「ion-etching」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a parallel plate reactive ion etching system which can etch a solar battery substrate with an etching distribution of ±10% in a batch.例文帳に追加

大面積の太陽電池基板を、バッチ内で±10％以下のエッチング分布をもってエッチング処理できる平行平板式反応性イオンエッチング装置を提供する。 - 特許庁

The device layer 43 is vertically etched by using the mask 45 as an etching mask until the internal layer 41 is exposed by a reactive ion dry etching method (Fig. C).例文帳に追加

マスク４５をマスクとしてデバイス層４３を、反応性イオンのドライエッチングにより、中間層４１が露出するまで垂直にエッチングする（図１０Ｃ）。 - 特許庁

A method of applying anisotropic plasma etching to a silicon-on-insulator substrate wherein undercutting is substantially eliminated by utilizing, as a finishing etch step, a reactive ion etching process wherein ion density is reduced in order to limit ion charging within recesses of various sizes so that uniform etching can be performed in a vertical direction.例文帳に追加

垂直方向に一様なエッチングを行うように様々なサイズの凹部内のイオン充電を制限するためにイオン密度が低減される反応性イオン・エッチング工程を仕上げエッチング段階として使用することによってアンダカットが実質的になくなる、シリコン・オン・インシュレータ基板に異方性プラズマ・エッチングを施す方法を開示する。 - 特許庁

The film deposition system comprises: a plasma chemical vapor growth means having a plasma linear source 7; an ion etching treatment means having an ion etching roller 5 arranged at prescribed intervals with the plasma linear source 7; and a film conveying means making a film 3 pass between the plasma linear source 7 and the ion etching roller 5.例文帳に追加

本発明の成膜装置は、プラズマリニアソース７を有するプラズマ化学気相成長手段と、プラズマリニアソース７と所定間隔をおいて配置されているイオンエッチングローラー５を有するイオンエッチング処理手段と、プラズマリニアソース７とイオンエッチングローラー５との間においてフィルム３を通過させるフィルム搬送手段と、を具備する。 - 特許庁

Recessed shape processing (recess-shaped sputter etching) using a converged ion beam is carried out along the width of the supercondcutvie film 210.例文帳に追加

超電導膜２１０の幅方向に集束イオンビームによる凹形加工（凹形スパッタエッチング）を行う。 - 特許庁

To provide an improved method and apparatus relating to ion-assisted etching processing in a plasma processing system.例文帳に追加

プラズマ処理システムにおけるイオン支援エッチング処理に関する改良された方法及び装置を開示する。 - 特許庁

A nano-scale graphene structure is manufactured by removing the residual oxide nano-wires after the ion-beam etching.例文帳に追加

ナノスケールグラフェン構造は、イオンビームエッチング後、残った酸化物ナノワイヤを除去することにより製造される。 - 特許庁

Oxide nano-wires useful as a mask are formed on a graphene layer, and then ion-beam etching is executed.例文帳に追加

マスクとして有用な酸化物ナノワイヤが、グラフェン層上に形成され、次にイオンビームエッチングが実施される。 - 特許庁

A sample stage is repeatedly reciprocation-inclined around an inclination axis k during ion etching for the sample 6.例文帳に追加

試料６のイオンエッチング中に、試料ステージが傾斜軸ｋの周りに繰り返し往復傾斜される。 - 特許庁

A stage for executing the ion exchange with the ions to lower the refractive index may be used in place of the etching stage.例文帳に追加

エッチング工程に代えて、屈折率を低下させるイオンでイオン交換する工程を用いてもよい。 - 特許庁

Then, etching is performed by irradiating with the ion beam IB the semiconductor element 12 rotated.例文帳に追加

そして、半導体素子１２を回転させた状態でイオンビームＩＢを照射し、エッチング加工を行う。 - 特許庁

RESONANT FREQUENCY ADJUSTING APPARATUS AND RESONANT FREQUENCY ADJUSTING METHOD FOR PIEZOELECTRIC RESONATOR BY ION ETCHING例文帳に追加

イオンエッチングによる圧電共振子の共振周波数調整装置及び共振周波数調整方法 - 特許庁

Then the sectional area of the magnetic pole part layer 11a obtained by the reactive ion etching is slightly etched by ion milling to remove deposited materials.例文帳に追加

次に、反応性イオンエッチングによって得られた磁極部分層１１ａの断面をイオンミリングによってわずかにエッチングして、付着物を除去する。 - 特許庁

To enable a distribution of a reaction product on a wafer outer peripheral portion and an incident ion distribution to a wafer outmost peripheral portion to be controlled with a high degree of accuracy, and to perform etching optimally with an etching rate depending on an etching condition.例文帳に追加

ウエハ外周部における反応生成物分布とウエハ最外周部への入射イオン分布を高精度に制御でき、エッチング条件に応じたエッチングレートで最適にエッチングを行う。 - 特許庁

The heat radiation structure constituted of a recess or a convex part which is independent of crystal orientation can be formed by carrying out dry etching, wet etching, impurity ion injection and wet etching in this order.例文帳に追加

放熱構造は、ドライエッチング、ウエットエッチング、不純物イオンを注入した後ウエットエッチングを行うことで、結晶方位に依存しない凹部あるいは凸部からなる放熱構造を形成することができる。 - 特許庁

An etching time is shortened and a spreading amount α of an opening 6a of an etching mask 6 is suppressed by improving the etching rate of the unnecessary pattern 4b by the ion implantation.例文帳に追加

イオン注入により不要パターン４ｂのエッチングレートを向上させることで、エッチング時間を短くすることができエッチングマスク６の開口部６ａの広がり量αを抑制することができる。 - 特許庁

After P is selectively ion-implanted into the silicon germanium layer and properties of resistance to etching are given to the ion-implanted part of the silicon germanium layer, the part of the silicon germanium layer that is not ion-implanted is selectively removed by isotropic etching.例文帳に追加

シリコンゲルマニウム層にＰを選択的にイオン注入してイオン注入されていないシリコンゲルマニウム層部分に対してエッチング抵抗性を付与した後、シリコンゲルマニウム層のイオン注入されていない部分を選択的に等方性エッチング除去するパターニング方法。 - 特許庁

In the surface roughening method for a semiconductor substrate to roughen the surface of the semiconductor by the reactive ion etching method, after forming an oxide film on the surface of the semiconductor substrate, perform surface roughening by the reactive ion etching method.例文帳に追加

半導体基板の表面を反応性イオンエッチング法で粗面状にする半導体基板の粗面化法において、前記半導基板の表面に酸化膜を形成した後、反応性イオンエッチング法で粗面状にする。 - 特許庁

Further, in addition to plasma CVD, plasma treatment such as ion etching, ion ashing and ion bombardment can be performed even to the other members as well as a vapor-deposited tape since plasma can be generated without depending on the electric resistance of a base material.例文帳に追加

また、蒸着テープに限らず、基材の電気抵抗に依存せずにプラズマを発生させることができるため、プラズマＣＶＤの他、イオンエッチング、イオンアッシング、イオンボンバード等のプラズマ処理が可能である。 - 特許庁

To provide wiring structure that can prevent charging damages in a plasma process such as reactive ion etching(RIE), etc.例文帳に追加

ＲＩＥ等のプラズマ工程におけるチャージングダメージを防止することが可能な配線構造を提供する。 - 特許庁

When the tantalum cap is removed due to a fluorine reactive-ion etching, a tantalum/fluorine byproduct having low volatility remains.例文帳に追加

フッ素反応性イオンエッチングでタンタルキャップを除去すると、揮発性の低いタンタル/フッ素副生成物が残る。 - 特許庁

An ion implantation to the second metallic layer 3 in the case of the over-etching of the second metallic layer 3 can be inhibited.例文帳に追加

第２の金属層３のオーバーエッチングの際における第２の金属層３へのイオン入射を抑制できる。 - 特許庁

Silicon etching causative material such as amine contained in the ion exchange resin 3a is eluted in the ultrapure water.例文帳に追加

イオン交換樹脂３ａに含まれるアミン類等のシリコンエッチング原因物質が超純水中に溶出する。 - 特許庁

And, the superconductive film 2 is patterned by ion beam etching by using the hardening positive type photoresist 5 as a mask (Fig.g).例文帳に追加

そして、硬化ポジ型フォトレジスト５をマスクとして、イオンビームエッチングにより、超伝導膜２をパターニングする（図１（ｇ））。 - 特許庁

When a reactive ion etching method is carried out, the semiconductor substrate 101 is kept at a temperature of 80 to 150°C.例文帳に追加

反応性イオンエッチング法を行っている時には、半導体基板１０１を８０乃至１５０℃にしておく。 - 特許庁

Then, the layer 4 is made flat by grinding technique and is made thinner by reactive ion etching.例文帳に追加

この中間クラッド層４を研磨技術により平坦化してから、反応性イオンエッチングにより薄くしていく。 - 特許庁

By the anisotropic unevenness formed by ion etching forming an angle, as a result, the fixed magnetic field intensity is improved.例文帳に追加

角をなすイオンエッチングによって形成された異方性凹凸により、結果として、固定磁界強度が向上する。 - 特許庁

Thereafter, the SiC layer 9 is patterned by applying reactive ion etching by a SF_6 gas to the SiC layer 9.例文帳に追加

次に、ＳｉＣ層９に対してＳＦ_６ガスにより反応性イオンエッチングを施し、ＳｉＣ層９をパターニングする。 - 特許庁

To provide a glass system which behaves advantageously in the construction of a microstructure, especially in a process comprising reactive ion etching.例文帳に追加

微細構造構築時、特に反応性イオンエッチングの方法時に有利に挙動するガラス系を提供する。 - 特許庁

Through anisortopic reactive ion etching, the double-fitting opening part is formed in the composite insulation layer.例文帳に追加

異方性反応イオンエッチングで複合絶縁層において二重嵌入開口部を形成することを特徴とする。 - 特許庁

An oxide film 3a being a protection layer of etching by the ion is formed on one face of the silicon substrate 1.例文帳に追加

シリコン基板１の一方の面に前記イオンによるエッチングの保護層である酸化膜３ａを形成する。 - 特許庁

It is preferable that the mixed gas further contains BCl3 66 so that sputter-etching by boron ion can be carried out.例文帳に追加

ガス混合物は、ホウ素イオンによるスパッタエッチングが行われるように、更にＢＣｌ_3６６を含むことが好ましい。 - 特許庁

A piezoelectric thin film wafer 1 equipped with a piezoelectric thin film 4 on a substrate 2 is manufactured by a first processing step of performing ion etching using a gas including Ar and a second processing step of performing reactive ion etching using a mixed etching gas of a reactive gas and Ar.例文帳に追加

基板２上に圧電体薄膜４を備えた圧電体薄膜ウェハ１は、Ａｒを含むガスを用いてイオンエッチングを行う第１の加工工程と、反応性ガスとＡｒとを混合した混合エッチングガスを用いて反応性イオンエッチングを行う第２の加工工程とにより製造される。 - 特許庁

Portions of a vibrator 11 formed out of a monocrystal silicon substrate 1, other than surfaces where a lower electrode 4a, a piezoelectric thin film 5a, and upper electrodes 6a, 6b, and 6c, are ground by means of reactive ion etching, dry isotropic ion etching, or crystal anisotropic etching, thereby obtaining a desired detuning degree.例文帳に追加

反応性イオンエッチング、乾式等方性イオンエッチング又は結晶異方性エッチングにより、単結晶シリコン基板１から形成された振動子１１の下部電極４ａ、圧電薄膜５ａ、上部電極６ａ，６ｂ，６ｃが形成された面以外を研削することで、所望の離調度とする。 - 特許庁

The process for forming the groove 12a in the non-magnetic layer includes a process for executing taper etching to the non-magnetic layer by reactive ion etching which uses an etching gas including at least BCl_3 and N_2 out of BCl_3, Cl_2, and N_2.例文帳に追加

非磁性層に溝部１２ａを形成する工程は、ＢＣｌ_３、Ｃｌ_２、Ｎ_２のうち少なくともＢＣｌ_３とＮ_２を含むエッチングガスを用いた反応性イオンエッチングによって、非磁性層をテーパエッチングする工程を含む。 - 特許庁

After etching a semiconductor substrate through mixed acid etching, the stain film adhered to the surface of the semiconductor substrate upon the mixed acid etching is removed by washing the semiconductor substrate with stain film removing solution containing at least one of aqueous ammonia, alkali ion water or hot water.例文帳に追加

半導体基板を混酸エッチング後に、アンモニア水、アルカリイオン水、温水の少なくとも１つを含むステイン膜除去液で洗浄して、混酸エッチングの際に表面に付着したステイン膜を除去する。 - 特許庁

The step of forming the groove 12a in the nonmagnetic layer includes the step of taper-etching the nonmagnetic layer by reactive ion etching with an etching gas containing at least BCl_3 and N_2 among BCl_3, Cl_2 and N_2.例文帳に追加

非磁性層に溝部１２ａを形成する工程は、ＢＣｌ_３、Ｃｌ_２、Ｎ_２のうち少なくともＢＣｌ_３とＮ_２を含むエッチングガスを用いた反応性イオンエッチングによって、非磁性層をテーパエッチングする工程を含む。 - 特許庁

Then the application of dry etching to a crystal wafer 1 by an RIE (reactive ion etching) method to form nearly a cross-sectional tapered shape on the end face of the crystal element chip 1a.例文帳に追加

そして、ＲＩＥ（リアクティブイオンエッチング）法により水晶ウェハ１をドライエッチングすると、水晶素子片１ａの端面に略断面テーパー形状が形成される。 - 特許庁

A II-VI compound semiconductor crystal substrate is etched at room temperature by reactive ion etching using mixed gas of methane (CH_4) and hydrogen (H_2) as etching gas.例文帳に追加

II−VI族化合物半導体結晶基板を、エッチングガスとしてメタン（ＣＨ_４）と水素（Ｈ_２）の混合ガスを用いた反応性イオンエッチングにて常温でエッチングを行う。 - 特許庁

The extracted residue is removed by physical removal by an AFM probe, electron beam gas assist etching, or focused ion beam gas assist etching to make the mold reusable.例文帳に追加

抽出された残渣をAFM探針による物理的な除去または電子ビームガスアシストエッチングまたは集束イオンビームガスアシストエッチングで除去してモールドを再利用可能にする。 - 特許庁

Furthermore, it is mounted on a reaction ion etching device capable of performing aeolotropic etching, and the SiO2 film 43g is etched until a surface of an Al film 42g is exposed (f).例文帳に追加

更に、異方性エッチングが可能な反応性イオンエッチング装置に装着し、ＳｉＯ_2膜４３ｇをＡｌ膜４２ｇの表面が露出するまでエッチングする(ｆ)。 - 特許庁

Next, reactive ion etching using CH4 and H2 as an etching gas is executed to remove the part of the thin-film lamination structure except a semiconductor element forming region selectively.例文帳に追加

次に、エッチングガスとしてＣＨ_4 及びＨ_2 を用いた反応性イオンエッチングで前記薄膜積層構造の半導体素子形成領域以外の部分を選択的に除去する。 - 特許庁

An anisotropic etching groove portion 10 in the drilled hole 9 is formed in a crystalline anisotropic etching process, then an isotropic etching process is selectively applied to the ion injection portion from the bottom side, and thereby, an isotropic selection etching groove portion 11 is formed.例文帳に追加

そして、穿設孔９の異方性エッチング溝部１０を結晶異方性のエッチング加工によって形成した後に、その底部側からイオン注入部位に等方性のエッチング加工を選択的に施すことにより、等方性選択エッチング溝部１１を形成する。 - 特許庁

The surface of an SiC substrate is flattened, by giving a gas cluster ion beam step by step that has two kinds of etching effects with different etching speeds to etch the surface thereof, and then another gas cluster ion beam, made mainly of oxygen gas is applied thereto.例文帳に追加

エッチング速度がそれぞれ異なる２種類のエッチング効果を持ったガスクラスターイオンビームを段階的に照射してＳｉＣ基板表面をエッチングしつつ平坦化した後、酸素ガスを主成分としたガスクラスターイオンビームを照射する。 - 特許庁

Control signals 8 are sent to a hydrogen peroxide feed pump 3 corresponding to the concentration of nitrous ion, by which the etching solution 2 can be kept constant in nitrous ion concentration.例文帳に追加

過酸化水素供給ポンプ３に亜硝酸イオン濃度に応ずる制御信号８が送れることによりエッチング液２の亜硝酸イオン濃度を一定にコントロールする。 - 特許庁