「PN junction」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

A D2 formed, by connecting at least two SBDs in series, is used in place of the conventional diode having a PN junction.例文帳に追加

従来のＰＮ接合を有するダイオードに変え、ＳＢＤを少なくとも２個直列に接続したＤ２を使用する。 - 特許庁

To enlarge the area of pn junction interface by preventing the short circuit between an n-electrode and a p-type nitride semiconductor layer and reducing the area of occupation of the n-electrode, in a pn junction type nitride semiconductor element made on an insulating substrate.例文帳に追加

絶縁基板上に形成されたｐｎ接合型窒化物半導体素子において、ｎ電極とｐ型窒化物半導体層の短絡を防止すると共にｎ電極の占有面積を減少することにより、ｐｎ接合界面の面積を広げる。 - 特許庁

A pn junction formation of the n-type layer is diffused from the depth d1 to a depth d2 deeper than the depth d1, and forms a pn junction of a photodiode together with the p-type well in the depth d2.例文帳に追加

Ｎ型層のＰＮ接合形成部分は深さｄ１から当該深さｄ１よりも深いｄ２まで拡散されており、当該ＰＮ接合形成部分は深さｄ２においてＰ型ウェルとともにフォトダイオードのＰＮ接合を形成している。 - 特許庁

A diode for offsetting leak current is connected to a photo diode with pn junction, so that the pn junction backward leak current of the photo diode can be offset and noise elements conversion be also be reduced as added to signal charge through photoelectric.例文帳に追加

ＰＮ接合を有するフォトダイオードにリーク電流相殺用のダイオードを接続することで、フォトダイオードのＰＮ接合逆方向リーク電流を相殺し、光電変換による信号電荷に加算されるノイズ成分を低減する構成とする。 - 特許庁

A light-emitting diode (LED) is connected to the first PN junction diode, and a current detection threshold value substantially proportional to a difference between a forward voltage drop of the LED and a forward voltage drop of the first PN junction diode is provided.例文帳に追加

発光ダイオード（ＬＥＤ）がこの第１のＰＮ接合ダイオードに結合され、ＬＥＤの順方向電圧降下と第１のＰＮ接合ダイオードの順方向電圧降下の間における差と実質的に比例する電流検出しきい値を提供する。 - 特許庁

The substrate potential contact region 9b has a dimension L that allows a PN junction between the substrate potential region 11b and the drain region 11d to obtain an intended PN junction withstanding voltage and is arranged at a distance from the drain region 11d.例文帳に追加

基板電位用コンタクト領域９ｂは、基板電位用領域１１ｂとドレイン領域１１ｄのＰＮ接合が所望のＰＮ接合耐圧を得ることができる寸法Ｌでドレイン領域１１ｄとは間隔をもって配置されている。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device capa ble of reducing a capacity of a PN junction and improving a surge resistance.例文帳に追加

ＰＮ接合部の容量低下およびサージ耐量の向上を図ることのできる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The n-type regions 105 and the p-type regions 106 extend in the [01-1] direction of the pn junction layer 101.例文帳に追加

ｎ型領域１０５およびｐ型領域１０６は、ｐｎ接合層１０１の[０１−１]の方向に延在している。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a thermoelectric conversion element capable of highly integrating a PN junction body, and efficiently manufacturing a thermoelectric conversion element while suppressing generation of dust.例文帳に追加

ＰＮ接合体の高集積化が可能で、塵埃の発生を抑制しつつ熱電変換素子を効率よく製造する。 - 特許庁

As a result, leak current can be reduced under a state where breakdown strength at the pn junction of the constant voltage diode is set at a low level.例文帳に追加

その結果、定電圧ダイオードのｐｎ接合の耐圧を低く設定した状態で、リーク電流を低減することができる。 - 特許庁

The PN junction boundary 105 is disposed not to constitute a vertical plane relative to a direction in which the gate electrode extends.例文帳に追加

ＰＮ接合境界１０５はゲート電極の延伸方向に対して垂直面を構成しないように設けられている。 - 特許庁

Therefore, even when a voltage is applied to the PN junction part, the depletion layer 10 does not reach the interfacial potential generation part.例文帳に追加

したがって、ＰＮ接合部に電圧が印加された場合にも、空乏層１０は界面準位発生部に到達しない。 - 特許庁

To provide a semiconductor light receiving element which reduces the pn junction capacity not resulting from light reception, and is advantageous to reduce the element size.例文帳に追加

受光に起因しないｐｎ接合容量を低減し、かつ、素子の小サイズ化に有利な半導体受光素子を提供する。 - 特許庁

To provide a light emitting diode having superior productivity which can take out much light emitted nearby a pn junction.例文帳に追加

ｐｎ接合部付近で発した光の多くを外部に取り出すことができる、生産性に優れた発光ダイオードを提供する。 - 特許庁

The carrier concentration near the pn junction of the low carrier concentration p type InP layer 26 is equal to or less than 5×10^17 cm^-3.例文帳に追加

低キャリア濃度ｐ型ＩｎＰ層２６のｐｎ接合近辺のキャリア濃度は５×１０^１７ｃｍ^−３以下である。 - 特許庁

Parasitic capacitance caused by pn junction is reduced by hollowing 4 a section under the curved Si layer 5.例文帳に追加

さらに、湾曲した薄膜Ｓｉ層５の下を空洞４にすることでｐｎ接合に起因する寄生容量が低減される。 - 特許庁

A diffusion control layer 24 is provided to a part of an aperture 28 of a diffusing mask 26 in a process of form p-n junction with diffusion.例文帳に追加

拡散によりpn接合を形成する工程で、拡散マスク２６の開口部２８の一部に、拡散制御層２４を設ける。 - 特許庁

Also, carrier injection through pn junction to a channel is carried out so that the deterioration of current driving capability can be prevented.例文帳に追加

また、ＰＮ接合を介してチャネルへキャリア注入が行われるので、電流駆動能力の低下を回避することができる。 - 特許庁

A first Schottky barrier diode 21 as an unipolar device is connected in parallel to a first PN junction diode 11a as a bipolar device.例文帳に追加

バイポーラデバイスであるＰＮ接合ダイオード１１ａに、ユニポーラデバイスであるショットキーバリアダイオード２１が並列に接続されている。 - 特許庁

A semiconductor laser of a PN junction consists of the p-type base layer 13, the active layer 14 and the n-type base layer 15.例文帳に追加

ｐ型ベース層１３、活性層１４、及びｎ型ベース層１５からＰＮ接合型の半導体レーザ部分を構成する。 - 特許庁

Therefore a high speed operation is possible without an electrostatic capacitance caused by a PN junction of the silicon substrate 2 and an adjacent growing layer 22.例文帳に追加

したがって、シリコン基板２、隣接する成長層22とのＰＮ接合による静電容量がなく高速動作が可能である。 - 特許庁

A junction forming region which comes into contact with a drain region and forms a PN junction therewith is formed between the drain region of a MOS structure and an element isolating region surrounding the MOS structure.例文帳に追加

ＭＯＳ構造のドレイン領域とＭＯＳ構造を囲む素子分離領域との間にドレイン領域に接してこれとＰＮ接合を形成する接合形成領域を形成する。 - 特許庁

The protection circuit consists of, for example, a series circuit of a pn-junction diode 71 and an np-junction diode 72 which have individual breakdown voltage values corresponding to the predetermined value of the electric charge.例文帳に追加

保護回路は、例えば、前記所定値に対応するブレークダウン電圧値をそれぞれ有するＰＮ接合ダイオード７１及びＮＰ接合ダイオード７２の直列回路により構成されている。 - 特許庁

A tunnel semiconductor region 23 includes a tunnel junction (pn junction) 29 made up of a first conductive type highly doped semiconductor layer 25 and a second conductivity type highly doped semiconductor layer 27.例文帳に追加

トンネル半導体領域２３が、第１導電型高ドープ半導体層２５および第２導電型高ドープ半導体層２７からなるトンネル接合（ｐｎ接合）２９を含む。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device incorporating a p-channel junction type FET and a protective element that can be formed by the same process and includes a pn junction, while forming a junction type FET by a simple manufacture process.例文帳に追加

接合型ＦＥＴを簡単な製造工程で形成しながら、そのｐチャネル接合型ＦＥＴと同じ工程で形成することができｐｎ接合を含む保護素子とを内蔵する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The variable capacitor 30 is realized with a capacitive component of a diode (b) formed by pn junction between an emitter layer and a base layer in a bipolar transistor, and a capacitive component of a diode (a) formed by PN junction between the base layer and its collector layer.例文帳に追加

可変容量素子３０はバイポーラトランジスタにおけるエミッタ層とベース層間のＰＮ接合により形成されるダイオードｂの容量成分と、ベース層とコレクタ層間のＰＮ接合により形成されるダイオードａの容量成分とにより実現される。 - 特許庁

When outputting an effective pixel 802 existing in a first region and having a vertical structure of PN junction, a photometric sensor 208 performs black level correction using a signal output of a vertical structure light shielding pixel region 803 having the vertical structure of PN junction.例文帳に追加

測光センサ２０８は、第１の領域にありＰＮ接合の縦構造を有する有効画素８０２の信号を出力する際、同じくＰＮ接合の縦構造を有する縦構造遮光画素領域８０３の信号出力を用いて黒レベル補正を行う。 - 特許庁

A plurality of photodiodes 3 are formed on a p-type semiconductor substrate 1 by using pn junction, and a microlens 7 is arranged on each photodiode 3 for condensing incident light to a depletion layer region 4 formed at the pn junction of the photodiode 3.例文帳に追加

ＰＮ接合を用いてＰ型半導体基板１上に複数のフォトダイオード３を形成し、入射光をフォトダイオード３のＰＮ接合部に形成されている空乏層領域４に集光するマイクロレンズ７をフォトダイオード３の上にそれぞれ配置する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device manufacturing method capable of restraining a junction leak from occurring in a PN junction on the side of a chip and reducing the occurrence of dust when a semiconductor device equipped with PN junctions on the side of the chip is manufactured.例文帳に追加

チップの側面にｐｎ接合部を有する半導体装置を製造する際に、チップの側面のｐｎ接合部によるジャンクションリークの発生を抑えることができると共に、ダストの発生を低減することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Consequently, the occurrence of leak caused by BPD can be suppressed at a PN junction formed between an n-type drift layer 2 and the lower layer portion 3a of a p-type base region 3, i.e. a PN junction requiring a high voltage holding function.例文帳に追加

これにより、ｎ型ドリフト層２とｐ型ベース領域３の下層部３ａとの間に形成されるＰＮ接合部、つまり高電圧を保持する機能が要求されるＰＮ接合部において、ＢＰＤ起因のリークが発生することを抑制することが可能となる。 - 特許庁

A light emission diode (LED) is connected to the first PN junction diode, and the electric current detecting threshold substantially proportional to the difference between the forward direction electric voltage drop of the LED and the forward direction electric voltage drop of the first PN junction diode is provided.例文帳に追加

発光ダイオード（ＬＥＤ）がこの第１のＰＮ接合ダイオードに結合され、ＬＥＤの順方向電圧降下と第１のＰＮ接合ダイオードの順方向電圧降下の間における差と実質的に比例する電流検出しきい値を提供する。 - 特許庁

A pn junction layer formed on an inside surface 3a of a groove is perpendicular to the light receiving surface 2a, i.e. parallel with a light incidence direction, so light permeated to nearby the pn junction layer formed on the inside surface 3a is efficiently absorbed.例文帳に追加

前記溝の内側面３ａに形成されたｐｎ接合層が、受光面２ａに対して垂直、すなわち、光入射方向に対し平行となるため、内側面３ａに形成されたｐｎ接合層近傍に浸透した光が効率的に吸収される。 - 特許庁

To provide technique for reducing forward resistance by making good use of a pn junction diode, with respect to a diode having a p-type semiconductor region formed on part of a surface of an n-type semiconductor region.例文帳に追加

n型半導体領域の表面の一部にp型半導体領域が設けられたダイオードにおいて、内在するpn接合ダイオードを活用して順方向抵抗を低減化する技術を提供する。 - 特許庁

To provide a technique for reducing forward resistance by utilizing an included pn junction diode, with respect to a diode having a p-type semiconductor region formed on a portion of a surface of an n-type semiconductor region.例文帳に追加

n型半導体領域の表面の一部にp型半導体領域が設けられたダイオードにおいて、内在するpn接合ダイオードを活用して順方向抵抗を低減化する技術を提供する。 - 特許庁

To get the manufacture which can provide a high-performance thermoelectric converting element industrially efficiently, by enhancing the figure of merit in the thermoelectric conversion of the pn junction thermoelectric converting element consisting of each kind of thermoelectric converting material.例文帳に追加

各種熱電変換材料からなるPN接合熱電変換素子の熱電変換性能指数を向上させ、工業的に効率よく高性能の熱電変換素子を提供できる製造方法。 - 特許庁

The LED 15 comprises a chip emitting a blue color and a chip cover comprising a yellow phosphor covering a pn junction for the chip.例文帳に追加

ＬＥＤ１５は、青色光を発するチップと、チップのｐｎ接合部を被覆する黄色蛍光体からなるチップカバーとから構成される。 - 特許庁

In a step of forming a pn junction by diffusion, a diffusion control layer 24 is provided at a part of an opening 28 of a diffusion mask 26.例文帳に追加

拡散によりｐｎ接合を形成する工程で、拡散マスク２６の開口部２８の一部に、拡散制御層２４を設ける。 - 特許庁

To provide a mechanical quantity detection device capable of avoiding instability of capacity detection characteristics due to a PN junction portion.例文帳に追加

ＰＮ接合部によって容量検出特性が不安定にならないようにすることができる力学量検出装置を提供する。 - 特許庁

The emitter region is formed such that an emitter/base pn junction terminates at the undersurface of the thin dielectric 40c of the base cover 50B.例文帳に追加

エミッタ領域は、エミッタ−ベース間ＰＮ接合がベースカバー部５０Ｂの絶縁薄膜４０ｃの下面に終端するように形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of suitably controlling carrier lifetime by suppressing variation in withstand voltage characteristic of a pn junction of a diode.例文帳に追加

ダイオードのｐｎ接合の耐圧特性の変化を小さく抑え、最適なキャリアライフタイムの制御が可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁

To know the effective concentration of a p-layer and an n-lyer of a striped parallel pn layer provided in a vertical super junction semiconductor element.例文帳に追加

縦型超接合半導体素子に設けられたストライプ状の並列ｐｎ層の各ｐ層およびｎ層の実効濃度を知ること。 - 特許庁

Moreover, the n-type regions 105 and the p-type regions 106 are alternately arranged in the [0-1-1] direction of the pn junction layer 101.例文帳に追加

また、ｎ型領域１０５およびｐ型領域１０６は、ｐｎ接合層１０１の[０−１−１］方向に交互に配列している。 - 特許庁

A part of the p-type polycrystalline SiGe is hydrogenated and rendered n-type using this method thus attaining a pn junction conveniently.例文帳に追加

このような手法を用い、ｐ型の多結晶ＳｉＧｅの一部に水素処理を施してｎ型化し、ｐｎ接合を簡便に得る。 - 特許庁

Occurrence of a phenomenon that current flows in the reverse direction can be suppressed in SOFC 100 by the property of the PN junction.例文帳に追加

ＰＮ接合の性質によって、ＳＯＦＣ１００内において、逆方向の電流が流れる現象の発生が抑制され得る。 - 特許庁

There is any difference of impurity concentration between first and second well areas 1p and 2p, so that a quantity of inflow varies to the pn junction of carrier.例文帳に追加

第１及び第２ウェル領域１ｐ，２ｐには不純物濃度差があるので、キャリアのＰＮ接合への流入量が異なる。 - 特許庁