドを製造することを可能とする。 - 特許庁

The wet etching is performed until the non-magnetic body layer 29 existing in a lower part of the magnetic body layer 30 is partially eroded and then both side parts of the magnetic body layer 30 are worked by ion milling.例文帳に追加

ウェットエッチングは、磁性体層３０の下部にある非磁性体層２９が一部侵食されるまで行い、その後にイオンミリングで磁性体層３０の両側部を加工する。 - 特許庁

The first electrolytic polishing treatment removes an oxide film on the whole surface even on the substrate having unevenness, and the subsequent ion etching treatment further removes the oxide film.例文帳に追加

初めに電解研磨処理を行うことで、基材の表面に凹凸があってもその全面で酸化膜の除去が進み、その後のイオンエッチング処理により酸化膜の除去がさらに進む。 - 特許庁

A surface where light is incoming or outgoing in a body 1 to be treated for composing the optics is roughened by reaction ion etching using halogen plasma 3 containing an alkali metal.例文帳に追加

光学部品を構成する被処理体１において光が入射又は出射する面を、アルカリ金属を含むハロゲンプラズマ３を用いた反応性イオンエッチングにより粗面化する。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for ion beam etching which can improve the productivity by simplifying the manufacturing process and which is suitable for being used in manufacturing an optical device.例文帳に追加

製造プロセスを簡素化して生産性の向上を図ることができ、また、光学デバイスの製造に用いて好適なイオンビームエッチング方法及びイオンビームエッチング装置を提供すること。 - 特許庁

To etch a polysilicon gate into which an element which does not generate a volatile compound, for example ytterbium (Yb), is implanted, during conventional reactive-ion etching.例文帳に追加

本発明は、従来の反応性イオンエッチングの間、揮発性の化合物を生成しない元素、例えばイットリビウム（Ｙｂ）が注入されたポリシリコンゲートをエッチングすることを目的とする。 - 特許庁

To provide a frequency adjusting method for a surface acoustic wave apparatus, which can conduct frequency adjustment with higher accuracy, on the occasion when frequency adjustment is performed by ion beam etching.例文帳に追加

イオンビームエッチングにより周波数調整を行うにあたり、より一層高精度に周波数調整を行うことができる弾性表面波装置の周波数調整方法を提供する。 - 特許庁

Etching properties of the slurry itself are reduced by an interaction between colloidal titanium oxide and iron (III) ion produced from the iron (III) compound and occurrence of defects such as dishing, erosion, etc. can be controlled.例文帳に追加

コロイダル酸化チタニウムと鉄（ＩＩＩ）化合物から生成する鉄（ＩＩＩ）イオンとの相互作用により、スラリー自体のエッチング性が低下し、ディッシング、エロージョン等の欠陥の発生が抑制できる。 - 特許庁

In a plasma etching apparatus, a first high frequency for plasma generation and a second high frequency for ion attraction are applied from high frequency power sources 32 and 34 to a susceptor 12, respectively.例文帳に追加

このプラズマエッチング装置においては、高周波電源３２，３４よりプラズマ生成用の第１高周波およびイオン引き込み用の第２高周波がサセプタ１２に重畳して印加される。 - 特許庁

A drain region and a source region are formed at the position sandwiching the gate electrode by conducting the ion implantation to the surface of the semiconductor substrate exposed by the etching of the LOCOS film.例文帳に追加

ＬＯＣＯＳ膜のエッチングによって露出した半導体基板の表面にイオン注入を行ってゲート電極を挟む位置にドレイン領域およびソース領域を形成する。 - 特許庁

A groove is formed in the surface of a sapphire substrate 10 by ion etching, a GaInNP buffer layer 12 and an AlGaN layer 14 are grown thereon, followed by growth of a light emitting device structure.例文帳に追加

サファイア基板１０の表面にイオンエッチングで溝を形成し、その上にＧａＩｎＮＰバッファ層１２及びＡｌＧａＮ層１４を成長させ、さらに発光デバイス構造を成長させる。 - 特許庁

The core 44 is formed by performing reactive ion etching to a core layer 10 with oxygen pressure set to a considerably higher pressure 5Pa than usual.例文帳に追加

コア４４は、チャンバ内の酸素の圧力を通常よりも相当に高い圧力である５Ｐａに設定して反応性イオンエッチングをコア層１０に対して行うことによって形成される。 - 特許庁

A substrate S is positioned with inclination angles θ set to A, B, C to an ion beam IB in this order and etched for etching times corresponding to the angles A-C.例文帳に追加

イオンビームＩＢに対する基板Ｓの基板傾きθを、角度Ａ，角度Ｂ、角度Ｃの順に位置決めし、各角度Ａ〜Ｃに対応したエッチング時間で各々エッチングを行うようにした。 - 特許庁

In the etching liquid for copper comprising acid, a second copper ion source, tetrazoles and water, a polymer having a functional group expressed by formula (I) in the structural unit is included.例文帳に追加

酸と、第二銅イオン源と、テトラゾール類と、水とを含む銅のエッチング液において、構成単位中に下記式（I）で表される官能基を有する重合体を含むエッチング液とする。 - 特許庁

A vertical trench in a silicon wafer 18 for forming a storage capacitor in a DRAM is etched in a reactive ion etching method to form an outline thereof with multiple waists 26 and 30.例文帳に追加

ＤＲＡＭの蓄積_キャパシタの形成に利用されるシリコンウエーハ１８における垂直トレンチは、多重ウエスト２６，３０を有する輪郭を有するように、反応性イオンエッチングによってエッチングされる。 - 特許庁

By conducting wet etching to the oxide film 2, after performing ion implantation to the oxide film 2 on the primary surface of the silicon single-crystal substrate 1, the pattern opening 2a is formed.例文帳に追加

シリコン単結晶基板１の主表面上の酸化膜２に対しイオン注入を行った後、該酸化膜２をウェットエッチングすることにより、パターン開口部２ａを形成する。 - 特許庁

By using a liquid agent containing the stable hexavalent iron ion to etch a resin 12, an etched material 13 having excellent adhesion property equivalent to chromic acid etching can be obtained.例文帳に追加

また、この安定した六価鉄イオンを含有する液剤を用いて樹脂１２にエッチングを行うことにより、クロム酸エッチングと同等の密着性の優れたエッチング材１３を得ることができる。 - 特許庁

The manufacturing method of the nitride group semiconductor element includes steps of etching the rear side (nitrogen side) of an n-type GaN substrate 1 with a wurtzite structure by an RIE (reactive ion etching) method, and then forming an n-side electrode 8 on the rear side (nitrogen side) of the etched n-type GaN substrate 1.例文帳に追加

この窒化物系半導体レーザ素子の製造方法は、ウルツ鉱構造を有するｎ型ＧａＮ基板１の裏面（窒素面）をＲＩＥ法によりエッチングする工程と、その後、エッチングされたｎ型ＧａＮ基板１の裏面（窒素面）上に、ｎ側電極８を形成する工程とを備えている。 - 特許庁

Thereafter, the surface of the insulating film is irradiated with reactive plasma having an action of chemically etching the insulating film, and the surface of the insulating film irradiated with the plasma is irradiated with inert gas ion for sputter etching to process a cross section of the connection hole into a forward tapered shape.例文帳に追加

その後、絶縁膜の表面に、絶縁膜を化学的にエッチングする作用を有する反応性プラズマを照射し、プラズマが照射された絶縁膜の表面に不活性ガスのイオンを照射してスパッタエッチングすることにより、接続孔の断面を順テーパーに加工する。 - 特許庁

In the etching process, a wall face 17a which is arranged between at least the thin film magnetic head elements 20 and a recording medium out of the surfaces facing the medium is formed every part to become each thin film magnetic head by etching part of the materials for the head by using a convergent ion beam.例文帳に追加

エッチング工程は、ヘッド用素材の一部を集束イオンビームを用いてエッチングすることによって、各薄膜磁気ヘッドとなる部分毎に、媒体対向面のうち、少なくとも薄膜磁気ヘッド素子２０と記録媒体との間に配置される壁面１７ａを形成する。 - 特許庁

At the time of forming the contact hole of an MOS transistor, a nitrided film is used as the stop film of etching so that the over-etching of an Si base can be prevented, and ion injection is carried out by using the contact hole as a mask so that a high concentration diffused area constituting a source/drain area can be formed.例文帳に追加

ＭＯＳ型トランジスタのコンタクトホールを形成する際、チッ化膜をエッチングのストップ膜として使用しＳｉ基盤のオーバーエッチをなくし、そのコンタクトホールをマスクとしイオン注入を行い、ソース・ドレイン領域を構成する高濃度拡散領域を形成すことを特徴とする。 - 特許庁

In this method, after etching and the photo resist peeling, the magnetic field reinforcement type reactivity ion etching method is used for removing a residual substance.例文帳に追加

本発明の方法によれば、エッチング及びフォトレジスト剥離後、磁界強化型反応性イオンエッチング法を用いて残留物質を除去することにおいて、その反応条件は、弗素及び酸素を含む気体が反応気体として用いられ、圧力が１０〜５０mtorrで、磁界が２０〜１００ガウスである。 - 特許庁

The process where the gate electrode 201 is left unremoved comprises a step, where a disused part is removed from the gate electrode 201 through an isotropic reactive ion etching method, where an etching gas that contains HBr gas and Cl2 gas is used so as to enable the electrode 201 to be provided with an undercut on its each lower sectional side.例文帳に追加

ゲート電極２０１を残す前記工程は、ＨＢｒガスおよびＣｌ_2ガスを含むエッチングガスを用いた等方性反応性イオンエッチング法によりゲート電極２０１が断面両側下方にアンダーカット部を備えるように不要な部分を除去するステップを含んでいる。 - 特許庁

By removing the metal nano particles 2 with the formation of the recesses 1b, the need for a process for removing the metal nano particles 2 after etching is eliminated for ease of manufacturing as compared with a conventional method for roughening by reactive ion etching using the metal nano particles 2 as a mask.例文帳に追加

金属ナノ粒子２が凹部１ｂの形成とともに除去されることにより、金属ナノ粒子２をマスクとして用いた反応性イオンエッチングによって粗面化する従来の方法に比べ、エッチング後に金属ナノ粒子２を除去する工程が不要となるから容易である。 - 特許庁

Plural layers 5a-5c for constituting the GMR element 5 are formed on the shield gap layer 4a, a part of the thickness direction of the plural layers 5a-5c is etched by reactive ion etching, the remaining part is etched by ion milling and the GMR element 5 is formed.例文帳に追加

ＧＭＲ素子５を構成する複数の層５ａ〜５ｃはシールドギャップ膜４ａの上に形成され、反応性イオンエッチングによって複数の層５ａ〜５ｃの厚み方向の一部がエッチングされ、イオンミリングによって残りの部分がエッチングされて、ＧＭＲ素子５が形成される。 - 特許庁

When a micromachine 100 composed of backing film 21 and coating film 24 is formed, FCVA ion source as a film forming source and Kaufmann type ion source as an etching source are used and sacrifice film 24 composed of PMMA soluble in acetone is formed as a support body for the coating film 24.例文帳に追加

下地膜２１および被覆膜２４により構成されるマイクロマシン１００を形成する際、成膜ソースとしてＦＣＶＡイオンソース，エッチングソースとしてカウフマン型イオンソースをそれぞれ用いると共に、被覆膜２４の支持体として、アセトンに可溶なＰＭＭＡにより構成された犠牲膜を形成する。 - 特許庁

To provide an easily reusable long-life shield plate, for use in preparing a sectional observation sample by etching with an ion beam, to give shielding against the ion beam without necessitating flattening of sides even when no usable edge face remains after repeated use.例文帳に追加

イオンビームを用いるエッチングにより断面観察試料を作製するときに、イオンビームの遮蔽に用いられる遮蔽板であって、使用を繰り返し、エッジ面として使用できる箇所がなくなった場合でも、側面の平坦化加工を必要とせず、再利用が容易で寿命が長い遮蔽板を提供する。 - 特許庁

To propose an advantageous method of manufacturing a laminated wafer without causing not only flaws on a surface in the stop of the grinding at the oxygen ion implanted layer and further the non-uniform thickness of the top layer in the vicinity of the outer peripheral portion of the wafer in the stop of the grinding or the step of the etching at the oxygen ion implanted layer, when laminateing is performed.例文帳に追加

貼り合わせに際し、酸素イオン注入層で研磨Stopする際の表面傷、さらには酸素イオン注入層で研磨StopまたはエッチStopする際のウェーハ外周部近傍におけるTop層の膜厚不均一を生じることのない貼り合わせウェーハの有利な製造方法を提供する。 - 特許庁

When through holes such as through trenches 4 are formed on one of the surfaces of the etched product by performing dry etching such as reactive ion etching, dry etching is performed while a conductor, which has a higher electrical conductivity than the etched product, is in contact with a region having through holes to be formed or a region around through holes on the other surface of the etched product.例文帳に追加

被エッチング物の一方の面側から反応性イオンエッチングのようなドライエッチングを行うことにより貫通トレンチ４のような貫通孔を形成する場合に、被エッチング物の他方の面の少なくとも貫通孔の形成予定領域またはその近傍に被エッチング物よりも電気伝導度が高い導電体を接触させた状態でドライエッチングを行う。 - 特許庁

This etching method selectively etches a silicon nitride film, and this uses a reactive ion etching device including a processing chamber 1 which holds a substrate 4 as the target of etching, a gas supply means 7 which supplies reactive gas into the processing chamber 1, and an upper electrode 2 and a lower electrode 3 which are provided inside the processing chamber and to which high-frequency currents are applied.例文帳に追加

この発明によるエッチング方法は、シリコン窒化膜を選択的にエッチングするエッチング方法であって、エッチング対象である基板４を内部に保持する処理室１と、処理室１の内部に反応ガスを供給するガス供給手段７と、処理室内部に設けられ、高周波電流が印加される上部電極２および下部電極３とを含む反応性イオンエッチング装置を用いる。 - 特許庁

The nitride-based semiconductor element is so constituted as to apply reflection coatings to its end surfaces In-Situ after removing micro-lacks caused by its cleavage from its end surfaces by the etching of using a low-energy ion beam.例文帳に追加

窒化物半導体ではその強固な結晶構造から、ＧａＡｓやＩｎＰ系で採られていた対策の一つである不純物拡散などによる窓構造の形成が困難であった。 - 特許庁

A recessed part 5 is formed by etching the surface of a silicon carbide substrate 1, and a damaged layer is formed, at least on the recessed bottom face by projecting the particle beam such as an ion beam from above the surrface of the substrate 1.例文帳に追加

炭化珪素基板の表面をエッチングして凹部を形成し、次いでこの表面上方からイオン線などの粒子線を照射して、少なくとも凹部底面に損傷層を形成する。 - 特許庁

An oxide film is deposited on the rear surface by CVD, and on its front surface, a region which is to be a p-type partition region 11 is formed with a resist mask and the oxide film is etched with an etching ion to form a groove.例文帳に追加

さらに、裏面にＣＶＤで酸化膜を堆積し、その表面にｐ型仕切領域１１となる領域をレジストマスクで形成して酸化膜をエッチングイオンによってエッチングして溝を形成する。 - 特許庁