「PN junction」に関連した英語例文の一覧と使い方(14ページ目) - Weblio英語例文検索

The state change part comprises a first semiconductor layer composed of one semiconductor between a P type semiconductor and an N type semiconductor and second semiconductor layers composed of the other semiconductor and provided on the top and reverse of the first semiconductor layer across PN junction parts.例文帳に追加

この状態変化部は、Ｐ型半導体またはＮ型半導体のいずれか一方の半導体からなる第１半導体層と、前記Ｐ型半導体またはＮ型半導体の他方の半導体からなり前記第１半導体層の上下それぞれでＰＮ接合部を介して設けられた第２半導体層を備えて構成される。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having an SOI structure capable of preventing the deterioration of elements by providing pn junction diode with large currents applicable thereto, and making a diode perform only a forward operation when a surge voltage is impressed to protecting circuits arranged at input/output terminals.例文帳に追加

ＳＯＩ構造を有する半導体装置において、大電流を流すことのできるＰＮ接合ダイオードを提供し、さらに入出力端子に設けた保護回路にサージ電圧が印加された際に、ダイオードが順方向動作のみを行い、素子の劣化を防ぐことが可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor light-emitting device with high reliability and high productive efficiency which does not need any short of a pn junction like a metallic adhesion layer and any thickness control nature for suppressing a light absorption and is obtained by an adhesion layer for raising an adhesiveness between a resonator end surface and an end surface coat film.例文帳に追加

金属の密着層のようにｐｎ接合のショートおよび光の吸収を抑制するための膜厚制御性を必要とせず、かつ共振器端面と端面コート膜の密着性を向上させる密着層により、信頼性、生産効率の高い窒化物半導体発光素子を提供することである。 - 特許庁

When it is assumed that the charge amounts are made to coincide with each other, design of each part can be easily carried out, and a JBS (junction barrier Schottky diode) capable of balancing provision of a high breakdown voltage with reduction of resistance of the p-type layers 8a-8e for forming a PN diode can be easily designed.例文帳に追加

このようにチャージ量を一致させることを前提とすれば、各部の設計を容易に行うことが可能となると共に、高耐圧を得ることとＰＮダイオードを構成するためのｐ型層８ａ〜８ｅを低抵抗にすることの両立を図ることができるＪＢＳを容易に設計することが可能となる。 - 特許庁

In the thermoelectric conversion module for generating power by providing a temperature difference for a pn junction pair obtained by joining a p-type oxide thermoelectric conversion material and an n-type oxide thermoelectric conversion material, at least one of a pair of surfaces 20a and 20b to be provided with a temperature difference is covered with insulating films 21a and 21b.例文帳に追加

ｐ型酸化物熱電変換材料とｎ型酸化物熱電変換材料とを接合させたｐｎ接合対に温度差を与えて電力を発生させる熱電変換モジュールにおいて、温度差を与えるべき一対の面２０ａ，２０ｂのうち、少なくとも一方の面を絶縁膜２１ａ，２１ｂで被覆する。 - 特許庁

Among a plurality of end faces of the photodiode 18, a pn junction is extended to an end face near a region where laser light 16 for monitoring emitted from at least a laser light emission surface 15 for monitoring of the semiconductor laser diode 12 is incident, to obtain a stable photo sensitive characteristic against a change in temperature.例文帳に追加

このホトダイオード１８の複数の端面のうち、少なくとも半導体レーザダイオード１２のモニタ用レーザ光出射面１５から出射されるモニタ用レーザ光１６が入射する領域近辺の端面までｐｎ接合部が形成されることにより、温度変化に対して安定した受光感度特性が得られる。 - 特許庁

The stacked photovoltaic element characterized in that comprising a plurality of unit photovoltaic elements each composed of a pn- or pin-junction, connected to each other in series, wherein a zinc oxide layer is provided at least in one position between the unit photovoltaic elements, and the zinc oxide layer has resistivity varying in the thickness direction.例文帳に追加

複数のｐｎ接合またはｐｉｎ接合からなる単位光起電力素子を直列に積層してなる光起電力素子であって、前記単位光起電力素子間の少なくとも一ヶ所に酸化亜鉛層を配置しており、該酸化亜鉛層の抵抗率が層厚方向で異なることを特徴とする。 - 特許庁

A PN junction diode 22 which comprises an N type impurity diffusion region 21 and a P type semiconductor support substrate 11 by which padding formation is carried out after this embedded insulating film 12 has dissociated electrically SOI layer 13 is formed at a portion which is in the P type semiconductor support substrate 11, and touches the embedded insulating film 12.例文帳に追加

Ｐ型の半導体支持基板１１にあって埋込絶縁膜１２に接する部位に、該埋込絶縁膜１２によってＳＯＩ層１３とは電気的に分離された状態で埋め込み形成されるＮ型の不純物拡散領域２１とＰ型の半導体支持基板１１とからなるＰＮ接合ダイオード２２を形成した。 - 特許庁

To provide a semiconductor device wherein a gettering sink which never affects a pn junction and a surface device functional region which are formed in a wafer bulk can be easily forme, and a gettering capability is still effective even after a thinning process in a wafer process and hence the degradation of semiconductor characteristics and a decline in yield can be prevented.例文帳に追加

ウエハバルクに形成されるｐｎ接合や表面デバイス機能領域に影響を与えないゲッタリングシンクを容易に作製でき、ウエハプロセスにおける薄化工程後もゲッタリング能力は有効であって、半導体特性の低下や良品率低下を防止できる半導体装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor light-emitting device having high reliability and high production efficiency owing to an adhesion layer which improves adhesion between an end face of a resonator and an end face coating film, without requiring control for the thickness of the coating for inhibiting a short circuit of pn junction and light absorption, unlike metal adhesion layers.例文帳に追加

金属の密着層のようにｐｎ接合のショートおよび光の吸収を抑制するための膜厚制御性を必要とせず、かつ共振器端面と端面コート膜の密着性を向上させる密着層により、信頼性、生産効率の高い窒化物半導体発光素子を提供することである。 - 特許庁

When a capacitance of a diode element (inter-terminal capacitance) is smaller than a standard value on the basis of the capacitance measured after forming a pn junction, in an ultraviolet ray emission process executed by eliminating electric charges charged on a substrate after forming a rear side electrode, ultraviolet rays are emitted by suppressing an ultraviolet ray emission energy.例文帳に追加

ＰＮ接合形成後に計測したダイオード素子の容量（端子間容量）値を基にして、その容量値が規格値より小さい場合には、裏面電極の形成後に基板が帯電している電荷を除去するために行う紫外線照射工程において、紫外線照射エネルギーを抑制して照射を行う。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor light emitting device with a high reliability and a high productive efficiency which doesn't need any short of a pn junction like a metallic adhesion layer and any thickness control nature for suppressing a light absorption and is obtained by an adhesion layer for raising an adhesiveness between a resonator end surface and an end surface coat film.例文帳に追加

金属の密着層のようにｐｎ接合のショートおよび光の吸収を抑制するための膜厚制御性を必要とせず、かつ共振器端面と端面コート膜の密着性を向上させる密着層により、信頼性、生産効率の高い窒化物半導体発光素子を提供することである。 - 特許庁

Thus, when electrons and holes are injected by voltage application to a pn-junction layer, a rare earth element is excited by energy generated by coupling of the injected electrons and holes, then light emission is generated with wavelength corresponding to energy discharged when the rare earth element is returned to the ground state from the excitation state.例文帳に追加

これにより、ｐｎ接合層に対して電圧印加によって電子と正孔が注入されると、注入された電子と正孔の結合によって生じたエネルギーで希土類元素が励起され、希土類元素が励起状態から基底状態に戻るときに放出するエネルギーに相当する波長で発光が生じる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that stably exhibits a high reverse recovery withstand independently of the existence and nonexistence of the defects caused during the wafer process for manufacturing the semiconductor device, even if the semiconductor device is a pn-junction diode having a structure, in which an anode electrode is formed on an outer circumferential portion surface of a p-type anode diffusion region with an insulating film interposed.例文帳に追加

ｐ型アノード拡散領域の外周部表面に絶縁膜を介してアノード電極が設けられる構造を有するｐｎ接合ダイオードであっても、該ダイオードを製造する際のウエハプロセスに起因する欠陥の有無に依らず、安定的に高い逆回復耐量を有する半導体装置を提供すること。 - 特許庁

A semiconductor device comprises a surface protective film 16 composed of SiO_2 and coating the surface of an SiC pn junction diode 10, a polyimide resin film 22 coating the surface protective film 16 (1 μm thick), and a coating part 23 composed of a silicon resin and coating the polyimide resin film 22.例文帳に追加

この半導体装置は、ＳｉＣ ｐｎ接合ダイオード１０の表面を被覆すると共にＳｉＯ_２で作製された表面保護膜１６と表面保護膜１６(膜厚１μｍ)を被覆するポリイミド樹脂膜２２、およびポリイミド樹脂膜２２を被覆するシリコン樹脂で作製された被覆部２３を備えた。 - 特許庁

The semiconductor optical detecting device 1 includes: a p-type semiconductor region 18 that is formed at the side of a surface 3a of a semiconductor substrate 3 and composes a photodiode 28 by a pn junction 26 with the semiconductor substrate 3; and a signal processing circuit section 9 formed at the side of the surface 3a of the semiconductor substrate 3.例文帳に追加

半導体光検出装置１は、半導体基板３の表面３ａ側に形成されており、半導体基板３とのｐｎ接合２６によりフォトダイオード２８を構成するｐ型半導体領域１８と、半導体基板３の表面３ａ側に形成されている信号処理回路部９と、を備えている。 - 特許庁

By causing the potential at the area where the impurity is diffused to float, the charges generated by the light made incident to the scribe of the sensor can be stored efficiently in the P-N junction, constituted of the area containing the diffused dopant and semiconductor substrate.例文帳に追加

前記半導体基板と異なる極性の不純物を拡散した領域の電位をフローティングとすることで、半導体基板と異なる極性の不純物を拡散した領域と半導体基板で構成するPN接合に、スクライブに入射した光により発生する電荷を効率良く蓄積することができる。 - 特許庁

To obtain the surface of a substrate having an easy management of a polishing thickness when polishing the surface of the substrate by a planarization, a high uniformity of the thickness in a film plane after the polishing, and a decrease in contamination, after forming a trench on a semiconductor substrate and a parallel pn junction structure by growing a semiconductor epitaxial in the trench.例文帳に追加

半導体基板にトレンチを形成し、その中に半導体をエピタキシャル成長させて並列ｐｎ接合構造を形成した後、平坦化処理によって基板表面を研磨する際の削り厚さの管理が容易であり、研磨後に面内膜厚均一性が高く、かつ汚染の少ない基板表面を得ること。 - 特許庁

A thermoelectric element 1 is equipped with P-type elements 3 formed of P-type thermoelectric semiconductor material, N-type elements 4 formed of N-type thermoelectric semiconductor material, and boards 2B and 2A provided with metal electrodes 5 which are capable of forming PN junction pairs by joining pairs of the dissimilar elements 3 and 4 together.例文帳に追加

Ｐ型熱電半導体材料からなるＰ型エレメント３と、Ｎ型熱電半導体材料からなるＮ型エレメント４と、これらＰ型及びＮ型の異種エレメント３、４を一対ずつ接合してＰＮ接合対を形成可能な金属電極５を有する基板２Ｂ、２Ａを備えた熱電素子１である。 - 特許庁

A surface silicon layer and a buried oxide film are removed, an opening is formed so that a supporting substrate can be exposed, the supporting substrate in the opening is provided with low concentration diffuse layers whose conductive types are opposite and identical to that of the supporting board, and a pn junction diode is formed in the low concentration diffuse layers so that a semiconductor device can be constituted.例文帳に追加

表面シリコン層と埋込酸化膜を除去し開口部を設けることで、支持基板を露出させ、開口部内の支持基板に支持基板と逆導電型と同導電型の低濃度拡散層を設け、低濃度拡散層内にＰＮ接合ダイオードを形成することを特徴とする半導体装置を使用する。 - 特許庁

In a semiconductor device, charge accumulated on the interface of an SiO_2 surface protective film 16 and a coating part 23 composed of a silicon resin can be reduced by coating the surface of an SiC pn junction diode 10, and setting the thickness of the surface protective film 16 composed of SiO_2 to 2 μm thereby decreasing the capacitance of the SiO_2 surface protective film 16.例文帳に追加

この半導体装置は、ＳｉＣ ｐｎ接合ダイオード１０の表面を被覆すると共にＳｉＯ_２で作製された表面保護膜１６の膜厚を２μｍにすることによって、ＳｉＯ_２表面保護膜１６の静電容量を下げてＳｉＯ_２表面保護膜１６とシリコン樹脂で作製された被覆部２３との境界面に溜る電荷を低減できる。 - 特許庁

The solar cell includes first and second electrodes 111 and 119 spaced apart from each other, and a photoelectric conversion layer 115 which is a layer adapted to form a pn junction between the first electrode 111 and the second electrode 119 and is made up of a p-type material including an organic material and a n-type material 116 including organic nanowires.例文帳に追加

互いに離隔されるように配置される第１電極及び第２電極１１１、１１９と、前記第１電極１１１と第２電極１１９との間でｐｎ接合を形成する層であって、有機物を含むｐ型物質及び有機ナノワイヤーを含むｎ型物質１１６からなる光電変換層１１５と、を備える。 - 特許庁

Also, a PN junction is formed between the N-type semiconductor substrate 1N and a P-type first semiconductor region 1PA, thereby forming each of photodiodes D1, the semiconductor substrate 1N is electrically connected to a first electrode E1, and the first semiconductor region 1PA is connected to a surface electrode E3 via a second semiconductor region 1PB.例文帳に追加

また、Ｎ型の半導体基板１ＮとＰ型の第１半導体領域１ＰＡとの間に、ＰＮ接合が構成されることで、フォトダイオードＤ１が形成され、半導体基板１Ｎは第１電極Ｅ１に電気的に接続され、第１半導体領域１ＰＡは、第２半導体領域１ＰＢを介して、表面電極Ｅ３に接続されている。 - 特許庁

The n-type high-density region HR has higher n-type impurity density than the n^- epitaxial layer EP, is disposed between the p-type back gate region BG and n-type drain region DR, and has peak density at a deeper position from the principal surface 12 than a pn junction portion of the p-type back gate region BG and n^+ source region SR.例文帳に追加

ｎ型高濃度領域ＨＲは、ｎ^-エピタキシャル層ＥＰよりも高いｎ型不純物濃度を有し、ｐ型バックゲート領域ＢＧとｎ型ドレイン領域ＤＲとの間に位置し、かつｐ型バックゲート領域ＢＧとｎ^+ソース領域ＳＲとのｐｎ接合部よりも主表面１２から深い位置にピーク濃度を有している。 - 特許庁

The prism 34 is rotated, moved in parallel with a horizontal direction (Ja, Ka) in parallel with the direction of a pn junction face, and the prism 36 is rotated or moved in parallel with the horizontal direction, a driver 42 adjusts the position and the rotation angle of the prism 36 to adjust the width of the laser beam emitted from the prism 36.例文帳に追加

プリズム３４を、回転したりｐｎ接合面に平行な方向の水平方向（Ｊａ、Ｋａ）に平行移動したり、プリズム３６を、回転したり水平方向に平行移動したりして、この駆動装置４２によりプリズム３６の位置及び回転角度を調整することで、プリズム３６から射出されるレーザビームのビーム幅を調整する。 - 特許庁

The process for acquiring the backside layout data includes a process for detecting the light-emitting position of emission light 6 by a detector 7, which is generated by passing a forward current into a light-emitting device 5 that has a pn junction provided in the semiconductor chip, and a process for superposing the light-emitting position and the surface side layout data of the semiconductor chip.例文帳に追加

また、裏面側レイアウトデータを得る工程は、半導体チップ内に設けられたｐｎ接合を有する発光素子５に順方向電流を流すことによって生じる発光光６の発光位置を検出器７によって検出する工程と、発光位置と半導体チップの表面側レイアウトデータとを重ね合わせる工程とを有する。 - 特許庁

The solar battery manufacturing method includes a process for forming pn-junction by heating after applying a phosphoric acid aqueous solution to the main surface of a p-type crystal silicon substrate, and is characterized by forming a silicon nitride thin film on the main surface of the p-type crystal silicon substrate before being applied with the phosphoric acid aqueous solution.例文帳に追加

ｐ型結晶シリコン基板の主面上にリン酸水溶液を塗布した後に加熱することによりｐｎ接合を形成する工程を備え、前記リン酸水溶液を塗布する前に、前記ｐ型結晶シリコン基板の主面上に薄い窒化シリコン膜を形成することを特徴とする太陽電池の製造方法により、上記の課題を解決する。 - 特許庁

This mesa-type semiconductor device has a thermal oxide film 16, that protects a pn junction surface, an n-type silicon layer 13, a p-type Si film 12 that is laminated and formed on the n-type silicon layer, and a p-type SiGe film 11 that is laminated and formed on the p-type Si film.例文帳に追加

ｐｎ接合面を保護するための熱酸化膜16を有するメサ型の半導体素子であって、ｎ型シリコン層13と、このｎ型シリコン層上に積層形成されたｐ型Ｓｉ膜12と、このｐ型Ｓｉ膜の上に積層形成されたｐ型ＳｉＧｅ膜11とを具備し、ｐ型ＳｉＧｅ膜11はｐ型Ｓｉ膜12によってｎ型シリコン層13から隔てられている。 - 特許庁

The solar battery is provided with an insulation substrate where semispherical projections are arranged on a surface, a first electrode layer that is formed on the insulation substrate surface, a semiconductor layer with a pn junction being formed on the first electrode layer, and a second electrode layer that is made of a light-transmission material being formed on the semiconductor layer surface.例文帳に追加

表面に半球状の突起を配列してなる絶縁性基板と、前記絶縁性基板表面に形成された第１の電極層と、前記第１の電極層上に形成されたｐｎ接合を有する半導体層と、前記半導体層表面に形成された透光性材料からなる第２の電極層とを具備したことを特徴とする。 - 特許庁

The variable capacitance diode 111 includes a p type region 111p and an n type region 111n and the variable capacitance diode 111 adjusts the resonance frequency of the thin film bulk wave element 10 by the application of a voltage to the p type region 111p, the voltage being lower than the voltage applied to the n type region 111n so as to vary the capacitance of a thus formed pn junction.例文帳に追加

可変容量ダイオード１１１はｐ型領域１１１ｐとｎ型領域１１１ｎを備え、可変容量ダイオード１１１はｐ型領域１１１ｐをｎ型領域１１１ｎより低電圧とすることで形成されるｐｎ接合での容量を変化させて、薄膜バルク波素子１０の共振周波数を調整する。 - 特許庁

A semiconductor storage apparatus has: impurity diffusion layers 103 and 104 that are a part of a semiconductor substrate 100, and function as one of and the other of an anode and a cathode of a pn junction diode, respectively; a recording layer PC connected to the impurity diffusion layer 104; and a cylindrical side wall insulating film 106 provided on the impurity diffusion layer 103.例文帳に追加

半導体基板１００の一部であり、それぞれｐｎ接合ダイオードのアノード及びカソードの一方及び他方として機能する不純物拡散層１０３，１０４と、不純物拡散層１０４に接続された記録層ＰＣと、不純物拡散層１０３上に設けられた筒状のサイドウォール絶縁膜１０６とを備える。 - 特許庁

The additional pn junction at the peripheral part of the light emission area is removed by making high the resistance of the whole semiconductor layer from an element surface to an active layer at the peripheral part of the light emission area and a current spread right below a contact electrode is minimized to actualize the low capacity and high-speed operation of the element.例文帳に追加

本発明は発光領域周辺部において、素子表面から活性層にいたるまでのすべての半導体層を高抵抗化することにより、周辺部での付加的なｐｎ接合を取り除くとともに、コンタクト電極直下での電流広がりを最小限にすることにより、素子の低容量化・高速動作が可能となる。 - 特許庁

In the solar battery, a linear light receiving surface electrode on a substrate having pn junction is provided with a ground electrode layer and a plating electrode layer on the ground electrode layer, and the plating electrode layer has a line width which is the same as that of the ground electrode layer or a line width narrower than that of the ground electrode layer.例文帳に追加

本発明の太陽電池は、ｐｎ接合を有する基板上の線状の受光面電極が、下地電極層および前記下地電極層上のメッキ電極層を備え、前記メッキ電極層が、前記下地電極層の線幅と同じ線幅、又は前記下地電極層の線幅より狭い線幅を有することを特徴とする。 - 特許庁

In the back electrode type photoelectric conversion element equipped with semiconductor layers 60, 62 and electrodes 80, 82 for collecting carriers only onto the back side of a semiconductor substrate 40 constituted of a principal constituent of a group IV material, a quantum well unit 50 is provided between a p-layer and an n-layer which constitute a pn junction unit on the back side of the substrate.例文帳に追加

ＩＶ属材料を主成分とする半導体基板４０の裏面側にのみキャリアを収集するための半導体層６０，６２及び電極８０，８２を備えた裏面電極型の光電変換素子において、基板裏面側のｐｎ接合部を構成するｐ層とｎ層との間に量子井戸部５０を設けたことを特徴とする。 - 特許庁

Because an N+-type diffusion area 103 is absent on the incident surface side in the detector 100, the electron beam (or the reflected electron) accelerated by the high acceleration voltage (about 100 keV) is incident from the rear face side (the incident surface side) of the N--type semiconductor substrate 101 and reaches the vicinity of the PN junction on the front face side to generate electrons.例文帳に追加

ＰＮ型電子線検出器１００では、Ｎ^+型拡散領域１０３が入射面側にないので、高い加速電圧（１００ＫｅＶ程度）で加速された電子線（又は反射電子）は、Ｎ^-型半導体基板１０１の裏面側（入射面側）から入射し、表面側のＰＮ接合近傍に達して電子を生じさせる。 - 特許庁

The frame type laser diode is used as a laser light source of an optical pickup device for reading out a signal recorded on an optical disk and has a laser diode chip mounted to a plane where a metallic lead frame is provided, and the laser diode chip 19 is disposed so that a PN junction surface of the laser diode chip 19 is perpendicular to the plane of the lead frame 17.例文帳に追加

光ディスクに記録されている信号を読み出す光ピックアップ装置のレーザー光源として使用されるとともに金属製のリードフレームに設けられている平面上にレーザーダイオードチップが搭載されるフレーム型レーザーダイオードであり、レーザーダイオードチップ１９のＰＮ接合面１９Ａをリードフレーム１７の平面に対して垂直になるように配置したことを特徴とする。 - 特許庁

The group III nitride-based semiconductor light emitting element has a light emitting part of pn junction double heterostructure obtained by forming a lower barrier layer 104 of n-type group III nitride-based semiconductor, a light emitting layer 105 of III nitride semiconductor, and a p-type upper barrier layer 106 sequentially on a crystal substrate 101.例文帳に追加

結晶基板１０１上に、ｎ形のＩＩＩ族窒化物半導体からなる下部障壁層１０４とＩＩＩ族窒化物半導体からなる発光層１０５とｐ形の上部障壁層１０６とを順次積層したｐｎ接合型ダブルヘテロ構造の発光部を有するＩＩＩ族窒化物半導体発光素子において、上部障壁層を、ｐ形のリン化硼素（ＢＰ）系半導体とする。 - 特許庁

Since a channel is formed in the n-type channel layer located beneath the p-type channel layer touching a gate oxide film 7 and a current can be fed thereto when a PN junction is formed in the surface channel layer 5, a channel can be formed regardless of the roughness or residual defect of the interface (MOS interface) between the gate oxide film 7 and the surface channel layer 5.例文帳に追加

このように、表面チャネル層５にＰＮ接合を形成することにより、ゲート酸化膜７と接するｐ型チャネル層の下部に位置するｎ型チャネル層にチャネルを形成して電流を流すことができるため、ゲート酸化膜７と表面チャネル層５との界面（ＭＯＳ界面）のラフネス又は残留欠陥とは関係なく、チャネルを形成することができる。 - 特許庁

To provide a microfabricated PN junction interface with good flatness by reducing low-frequency noise by solving problems of cooling within a range of, especially, 270 to 150°C during formation of a P-type region as a base before an N-type impurity is added such as a P-type wafer substrate of a MOS integrated circuit and a base region of an NPN transistor of a bipolar integrated circuit etc.例文帳に追加

ＭＯＳ集積回路のＰ型ウェーハ基板やバイポーラ集積回路のＮＰＮトランジスタのベース領域など、Ｎ型不純物を添加する以前の下地となるＰ型領域形成時の特に２７０〜１５０℃の範囲の冷却には問題があり、それらの問題を解決し低周波雑音を低減し、平坦性の良い微細化ＰＮ接合界面を提供する。 - 特許庁

There is provided, in a pn semiconductor junction, the power switching element in which a semiconductor with a high specific inductive capacity that is larger than those of a p-layer and an n-layer semiconductors is arranged between the p-layer and the n-layer semiconductors.例文帳に追加

本発明のパワースイッチング素子は、ｐｎ半導体接合界面において、ｐ層半導体とｎ層半導体との間に、前記ｐ層半導体および前記ｎ層半導体より比誘電率の大きい高比誘電率半導体を配置したもので、高比誘電率半導体として、Ｇｅ、ＡｌＳｂ、ＧａＡｓ、ＧａＳｂ、ＩｎＡｓ、ＩｎＰ、ＩｎＳｂ、ＰｂＳ、ＰｂＴｅを用いるものである。 - 特許庁

A plurality of (first to third) light receiving pn junction diodes D1 to D3 are formed by providing a plurality of (first to third) p-type regions 31 to 33 at different depths from the surface of an n-type semiconductor layer 2 at different positions of the n-type semiconductor layer 2 which is provided on a p-type semiconductor substrate 1 with substantially uniform thickness.例文帳に追加

ｐ型の半導体基板１上にほぼ均一な厚さのｎ型半導体層２が設けられ、そのｎ型半導体層２の異なる場所に、ｎ型半導体層２の表面から複数個（第１〜第３）のｐ型領域３１〜３３が異なる深さで設けられることにより、複数個（第１〜第３）の受光用ｐｎ接合ダイオードＤ１〜Ｄ３が形成されている。 - 特許庁

The semiconductor photo detector 1 for generating carriers in response to incident light comprises: a substrate 2 that has a surface M1 and a surface M2 and includes a pn junction 31 provided on the first substrate M1; an underlayer 4 provided on at least one of the surfaces M1, M2; and a noble metal layer 5 provided on the underlayer 4.例文帳に追加

入射光に感応してキャリアを発生する半導体光検出器１であって、表面Ｍ１及び表面Ｍ２を有しており第１の表面Ｍ１に設けられたｐｎ接合部３１を含む基体２と、表面Ｍ１又は表面Ｍ２の少なくとも一方の表面上に設けられた下地層４と、下地層４上に設けられた貴金属層５とを備える。 - 特許庁

The semiconductor device includes: a semiconductor region 12 formed on a semiconductor substrate 11; an element separation region 13 for separating the semiconductor region 12 from another region; a diffusion layer 14 formed in the upper part of the semiconductor region 12 and forming PN junction on a boundary with the semiconductor region 12; and a silicide layer 15 formed in the upper part of the diffusion layer 14.例文帳に追加

半導体装置は、半導体基板１１に形成された半導体領域１２と、半導体領域１２を他の領域から分離する素子分離領域１３と、半導体領域１２の上部に形成され、半導体領域１２との界面においてＰＮ接合を形成する拡散層１４と、拡散層１４の上部に形成されたシリサイド層１５とを備えている。 - 特許庁

The MOS transistor 100, 100a, 100b formed on a semiconductor substrate 90, and having a drain region 20 and a backgate region 40 comprising different conductive type diffusion layers 21, 22, 41 and 42 is characterized in that the drain region 20 and the backgate region 40 are arranged adjacent to each other, and have a region with a PN-junction formed on the adjacent surface.例文帳に追加

半導体基板９０に形成され、異なる導電型の拡散層２１、２２、４１、４２からなるドレイン領域２０とバックゲート領域４０とを有するＭＯＳトランジスタ１００，１００ａ、１００ｂであって、 前記ドレイン領域２０と前記バックゲート領域４０とが隣接して配置され、隣接面にＰＮ接合が形成された領域を有することを特徴とする。 - 特許庁

This compound sensor includes a UV sensor part including a PN junction area provided within an SOI layer layered on an embedded oxide film on a semiconductor substrate, and an IR sensor part including an N-type low-density diffusion area provided in the SOI layer, and an N-type high-density diffusion area provided within the semiconductor substrate opposedly to the low-density diffusion area.例文帳に追加

半導体基板上の埋め込み酸化膜上に積層されたＳＯＩ層内に設けられたＰＮ接合領域を含むＵＶセンサ部と、前記ＳＯＩ層に設けられたＮ型の低濃度拡散領域及び前記低濃度拡散領域に対向して前記半導体基板内に設けられたＮ型の高濃度拡散領域を含むＩＲセンサ部とを有している。 - 特許庁