「PN junction」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

To achieve high breakdown voltage and improve process yield of a high-breakdown-voltage diode in which a pn junction is provided in a semiconductor layer.例文帳に追加

半導体層にｐｎ接合が設けられて成る高耐圧ダイオードの高耐圧化およびプロセス歩留まりの向上を提供する。 - 特許庁

A capacity element 15 is formed with an independent n-type area 16 in the silicon substrate 11, pn junction is formed of the n-type area 16 and the p-type silicon substrate 11, and a depletion layer capacity C12 of an independent depletion layer 17 formed at the joint of the pn junction is used.例文帳に追加

その容量素子１５は、シリコン基板１１内に独立のｎ型領域１６を設け、このｎ型領域１６とｐ型のシリコン基板１１とでｐｎ接合を形成し、そのｐｎ接合の接合部に形成される独立の空乏層１７の空乏層容量Ｃ１２を利用するようにした。 - 特許庁

The right side surface 30b faces a second n-type semiconductor region 22b disposed below the Schottky junction Jb, and the left side surface 30a faces a first n-type semiconductor region 22a disposed below the pn junction 13 between the n-type semiconductor region 22 and p-type semiconductor region 14.例文帳に追加

右側面３０ｂは、ショットキー接合Ｊｂの下方に位置する第２n型半導体領域２２ｂに対向しており、左側面３０ａは、n型半導体領域２２とp型半導体領域１４とのpn接合１３の下方に位置する第１n型半導体領域２２ａに対向している。 - 特許庁

The method of evaluating the silicon substrate includes forming a PN junction on a silicon substrate surface, irradiating a depletion region of the silicon substrate having the PN junction formed with an electron beam, and evaluating the silicon substrate from the wavelength and intensity of light emitted by the silicone substrate irradiated with the electron beam.例文帳に追加

シリコン基板表面にＰＮ接合を作製し、ＰＮ接合が作製されたシリコン基板の空乏領域に電子線を照射して、電子線が照射されたシリコン基板から得られる発光の波長及び強度からシリコン基板の評価を行うシリコン基板の評価方法。 - 特許庁

The right side surface 30b faces a second n-type semiconductor region 22b disposed below the Schottky junction Jb, and the left side surface 30a faces a first n-type semiconductor region 22a disposed below the pn junction 13 between the n-type semiconductor region 22 and the p-type semiconductor region 14.例文帳に追加

右側面３０ｂは、ショットキー接合Ｊｂの下方に位置する第２n型半導体領域２２ｂに対向しており、左側面３０ａは、n型半導体領域２２とp型半導体領域１４とのpn接合１３の下方に位置する第１n型半導体領域２２ａに対向している。 - 特許庁

The semiconductor body (40) further includes an IGBT-cell (110) with a body region (2) forming a first pn-junction (9) with the base region (1), and a diode-cell (120) with an anode region (2a) forming a second pn-junction (9a) with the base region (1).例文帳に追加

半導体ボディ（４０）はさらに、ベース領域（１）との間で第１のｐｎ接合（９）を形成しているボディ領域（２）を有するＩＧＢＴセル（１１０）と、ベース領域（１）との間で第２のｐｎ接合（９ａ）を形成しているアノード領域（２ａ）を有するダイオードセル（１２０）と、を含む。 - 特許庁

In this electrostatic breakdown protection circuit comprising an MOS type transistor and a PN junction, the drain of the MOS type transistor is connected to a protection object terminal; the gate thereof is connected to a first power terminal; and the source thereof is connected to the first power terminal by interposing the PN junction in the forward direction.例文帳に追加

ＭＯＳ型トランジスタとＰＮ接合からなる静電破壊保護回路において、ＭＯＳ型トランジスタのドレインを被保護端子に接続し、ゲートを第一の電源端子に接続するとともに、ソースをＰＮ接合を順方向に介して第一の電源端子に接続する。 - 特許庁

The organic semiconductor part 5 comprises a p-type organic semiconductor material layer 7 and an n-type organic semiconductor material layer 6 having a pn-junction zone 12 in an approximate intermediate part 11 of the interelectrode region 10, and an organic light emitting material layer 8 arranged in the pn-junction zone 12.例文帳に追加

有機半導体部５は、電極間領域１０のほぼ中間部１１にＰＮ接合域１２を有するＰ型有機半導体材料層７およびＮ型有機半導体材料層６と、ＰＮ接合域１２に配置された有機発光材料層８とを備えている。 - 特許庁

With such a manufacturing method, the semiconductor device in which the PN junction 17 generated in an interface between the substrate 1 and the diffused layer 6 is separated from the first electrode 15 by the second N-type semiconductor layer 7 while reducing the sectional area of the PN junction, is obtained.例文帳に追加

このような製造方法によって、ＰＮ接合部１７の断面積を小さくしながら、Ｐ型半導体基板１と第１Ｎ型半導体拡散層６との境界に生ずるＰＮ接合部１７と第１電極１５とを第２Ｎ型半導体層７によって分離した半導体装置を得る。 - 特許庁

Impurity concentration at a part adjacent to the pn junction side of diffusion layers (p-type diffusion separation walls) 14, 14a, 14b for electrically dividing the inside of a substrate through a pn junction is enhanced selectively near the substrate surface, where high-concentration regions (n^+-layer) 15a-15c are formed.例文帳に追加

ｐｎ接合を通じて基板内部を電気的に区画する拡散層（Ｐ型拡散分離壁）１４および１４ａおよび１４ｂのｐｎ接合側に近接する部分の不純物濃度を基板表面の近傍にて選択的に高めて、そこに高濃度領域（Ｎ^+層）１５ａ〜１５ｃを形成する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing, with high productivity, an epitaxial wafer of parallel pn junction structure in high quality, by evenly removing a rise in a silicon in forming a parallel pn junction structure for precise and efficient final polishing process of a silicon substrate surface.例文帳に追加

並列ｐｎ接合構造を形成する際に生じるシリコンの盛り上がりを均一に除去し、シリコン基板表面の最終研磨工程を高精度かつ高効率に行い、高品質な並列ｐｎ接合構造エピタキシャルウェーハを優れた生産性で製造する方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

Therefore, the high withstand voltage characteristics can be obtained stably, because a depletion layer produced from a pn junction is uniformly spread in the planar direction without the fluctuation of its width, and a uniform electric field distribution is exhibited without generating any concentrated point of electric fields when a voltage which biases a pn junction in the reverse direction is impressed.例文帳に追加

従って、ＰＮ接合を逆方向バイアスする電圧を印加した際に、ＰＮ接合部から生じる空乏層の幅がばらつかず平面方向に一様に広がり、電界集中点が発生せずに一様な電界分布を示すため、高い耐圧特性が安定して得られる。 - 特許庁

When a current monitored by a current detecting unit 90 exceeds a threshold current, a gate voltage for turning on the junction field effect transistor (JFET) 32 is made larger than a built-in voltage for a PN-junction.例文帳に追加

電流検知部９０でモニタする電流が閾値電流を超えた場合、接合型電界効果トランジスタ（ＪＦＥＴ）３２をターンオンするときのゲート電圧をＰＮ接合のビルトイン電圧より大きくする。 - 特許庁

In the thyristor 1 having an anti-parallel connection structure, a junction separating area 210 for mutually separating a first main thyristor and a second main thyristor by pn junction is arranged between both the first and second main thyristors.例文帳に追加

逆並列接続構造を有するサイリスタ１において、第１の主サイリスタと第２の主サイリスタとの間にｐｎ接合によって双方を分離する接合分離領域２１０が配設される。 - 特許庁

To clarify the influence of the shape of parallel PN layers in a lateral hyper-junction semiconductor element having the parallel PN layers which make a current flow in the ON-state and are depleted in the OFF-state.例文帳に追加

オン状態では電流を流すとともに、オフ状態では空乏化する並列ｐｎ層を備えた横型超接合半導体素子において、並列ｐｎ層の形状の影響を明らかにし、高耐圧化を図る。 - 特許庁

To provide a method for forming a repetitive pn junction having a low ON resistance and excellent breakdown strength characteristics, and a semiconductor device using that method.例文帳に追加

低オン抵抗と高耐圧特性に優れた繰り返しｐｎ接合の形成方法及びそれを用いた半導体装置を提供する。 - 特許庁

Therefore a width of the depletion layer formed at a PN junction narrows, and the resistance value in forward direction can be reduced.例文帳に追加

これにより、ＰＮ接合で形成される空乏層幅を狭めることができ、順方向における抵抗値を低減させることが可能となる。 - 特許庁

A pn junction which is to be a light reception region is formed between the first diffusion region and the region of the first conductivity of a surface layer part.例文帳に追加

第１の拡散領域と表層部の第１の導電型の領域との間に、受光領域となるｐｎ接合が形成される。 - 特許庁

The object of this invention is to reduce the leakage current by decreasing the PN junction area being the route of the leakage current of the Zener diode.例文帳に追加

本発明はツェナーダイオードのリーク電流の経路であるＰＮ接合面積を縮小することにより、リーク電流を低減するものである。 - 特許庁

The PN junction of the lateral bipolar transistor is formed of a lower concentration impurity region than the bipolar transistor of the lamination direction.例文帳に追加

横方向のバイポーラトランジスタのｐｎ接合は、積層方向のバイポーラトランジスタよりも低濃度の不純物領域によって形成されている。 - 特許庁

The MOSFET formed in the second region has a crystal defect region 68 near a pn junction on the bottom of the semiconductor layer.例文帳に追加

第１領域に形成されたＭＯＳＦＥＴは、半導体層の底部の、ｐｎ接合の近傍に結晶欠陥領域６８を備えている。 - 特許庁

This makes it possible to eliminate PN junction between the drain region 15a and the high density P region 17 and decrease leakage current.例文帳に追加

このことによって、ドレイン領域１５ａと高濃度Ｐ領域１７間のＰＮ接合がなくなり、リーク電流を低減することができる。 - 特許庁

To simply manufacture a superjunction semiconductor element having parallel pn junction layers each having small unevenness of an impurity concentration in good mass productivity.例文帳に追加

不純物濃度のばらつきの小さい並列ｐｎ接合層を有する超接合半導体素子を簡易に量産性よく製造すること。 - 特許庁

Consequently, the pn junction area existing between the active layer 3 and the drain layer 6 is reduced, so that the output capacitance is reduced.例文帳に追加

これにより、活性層３とドレイン層６との間に存在するｐｎ接合面積が縮小されるので、出力容量が低減される。 - 特許庁

The P-type semiconductor region and the N-type semiconductor regions of the PN junction (106) of the gate electrode are electrically insulated from each other.例文帳に追加

この際、ゲート電極のＰＮ接合部（１０６）のＰ型半導体領域とＮ型半導体領域とが電気的に絶縁されている。 - 特許庁

After protrusions and recesses are formed on and in the surface of a crystal substrate 11, a pn junction is formed and an antireflection film 14 is formed on the surface thereof.例文帳に追加

結晶基板１１の表面に凹凸加工を施した後にｐｎ接合し、更にその表面に反射防止膜１４を形成する。 - 特許庁

To solve the problem that the delay of voltage change is generated due to the PN junction between the two kinds of gate electrodes of a double gate structure, and that a high speed operation is interrupted.例文帳に追加

ダブルゲート構造の２種類のゲート電極部間のＰＮ接合によって電圧変化の遅延が生じ、高速動作を阻害する。 - 特許庁

Further, a green signal is detected from a pn junction located to each of the pixels B so that an RGB color image is obtained by two kinds of the pixels A, B.例文帳に追加

また、画素ＢのＰＮ接合部からグリーン信号を検出することにより、２種類の画素Ａ、ＢによってＲＧＢのカラー画像を得る。 - 特許庁

To easily detect the current temperature from a current forward voltage of a PN junction diode and a forward voltage stored in advance.例文帳に追加

現在のＰＮ接合ダイオードの順方向電圧と予め記憶させておいた順方向電圧とから容易に現在の温度を検出する。 - 特許庁

To provide a compound semiconductor element having high breakdown voltage characteristics and a manufacturing method of the same, and a pn junction-type diode element which uses the same.例文帳に追加

高い耐電圧特性を有する化合物半導体素子とその製造方法、それを用いたｐｎ接合型ダイオード素子を提供する。 - 特許庁

A p-type impurity is diffused in a semiconductor layer 3 to form a p-type semiconductor layer 4, resulting in forming a pn junction plane 5.例文帳に追加

次いで、Ｐ型の不純物を半導体層３に拡散することによりＰ型半導体層４を形成し、ＰＮ接合面５を形成する。 - 特許庁

To provide an inexpensive method for manufacturing a back junction type solar cell having high pn electrode resolution, thin substrate correspondence, and low temperature manufacturing processes.例文帳に追加

高いｐｎ電極解像度、薄い基板対応、低い製造プロセスの裏面接合型太陽電池の低コストな製造方法が求められている。 - 特許庁

In a detector 500, a plurality of PN junction diodes 601 connected in series is inserted in a feedback loop of a differential amplifier 603.例文帳に追加

検出器５００では、直列接続された複数のＰＮ接合ダイオード６０１が差動増幅器６０３の帰還ループ内に挿入される。 - 特許庁

A diode temperature sensor element and a temperature measuring device using the same are provided in which one PN junction is short-circuited and two terminals can be taken outside in a semiconductor chip where a bipolar transistor is handled as a diode by short-circuiting one PN junction among two PN junctions and the diode is used as a temperature sensor to form a bipolar transistor.例文帳に追加

バイポーラトランジスタの2個のｐｎ接合のうち、一方のｐｎ接合を短絡してダイオードとして取り扱い、このダイオードをダイオード温度センサとして用い、バイポーラトランジスタを形成している半導体チップ内で、一方のｐｎ接合を短絡してあり、外部には、二端子として取り出すようにしたダイオード温度センサ素子と、これを用いた温度計測装置を提供する。 - 特許庁

To provide a light emitting element whose luminescence characteristic is improved by improving the lattice matching of the junction interface of pi junction or pn junction comprising a light emitting layer in the light emitting element having the light emitting layer formed of a zinc oxide system semiconductor.例文帳に追加

酸化亜鉛系半導体からなる発光層を有する発光素子において、該発光層を含むｐｉ接合またはｐｎ接合の接合界面の格子整合性を向上させることによって、発光特性を向上させた発光素子を提供する。 - 特許庁

Since a p-type film or an n-type film is formed in the gaps at the time of fitting, a more rigid and electrically stable repetitive pn junction is formed.例文帳に追加

これにより、嵌合時の間隙にｐ形膜或いはｎ形膜が成膜され、より強固な又電気的に安定した繰り返しｐｎ接合が形成される。 - 特許庁

The source/drain region 231 is superposed on the low impurity concentration region 32, and the high concentration PN junction is suppressed from forming a superposed part.例文帳に追加

ソース／ドレイン領域２３１は低不純物濃度領域３２と重なっており、かかる重なり部分では高濃度ＰＮ接合の形成が抑制される。 - 特許庁

A power transistor device includes a substrate of a first conductivity type, the substrate forming a PN junction with an overlying buffer layer of a second conductivity type.例文帳に追加

パワートランジスタデバイスは、第１の導電型の基板を含み、当該基板は、上に重なっている第２の導電型のバッファ層とのＰＮ接合を形成する。 - 特許庁

The pn junction 15 has an interface between light irradiation surfaces 12a and 14a, extending in a direction perpendicular to the light irradiation surfaces 12a and 14a.例文帳に追加

ｐｎ接合１５は光照射面１２ａ，１４ａに端辺を有し、光照射面１２ａ，１４ａに対し垂直方向に形成されている。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing which obtains a super junction structure having parallel pn layers with a division layer formed in the shape of a peeler at low cost and with good yield.例文帳に追加

仕切り層が柱状に形成された並列ｐｎ層を有するスーパージャンクション構造を安価で且つ歩留良く得られる製造方法を提供すること。 - 特許庁

In this design, not only a cell section but also a terminal section is provided with an electric charge compensation structure constituted of a RESURF pn junction pair of a p-layer 18 and n-layer 16.例文帳に追加

リサーフのＰ層１８およびＮ層１６のＰＮ接合対で構成される電荷補償構造をセル部のみならず、終端部にも持たせる。 - 特許庁

To enhance avalanche breakdown strength of a super-junction semiconductor device in which parallel pn layers are structured and tradeoff relation between breakdown voltage and ON resistance is remarkably improved.例文帳に追加

並列ｐｎ層を有し、耐圧とオン抵抗とのトレードオフ関係を大幅に改善する超接合半導体素子において、アバランシェ耐量の向上を図る。 - 特許庁

A light reflecting layer consisting of AlAs/AlGaAs mixed crystal is formed on a GaAs substrate and a pn junction consisting of AlGaInP mixed crystal is formed thereon.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板上にＡｌＡｓ／ＡｌＧａＡｓ混晶からなる光反射層を形成し、その上にＡｌＧａＩｎＰ混晶からなるｐｎ接合を形成する。 - 特許庁

The n-type punch layer 25 and the p^--type semiconductor layer 23 and a p-type well 28 are electrically separated by forming a pn junction.例文帳に追加

ｎ型打抜き層２５とｐ^-型半導体層２３およびｐ型ウエル２８とは、ＰＮ接合が形成されることによって電気的に分離されている。 - 特許庁

The semiconductor device has an insulating film (oxide film) formed selectively only between STI element isolation and the PN-junction of the source/drain regions.例文帳に追加

その半導体装置では、ＳＴＩ素子分離とソース／ドレイン領域のＰＮ接合部分の間のみに選択的に絶縁膜（酸化膜）を形成している。 - 特許庁