「PN junction」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

When forming the pn junction by using the micro-heater in this way, the high-quality pn junction can be formed over the large area on the glass substrate.例文帳に追加

このようにマイクロヒーターを利用してｐｎ接合を形成する場合、ガラス基板上の大面積にわたって高品質のｐｎ接合を形成することができる。 - 特許庁

Thus, an exposed part 5A of the PN junction surface 5 is away from an anode electrode 8 while the PN junction surface 5 has a wide area.例文帳に追加

そのため、ＰＮ接合面５の露出部５Ａは、アノード電極８からは遠く離れており、また、ＰＮ接合面５は広い面積を有することができる。 - 特許庁

The tunnel junction layer 18 is a layer of a pn junction of a narrow depletion layer width capable of causing a tunnel effect.例文帳に追加

トンネル接合層１８は、トンネル効果が起こり得るような空乏層幅の狭いｐｎ接合の層である。 - 特許庁

To suppress a leakage current between: a PN junction of source/drain regions; and a contact.例文帳に追加

ソース／ドレイン領域のＰＮ接合部とコンタクト間のリーク電流を抑制する。 - 特許庁

The upper gate layer 19 and the channel layer 17 form a pn junction 29b.例文帳に追加

上部ゲート層１９チャネル層１７とはｐｎ接合２９ｂを形成する。 - 特許庁

After the PN junction is formed, the semiconductor chip is sealed with a resin.例文帳に追加

このＰＮ接合部を形成した後に、半導体チップを樹脂で封止する。 - 特許庁

pn JUNCTION TYPE BORON PHOSPHIDE GROUP SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

ｐｎ接合型リン化硼素系半導体発光素子およびその製造方法 - 特許庁

By the above, since an upper face of a pn-junction area 51, namely, an exposed face of the pn-junction is covered by the electron shielding member 60, incidence of electron and X-ray on the exposed face of the pn-junction area 51 can be prevented.例文帳に追加

よって、ｐｎ接合領域５１の上面、すなわちｐｎ接合領域の露出面は電子遮蔽部材６０により覆われることとなるため、ｐｎ接合領域５１の露出面への電子及びＸ線の入射を防止することができる。 - 特許庁

The pn junction 19 is arranged inside the light-receiving layer 21 and window layer 23.例文帳に追加

ｐｎ接合１９は受光層２１および窓層２３内に設けられている。 - 特許庁

To provide a PN junction having improved energy conversion capacity under low-temperature conditions (200°C or lower), and to provide a semiconductor dispersing element for forming the PN junction.例文帳に追加

低温（２００℃以下）の温度条件でエネルギー変換能に優れたＰＮ接合体及びそのＰＮ接合体を形成するための半導体分散体を開発する。 - 特許庁

The light receiving element 1 detects light by the pn junction between a buried layer 12 and a substrate 11, and the pn junction between an epitaxial layer 13 and a diffusion layer 12.例文帳に追加

拡散層１２が面内方向において複数の領域１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄに分割形成され、各領域１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄにおいて縦方向にｐｎ接合が形成されている。 - 特許庁

The channel layer 17 and the embedded gate layer 15 form a pn junction 29a.例文帳に追加

チャネル層１７と埋め込みゲート層１５とはｐｎ接合２９ａを形成する。 - 特許庁

PN-JUNCTION COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE, ITS MANUFACTURING METHOD, LAMP, AND LIGHT SOURCE例文帳に追加

ｐｎ接合型化合物半導体発光素子、その製造方法、ランプ及び光源 - 特許庁

MICRO-HEATER ARRAY, PN JUNCTION HAVING MICRO-HEATER ARRAY AND ITS FORMING METHOD例文帳に追加

マイクロヒーターアレイ及びマイクロヒーターアレイを備えたｐｎ接合、並びにその形成方法 - 特許庁

A p-type heat-conducting element 1 and an n-type heat-conducting element 2 are bonded by PN junction to the substrates 4-7 to be subjected to PN junction through the electrodes 8-11.例文帳に追加

これらの基板の内でＰＮ接合をすべき基板４〜７に、電極８〜１１を介してＰ型及びＮ型の熱電導体１及び２をＰＮ接合する。 - 特許庁

An annular gate electrode 6 is provided above pn-junction portions 22 between the side surfaces of the p-type body region 4 and the n-type drift region 3 along the pn-junction portions 22.例文帳に追加

ｐ型ボディ領域４の側面とｎ型ドリフト領域３とのｐｎ接合部２２の上方に、そのｐｎ接合部２２に沿って、環状のゲート電極６が設けられる。 - 特許庁

A semiconductor device is provided including a first potential well 12 located within a pn junction 10 and a second potential well 4 not located within a pn junction.例文帳に追加

ｐｎ接合１０内に位置する第１のポテンシャル井戸１２と、ｐｎ接合内に位置しない第２のポテンシャル井戸４とを備える半導体デバイスが提供される。 - 特許庁

diode such that light emitted at a p-n junction is proportional to the bias current 例文帳に追加

バイアス電流と比例するそのようなその光がPN接合で放射されたダイオード - 日本語WordNet

A pn junction diode includes an n^- region 1 and a p^+ region 2.例文帳に追加

ｎ^-領域１とｐ^+領域２とによりｐｎ接合ダイオードが構成されている。 - 特許庁

In a scribe region 14, a pn junction 15 of a protection diode D1 is formed.例文帳に追加

スクライブ領域１４では保護ダイオードＤ１のＰＮ接合部１５を形成する。 - 特許庁

PN JUNCTION-TYPE HETEROSTRUCTURE COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT AND ITS FORMING METHOD例文帳に追加

ｐｎ接合型ヘテロ構造化合物半導体発光素子及びその形成方法 - 特許庁

Consequently, a PN junction part is formed at a distance from the interfacial potential generation part.例文帳に追加

それにより、ＰＮ接合部は、界面準位発生部から離れた位置に形成される。 - 特許庁

PN-JUNCTION TYPE COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE, METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND WHITE LIGHT EMITTING DIODE例文帳に追加

ｐｎ接合型化合物半導体発光素子、その製造方法、白色発光ダイオード - 特許庁

The source/drain layers 9 and the gate width deciding layer 15 are separated by PN junction.例文帳に追加

ソース／ドレイン層９とゲート幅決定層１５は、ＰＮ接合によって分離されている。 - 特許庁

In addition, a plane of pn junction is formed, and a diode or a transistor is formed.例文帳に追加

あるいは、メサ段差内にｐｎ接合面を設けて、ダイオードやトランジスタを形成する。 - 特許庁

The p^+ type anode layer 15 and the n^- type base layer 14 form a pn junction.例文帳に追加

上記ｐ^＋型アノード層１５とｎ^−型ベース層１４でｐｎ接合を形成する。 - 特許庁

The light reception section 14 composes a pn junction diode with the semiconductor substrate 10.例文帳に追加

受光部１４は、半導体基板１０と共にＰＮ接合ダイオードを構成している。 - 特許庁

And the pn junction is protected by coating it with layer of transparent oxide.例文帳に追加

また、透明な酸化物の層で被覆することにより、ｐｎ接合を保護することができる。 - 特許庁

To suppress erosion and redeposition of wiring due to the solar cell effect of pn junction.例文帳に追加

ＰＮ接合の太陽電池効果による配線の腐食及び再堆積を抑制する。 - 特許庁

A voltage is applied to a pn junction between the second-conductive cladding layer and the current constriction layer, and the leakage current through the pn junction is detected while the voltage is applied to the pn junction.例文帳に追加

そして、第２導電型クラッド層と電流狭窄層との間のｐｎ接合に対し電圧を印加し、ｐｎ接合に対し電圧を印加した状態で、第２導電型クラッド層と電流狭窄層との間のｐｎ接合におけるリーク電流を検出する。 - 特許庁

The GaN layer 2 is transparent to visible light and has no pn junction made by impurity doping.例文帳に追加

ＧａＮは可視光に対し透明で、不純物ドーピングによるｐｎ接合を持たない。 - 特許庁

Thus, the pn junction of the LED element 1 is prevented from becoming the overheat.例文帳に追加

これによりＬＥＤ素子１のｐｎ接合部が過熱状態になるのを防止する。 - 特許庁

To provide a pn junction diode for power devices which comprises GaN nano-columns.例文帳に追加

ＧａＮナノコラムから成るパワーデバイス用のｐｎ接合ダイオードの提供を目的とする。 - 特許庁

P-TYPE SEMICONDUCTOR DISPERSING ELEMENT, P-TYPE SEMICONDUCTOR LAYER, PN JUNCTION, AND ENERGY CONVERTER例文帳に追加

Ｐ型半導体分散体、Ｐ型半導体層、ＰＮ接合体及びエネルギー変換体 - 特許庁

A pn-junction is formed between the Si substrate 1 and the β-FeSi_2 film 2.例文帳に追加

Ｓｉ基板１とβ−ＦｅＳｉ_２膜２との間には、ｐｎ接合が形成される。 - 特許庁

The second clad layer 21 and the third clad layer 23 constitute a pn junction 27.例文帳に追加

第２のクラッド層２１及び第３のクラッド層２３はｐｎ接合２７を構成する。 - 特許庁

MANUFACTURING METHODS OF P TYPE Ga2O3 FILM AND PN JUNCTION Ga2O3 FILM例文帳に追加

ｐ型Ｇａ２Ｏ３膜の製造方法およびｐｎ接合型Ｇａ２Ｏ３膜の製造方法 - 特許庁

The power semiconductor device is provided with a pn junction between two sets of power electrodes (2, 3).例文帳に追加

パワー半導体デバイスは、２つのパワー電極（２、３）間にｐｎ接合を有している。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR, p-TYPE SEMICONDUCTOR, SEMICONDUCTOR BONDING ELEMENT, pn-JUNCTION ELEMENT, AND PHOTOELECTRIC CONVERTER例文帳に追加

半導体、ｐ型半導体、半導体接合素子、ｐｎ接合素子、および光電変換装置 - 特許庁

When the Schottky junction is inversely biased, a pn junction formed between the inverse rejection region 33b and rectifying region 13 is also inversely biased, and the rectifying region 13 is filled with a depletion layer spreading from the pn junction.例文帳に追加

ショットキー接合が逆バイアスされるとき、逆阻止領域３３ｂと整流領域１３の間に形成されるｐｎ接合も逆バイアスされ、ｐｎ接合から広がった空乏層で整流領域１３が満たされる。 - 特許庁

To provide a PN junction diode suppressing defects such as a leak current generated by contact of a P/N junction interface end of a silicon semiconductor with the atmosphere and hardly causing failure, and to provide a method for manufacturing the PN junction diode.例文帳に追加

シリコン半導体のＰ/Ｎ接合界面端部が、大気と接することで生じるリーク電流等の欠陥を抑制し、不良を起こしにくくしたＰＮ接合ダイオードおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

A PN junction 43 of the second drain region 35 and the first body region 36 is exposed on one main surface of the semiconductor base.例文帳に追加

第２のドレイン領域３５と第１のボデイ領域３６とのPN接合４３は半導体基体の一方の主面に露出している。 - 特許庁

PN junction 12a exists in the selection transistor 12, as reverse bias is performed, a junction leak current i_L is made to flow.例文帳に追加

選択トランジスタ１２にはＰＮ接合１２ａが存在し、逆バイアスされていることから接合リーク電流ｉ_Ｌが流れる。 - 特許庁

To provide a method for forming a silicon film composed of a polycrystal by using a micro-heater, a method for forming a pn junction, and a pn junction formed by using the same.例文帳に追加

マイクロヒーターを利用して、多結晶シリコンからなるシリコン膜を形成する方法、ｐｎ接合を形成する方法、及びこれを用いて形成されたｐｎ接合を提供する。 - 特許庁

On the other hand, since the amount of the small number of injected carriers is small, the switching speed is faster than that of the PN junction IGBT and a switching loss is smaller than that of the PN junction IGBT.例文帳に追加

他方、少数キャリアの注入量は少ないため、ＰＮ接合型のＩＧＢＴよりもスイッチング速度が早く、スイッチング損失はＰＮ接合型のＩＧＢＴよりも小さい。 - 特許庁