PN junctionの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 708件
Therefore, when a reverse bias is applied to the PN junction region, backward breakdown voltage does not change because current becomes hard to flow in an outer periphery of the pn junction region.例文帳に追加
従って、逆方向バイアスがＰＮ接合領域に印加されたとき、ＰＮ接合領域の外周部には電流が流れ難くなり、逆方向耐圧が変動することがない。 - 特許庁
In this case, the pn junction diode and the Schottoky junction diode are connected in series from the viewpoint of the equivalent circuit, and the breakdown voltage is determined with a value of the junction diode.例文帳に追加
このとき、等価回路的にはｐｎ接合ダイオードとショットキー接合ダイオードが直列接続された状態になり、耐圧はｐｎ接合ダイオードの値で決まる。 - 特許庁
When an avalanche breakdown voltage is applied to a PN junction comprising a P type guard ring 4 and an N- layer 13a, a depletion layer 15 extending from the junction plane of the PN junction to the N- layer 13a side reaches an auto-doping layer 13b.例文帳に追加
Ｐ型ガードリング４とＮ^-層１３ａとからなるＰＮ接合にアバランシェ降伏電圧が印加された時に、前記ＰＮ接合の接合面からＮ^-層１３ａ側に伸びた空乏層１５が、オートドーピング層１３ｂに到達している。 - 特許庁
Accordingly, leakage current in a pn-junction caused by crystal defects can be reduced.例文帳に追加
したがって結晶欠陥に起因して発生するｐｎ接合のリーク電流を低減できる。 - 特許庁
To reduce a reverse leakage current at a pn junction part without increasing ON resistance.例文帳に追加
オン抵抗を増加させることなく、ｐｎ接合部分における逆方向リーク電流を低減する。 - 特許庁
The PN junction surface 5 protrudes toward the light-emission surface 11.例文帳に追加
このＰＮ接合面５は、発光面１１に向かって突出した凸形状を有することになる。 - 特許庁
Protective elements having pn junction regions 22, 23 are formed in the circumference of the resistor 1.例文帳に追加
抵抗１の周囲には、ＰＮ接合領域２２、２３を有する保護素子が形成されている。 - 特許庁
The semiconductor device may additionally include a third potential well 8 not located within a pn junction.例文帳に追加
半導体デバイスはｐｎ接合内に位置しない第３のポテンシャル井戸８をさらに備え得る。 - 特許庁
EVALUATION METHOD TO EVALUATE POSITION RELATION OF PN JUNCTION FACE OF SEMICONDUCTOR WITH BOTTOM PORTION OF TRENCH例文帳に追加
半導体装置のＰＮ接合面とトレンチの底部との位置関係を評価する評価方法 - 特許庁
To realize an effective ion implantation method to constitute a low resistance and shallow pn junction.例文帳に追加
低抵抗の浅いｐｎ接合を形成するために有効なイオン注入方法を実現すること。 - 特許庁
A pn-junction solar battery is formed on a predetermined area on a substrate 102 formed of glass.例文帳に追加
ガラスからなる基板１０２上の所定領域にｐｎ接合型の太陽電池が構成される。 - 特許庁
A current flows through the pn junction because a voltage difference is generated in the chip, and the blue light is emitted.例文帳に追加
チップに電圧差が生じることでｐｎ接合部に電流が流れ、青色光を発する。 - 特許庁
The semiconductor structure coupling body includes at least one pn junction and has a light receiving surface.例文帳に追加
半導体構造結合体は少なくとも１つのｐｎ接合を含み、被照面を有する。 - 特許庁
Thus, a pn-junction receptor (optical sensor) is formed on the end surface of the filament 2001.例文帳に追加
これにより、線状体２００１の端面にｐｎ接合の受容部（光センサ）が形成される。 - 特許庁
A pn junction forms a diode between the polysilicon gate 13 and the diode polysilicon 15.例文帳に追加
ポリシリコンゲート１３とダイオード用ポリシリコン１５のＰＮ接合によってダイオードが形成されている。 - 特許庁
Alternatively, a fuse having a pn junction at the cutting position is formed thus constituting the trimming element.例文帳に追加
或いは切断箇所にｐｎ接合を有するフューズを形成してトリミング素子を構成する。 - 特許庁
Breakdown voltage of the PN junction region 16 is lower than that between the source and drain.例文帳に追加
ＰＮ接合領域１６のブレークダウン電圧は、ソース−ドレイン間のブレークダウン電圧よりも低い。 - 特許庁
Breakdown voltage of the PN junction region 17 is lower than that between the source and drain.例文帳に追加
ＰＮ接合領域１７のブレークダウン電圧は、ソース−ドレイン間のブレークダウン電圧よりも低い。 - 特許庁
Breakdown voltage of the PN junction region 19 is lower than that between the source and drain.例文帳に追加
ＰＮ接合領域１９のブレークダウン電圧は、ソース−ドレイン間のブレークダウン電圧よりも低い。 - 特許庁
The Mg_XZnO is transparent against visible light and does not have pn junction by impurity doping.例文帳に追加
Ｍｇ_ＸＺｎＯは可視光に対し透明で、不純物ドーピングによるｐｎ接合を持たない。 - 特許庁
A PN junction diode between an emitter electrode (22) and a collector electrode (23) of the insulated gate bipolar transistor is built through a PN junction formed between the peripheral base region (27) and the first base region (16).例文帳に追加
周辺ベース領域(27)と第１のベース領域(16)との間に形成されるＰＮ接合により、絶縁ゲート型バイポーラトランジスタのエミッタ電極(22)とコレクタ電極(23)との間にＰＮ接合ダイオードを形成する。 - 特許庁
The lower electrode of a ferroelectric capacitive element 102 is connected to a probing pad 106 via a pn junction diode 103 and connected to a probing pad 107 via a pn junction diode 104.例文帳に追加
強誘電体容量素子１０２の下部電極はｐｎ接合ダイオード１０３を介してプロービングパッド１０６と、ｐｎ接合ダイオード１０４を介してプロービングパッド１０７と接続されている。 - 特許庁
Each solar cell has at least two overlapped and stacked pn-junctions (2,3,6), one of which (6) is an even pn-junction.例文帳に追加
各太陽電池が、重なり合って積層された少なくとも２つのｐｎ−接合（２，３，６）を備え、ｐｎ−接合の１つ（６）が、均一なｐｎ−接合である。 - 特許庁
The conductivity nearby mesa flank is changed in type and intensity so that a pn junction and a carrier multiplication layer applied with a high electric field are not exposed to the mesa flank.例文帳に追加
メサ側面に高電界のかかるpn接合やキャリア増倍層が露出しないように、側面近傍の導電性のタイプや大きさを変える。 - 特許庁
To reduce a leak current that occurs in a pn-junction region between a gate and a source in a trench type junction FET using a silicon carbide substrate.例文帳に追加
炭化珪素基板を用いた接合型ＦＥＴにおいて、ゲート・ソース間のｐｎ接合領域において生じるリーク電流を低減する。 - 特許庁
To provide a semiconductor device in which the occurrence of pn junction leakage is suppressed, and a method for manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加
ＰＮ接合リークの発生を抑制した半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁
The radiation source, which comprises pn junction arranged on a substrate, used for lithography can discharge UV or DUV radiation in such a way that avalanche breakdown is generated by reversely biasing the pn junction, and electrons accelerated in n-type region of the pn junction is decelerated.例文帳に追加
基板上に配置されたｐｎ接合を備えた放射源であって、前記ｐｎ接合を逆バイアスしてなだれ降伏を生じさせ、前記ｐｎ接合のｎ型領域中に加速された電子の減速によってＵＶ放射若しくはＤＵＶ放射を放出させることができる、リソグラフィに使用するための放射源である。 - 特許庁
So that the forward bias has a value smaller than an inherent potential barrier of pn junction, m and n are set.例文帳に追加
該フォーワードバイアスがｐｎ接合の固有電位障壁より小さな値となるように、ｍとｎを設定する。 - 特許庁
The p-type diffusion layer forms n-type diffusion layers 19, 40, and the pn junction region.例文帳に追加
一方、Ｐ型の拡散層は、Ｎ型の拡散層１９、４０とＰＮ接合領域を形成している。 - 特許庁
The laser light source 410 is disposed so that a pn junction surface of a laser chip is parallel to a vertical direction.例文帳に追加
レーザ光源１００は、レーザチップのｐｎ接合面が鉛直方向に平行となるように配される。 - 特許庁
The photosensor includes, for example, one or a plurality of PN junction elements connected in parallel.例文帳に追加
光センサは、例えば一つ又は並列に接続された複数のＰＮ接合素子で構成されている - 特許庁
The shielding layer has a first conductivity, and forms a pn junction between the shielding layer and the first diffusion region.例文帳に追加
シールド層は第１の導電型よりなり、第１の拡散領域との間にｐｎ接合を形成する。 - 特許庁
An electroluminescent (EL) image of the even pn-junction is obtained with a predetermined bias current (Isc).例文帳に追加
所定のバイアス電流（Ｉｓｃ）で均一なｐｎ−接合のエレクトロルミネセンス（ＥＬ）画像が取得される。 - 特許庁
The lower layer of the electrode pad 1 not providing an external potential is provided with a pn junction.例文帳に追加
さらに、外部から電位を与えない電極パッド部１の下層にｐｎ接合部が設けられている。 - 特許庁
By this oxidation, the depth of pn junction made between the P well 6 and the N-type region 6 becomes shallow.例文帳に追加
この酸化により、Ｐウェル５とＮ型領域６で形成されるｐｎ接合深さが浅くなる。 - 特許庁
To provide in a simplified way a pn junction type compound semiconductor light emitting device presenting multi-wavelength luminescence.例文帳に追加
多波長の発光を呈するｐｎ接合型化合物半導体発光素子を簡易に提供する。 - 特許庁
To provide a light-receiving element capable of easily forming the position of a pn junction in a light-receiving layer.例文帳に追加
ｐｎ接合の位置を受光層内に形成することが容易である受光素子を提供する。 - 特許庁
By introducing P-type impurities into an N-type impurity concentration distribution for forming a super staircase PN junction, to balance out, a semiconductor layer in which the impurity concentration distribution in the PN junction part is made gentle compared with the impurity concentration distribution in which the super staircase PN junction is formed.例文帳に追加
超階段型ＰＮ接合を形成するためのＮ型不純物濃度分布に、Ｐ型不純物を導入して相殺させることにより、超階段型ＰＮ接合を形成する不純物濃度分布に比べて、ＰＮ接合部における不純物濃度分布をなだらかにした半導体層を設ける。 - 特許庁
A protective element including pn junction areas 34 and 35 is formed around the MOS transistor 1.例文帳に追加
ＭＯＳトランジスタ１の周囲には、ＰＮ接合領域３４、３５を有する保護素子が形成されている。 - 特許庁
A protective element including pn junction areas 21 and 22 is formed around the npn transistor 1.例文帳に追加
ＮＰＮトランジスタ１の周囲には、ＰＮ接合領域２１、２２を有する保護素子が形成されている。 - 特許庁
The diode (50) is formed by pn-junction of the p^+-diffusion layer and the n-type high concentration layer.例文帳に追加
ｐ^＋拡散層とＮ型高濃度層との間のｐｎ接合によってダイオード（５０）を構成する。 - 特許庁
A PN junction is implemented at the contact portion between the P-type semiconductor film and the interconnector (N-type semiconductor).例文帳に追加
Ｐ型半導体膜とインターコネクタ（Ｎ型半導体）との接合部において、「ＰＮ接合」が実現される。 - 特許庁
The laser light source 410 is disposed so that the pn junction surface of a laser chip is parallel to the vertical direction.例文帳に追加
レーザ光源４１０は、レーザチップのｐｎ接合面が鉛直方向に平行となるように配される。 - 特許庁
A cathode of the first Schottky barrier diode 21 is connected to a cathode of the first PN junction diode 11a.例文帳に追加
ショットキーバリアダイオード２１のカソードは、第１のＰＮ接合ダイオード１１ａのカソードに接続されている。 - 特許庁
A pn junction type solar cell is configured in a prescribed region on a substrate 102 made of glass.例文帳に追加
ガラスからなる基板１０２上の所定領域にｐｎ接合型の太陽電池が構成される。 - 特許庁
Pn junction J is formed by the second n-type semiconductor layer 19 and the p-type semiconductor layer 17.例文帳に追加
第２のｎ型半導体層１９とｐ型半導体層１７とはｐｎ接合Ｊを形成する。 - 特許庁
PN junction reverse leak current of a photodiode and pn junction reverse leak current of an MOS transistor are offset by deciding the conductivity type of the MOS transistor connected to the photodiode with a pn junction, and noise component is reduced as added to a signal charge due to photoelectric conversion.例文帳に追加
ＰＮ接合を有するフォトダイオードに接続されるＭＯＳトランジスタの導電型を決定することで、フォトダイオードのＰＮ接合逆方向リーク電流と、ＭＯＳトランジスタのＰＮ接合逆方向リーク電流を相殺し、光電変換による信号電荷に加算されるノイズ成分を低減する構成とする。 - 特許庁
The semiconductor layer in the light receiving part (region PD) has a pn junction in a junction part of the p^--type epitaxial layer 2 and the n-type silicon substrate 5a.例文帳に追加
受光部（領域ＰＤ）における半導体層は、ｐ^−型エピタキシャル層２とｎ型シリコン基板５ａとの接合部にｐｎ接合を有する。 - 特許庁
All positive/negative carriers generated near the pn junction are collected by the lateral electrodes 16 and 18, passing through the surface layers (layer as thick as light is penetrable) 12a and 14a of a pn junction cell irradiated with light.例文帳に追加
ｐｎ接合近傍で発生した正負キャリアは全て光のあたっているセル表層部分（表面から光が侵入できる厚さ部分）１２ａ，１４ａを通って左右の電極１６，１８に収集される。 - 特許庁
| Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved. |
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|