「PN junction」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

PN JUNCTION ELEMENT AND ITS MANUFACTURE例文帳に追加

ｐｎ接合素子及びその製造方法 - 特許庁

The junction region 17 includes the tunnel pn junction TJ.例文帳に追加

接合領域１７はトンネルｐｎ接合ＴＪを含む。 - 特許庁

A junction withstand voltage is lower in the pn junction regions 22, 23 than in the pn junction region 21 of the resistor 1.例文帳に追加

ＰＮ接合領域２２、２３は、抵抗１のＰＮ接合領域２１より接合耐圧が低い。 - 特許庁

DIELECTRIC EMITTER HAVING PN JUNCTION例文帳に追加

ＰＮ接合を有する誘電体放出器 - 特許庁

The pn junction contains a polycrystal silicon.例文帳に追加

ｐｎ接合は、多結晶シリコンを含みうる。 - 特許庁

The temperature sensor is a pn junction silicon diode.例文帳に追加

温度センサは、ｐｎ接合シリコンダイオードである。 - 特許庁

The pn junction areas 21 and 22 are lower in junction withstand voltage than the pn junction area 20 of the npn transistor 1.例文帳に追加

ＰＮ接合領域２１、２２は、ＮＰＮトランジスタ１のＰＮ接合領域２０より接合耐圧が低い。 - 特許庁

The generated electron is detected in the PN junction.例文帳に追加

この電子は、ＰＮ接合にて検出される。 - 特許庁

PN JUNCTION DIODE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

ＰＮ接合ダイオードおよびその製造方法 - 特許庁

The pn junction areas 34 and 35 are lower in junction withstand voltage than the pn junction areas 32 and 33 of the MOS transistor 1.例文帳に追加

ＰＮ接合領域３４、３５は、ＭＯＳトランジスタ１のＰＮ接合領域３２、３３より接合耐圧が低い。 - 特許庁

To inhibit leakage current occurring at a pn junction.例文帳に追加

ｐｎ接合におけるリーク電流を抑制する。 - 特許庁

PN JUNCTION TYPE COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DIODE例文帳に追加

ｐｎ接合型化合物半導体発光ダイオード - 特許庁

PN JUNCTION DIODE DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

ＰＮ接合ダイオード装置及びその製造方法 - 特許庁

METHOD FOR FORMING SILICON FILM, METHOD FOR FORMING PN JUNCTION, AND PN JUNCTION FORMED BY USING THE SAME例文帳に追加

シリコン膜の形成方法、ｐｎ接合の形成方法、及びこれを用いて形成されたｐｎ接合 - 特許庁

To provide a pn junction diode device which can further be reduced in size and also provide a method of manufacturing the same pn junction diode device.例文帳に追加

より小型が可能なＰＮ接合ダイオード装置及びその製造方法を提供することにある。 - 特許庁

To suppress a parasitic resistance of a pn junction diode.例文帳に追加

ｐｎ接合ダイオードの寄生抵抗を抑制すること。 - 特許庁

METHOD OF FORMING EXTREMELY SHALLOW PN JUNCTION IN SEMICONDUCTOR SUBSTRATE例文帳に追加

半導体基板の極浅ｐｎ接合の形成方法 - 特許庁

METHOD OF GROWING CRYSTAL, AND METHOD OF FORMING pn JUNCTION例文帳に追加

結晶成長法及びｐｎ接合の形成方法 - 特許庁

This solar cell is provided with a pn junction, and a layer composing the pn junction is an In0.1Ga0.9As layer.例文帳に追加

Ｓｉ基板上にｐｎ接合を具えていて、このｐｎ接合を構成する層を、Ｉｎ_0.1 Ｇａ_0.9 Ａｓ層とする。 - 特許庁

By spot light irradiation Lgt, the reverse current of the PN junction of the photodiode PD1 is increased.例文帳に追加

スポット光照射Lgtにより、フォトダイオードPD1のPN接合の逆方向電流は増大する。 - 特許庁

To increase a junction area of a pn junction diode and to enable cost reduction thereof.例文帳に追加

ｐｎ接合ダイオードの接合面積を大きくし、かつコストダウンを可能とすること。 - 特許庁

N-TYPE SEMICONDUCTOR, SEMICONDUCTOR JUNCTION ELEMENT, PN-JUNCTION ELEMENT, AND PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE例文帳に追加

ｎ型半導体、半導体接合素子、ｐｎ接合素子および光電変換装置 - 特許庁

PN-JUNCTION TYPE FIELD EFFECT TRANSISTOR AND ITS MANUFACTURE例文帳に追加

ｐｎ接合型電界効果トランジスタ及びその作製方法 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING THIN FILM CRYSTAL WAFER HAVING pn JUNCTION例文帳に追加

ｐｎ接合を有する薄膜結晶ウェーハの製造方法 - 特許庁

PN JUNCTION TYPE GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE例文帳に追加

ｐｎ接合型ＩＩＩ族窒化物半導体発光素子 - 特許庁

METHOD OF LINEARITY ADJUSTMENT, MANUFACTURING METHOD OF PN JUNCTION TYPE VARIABLE-CAPACITANCE DIODE, AND PN JUNCTION TYPE VARIABLE-CAPACITANCE DIODE例文帳に追加

直線性調整方法、ＰＮ接合型可変容量ダイオードの製造方法、およびＰＮ接合型可変容量ダイオード - 特許庁

A pn junction behaves as a diode, so it becomes conductive if the gate voltage gets reversed. 例文帳に追加

pn接合はダイオードとして動作するので,ゲートの電圧が逆転すると,伝導性を持つようになる． - コンピューター用語辞典

PN junction is exposed to the side of the stand-like part 20.例文帳に追加

ＰＮ接合を台状部分２０の側面に露出させる。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD FOR COMPOUND SEMICONDUCTOR BOARD HAVING PN JUNCTION例文帳に追加

ｐｎ接合を有する化合物半導体基板の製造方法 - 特許庁

In a junction barrier Schottky diode, the gradient of a pn-junction present at the side of a p-type region forming the pn-junction is sharper than the gradient of a pn-junction present at the bottom of the p-type region.例文帳に追加

本発明は、ジャンクションバリアショットキーダイオードにおいて、ｐｎ接合を形成するｐ型領域の側部に存在するｐｎ接合の傾きが、当該ｐ型領域の底部に存在するｐｎ接合の傾きより急峻である。 - 特許庁

To reduce pn junction leakage at a low voltage in a MOSFET.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴの低電圧でのｐｎ接合リークを低減する。 - 特許庁

THIN FILM CRYSTALLINE WAFER HAVING pn JUNCTION AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

ｐｎ接合を有する薄膜結晶ウェーハとその製造方法 - 特許庁

THIN FILM CRYSTAL WAFER HAVING pn JUNCTION AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

ｐｎ接合を有する薄膜結晶ウエハ及びその製造方法 - 特許庁

To provide a highly reliable semiconductor element in which a PN junction and a Schottky junction are arranged adjacently.例文帳に追加

ＰＮ接合とショットキ接合とが隣接した、信頼性の高い半導体素子を提供する。 - 特許庁

The electron emitter comprises a PN junction 12, a conductive layer 32, and a dielectric layer 30 interposed between the PN junction 12 and the conductive layer 32, and the PN junction 12 has a nearly flat surface, and the conductive layer 32 covers the nearly flat surface of the PN junction 12.例文帳に追加

ＰＮ接合１２と、導電層３２と、前記ＰＮ接合１２と前記導電層３２との間に挟まれた誘電体層３０を備える様にし、ＰＮ接合12は、ほぼ平坦な表面を有し導電層32はＰＮ接合12のほぼ平坦な表面を覆うようにする。 - 特許庁

To prevent deterioration of an electrical insulation property of a PN junction part caused by impingement of light on the PN junction part, in a photoconductive type imaging device using a field emission type negative electrode having a PN junction part.例文帳に追加

ＰＮ接合部を有する電界放出型陰極を用いた光導電型撮像装置において、ＰＮ接合部に光が当たることによってＰＮ接合部の電気的絶縁性が劣化するのを防止する。 - 特許庁

PN-JUNCTION COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE AND METHOD OF PRODUCING SAME例文帳に追加

ｐｎ接合型化合物半導体発光素子、及びその製造方法 - 特許庁

When the semiconductor layers 10 and 20 form a pn junction J50a, leakage current occurring at the pn junction J50a is extremely small because the pn junction J50a exists near an edge of the silicide layer 20s and at a location having less crystal defect.例文帳に追加

半導体層１０，２０がｐｎ接合Ｊ５０ａを形成する場合、これはシリサイド層２０ｓの端部から近く、結晶欠陥が小さい位置に存在するので、ここにおけるリーク電流は非常に小さい。 - 特許庁

To provide a micro-heater array and a pn junction forming method capable of forming pn junction into the large area by forming the high-quality pn junction on an inexpensive and easily preparatory substrate such as a glass substrate.例文帳に追加

ガラス基板などの低価で且つ用意し易い基板上に高品質のｐｎ接合を形成することができ、ｐｎ接合を大面積化することができるマイクロヒーターアレイ及びｐｎ接合の形成方法を提供する。 - 特許庁

Furthermore, the pn junction has an inactivation layer adjacent to the edge area.例文帳に追加

さらに、ｐｎ接合が、エッジ面に隣接した不活性化層を有する。 - 特許庁

In this structure, an area of the pn-junction is reduced.例文帳に追加

このような構造では、ｐｎ接合面の面積が小さく抑えられる。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF COMPOUND SEMICONDUCTOR EPITAXIAL SUBSTRATE HAVING PN JUNCTION例文帳に追加

ｐｎ接合を有する化合物半導体エピタキシャル基板の製造方法 - 特許庁

The Ge density of the SiGe layer 24 is made small near to a PN junction 23.例文帳に追加

ＳiＧe層２４のＧe濃度をＰＮ接合２３に近い程小さくする。 - 特許庁

To provide a pn junction photovoltaic device of photo-conductive organic semiconductor, that is, an organic solar cell, where a light irradiating the solar cell is much absorbed by an active zone near a pn junction, and the solar cell is made low in internal resistance.例文帳に追加

太陽電池セルで、照射した光がｐｎ接合近傍の活性域で多く吸収され、かつ、内部抵抗が低くなるようにする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a planer semiconductor PN junction device.例文帳に追加

本発明は、プレーナ半導体ＰＮ接合デバイスを作る方法に向けられる。 - 特許庁