「Passivation」に関連した英語例文の一覧と使い方(15ページ目) - Weblio英語例文検索

To suppress the generation of peeling or cracks on a passivation film for protecting a wiring against water, which is caused by a thermal stress generated due to thermal load imposed on a mutlilayer semiconductor device.例文帳に追加

多層配線の半導体装置が熱負荷を受けて生じる熱応力によって、配線を水分等から保護するパッシベーション膜に剥離やクラックが発生することを抑制する。 - 特許庁

Passivation layer 17 is formed of an insulator that has an electron emission portion formed on upper bus electrodes 15 and 16 and an opening portion formed on contact portion between upper electrodes and upper bus electrodes.例文帳に追加

上部バス電極１５、１６上に、電子放出部と、上部電極１３と上部バス電極との接触部に開口部を有する絶縁体からなるパシベーション膜１７を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor element having a capacitor and its manufacturing method that can effectively prevent hydrogen generated in a passivation process from being diffused inside the capacitor.例文帳に追加

パッシベーション工程で発生された水素がキャパシタ内部に拡散されることを効果的に防止することのできる、キャパシタを備えた半導体素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The passivation cleaning for Mg out of the light metals includes treatment with a weakly acidic solution containing a carboxylic acid and a pyrophosphate, and subsequent treatment with a solution containing phosphoric acid and ammonium hydrogenfluoride.例文帳に追加

軽金属がＭｇ系の場合の不動態化洗浄はカルボン酸とピロリン酸塩を含む弱酸性溶液で処理したのちリン酸とフッ化水素アンモニウムを含む溶液で処理する。 - 特許庁

In the passivation film 2 and the polyimide resin 3, a pad opening 12 is formed above the pad of the uppermost layer metal 1 and a mark opening 22 serving as an alignment mark is formed.例文帳に追加

パッシベーション膜２およびポリイミド樹脂３には、最上層メタル１のパッド部上にパッド開口１２が形成されると共に、アライメントマークとして機能するマーク開口２２が形成される。 - 特許庁

The top surface of these pads 6 and test pads 8 is selectively covered with passivation film 12, and bumps 10 are formed on the pads 6 via barrier layer 9.例文帳に追加

これらバンプ用パッド６および検査用パッド８の直上は、選択的にパッシベーション膜１２が開口され、そのバンプ用パッド６上にバリア層９を介してバンプ１０が形成される。 - 特許庁

To provide an integrated circuit having a low-stressed thin protective film having a polymer material usable for packaging semiconductor devices and an intensified adhesion in passivation film layers.例文帳に追加

低ストレスで薄膜の、半導体装置のパッケージングに使用される重合体材料及びパシベーション膜層内の増強された接着性を持つ、保護被膜を有する集積回路を提供する。 - 特許庁

A metal film 5 of Al is formed on a passivation film 3, and a capacitor constituted of a first wiring metal 7, an interlayer dielectric film 8 and a second wiring metal 9 is formed.例文帳に追加

パッシベーション膜３の上にＡｌの金属膜５を形成し、第１の配線金属７、層間誘電体膜８及び第２の配線金属９から成るキャパシタを形成する。 - 特許庁

Furthermore, a dense inorganic passivation film 15 covering the semiconductor layers 2 to 6 is formed of a silicon nitride film through, for instance, a plasma CVD method, and electrodes 7 to 9 are provided in an opening.例文帳に追加

さらに、半導体層２〜６を被覆する緻密な無機パッシベーション膜１５を、例えばプラズマＣＶＤ法による窒化シリコン膜によって形成し、開口部に電極７〜９を形成する。 - 特許庁

This coloring combined with the roughness of a surface passivation layer makes the tone change unnoticeable between the openings or portions of the electrode patterns resulting from the integrating processing.例文帳に追加

また前記の着色は、表面パッシベーション層の凹凸と相俟って、集積化加工に伴う開孔や電極パターンの部分間での色調変化を目立たなくすることができる。 - 特許庁

To provide an anode for electric solidification printing exhibiting excellent cleaning performance in which cleaning causes no wear nor depression and formation of passivation film is not prevented.例文帳に追加

洗浄により摩耗やくぼみが生じることがないとともに洗浄性に優れ、また、不動態化皮膜の形成が妨げられることもない電気凝固印刷用の陽極を提供すること。 - 特許庁

The passivation film 103 has at least a silicon nitride film and the silicon nitride film positioned between the metal film 105, and pad 102 is ≥1.2 μm thick.例文帳に追加

上記パッシベーション膜１０３は少なくともシリコン窒化膜を有し、上記金属膜１０５と上記パッド１０２との間に位置する該シリコン窒化膜の厚さは１．２μｍ以上である。 - 特許庁

Thereby, a hydrogen supply volume from the passivation film 8 to a semiconductor front surface part can be separately controlled at the pixel portion 11A and the peripheral circuit part 11B by sinter treatment which applies heat.例文帳に追加

これによって、熱をかけるシンター処理で画素部１１Ａと周辺回路部１１Ｂでパッシベーション膜８から半導体表面部への水素供給量を別々に制御できる。 - 特許庁

The metal strap layer is formed, by etching a passivation layer covering the upper sides of the bus, and the like, to form a longitudinal groove, and by plating the thick metal layer in the groove.例文帳に追加

金属ストラップ層は、バスなどの上部を覆うパッシベーション層をエッチングして縦方向の溝を形成し、この溝内に於いて厚い金属層をめっきすることにより形成される。 - 特許庁

After an InP semiconductor 29 is grown for passivation, heat treatment 31 is conducted in a phosphor atmosphere, thus allowing the InP semiconductor grown on a semiconductor mesa to migrate.例文帳に追加

パッシベーションのためのＩｎＰ半導体２９を成長した後に、燐雰囲気中で熱処理３１を行うので、半導体メサ上に成長されたＩｎＰ半導体がマイグレートする。 - 特許庁

An aluminum film 20 covering the central part 15 of the respective aluminum electrodes 14 on the semiconductor substrate 10 so that it may reach the periphery of the opening 18 of the passivation film 16.例文帳に追加

半導体基板１０に、それぞれのアルミニウム電極１４の中央部１５を覆うアルミニウム膜２０を、パッシベーション膜１６の開口１８の周縁部に至るように形成する。 - 特許庁

The photoelectric conversion element 10 includes a substrate 11, a comb-shaped cathode electrode 12 and an anode electrode 13, an organic semiconductor layer 14 having photoelectric conversion function, and a surface passivation layer 15.例文帳に追加

光電変換素子１０は、基板１１、櫛歯状の陰極電極１２及び陽極電極１３、光電変換機能を有する有機半導体層１４、表面保護層１５を備える。 - 特許庁

In the method of fast hydrogen passivation to the solar cells, a negative bias pulse is applied to solar cells at a predetermined voltage, a predetermined frequency, and a predetermined pulse width while immersing the solar cells in a hydrogen plasma.例文帳に追加

本方法において、太陽電池を水素プラズマに浸漬する間に、負バイアスパルスが、所定の電圧、所定の周波数および所定のパルス幅で太陽電池に印加される。 - 特許庁

The surface of the light metal alloy is coated with a galvanic film containing Sn through a galvanic intermediate film, after steps of passivation cleaning and chemical metal coating.例文帳に追加

軽金属合金表面に対し不動態化洗浄工程および化学的金属被覆工程後にガルバニック中間被膜を介してＳｎを含有するガルバニック被膜が塗布される。 - 特許庁

The resin layer 30 is formed such that an end part 34 forming the second opening 32 in the surface on the passivation film 20 side is arranged on the inner side face 24 of the first opening 22.例文帳に追加

樹脂層３０は、パッシベーション膜２０側の面における第２の開口３２を形成する端部３４が第１の開口３２の内側面２４上に配置されるように形成されてなる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a back electrode solar cell capable of reducing a recombination current due to passivation properties on the light-receiving surface side by reducing the number of steps.例文帳に追加

工程数を低減して、受光面側のパッシベーション性に起因した再結合電流を低減することが可能な裏面電極型太陽電池の製造方法を提供する。 - 特許庁

Four layers of low-dielectric-constant film 4 and the same number layers of wiring 5 are formed alternatively on the upper surface of a semiconductor wafer 21, and a passivation film 7, made of silicon nitride or the like, is formed thereon.例文帳に追加

半導体ウエハ２１の上面に４層の低誘電率膜４および同数層の配線５を交互に形成し、その上に窒化シリコン等からなるパッシベーション膜７を形成する。 - 特許庁

A passivation film 14 of silicon nitride having thickness of about 1 μm is formed on the insulating film 12 and the p-side electrode 13 and a light emitting layer 15 emitting light having emission wavelength shorter than the wavelength corresponding to the energy gap of silicon constituting the semiconductor substrate 10 and containing a fluorescent material having luminous properties is formed on the passivation film 14.例文帳に追加

絶縁膜１２及びｐ側電極１３上には、膜厚が約１μｍの窒化シリコンからなるパッシベーション膜１４が形成され、該パッシベーション膜１４上には、発光波長が半導体基板１０を構成するシリコンのエネルギーギャップに相当する波長よりも短い発光光を発し且つ蓄光性を有する蛍光体材料を含む発光層１５が形成されている。 - 特許庁

In the electrostatic capacitance detecting type fingerprint reading sensor, the passivation film is formed into by accumulating silicone oxynitride a thick film by a PECVD method, a discharge layer is formed on the upper face of the passivation film, and a concentrated part of the electric field distribution is formed on one or two sets of discharge layers aligned in an opposed state out of discharge layers surrounding the four sides of the sensor electrodes.例文帳に追加

上記パシベーション膜はシリコンオキシナイトライドをＰＥＣＶＤ法により堆積させて膜厚に形成すると共に、パシベーション膜の上面に上記放電層を設け、更にセンサ電極の四辺を囲む放電層のうち対向状に並ぶ１又は２組の放電層に電界分布の集中部を形成するようにした静電気容量検知型指紋読取りセンサ。 - 特許庁

This semiconductor device is provided with an A1 alloy pad 12 formed on a layer insulating film 11, a passivation film 13 formed on this pad 12, an opening part, which is formed on this passivation film 13, positioned on the pad 12, an under bump metal layer 14 formed inside this opening part and a bump 19 formed on this under bump metal layer 14.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置は、層間絶縁膜１１上に形成されたＡｌ合金パッド１２と、このパッド１２上に形成されたパッシベーション膜１３と、このパッシベーション膜１３に形成された、パッド１２上に位置する開口部と、この開口部内に形成されたアンダーバンプメタル層１４と、このアンダーバンプメタル層１４上に形成されたバンプ１９と、を具備する。 - 特許庁

The method comprises a step of forming a passivation film on a semiconductor substrate surface having desired element regions and a wiring layer, a step of etching the passivation film to expose pad regions for external connections, and a step of etching the wiring layer surface with a liquid containing ammonium fluoride after that etching step.例文帳に追加

所望の素子領域および配線層の形成された半導体基板表面にパッシベーション膜を形成する工程と、外部接続を行うべきパッド領域を露呈せしめるべく、前記パッシベーション膜をエッチングするエッチング加工工程と、前記エッチング加工工程後、弗化アンモニウム含有液を用いて配線層表面をエッチングする工程とを含むことを特徴とする。 - 特許庁

The organic EL display panel contains a transparent substrate; one or more color conversion filter layers; a flattening layer covering the color conversion filter layers; a first electrode comprising a plurality of portions; a passivation layer; an organic EL layer; and a second electrode comprising a plurality of portions, and the fattening layer is covered with the first electrode and the passivation layer.例文帳に追加

透明基板と、１つまたは複数の色変換フィルタ層と、前記色変換フィルタ層を覆う平坦化層と、複数の部分からなる第１電極と、パッシベーション層と、有機ＥＬ層と、複数の部分からなる第２電極とを含み、前記第１電極および前記パッシベーション層により前記平坦化層が覆われていることを特徴とする有機ＥＬディスプレイパネル。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a semiconductor substrate 10, an electrode pad 14 formed above the semiconductor substrate 10, a passivation film 16 formed above the semiconductor substrate 10 and having an opening 18 for exposing at least part of the electrode pad 14, and a bump 20 formed above the semiconductor substrate 10 to cover the opening 18 in the passivation film 16 and its end.例文帳に追加

半導体装置は、半導体基板１０と、半導体基板１０の上方に形成された電極パッド１４と、電極パッド１４の少なくとも一部を露出させる開口１８を有し、半導体基板１０の上方に形成されたパッシベーション膜１６と、半導体基板１０の上方に、パッシベーション膜１６の開口１８及びその端部を覆うように形成されたバンプ２０とを含む。 - 特許庁

A layer can be formed by exposing the low-dielectric-constant layer to the plasma of an inert gas to densify the low-dielectric-constant layer, by exposing the low-dielectric-constant layer to nitrating plasma to form a passivation nitride surface 236 on the layer 234 or by depositing a thin passivation layer 236 on the low-dielectric-constant layer to reduce oxygen diffusion therein.例文帳に追加

層は、低誘電率の層を不活性ガスのプラズマに暴露して低誘電率の層を高密度化するか、低誘電率の層を硝化プラズマに暴露して層２３４上にパッシベーション窒化物表面２３６を形成するか、或いは低誘電率層２３４上に薄いパッシベーション層２３６を堆積してその中の酸素拡散を低減することにより、形成可能である。 - 特許庁

With this configuration, the side surfaces of first, second and third interlayer films 13, 15 and 17 and the passivation film 22 are each covered with a portion of the sealing resin layer 4 entering into the groove 31.例文帳に追加

これにより、第１層間膜１３、第２層間膜１５、第３層間膜１７およびパッシベーション膜２２の各側面は、封止樹脂層４の溝３１に入り込んだ部分によって被覆されている。 - 特許庁

Performing the above wet etching treatment leads to an improvement in the coating properties of the insulation film, wiring, and passivation film formed after the etching, after the backgrinding, thereby leading to an improvement in the yield and reliability of a semiconductor device.例文帳に追加

上記ウェットエッチング処理を行うことによって、バックグラインド後、エッチング後に形成される絶縁膜、配線、保護膜の被覆性が向上し半導体装置の歩留まり、信頼性の向上につながる。 - 特許庁

At this time, the two resistance bodies have the same resistance value and the same shape, the metal thin film is etched by using the etched insulating film for the mask as a mask and an insulating film for passivation is formed on the top surface.例文帳に追加

このとき２つの抵抗体は同じ抵抗値、同じ形になるようにし、エッチングしたマスク用絶縁膜をマスクとして、金属薄膜をエッチングし、表面にパッシベーション用の絶縁膜を成膜する。 - 特許庁

To provide an organic light-emitting device in which a crack or the like generated at removing of a passivation layer on an external connection terminal is prevented from developing with the elapse of time and moisture resistance of a light-emitting area is not impaired.例文帳に追加

外部接続端子上のパッシベーション層を除去する際に発生するクラック等が、経時的に進行することを抑え、発光エリアの防湿性を損なわない有機発光装置を提供する。 - 特許庁

Thus, the tapered shape of the side face (metal etching shape) of the patterned metal wiring 14 is intensified (the slope of the side face becomes gentle), and thereby the thickness of a passivation protective film covering the bent part 16 is increased.例文帳に追加

これにより、パターニングされた金属配線１４の側面（メタルエッチング形状）もテーパー形状が強くなる（側面が寝てくる）ため、屈曲部１６を覆うパッシベーション保護膜の膜厚が厚くなる。 - 特許庁

Cu metallization is treated to reduce defects and effect passivation, and to reduce leakage between lines, by removing surface defects subsequent to CMP and barrier layer removal.例文帳に追加

欠陥を減少させ、パッシベーションを行うために、またライン間の漏洩を減少させるため、Ｃｕメタライゼーションは、ＣＭＰおよび障壁層の除去に続いて表面の欠陥を除去することにより処理される。 - 特許庁

A pad via hole 3 is formed in a passivation film 2 formed on the uppermost wiring layer, a base barrier film 4 is formed on the part of this via hole 3 and a solder bump is provided on this film 4.例文帳に追加

最上層配線層１上に形成されたパッシベーション膜２にパッドビアホール３を形成し、このビアホール３の部分に下地バリア膜４を形成し、この下地バリア膜４上に、半田バンプ５を設ける。 - 特許庁

To obtain a resin sealed semiconductor device having a multilayer wiring structure in which a passivation film is protected against cracking due to a thermal stress being applied from resin to the surface of a semiconductor chip by temperature cycle.例文帳に追加

多層配線構造の樹脂封止型半導体装置において、温度サイクルによって樹脂から半導体チップ表面に加わる熱応力によるパッシベーション膜のクラック発生を防止する。 - 特許庁

A recessed part is formed inside the opening part 22 by anisotropic wet etching, and anisotropic dry etching is applied until the inner surface of the recessed part reaches the substrate surface while using the first passivation layer 20 as an etching stop layer.例文帳に追加

異方性ウエットエッチングにより、開口部２２の内側に凹部を形成し、第一のパッシベイション層２０をエッチングストップ層として、凹部の内面を基板表面に達するまで異方性ドライエッチングする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, which can prevent moisture in an atmosphere from penetrating inside via a protection film such as a passivation film, even if a semiconductor wafer is kept during a process and to provide the method.例文帳に追加

プロセス中に半導体ウエハを保管しても、パッシベーション膜などの保護膜を介して雰囲気中の水分が内部に浸透することを防止できる半導体装置及びその方法を提供する。 - 特許庁

In one embodiment, passivation layers (32, 54) are formed by electroless deposition to protect the underlying conductive regions (44, 48a, 48b, 30) from being penetrated from the air gaps (74).例文帳に追加

一実施形態では、パッシベーション膜（３２および５４）が無電解めっきによって形成され、下層にある導電性領域（４４，４８ａ，４８ｂ，および３０）をエアギャップ（７４）が貫通するのを保護する。 - 特許庁

Next, a first resist layer 27 opening on the fuse layer 18T is used as a mask to etch the second passivation film 26 to a midpoint in the thickness direction of a third insulating film on the fuse layer 18T.例文帳に追加

次に、ヒューズ層１８Ｔ上で開口する第１のレジスト層２７をマスクとして、ヒューズ層１８Ｔ上で第２のパッシベーション膜２６から第３の絶縁膜の厚さ方向の途中までをエッチングする。 - 特許庁

In the upper part of a memory cell region where a transistor array of the stack type gate structure including a stray gate is formed, a barrier including Ti covering the memory cell region is formed and a passivation layer is also formed at the upper part thereof.例文帳に追加

浮遊ゲートを持つスタック型ゲート構造のトランジスタアレイが形成されたメモリセル領域の上方に、メモリセル領域を覆うＴｉ含有バリアを形成し、その上方にパッシベーション層を形成する。 - 特許庁

In a functional element region 2, an upper wiring 29 connected to a lower wiring 25 and a cap metal layer 32 are formed between the surface of a third interlayer insulating film 27 and a passivation film 33.例文帳に追加

機能素子領域２においては、第３層間絶縁膜２７表面とパッシベーション膜３３との間には、下配線２５に接続される上配線２９およびキャップメタル層３２が形成されている。 - 特許庁

The pixel selection transistor TR1 having an active layer 12, a gate insulation film 13 and a gate electrode 14 is formed on a substrate 10, and an inter-layer insulation film 16 and a passivation film 17 are stacked thereon.例文帳に追加

基板１０上に、能動層１２、ゲート絶縁膜１３、ゲート電極１４を備えた画素選択トランジスタＴＲ１が形成され、この上に層間絶縁膜１６、パッシベーション膜１７が積層されている。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a metal separator enabling grinding of a surface rolling influence layer of a base material and at the same time applying a passivation treatment on a newborn face obtained.例文帳に追加

母材の表面圧延影響層の研削と同時に、ここで得られた新生面に対して不動態化処理を施すことを可能とした燃料電池用金属製セパレータの製造方法を提供する。 - 特許庁