「PN junction」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

To inhibit the generation of an electric fault when a pn junction and a non-doped region in a gate polysilicon film are reduced and the disconnection of a silicide film arises.例文帳に追加

ゲートポリシリコン膜中のＰＮ接合部やノンドープ領域を少なくしてシリサイド膜の断線が生じたときの電気的な不良の発生を抑制する。 - 特許庁

In this manner, the n-conductive carbon nanowall 81 is joined to the p-conductive carbon nanowall 82 for forming a pn junction, and a diode is formed.例文帳に追加

このようにして、ｎ伝導型カーボンナノウォール８１とｐ伝導型カーボンナノウォール８２との接合によりｐｎ接合を形成して、ダイオードを形成した。 - 特許庁

When the gate is off, a positive voltage is applied to the contact of the resistors 31 and 32, and the pn junction of the source 21 and the drain 22 and the well is turned to reverse bias.例文帳に追加

このゲートオフ時に、抵抗３１、３２の接点に正電圧を印加し、ソース２１及びドレイン２２とウェルとのＰＮ接合を逆バイアスとする。 - 特許庁

By applying a voltage on the metal pattern of the microheater to heat the metal pattern, the pn junction is formed between the metal pattern and conductive layer.例文帳に追加

マイクロヒーターの金属パターンに電圧を印加して金属パターンを加熱することで、金属パターンと導電層との間にｐｎ接合を形成することができる。 - 特許庁

A bias electrode 4 where a prescribed voltage (a voltage that reversely biases a PN junction or a ground potential) is applied is connected to the second impurity region 3.例文帳に追加

第２不純物領域３上に、所定電圧（ｐｎ接合を逆バイアスする電圧または接地電位）が印加されるバイアス電極４が接続されている。 - 特許庁

In this case, the insulating film 22 for injection protection does not exist in the logic region Rlogc, thus providing shallow PN junction, and hence obtaining the logic element being suitable for refining.例文帳に追加

その際、ロジック領域Ｒlogcには注入保護用の絶縁膜２２がないので、浅いＰＮ接合を有し，微細化に適したロジック素子が得られる。 - 特許庁

Various configurations of the PN junction and the N and P metal contacts for the ESD diode are described for increasing the breakdown voltage and for improving test conditions.例文帳に追加

破壊電圧を高め、試験条件を改良するための、ＥＳＤダイオード用のＰＮ接合部とＮ及びＰ金属接点の各種構成が記載されている。 - 特許庁

To provide a cheap polycrystalline silicon solar cell panel by forming a polycrystalline silicon film on which a pn junction was formed in a small number of steps and in a short time.例文帳に追加

ｐｎ接合が形成された多結晶シリコン膜を少工程かつ短時間で形成することで、安価な多結晶型太陽電池パネルを提供する。 - 特許庁

The first conductivity type semiconductor region 3 and the second conductivity type semiconductor region 7 constitute a pn junction mutually in a periphery of the active layer 5.例文帳に追加

第１導電型半導体領域３と第２導電型半導体領域７とは、活性層５の周囲において互いにｐｎ接合を構成している。 - 特許庁

According to this invention, since the pillar-shaped pn junction diode and the recording layer PC are formed in a self-aligned manner, the integration degree can be enhanced.例文帳に追加

本発明によれば、ピラー状のｐｎ接合ダイオードと記録層ＰＣが自己整合的に形成されることから、集積度を高めることが可能となる。 - 特許庁

The pn junction is formed by utilizing the microheater including the substrate 10, a conductive layer 20 on the substrate, and the metal pattern 30 separated from the substrate.例文帳に追加

ｐｎ接合は、基板１０、基板上の導電層２０、及び基板と離間した金属パターン３０を含むマイクロヒーターを利用して形成されうる。 - 特許庁

Since the GaAs layer 106 is semi-insulating, even if the p-type diffused region 107 is made, pn junction is not made in the vicinity of the surface of the substrate.例文帳に追加

ＧａＡｓ層１０６が半絶縁性なので、ｐ型拡散領域１０７を形成しても、基板表面付近にはｐｎ接合が形成されない。 - 特許庁

To prevent shift of pn junction and prevent deterioration of crystal quality of optical layer by using Se or S as the dopant at the time of growth of lower guide layer and using Si as the dopant at the time of growth of upper guide layer.例文帳に追加

ｐｎ接合のシフトがなく、かつ高品質の発光層を有する半導体レーザの半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Next, after the pn junction is divided with the dicing process, the etching process is conducted using the etchant formed of the mixtured liquid of sulphuric acid + aqueous solution of hydrogen peroxide + water.例文帳に追加

次に前記ｐｎ接合をダイシングにより分断後、硫酸＋過酸化水素水＋水の混合液よりなるエッチング液を用いてエッチング処理する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which an avalanche breakdown is stably generated in a pn junction when a breakdown voltage is applied, and to provided a method of manufacturing the same.例文帳に追加

降伏電圧が印加されたときにｐｎ接合になだれ降伏が安定して生じる半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

Trench gate power MOSFET comprises an area which is strongly doped in a body area where a drain and a PN junction diode are formed in the center of a cell.例文帳に追加

トレンチゲートパワーＭＯＳＦＥＴが、セルの中央でドレインとＰＮ接合ダイオードを形成するボディ領域に強度にドーピングされた領域を含む。 - 特許庁

This configuration facilitates destruction of pn junction using alloy spikes in writing and also extremely improves current characteristics after writing of the anti-fuse element.例文帳に追加

この構成によって、書き込み時にアロイスパイクによるＰＮ接合の破壊が容易になり、アンチヒューズ素子の書込み後の電流特性も著しく向上する。 - 特許庁

The extending part (5b) of the first electrode (5) forms a field plate for satisfactorily relaxing an electric field convergence occurring at a curved part of its under PN junction.例文帳に追加

第１の電極(5)の延長部(5b)は、その下側のＰＮ接合の曲部に起こる電界集中を良好に緩和するフィールドプレートを形成する。 - 特許庁

A p-type semiconductor region 11 is formed on one side of pn junction, and an n-type semiconductor region 12 is formed on the other side.例文帳に追加

ｐｎ接合の一方の側にはｐ型半導体領域１１が形成されており、他方の側にはｎ型半導体領域１２が形成されている。 - 特許庁

With such a structure, breakdown current is prevented from concentrating on the PN junction region 19 and a semiconductor element can be protected against overvoltage.例文帳に追加

この構造により、ブレークダウン電流が、ＰＮ接合領域１９に集中することを防止し、過電圧から半導体素子を保護することができる。 - 特許庁

Each of the drift semiconductor regions 32 and 33 is disposed on the principal plane of the drain semiconductor section 2, and includes a pn junction extended along a face crossing the principal plane.例文帳に追加

ドリフト半導体領域３２，３３は、ドレイン半導体部２の主面上に設けられ、主面に交差する面に沿って延びるｐｎ接合を有する。 - 特許庁

In the base body having the first doping, a pn junction is formed by means of a contact region having a second doping with a first doping profile.例文帳に追加

第１ドーピングを有するベース体に、ｐｎ接合が、ドーピング第１輪郭線をもって第２ドーピングを有する接触領域により形成される。 - 特許庁

The aspect ratio of the trench 2 is greater than 1 and a pn junction of the n^+-silicon substrate 1 and the p-type silicon layer 3 is present inside the trench 2.例文帳に追加

トレンチ２はアスペクト比が「１」より大きく、トレンチ２の内面においてＮ^＋シリコン基板１とＰ型シリコン層３とのＰＮ接合を有している。 - 特許庁

AN n+ diffusion layer 16 is formed on the second element region 15, and the n+ diffusion layer 16 and a substrate 11 constitute a pn junction diode.例文帳に追加

第２の素子領域１５上には、ｎ＋拡散層１６が形成されており、ｎ＋拡散層１６と基板１１とは、ｐｎ接合ダイオードを構成する。 - 特許庁

To improve efficiency in a non-single crystal thin-film solar battery having a pin or pn junction that is made of an amorphous thin film containing a microcrystal phase.例文帳に追加

微結晶相を含む非晶質薄膜からなるｐｉｎまたはｐｎ接合を有する非単結晶薄膜太陽電池において、効率の向上を図る。 - 特許庁

The regions of the first principal surface 1a and the second principal surface 1b of the n^--type semiconductor substrate 1 which are opposed to the pn junction are optically exposed.例文帳に追加

ｎ^−型半導体基板１の第１主面１ａ及び第２主面１ｂにおけるｐｎ接合に対向する領域は、光学的に露出している。 - 特許庁

A pn junction 15 composed of a p-channel organic semiconductor layer 12 and an n-channel organic semiconductor layer 14 is sandwiched between electrodes 16 and 18.例文帳に追加

電極１６，１８の間にｐ型有機半導体層１２とｎ型有機半導体層１４とからなるｐｎ接合１５が挟み込まれて形成されている。 - 特許庁

Consequently, the semiconductor device can be obtained which can suitably control carrier lifetime by preventing significant variation in withstand voltage characteristic of the pn junction diode.例文帳に追加

これにより、ダイオードのｐｎ接合の耐圧特性の変化を小さく抑え、最適なキャリアライフタイムの制御が可能な半導体装置を得ることができる。 - 特許庁

To greatly reduce damage by electrostatic discharge by letting a breakdown current flow along the bottom surface of a large-area pn junction with the manufacturing process not growing too sophisticated.例文帳に追加

製造工程が煩雑にならず、面積が広いＰＮ接合の底面部に降伏電流を流すことで静電破壊を大幅に抑制する。 - 特許庁

In addition, the concentration of the center 221 is higher than that of a side 222 close to a junction surface with the p-type semiconductor area 210 of the parallel pn junction layer 2, with respect to an impurity concentration in the horizontal direction in the n-type semiconductor area 220.例文帳に追加

また、ｎ型半導体領域２２０内の横方向の不純物濃度に関しても、中央部２２１の濃度を、ｐ型半導体領域２１０との接合面に近い側部２２２の濃度よりも高くする。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of zinc oxide nanostructure capable of forming a steric structure of zinc oxide nanostructure and a pn junction between zinc oxide nanostructures, and its junction method.例文帳に追加

酸化亜鉛ナノ構造体の立体構造を形成すると共に、酸化亜鉛ナノ構造体同士のｐｎ接合を形成することが可能な酸化亜鉛ナノ構造体の製造方法及びその接合方法を提供する。 - 特許庁

Thus, a pn junction between the n well 1 and the p^+ diffusion region 2 and that between the n well 1 and the p^+ diffusion region 3 operate as the pn varactor whose capacitance changes by the control voltage VT.例文帳に追加

これにより，ｎウェル１とｐ^+ 拡散領域２との間のｐｎ接合と，ｎウェル１とｐ^+ 拡散領域３との間のｐｎ接合とがともに，制御電圧ＶＴによりキャパシティが変化するｐｎバラクタとして動作する。 - 特許庁

When Cu wires 36 and 37 connected to pn junctions are formed in a chip formation region of a semiconductor wafer 1, first and second Cu electrodes 38 and 39 connected to the pn junction are also formed in a TEG region.例文帳に追加

半導体ウエハ１のチップ形成領域に、ｐｎ接合に接続されたＣｕ配線３６、３７を形成する際、ＴＥＧ領域にもｐｎ接合に接続された第１Ｃｕ電極３８、および第２Ｃｕ電極３９を形成する。 - 特許庁

The semiconductor light emitting element constituted by including a ZnO semiconductor includes a structure for blocking current by a reversely biased pn junction, in such a manner that a current block region of the reversely biased pn junction has an ionization impurity concentration of 5×10^17 to 5×10^20 cm^-3.例文帳に追加

ＺｎＯ系半導体を含んで構成された半導体発光素子であって、逆バイアスされたｐｎ接合によって電流をブロックする構造を有し、前記逆バイアスされたｐｎ接合の電流ブロック領域が５×１０^１７〜５×１０^２０ｃｍ^−３のイオン化不純物濃度を有する。 - 特許庁

The protection diode includes: a p-type semiconductor region; an n-type semiconductor region; and the pn-junction interface on which the p-type semiconductor region and the n-type semiconductor region abut each other, wherein recesses and protrusions of the p-type semiconductor region and the n-type semiconductor region are alternatively arranged along the extending direction of the pn-junction interface.例文帳に追加

保護ダイオードは、ｐ型半導体領域と、ｎ型半導体領域と、ｐ型半導体領域およびｎ型半導体領域が当接するｐｎ接合面とを有し、ｐ型半導体領域およびｎ型半導体領域はそれぞれ、ｐｎ接合面の延在方向に沿って凹部と凸部が交互に配置される。 - 特許庁

When outputting the effective pixel 802 existing in a second region in a periphery of the effective pixel 802 and not having the vertical structure of PN junction, the photometric sensor 208 performs black level correction using an output signal of a non-vertical structure light shielding pixel region 804 having no vertical structure of PN junction.例文帳に追加

また、測光センサ２０８は、有効画素８０２の周囲の第２の領域にあり前記ＰＮ接合の縦構造を有しない有効画素の信号を出力する際、同じくＰＮ接合の縦構造を有しない非縦構造遮光画素領域８０４の出力信号を用いて黒レベル補正を行う。 - 特許庁

A multi-dimensional simulation is performed to an objective region being part of the semiconductor device including at least of pn-junction by using the one-dimensional simulation value to calculate an edge position of the depleted layer based on the one-dimensional simulation value inside the objective region when the pn junction is reverse biased.例文帳に追加

少なくとも１つのｐｎジャンクションを含む半導体装置の一部である対象領域について、一次元シミュレーション値を用いて多次元シミュレーションを行って、対象領域内のｐｎジャンクションを逆バイアスしたときの対象領域内部における一次元シミュレーション値に基づく空乏層のエッジ位置を算出する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a super junction semiconductor device having a super junction structure including parallel pn layers, that can be manufactured at low cost with improved production efficiency by reducing thermal diffusion time and the number of steps needed for making the parallel pn layers serving as drift layers successive impurity diffusion regions.例文帳に追加

ドリフト層となる並列ｐｎ層を連続する不純物拡散領域とするために必要な工程回数および熱拡散時間を削減して生産効率を改善し、低コストで製造できる並列ｐｎ層を含む超接合構造を有する超接合半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

A nitride semiconductor solar cell includes: a first semiconductor layer 102 comprising a III-V nitride semiconductor and including a first pn junction; and a second semiconductor layer 104 comprising a III-V nitride semiconductor and including a second pn junction different in bandgap from the first semiconductor layer 102.例文帳に追加

窒化物半導体太陽電池は、III-Ｖ族窒化物半導体からなり、第１のｐｎ接合を含む第１の半導体層１０２と、III-Ｖ族窒化物半導体からなり、第１の半導体層１０２とは禁制帯幅が異なる第２のｐｎ接合を含む第２の半導体層１０４とを有している。 - 特許庁

This metal wiring 14 is provided at its end above the pn junction portion so as to coat the pn junction portion (an interface between the p^--type well layer 12c and the n^+-type semiconductor region 12d) exposed to the light incident surface of the semiconductor substrate 12 (p^--type well layer 12c), and exhibits a lattice shape.例文帳に追加

この金属配線１４は、その端部が半導体基板１２（Ｐ−型ウエル層１２ｃ）の光入射面に露出するｐｎ接合部分（Ｐ−型ウエル層１２ｃとＮ＋型半導体領域１２ｄとの界面）を覆うように当該ｐｎ接合部分の上方に設けられており、格子形状を呈している。 - 特許庁

Since a depletion layer being formed along the PN junction (11) is formed widely toward the inside of the second semiconductor region (2) having a relatively low concentration, the concentration of electric field to the side part junction face (11b) side can be mitigated from the bottom part junction face (11a) to the major surface (8).例文帳に追加

ＰＮ接合（１１）に沿って形成される空乏層が、比較的低濃度の第２の半導体領域（２）内に向かって幅広に形成され、底部接合面（１１ａ）から主面（８）まで側部接合面（１１ｂ）側での電界集中を良好に緩和することができる。 - 特許庁

To simplify the manufacturing process of an optical sensor, by forming the PN junction regions of the regions of its photodetectors simultaneously with the formations of the impurity regions present below the field regions after forming thick oxide films in the field regions.例文帳に追加

PN接合領域による光電変換を行う方式の光センサは、受光素子及び周辺回路の集積化が容易、周辺回路となるMOSトランジスタを形成する製造プロセスとのコンパチビリティが良いなど応用範囲が広く有望な技術である。 - 特許庁

By performing an operation for detected currents by the plurality of (first to third) light receiving pn junction diodes D1 to D3, there is formed on the semiconductor substrate 1 the arithmetic circuit for detecting light at wavelengths corresponding to the pn junctions of the different depths.例文帳に追加

そして、複数個の受光用ｐｎ接合ダイオードＤ１〜Ｄ３の検出電流を演算することにより異なる深さのｐｎ接合に対応する波長の光を検出する演算回路が半導体基板１上に形成されている。 - 特許庁

To isolate a PN junction without being affected by the impurity concentration and thickness of a channel forming layer and to prevent a leakage current from increasing to improve the channel forming layer in reliability.例文帳に追加

素子チャネル形成層を、その不純物濃度や厚さの影響を受けずにｐｎ接合分離し、またリーク電流の増大を防止して信頼性を向上させる。 - 特許庁

To deter light corrosion when a semiconductor device in such a state that a conductor which is electrically connected through a pn junction is exposed is treated with chemicals.例文帳に追加

ｐｎ接合を介して電気的に接続する導電体が露出する状態の半導体装置に対して薬液処理を行う際、光コロージョンの発生を抑制する。 - 特許庁