「PN junction」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a MIS field effect transistor including a shallow pn junction while a resistance of source/drain is kept lower and the driving force of the transistor is kept higher, and provide its manufacturing method.例文帳に追加

ソース／ドレインの抵抗を低く、トランジスタの駆動力を高く保ちつつ浅いＰＮ接合を備えるＭＩＳ型電界効果トランジスタ及びその製造方法の提供。 - 特許庁

By using it so as to apply a reverse voltage to the pn junction, a constant current drive element for controlling current flowing by pinch-off current can be provided.例文帳に追加

ｐｎ接合に逆方向電圧を印加するように使用することで、ピンチオフ電流によって流れる電流を制御する定電流駆動素子を提供できる。 - 特許庁

To improve a breakdown voltage at the pn junction of a semiconductor device consisting of a semiconductor substrate having a p-type semiconductor region and an n-type semiconductor region.例文帳に追加

ｐ型半導体領域、ｎ型半導体領域を有する半導体基板から成る半導体素子のｐｎ接合部における耐圧性の向上を可能にする。 - 特許庁

The PN junction between the base region and the collector region is terminated by an oxide film reaching the collector region through the base region.例文帳に追加

本発明は、全面に設けたベース領域とコレクタ領域のＰＮ接合を、ベース領域を貫通しコレクタ領域に達する酸化膜により終端させるものである。 - 特許庁

In a region 15C to form a pn-junction therein, a resist 9B is formed on a p-type diffusion region 8D into which B (boron) ions of a first dosing amount are implanted.例文帳に追加

ｐｎ接合が形成される領域１５Ｃにおいて、第１のドーズ量のＢ（ボロン）がイオン注入されたｐ型拡散領域８Ｄ上にレジスト９Ｂが形成される。 - 特許庁

To provide a liquid phase epitaxial growth method by which the formation of a so called lightning type inversion layer is hindered and an excellent PN junction is formed, and a semiconductor device.例文帳に追加

いわゆるイナズマ型反転層の形成を阻止でき、良好なＰＮ接合を形成することができる液相エピタキシャル成長方法および半導体装置を提供する。 - 特許庁

Because of such the structure, when negative ESD surge is applied to a pad for a base electrode, the pn junction areas 21 and 22 are broken down to protect the npn transistor 1.例文帳に追加

この構造により、ベース電極用のパッドに負のＥＳＤサージが印加された際、ＰＮ接合領域２１、２２がブレークダウンし、ＮＰＮトランジスタ１を保護することができる。 - 特許庁

Efficiency of a device can be improved in such a way that discharge of radiation at desired frequency is increased by doping dopant into the pn junction.例文帳に追加

このｐｎ接合に不純物をドーピングすることにより、所望の周波数における放射の放出を大きくし、延いてはデバイスの効率を改善することができる。 - 特許庁

The embedding layer 20 includes a low carrier concentration p type InP layer 26 (p type semiconductor layer) and an n type InP layer 24 (n type semiconductor layer) constituting pn junction 30.例文帳に追加

埋込層２０は、ｐｎ接合３０を構成する低キャリア濃度ｐ型ＩｎＰ層２６（ｐ型半導体層）とｎ型ＩｎＰ層２４（ｎ型半導体層）を有する。 - 特許庁

To provide an anode common Zener diode in which a pn-junction area is enlarged, the degree of proof is increased and which can easily be manufactured even by an n-type manufacture line.例文帳に追加

ｐｎ接合面積を大きくして耐量を大きくすると共に、ｎ形の製造ラインでも容易に製造することができる構造のアノードコモンツェナーダイオードを提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor substrate which can implement a steep distribution of relative resistivity in a pn junction, and to provide a semiconductor substrate obtained thereby.例文帳に追加

ｐｎ接合部における比抵抗の分布を急峻にすることができる半導体基板の製造方法及び該製造方法に得られる半導体基板を提供すること。 - 特許庁

In this manner, the p-conductive silicon substrate 70 is joined to the n-conductive carbon nanowall 73 for forming a pn junction, and the photovoltaic element is formed.例文帳に追加

このようにして、ｐ伝導型シリコン基板７０とｎ伝導型カーボンナノウォール７３との接合によりｐｎ接合を形成して、光起電力素子を形成した。 - 特許庁

A pn junction surface is formed at two or more parts, a depletion layer is widely and uniformly spread at the time of reverse bias, and the withstand voltage is maintained high even when the ON voltage is lowered.例文帳に追加

２箇所以上にｐｎ接合面が形成され、逆バイアス時には空乏層が広く均一に広がり、オン電圧を低くしても耐圧を高く維持できる。 - 特許庁

The curvature center position 10 of the corner of an isolated layer pn junction 7 is set to outside (an outer peripheral direction of a chip) of the curvature center position 9 of an active end 6.例文帳に追加

分離層ｐｎ接合７のコーナー部の曲率中心位置１０を、活性部端６の曲率中心位置９よりも外側（チップ外周方向）に設定する。 - 特許庁

A first silicon oxide film 7 and a second silicon oxide film 10 that is thinner than the first silicon oxide film 7 are formed on the main surface of a silicon semiconductor substrate 1 containing a PN junction 9.例文帳に追加

ＰＮ接合９を含むシリコン半導体基板１の主面に第１のシリコン酸化膜７とこれよりも薄い第２のシリコン酸化膜１０とを形成する。 - 特許庁

Accordingly, a capacitance value of the pn junction area may become lower than that of the convention method in which the n-type impurity diffusing layer is provided in direct on the surface of the p-type semiconductor substrate.例文帳に追加

したがって、Ｎ型不純物拡散層をＰ型半導体基板の表面に直接設けていた従来に比べ、ＰＮ接合部の容量値が小さくなる。 - 特許庁

To provide a method for reducing a reverse recovery time (trr) for discharging the accumulated charge amount, with respect to a pn junction diode that achieves high-speed switching time.例文帳に追加

スイッチング時間を高速化したｐｎ接合ダイオードにおいては、蓄えられた電荷量を放出する時間である逆回復時間ｔｒｒを短縮する方法の提供。 - 特許庁

To restrain functional decline of a power device caused by leak by suppressing leak at a PN junction having a high voltage holding function in a power device formed on the (11-20) face.例文帳に追加

（１１−２０）面上に形成するパワーデバイスにおいて、高電圧を保持する機能を持つＰＮ接合部のリークを抑制し、リークによるパワーデバイスの機能低下を抑制する - 特許庁

Dichlorobenzene has an excellent solubility to the fullerene derivative 6 and the conductive polymer 7, and can form the photoelectric conversion layer 3 having a large number of pn junction layers.例文帳に追加

またジクロロベンゼンはフラーレン誘導体６や導電性ポリマー７の溶解性が良好であって、ＰＮ接合部が多い光電変換層３を形成することができる。 - 特許庁

Oxides 3, 4 forming the oxide pn junction consist of a perovskite-type oxide thin film, and more preferably, the electrode 2 consists of the perovskite-type oxide thin film.例文帳に追加

酸化物ｐｎ接合を形成する酸化物３，４がペロブスカイト型酸化物薄膜からなり、更に好ましくは、電極２がペロブスカイト型酸化物薄膜からなる。 - 特許庁

A source/drain region and a doping layer with high concentration are separated to weaken the electric field of pn-junction by locally forming the doping layer only in the trench region.例文帳に追加

ドーピング層をトレンチ領域にのみ局部的に形成することにより、ソース／ドレーン領域と高濃度のドーピング層とを互いに分離してｐｎ接合の電界を弱化させる。 - 特許庁

The nitride semiconductor light-emitting diode element 10 includes a nitride semiconductor layer 12 having a bottom face and an upper surface and including a pn-junction-type light-emitting element structure.例文帳に追加

窒化物半導体発光ダイオード素子１０は、底面および上面を有し、ｐｎ接合型の発光素子構造を備えた、窒化物半導体層１２を含む。 - 特許庁

To a pn junction element which has such a layer that selectively covers a p type region and an n type region and is made of cylindrical carbon molecules, and also to provide a method for manufacturing the element.例文帳に追加

ｐ型領域とｎ型領域とを選択的に覆う被覆層を持たない筒状炭素分子からなるｐｎ接合素子、及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

A bonding interface between the organic electrode 2 and the ZnO semiconductor 1 is in a pn-junction-like state, and rectification is generated between the organic electrode 2 and the ZnO semiconductor 1.例文帳に追加

有機物電極２とＺｎＯ系半導体１との接合界面は、ｐｎ接合のような状態となっており、これらの間で整流作用が発生する。 - 特許庁

When the gate is connected to the source, the device functions as a "pseudo-Schottky" diode which turns on at a lower voltage and has a lower conductor resistance than a conventional PN junction.例文帳に追加

ゲートがソースに接続されたとき、デバイスは、比較的低い電圧でオンし、従来のＰＮ接合よりは低い導通抵抗を有する「擬似ショットキー」ダイオードとして機能する。 - 特許庁

The pn junction is formed by an n-type semiconductor layer 9 formed on a semiconductor substrate 7 and a p-type semiconductor layer 10 laminated on the n-type semiconductor layer.例文帳に追加

このｐｎ接合部は、半導体基板７に形成されたｎ型半導体層９とその上に積層されたｐ型半導体層１０とにより構成されている。 - 特許庁

A B^+ ion implantation layer 5 is then formed by ion implantation so that the concentration peak of a p region 6 eventually forms a pn junction 8 with an n^+ region 10.例文帳に追加

次に、ｐ領域６の濃度のピークが、最終的にｎ^+領域１０とのＰＮ接合８部になるように、Ｂ^+イオン注入層５をイオン注入法により形成する。 - 特許庁

The embedded barrier layer includes a single/double pn junction or a bubble layer to block or remove slow photon generation carriers in a region with a low drift field.例文帳に追加

この埋込みバリヤ層は、ドリフト電界が低い領域で遅い光子発生キャリアをブロックまたは除去するために、単一または二重ｐｎ接合、あるいはバブル層を含む。 - 特許庁

When light is made incident on a phototransistor PTr, a current corresponding to an incident light quantity flows to the base of the phototransistor PTr through the base/emitter PN junction.例文帳に追加

フォトトランジスタＰＴｒに光が入射されたとき、そのベース・エミッタＰＮ接合によって、フォトトランジスタＰＴｒのベースに入射光量に応じた電流が流れる。 - 特許庁

An electrostatic protective circuit comprising PN junction diodes (DIA1 and DIA2) and a diffusion resistor (R1) is formed to prevent electrostatic discharge damage to a gate insulation film.例文帳に追加

ゲート絶縁膜の静電破壊を防止するために、ＰＮ接合ダイオード（ＤＩＡ１，ＤＩＡ２）と、拡散抵抗（Ｒ１）とで構成される静電保護回路を形成する。 - 特許庁

In a well layer (channel region) 12 between a drain region, comprising a silicon substrate 10 and an epitaxial layer 11, and a source region 21, change in depth-directional impurity concentration is made to be smaller on a side close to a PN junction of the source region 21, and the peak of the impurity concentration is positioned within 0.1 μm below the PN junction of the source region 21.例文帳に追加

シリコン基板１０、エピタキシャル層１１からなるドレイン領域とソース領域２１との間のウエル層（チャネル領域）１２において、ソース領域２１のＰＮ接合に近い側で、深さ方向の不純物濃度変化が小さくなるようし、またその不純物濃度のピークがソース領域２１のＰＮ接合から下方に０．１μｍ以内に位置するようにする。 - 特許庁

To avoid an increase in resistance of a gate electrode and wiring while attaining high integration by preventing disconnection of a metal silicide film due to approach of a hole to a PN junction boundary in a structure having the PN junction boundary and the hole formed on the gate electrode and the wiring with the metal silicide film formed on the surface.例文帳に追加

ＰＮ接合境界を有し且つ表面に金属シリサイド膜が形成されたゲート電極や配線の上にホールが形成されている構造において、ホールとＰＮ接合境界との接近に起因して金属シリサイド膜に断線が生じることを防止し、それにより、高集積化を達成しつつゲート電極や配線の高抵抗化を防止する。 - 特許庁

PN junction separation regions (regions 400) are formed in the region between the mutually adjacent bit lines 103, a region corresponding to the common source diffusion wiring 107, and the region between the region corresponding to the common source diffusion wiring 107 and the plurality of grooves 105 for element separation each, and the pn junction separation regions (regions 400) separate the mutually adjacent memory cells.例文帳に追加

また、互いに隣接するビット線１０３間の領域、かつ、共通ソース拡散配線１０７に対応する領域およびその領域と複数の素子分離用溝１０５との間の領域にＰＮ接合分離領域(領域４００)を夫々形成し、そのＰＮ接合分離領域(領域４００)により互いに隣接するメモリセル間を分離する。 - 特許庁

The semiconductor device is equipped with: an IGBT section 20; and a control circuit 21 detecting an abnormal condition of the IGBT section 20, and also is provided with a configuration of selectively forming an n-type buffer area 46 set up so as to have a pn junction breakdown voltage higher than a battery voltage, in a pn junction interface in a p collector area 5 side of the IGBT section 20.例文帳に追加

ＩＧＢＴ部２０と、ＩＧＢＴ部２０の異常状態を検知する制御回路２１を備え、前記ＩＧＢＴ部２０のｐコレクタ領域５側のｐｎ接合界面には、バッテリ電圧より高いｐｎ接合耐圧を有するように設定されるｎ型バッファ領域４６を選択的に形成する構成を備える半導体装置とする。 - 特許庁

As for an electronic component which can remarkably improve the performance of an automobile and an acoustic device by being mounted thereon, such an electronic component is used wherein an element having such a pn-junction of semiconductors that the element may be connected in a forward direction, and an element having such a pn-junction of semiconductors that the element may be connected in a backward direction, are connected in series.例文帳に追加

自動車や音響装置に装着することによってその性能を大幅に向上させることができる電子部品として、半導体のｐｎ接合を有する素子を順方向状態に接続したものと逆方向状態に接続したものとを直列に接続した電子部品を用いて課題を解決した。 - 特許庁

When a reverse bias is applied to the pin structure by electrostatic discharge, the maximum electric field at the pin junction J1 becomes smaller that the maximum electric field at a pn junction consisting of the p-type clad region 15 and the n-type buried layer 33.例文帳に追加

静電放電により、このｐｉｎ構造に逆バイアスが印加されるとき、ｐｉｎ接合Ｊ１における最大電界は、ｐ型クラッド領域１５及びｎ型埋め込み層３３からなるｐｎ接合における最大電界より小さくなる。 - 特許庁

To provide a super-junction semiconductor element which prevents generation of electric field convergence and realizes a high breakdown voltage in the super-junction semiconductor element comprising a parallel pn layer in which a current flows in an on state and which depletes in an off state.例文帳に追加

オン状態では電流を流すとともにオフ状態では空乏化する並列ｐｎ層を備える超接合半導体素子において、電界集中の発生を防止し、高耐圧を実現した超接合半導体素子を提供する。 - 特許庁

By forming the pn junction or the pin junction of a diode, or the channel of a transistor in these thin lines, crystalline thin film semiconductor devices with identical characteristics can be manufactured nearly as same as those in the case where a single crystal is used.例文帳に追加

この細線部にダイオードのｐ−ｎ接合やｐ−ｉ−ｎ接合、またはトランジスタのチャネルを形成することにより、単結晶を用いた場合の特性に近く、かつ、特性が揃った結晶性薄膜半導体装置を作製することができる。 - 特許庁

In a region nearby a pn junction where the density of carriers injected in a forward bias state is relatively high or a region nearby an n+n junction, a polysilicon film is formed as a predetermined film having a crystal defect as a center of recombination.例文帳に追加

順バイアス状態で注入されたキャリアの濃度が比較的高いｐｎ接合付近の領域またはｎ+ｎ接合付近の領域に、再結合中心となる結晶欠陥を有する所定の膜として、ポリシリコン膜が形成されている。 - 特許庁

The visible-ray transmitting structure is formed of a transparent substrate and a pn-junction layer comprising p-type and n-type semiconductors provided on the substrate, and has a power generating function utilizing blue to ultraviolet rays.例文帳に追加

透明基板と、基板上に設けられたｐ型半導体及びｎ型半導体のｐｎ接合層とからなる青〜紫外光発電機能を有する可視光透過構造体。 - 特許庁

Furthermore, a pn junction structure comprising the first III-V compound layer containing boron and one compositional layer of light emitting part is provided in that projection area.例文帳に追加

また、上記の射影領域に、第１の含硼素ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層と、それに接合する発光部の一構成層とで構成されるｐｎ接合構造が備えられている。 - 特許庁

An in-plane distribution of an impurity concentration of a PN junction of a semiconductor chip before sealing that equalizes a breakdown voltage and an in-plane distribution of a leak current of the semiconductor chip after sealing is obtained.例文帳に追加

封止後の半導体チップの耐圧及びリーク電流の面内分布が均一になるような、封止前の半導体チップのＰＮ接合部の不純物濃度の面内分布を求める。 - 特許庁

To prevent increase of resistance of wiring by preventing disconnection of a metal silicide film in a PN junction boundary region without inhibiting miniaturization of an element and high integration.例文帳に追加

素子の微細化及び高集積化を妨げることなく、ＰＮ接合境界領域における金属シリサイド膜の断線を防止して、配線の高抵抗化を回避できるようにする。 - 特許庁

In a first region 10A, a pn junction section 14 is composed of an n-type layer 12 and a p-type layer 13, and a p-side electrode 21 is formed on the p-type layer 13.例文帳に追加

第１領域１０Ａは、ｎ型層１２およびｐ型層１３によりｐｎ接合部１４が構成され、ｐ型層１３の上にｐ側電極２１が形成されている。 - 特許庁

To realize a semiconductor device whose loss is small by realizing conductivity modulation in a voltage region of the barrier layer voltage (0.6V) or lower at the pn junction in a voltage driven element such as na MOSFET.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴ等の電圧駆動型素子において、ｐｎ接合の堰層電圧（０．６Ｖ）以下の電圧領域で伝導度変調を可能にし、低損失の半導体装置を実現する。 - 特許庁