「PN junction」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

To clarify the effects of parameters and to facilitate the mass production of a super-junction semiconductor element, which has a drift layer composed of a parallel pn-layer that conducts electricity in the ON state and is depleted in the OFF state.例文帳に追加

オン状態では電流を流すとともに、オフ状態では空乏化する並列ｐｎ層からなるドリフト層を備えた超接合半導体素子において、パラメータの影響を明らかにし、量産化を容易にする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device where breakdown voltage is improved on the side of a pn junction between a punch-through preventing region and a drain offset region just below a gate electrode, and to provide a manufacturing method of the device.例文帳に追加

本発明の課題は、ゲート電極直下のパンチスルー防止領域とドレインオフセット領域とのＰＮ接合面の耐圧を向上させた半導体装置およびその製造方法を提供することである。 - 特許庁

The photoelectric converting device equipped with a photoelectric converting element and a logarithmic conversion part which converts a signal from the photoelectric converting element into a voltage proportional to a logarithm by using a diode characteristic of a PN junction is characterized in that the PN junction of the logarithmic conversion part is formed of two terminals among the emitter, base, and collector of a bipolar transistor and the remaining one terminal is connected to a semiconductor substrate.例文帳に追加

光電変換素子と、ＰＮ接合のダイオード特性を用いて前記光電変換素子からの信号を対数に比例した電圧に変換する対数変換部とを備えた光電変換装置において、前記対数変換部のＰＮ接合をバイボーラトランジスタのエミッタ、ベース、コレクタの内のいずれか２つの端子により形成し、残り一つの端子が半導体基板に接続されている事を特徴とする光電変換装置を提供する。 - 特許庁

When the light receiving element 55 is obtained by, for instance, a semiconductor light receiving element, the optical beams of the first to third wavelength can be surely received, respectively, in the light receiving regions by forming the light receiving regions so that dimensions such as the junction depth of pn junction become dimensions corresponding to respective wavelengths.例文帳に追加

受光素子５５が、たとえば半導体受光素子によって実現される場合、ｐｎ接合の接合深さなどの寸法が各波長に応じた寸法になるように、受光領域を形成することによって、第１〜第３波長の光ビームを、各受光領域でそれぞれ確実に受光することができる。 - 特許庁

In a coaxial collector electrode structure of power generation diodes of a coaxial solar cell, an exposure type light receiving layer with a circular thickness directly receives hole-electron pairs based on the excitation action of incident light, a radius formed by a PN junction surface drives a built-in electric field and holes are drifted to coaxial inner and outer diodes by an equal-distance route.例文帳に追加

本発明に係る同軸太陽電池発電ダイオードの同軸集電極構造は環状などの厚さの暴露式受光層が直接に入射光の励起作用によるホール・エレクトロンペアを受け、PN接合面によって形成した半径が内蔵電場を駆動し等距離経路により同軸の内外ダイオードにドリフトするようになる。 - 特許庁

For increase of Vbase_bias, and V_LVDO due to control of Vapc, a base-to-collector voltage of a transistor Q1 in the final stage is set lower than turn-on voltage in the forward direction of an equivalent diode D1 of the PN junction between the base and collector.例文帳に追加

Ｖａｐｃの制御によるＶｂａｓｅ＿ｂｉａｓ、Ｖ_ＬＶＤＯの増大に際して、最終段トランジスタＱ１のベース・コレクタ間電圧がベース・コレクタ間ＰＮ接合の等価的ダイオードＤ１の順方向ターンオン電圧よりも低く設定されている。 - 特許庁

When Vapc further increases, increase of Vbase_bias is saturated and V_LVDO monotonously increases, and PN junction between the base and collector of Q1 is biased in the backward direction and the transistor Q1 conducts the RF power amplifying operation with a large amplification factor.例文帳に追加

Ｖａｐｃが更に増加するとＶｂａｓｅ＿ｂｉａｓの増加が飽和する一方、Ｖ_ＬＶＤＯは単調に増加してＱ１のベース・コレクタ間ＰＮ接合は逆方向バイアスされ、Ｑ１は大きな増幅率でのＲＦ電力増幅動作を行う。 - 特許庁

To provide a light-emitting diode that is a pn-junction-type light-emitting diode, has improved takeout efficiency of emitted light to the outside, can prevent the short-circuiting circulation of an element drive current between electrodes, and has an improved electrostatic withstand voltage.例文帳に追加

ｐｎ接合型発光ダイオードにあって、発光の外部への取り出し効率に優れ、且つ、電極間の素子駆動電流の短絡的な流通を防止できる、静電耐圧の向上した発光ダイオードを提供する。 - 特許庁

An undesired pn junction formed between the body extended part and the source region of the driver transistor is electrically coupled by forming a silicide or overetching a VSS contact to form a conductive contact plug.例文帳に追加

ボディー延長部とドライバトランジスタのソース領域との間に形成された所望しないＰＮ接合はシリサイドを形成するか、またはＶ_SSコンタクトを過度エッチングして導電性コンタクトプラグを形成することによって、電気的に連結させる。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor storage device which avoids decrease in an operation speed and increase in power consumption due to increase in pn junction capacitance composed of a source/drain region in a MOS transistor of a constant-voltage logic circuit unit.例文帳に追加

定電圧ロジック回路部のＭＯＳトランジスタのソース・ドレイン領域が構成するｐｎ接合容量の増大に伴う動作速度の低下および消費電力の増大を回避する不揮発性半導体装記憶置を提供する。 - 特許庁

To protect a pn junction formed at an interface between the adjacent first conductor layer 101 and the second conductor layer 102, an insulating film 103 is so formed on a side wall 104 as to coat an end 31.例文帳に追加

隣接した第１導電体層１０１および第２導電体層１０２の界面に形成されたＰＮ接合を保護するため、端部３１を被覆するように絶縁膜１０３が側壁１０４上に形成されている。 - 特許庁

To provide a GaN-based LED chip excellent in light extracting efficiency which can be configured by subsequently laminating an n-type layer and a p-type layer on a substrate to form a laminate structure including a light emitting portion of pn-junction type.例文帳に追加

基板上にｎ型層とｐ型層を順次積層してｐｎ接合型の発光部を含む積層構造体を形成することにより構成される、光取出し効率に優れたＧａＮ系ＬＥＤチップを提供すること。 - 特許庁

To prevent an increase in a leakage current and deterioration in a withstand voltage caused by the exposure of a pn junction in a semiconductor device, having a drift layer where adjacent impurities are at low concentration and a high-concentration layer where impurities are at high concentration.例文帳に追加

隣接する不純物が低濃度のドリフト層及び不純物が高濃度の高濃度層を有する半導体装置において、ｐｎ接合の露出によるリーク電流の増大及び耐圧の劣化を防ぐことである。 - 特許庁

To provide a method of growing a compound semiconductor crystal, with which an n-type ZnTh-family substance doped at up to a high concentration is grown and a pn junction in a ZnTh substance is easily formed, and an optical semiconductor device thereby.例文帳に追加

高濃度までのｎ型ＺｎＴｅ系物質を成長することができ、ＺｎＴｅ系物質のｐｎ接合を容易に形成することができる化合物半導体の結晶成長方法及び光半導体装置を提供する。 - 特許庁

To eliminate the variation of the state of a PN junction caused by the positioning deviation of an implantation mask when forming an N-type region and a P-type region adjacent to each other in the semiconductor layer of an SOI substrate by an ion implantation method.例文帳に追加

ＳＯＩ基板の半導体層に互いに隣接するＮ型領域及びＰ型領域をイオン注入法によって形成する際に、注入マスクの位置合わせずれに起因するＰＮ接合の状態の変動をなくす。 - 特許庁

A p-type area 105 with diffused Zn is formed penetrating the n-InP window layer 104, thereby forming a pn junction in the n-InGaAs optical absorption layer 103 or adjacent thereto and making the area 105 as a light receiving part.例文帳に追加

Ｚｎが拡散されたｐ型領域１０５を、ｎ−ＩｎＰ窓層１０４を貫通する様に形成する事で、ｎ−ＩｎＧａＡｓ光吸収層１０３中あるいは近傍にｐｎ接合が形成され、受光部となる。 - 特許庁

In a MOS transistor, a pn junction diode is formed by source and drain regions, and an impurity region formed adjacent to a channel region by adding an impurity element having a polarity reverse to that of the source and drain regions.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタにおいて、ソース領域及びドレイン領域と、ソース領域及びドレイン領域とは逆極性の不純物元素を添加してチャネル領域に隣接して形成した不純物領域と、でＰＮ接合ダイオードを形成する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor substrate having a parallel pn junction structure in which the semiconductor substrate having a device formation surface with good crystallinity and high flatness can be manufactured while preventing contamination of the substrate.例文帳に追加

結晶性が良く、平坦度の高いデバイス形成面を有する半導体基板を汚染を防止しながら製造することができる並列ｐｎ接合構造を有する半導体基板の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The light-emitting device is provided in which, for example, an n-type region and a p-type region formed by an ion implantation method constitute a pn junction on an insulating layer buried type semiconductor silicon carbide substrate.例文帳に追加

絶縁層埋め込み型半導体炭化珪素基板上に、例えば、イオン注入法で形成されたｎ型領域とｐ型領域が、該炭化珪素基板上でｐｎ接合を構成していることを特徴とする発光デバイス。 - 特許庁

Gate voltage can be increased because a pn junction produced by two-dimensional electron gas generated at an interface between the undoped AlGaN layer 104 and the undoped GaN layer, and the p-type GaN layer 105 is formed in a gate region.例文帳に追加

アンドープＡｌＧａＮ層１０４とアンドープＧａＮ層との界面で発生する２次元電子ガスとｐ型ＧａＮ層１０５とによって生じるｐｎ接合がゲート領域に形成されるのでゲート電圧を大きくすることができる。 - 特許庁

To suppress that resistance of wiring becomes high in disconnection in a pn junction border of a metal silicide film without interrupting high integration by thickening wiring width of wiring in a gate electrode having the metal silicide film including impurity.例文帳に追加

不純物を含む金属シリサイド膜を有するゲート電極等の配線の配線幅を太くしたりして高集積化を妨げることなく、金属シリサイド膜のＰＮ接合境界における断線による配線の高抵抗化を抑制する。 - 特許庁

To provide a method for detecting the position of a metallurgical PN junction in the semiconductor substrate of a micro semiconductor device by predicting and controlling the device characteristics of a transistor precisely and performing failure analysis of a specific part.例文帳に追加

トランジスタ等のデバイス特性を精確に予測、制御し、特定部位の不良解析を行うことが可能な、微細な半導体デバイスにおける半導体基板内の冶金学的なＰＮ接合位置を検出する方法を提供する。 - 特許庁

The depth of the grooves 10, formed by the laser beam 9, is set at the thickness of the substrate 2 or 30% or more and 95% or less of the thickness starting from the backside of the substrate 2 to a PN junction 6 in the semiconductor layers.例文帳に追加

前記レーザー光９によって形成する溝１０の深さを、前記基板２の厚さ、または前記基板２の裏面から前記半導体層のＰＮ接合部６までの厚みの３０％以上９５％以下とした。 - 特許庁

Between the semiconductor layer of each semiconductor photoelectric conversion unit and a conductive transparent intermediate layer, a semiconductor of the conductivity type opposite to that of the semiconductor layer of each semiconductor photoelectric conversion unit is provided to form a pn reverse junction portion.例文帳に追加

半導体光電変換ユニットの半導体層と、導電性の透明中間層との間に、この半導体光電変換ユニットの半導体層と逆の導電性を示す半導体を介在させ、ｐｎ逆接合部を形成する。 - 特許庁

Consequently, portions where voltage dependency of the width of a depletion layer are high and low, respectively, can be provided at the pn junction of the constant voltage diode formed of the p^++-type semiconductor region 3 and the n-type semiconductor region 2.例文帳に追加

これにより、ｐ^＋＋型半導体領域３とｎ型半導体領域２とで形成される定電圧ダイオードのｐｎ接合部に空乏層幅の電圧依存性が大きい箇所と少ない箇所とを設けることができる。 - 特許庁

A current passing through the P-type region 7b in the periphery of the channel is controlled by a PN junction formed by the first and second N-type regions and the P-type source region 14 so as to stabilize the characteristics of the PMOSTFT.例文帳に追加

第１および第２のＮ型領域とＰ型であるソース領域１４に形成されるＰＮ接合によってチャネル部周辺のＰ型領域７ｂを通過する電流を抑制し、ＰＭＯＳＴＦＴの特性を安定化する。 - 特許庁

The heat generated at the pn junction of the ESD protective element and conducted through the contact 12 is simultaneously diffused in three directions through the first metal wiring 21 and the second metal wiring 22 in the metal layer 13 and radiated to the pad.例文帳に追加

ＥＳＤ保護素子のｐｎ接合部で発生し、コンタクト１２を伝導してきた熱は、金属層１３において第１金属配線２１と第２金属配線２２を通って３方向に同時に拡散され、パッドに放熱される。 - 特許庁

A body contact diode region 13 constituting a diode structure where the body contact region 12 and the n-type semiconductor layer 3 form a pn junction, and an MOSFET region 14 where MOSFET structure is formed are also provided.例文帳に追加

ボディコンタクト領域１２とｎ形半導体層３とでｐｎ接合が形成されたダイオード構造を構成するボディコンタクトダイオード領域１３と、ＭＯＳＦＥＴ構造が構成されたＭＯＳＦＥＴ領域１４とを有する。 - 特許庁

As for a semiconductor device as a diode, a dam groove (16) having depth does not reach the pn junction of semiconductor areas (2-4) is circularly formed on one main surface (1a) of a semiconductor substrate (1) between the mesa groove (5) and a cathode electrode layer (6).例文帳に追加

本発明による半導体装置としてのダイオードは、メサ溝(5)とカソード電極層(6)との間の半導体基体(1)の一方の主面(1a)に各半導体領域(2〜4)のＰＮ接合部に達しない深さのダム溝(16)を環状に形成する。 - 特許庁

After the thermal diffusion, when etching performs a pn junction isolation by using a substrate surface treatment apparatus, the semiconductor substrate 1 is installed in a conveyance roller 6 so that the upper side 7 of the semiconductor substrate 1 may turn to the up-stream conveyance direction.例文帳に追加

熱拡散後、基板表面処理装置を使用して、ｐｎ接合分離をエッチングによって行うとき、半導体基板１の上辺７が搬送方向上流側に向くように、半導体基板１を搬送ローラ６に設置する。 - 特許庁

The current flowing through the P-type region 7b around the channel region is suppressed by a PN junction formed in the first and second N-type regions and the source region 14, which is P-type to make the characteristics of the PMOSTFT stable.例文帳に追加

第１および第２のＮ型領域とＰ型であるソース領域１４に形成されるＰＮ接合によってチャネル部周辺のＰ型領域７ｂを通過する電流を抑制し、ＰＭＯＳＴＦＴの特性を安定化する。 - 特許庁

Channels of first through fourth transistors are formed perpendicular to the substrate of the semiconductor memory device and the semiconductor regions forming the sources or drains of the fifth and sixth transistors form a PN junction with respect to the substrate.例文帳に追加

第１乃至第４トランジスタのチャネルは、半導体記憶デバイスの基板に対して垂直に形成され、第５及び第６トランジスタのソース又はドレインを形成する半導体領域は、それぞれ基板に対してＰＮ接合を形成する。 - 特許庁

The photosensor circuit comprises a PN junction photodiode or phototransistor outputting a voltage signal exhibiting logarithmical voltage- current characteristics in a microcurrent region and varying logarithmically depending on the quantity of incident light.例文帳に追加

微小電流領域での電圧−電流特性が対数特性を示し、入射光量に応じて対数的に変化する電圧信号を出力するＰＮ接合によるフォトダイオードまたはフォトトランジスタを用いて光センサ回路を構成する。 - 特許庁

The solar cell includes a substrate having a pn junction and the calcined silver electrode provided on the substrate, wherein from the calcined silver electrode, at least a part of the surface layer is removed.例文帳に追加

本発明の太陽電池セルは、ｐｎ接合を有する基板と、前記基板上に設けられた焼成銀電極とを備え、前記焼成銀電極は、その表面層の少なくとも一部が除去されていることを特徴とする。 - 特許庁

To obtain a semiconductor device with a pn junction diode incorporated thereinto so as to be capable of detecting the temperature of a transistor element provided in an SOI (silicon on insulator) layer surrounded by trench separation on an SOI substrate upon operation with excellent sensitivity and response.例文帳に追加

ＳＯＩ基板におけるトレンチ分離で囲まれた１つのＳＯＩ層に設けるトランジスタ素子の動作時温度を感度良くかつ応答性良く検出できるようにＰＮ接合ダイオードを組み込んだ半導体装置を得ること。 - 特許庁

The pn junction diode 22a for temperature detection is formed with an n-type diffusion layer 21 formed in the p-type diffusion layer 20 as a cathode region, and a P^+ diffusion layer 19b formed in the n-type diffusion layer 21 as an anode region.例文帳に追加

温度検出用ＰＮ接合ダイオード２２ａは、Ｐ型拡散層２０内に形成されるＮ型拡散層２１をカソード領域とし、Ｎ型拡散層２１内に形成されるＰ＋拡散層１９ｂをアノード領域とする。 - 特許庁

The semiconductor element includes a semiconductor nano-wire 1 having a first region 7 provided with pn junction or pin junction, and a second region 8 provided with a field effect transistor structure; a pair of electrodes (2, 3) to be connected to both ends of the semiconductor nanowire 1; and a gate electrode 4 provided on at least one part of the second region via an insulation layer 5.例文帳に追加

ＰＮ接合またはＰＩＮ接合を備える第１の領域７と、電界効果型トランジスタ構造を備える第２の領域８とを有する半導体ナノワイヤ１と、半導体ナノワイヤ１の両端に接続される一対の電極（２，３）と、第２の領域の少なくとも一部に絶縁層５を介して設けられているゲート電極４とを備えている。 - 特許庁

Since the light is incident in a direction perpendicular to a film plane of a semiconductor layer, the light reaches a pn-junction plane with sufficient intensity even if it does not advance deep into the film, hence realizing high-efficiency photoelectric conversion.例文帳に追加

光が、半導体層の膜面と垂直方向から入射されることにより、光が膜厚深いところまで進入しなくともｐｎ接合面に十分な強度で到達することができるため、効率の高い光電変換が実現できる。 - 特許庁

To provide a semiconductor, a p-type semiconductor, a semiconductor bonding element, a pn-junction element, and a photoelectric converter capable of correctly controlling at least one of a forbidden band width and a conductivity type according to the application purpose and capable of being put into practical use.例文帳に追加

禁制帯幅および導電型のうちの少なくとも一つを応用目的に応じて正確に制御できて、実用に足る、半導体、ｐ型半導体、半導体接合素子、ｐｎ接合素子、および光電変換装置を提供すること。 - 特許庁

In the accumulation mode transistor, a pn junction diode is formed by source and drain regions, and an impurity region formed adjacent to a channel region by adding an impurity element having a polarity reverse to that of the source and drain regions.例文帳に追加

蓄積モードトランジスタにおいて、ソース領域及びドレイン領域と、ソース領域及びドレイン領域とは逆極性の不純物元素を添加してチャネル領域に隣接して形成した不純物領域と、でＰＮ接合ダイオードを形成する。 - 特許庁

An infrared sensor 100 has a structure in which PN diodes for converting infrared rays absorbed by a first light absorption layer 103 and a second light absorption layer 106 into a photocurrent are connected in series by tunnel junction.例文帳に追加

本発明の赤外線センサ１００は、第１の光吸収層１０３及び第２の光吸収層１０６によって吸収された赤外線を光電流に変換するＰＮダイオードをトンネル接合によって直列接合させた構造である。 - 特許庁

In the solar cell 1 including a semiconductor substrate 2 having a pn junction, and an aluminum electrode 6 formed on the backside of the semiconductor substrate, the thickness at the corner of the aluminum electrode is thinner than the thickness at other parts of the aluminum electrode.例文帳に追加

ｐｎ接合を有する半導体基板２と、半導体基板の裏面に形成されたアルミニウム電極６とを備えた太陽電池１において、アルミニウム電極のコーナ部の厚みが、他の箇所のアルミニウム電極の厚みよりも薄い太陽電池である。 - 特許庁

To provide a solar cell having superior photoelectric conversion efficiency equipped with a bulk-heterojunction type organic thin film, having a pn junction interface of nanometer order which can be easily formed, regardless of the combination of a p-type material and an n-type material.例文帳に追加

ｐ型材料とｎ型材料の組み合わせにかかわらず容易に形成することができる、ナノメートルオーダーのｐｎ接合界面を有するバルクヘテロ接合型の有機薄膜を備える光電変換効率に優れた太陽電池を提供すること。 - 特許庁

Since a pn interface is formed not by hetero-junction with different kind semiconductor material like the conventional case but by homojunction with ZnO based semiconductor of the i-type ZnO light emitting layer 2 and the n-type ZnO layer 3, hole injection efficiency is high.例文帳に追加

また、従来例のような異種半導体材料とのヘテロ接合ではなく、ｉ型ＺｎＯ発光層２とｎ型ＺｎＯ層３とのＺｎＯ系半導体によるホモ接合でｐｎ界面を形成しているので、ホール注入効率が高い。 - 特許庁

By adopting gettering sites using ion doping at the same time, impurity elements such as heavy metals can be removed from the channel formation region of a TFT (amorphous silicon) and the depletion layer region of a p-n junction, thereby enhancing the gettering capability and the gettering efficiency.例文帳に追加

さらにイオンドーピングを用いたゲッタリングサイトと併用することで、TFTのチャネル形成領域および、PN接合における空乏層領域から重金属等の不純物元素を取り除くことができ、ゲッタリング能力、ゲッタリング効率を高めることができる。 - 特許庁