「Passivation」に関連した英語例文の一覧と使い方(17ページ目) - Weblio英語例文検索

There are hardly contains crystallized grain boundaries or defects in the amorphous layer 42_2, and also hardly defects in the passivation coat 42_3 formed over the amorphous layer so that the presence of such passive coat 42_3 restrains whiskers from occurring.例文帳に追加

アモルファス層４２_２は結晶粒界や欠陥がほとんどなく、その上に形成される不動態被膜４２_３も欠陥がほとんどなく、このような不動態被膜４２_３の存在によってウイスカの発生を抑制する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a photoelectric conversion device which can reduce the number of manufacturing steps of a photoelectric conversion device having an impurity region on the side surface of a semiconductor substrate covered with a passivation film.例文帳に追加

パッシベーション膜で覆われた半導体基板の側面に不純物領域を有する光電変換装置の製造工程数を少なくすることの可能な光電変換装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

An electric element (for example, inductor, capacitor, or resistor) is additionally formed on a passivation layer or a thick polymer layer.例文帳に追加

本発明は、高品質の電気素子(例えばインダクター、コンデンサ、または抵抗器)をパッシベーション層の上に又は厚いポリマー層の表面上にさらに作製することによって、本一部継続出願の特許請求の範囲を拡大している。 - 特許庁

A polisilicon film 17 is formed to cover the lower electrodes 11a and 11b, the dummy pattern 12 and the insulating film 8 formed thereon, and a cap passivation film is formed on the polisilicon film 17.例文帳に追加

下部電極１１ａ，１１ｂおよびダミーパターン１２とそられの上に形成された絶縁膜８を覆うように多結晶シリコン膜１７を形成し、多結晶シリコン膜１７上にキャップ保護膜を形成する。 - 特許庁

By having ion implantation in a substrate having the passivation layer 112, an ROM code programming step is conducted.例文帳に追加

そして、このパッシベーション層１１２を選択的に食刻してボンディングパッドを露出する工程を実行してから、パッシベーション層１１２が形成された基板にイオン注入を実行することでＲＯＭコードプログラミング工程を行う。 - 特許庁

To provide a multilayer conductive film provided with an oxide thin film, having superior passivation properties, not impairing reflection property of Ag, having proper conductivity, and being not hindering the injection of carriers into a material laminated thereon.例文帳に追加

パッシベーション性に優れ、Ａｇの反射特性を損なわず、適度な導電性を有し、かつこの上に積層される材料へのキャリアの注入を阻害しない、酸化物薄膜を設けた多層導電膜を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which the occurrence of porosity is prevented in a passivation film structure provided on wiring so as to prevent the defective operation of a circuit induced by capacity fluctuation between wirings.例文帳に追加

デバイスの雰囲気、特に湿度による配線間容量変動が誘起する回路動作不具合を防止するために、配線上のパッシベーション膜構造中に鬆が生じない半導体装置およびその製造方法を得る。 - 特許庁

To provide the oxidation of a Cu surface, the diffusion of Cu to an adjoining oxide film, or the alteration of the Cu surface when forming a passivation portion of a semiconductor device using Cu wiring as multiple layer wiring.例文帳に追加

多層配線としてＣｕ配線を用いる半導体装置のパッシベーション部の形成時に、Ｃｕ表面の酸化や、隣接する酸化膜に対するＣｕの拡散あるいはＣｕ表面の変質を防止すること。 - 特許庁

A transparent conductive film TCF for which an ITO is suitable is formed in an upper layer of the insulating film consisting of the gate insulating film GI and the passivation film PAS including the dent on the upper surface of the wiring inspection terminal GL-P.例文帳に追加

配線検査用端子ＧＬ−Ｐの上面の凹部を含んでゲート絶縁膜ＧＩと保護膜ＰＡＳからなる絶縁膜の上層にＩＴＯを好適とする透明導電膜ＴＣＦが形成される。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an organic EL display capable of stably maintaining excellent light-emitting characteristics for a long time by forming a passivation layer with good optical transmission and superior moistureproof performance.例文帳に追加

光透過性が高く且つ防湿性に優れたパッシベーション層を形成することで、優れた発光特性を長期にわたって安定して維持することができる有機ＥＬディスプレイの製造方法を提供する。 - 特許庁

A conductive layer 9 is formed so that it covers the end face of a semiconductor chip, namely, it is in contact with a back surface electrode 7, entirely covers the end face of an n^+-type substrate 1 and an n^--type drift layer 2, and reaches a passivation film 6.例文帳に追加

半導体チップの端面を覆うように、すなわち裏面電極７と接し、ｎ^+型基板１およびｎ^-型ドリフト層２の端面を全面覆い、かつ、パッシベーション膜６に至るように導体層９を形成する。 - 特許庁

The passivation film 109 of an upper portion of the multi-layer structure of the inter layer insulating films 105 to 109 has an opening on the seal ring 104 and a cap layer 125 connecting with the seal ring 104 is formed on the opening.例文帳に追加

層間絶縁膜１０５〜１０９の積層構造上のパッシベーション膜１０９はシールリング１０４上に開口部を有すると共に該開口部にはシールリング１０４と接続するキャップ層１２５が形成されている。 - 特許庁

A passivation film 109 on the stacked structure of the interlayer insulating films 105 to 109 has an opening on the seal ring 104, while a cap layer 125 connecting to the seal ring 104 is formed in the opening.例文帳に追加

層間絶縁膜１０５〜１０９の積層構造上のパッシベーション膜１０９はシールリング１０４上に開口部を有すると共に該開口部にはシールリング１０４と接続するキャップ層１２５が形成されている。 - 特許庁

To provide an organic EL element having a passivation film having water vapor barrier properties and transparency higher than those of silicon nitride (SiN_x) single-layer film or usual silicon oxide nitride (SiO_xN_y) film, and to provide a color filter.例文帳に追加

窒化珪素（ＳｉＮｘ）の単層膜や通常の窒化酸化珪素（ＳｉＯｘＮｙ）膜より高い水蒸気バリア性と透明性を有するパッシベーション膜を有する有機ＥＬ素子及びカラーフィルターを提供する。 - 特許庁

The part of the low-dielectric-constant film-wiring laminated structure part 3 where the wiring 5 is arranged is provided in a groove 6 in a plane rectangular frame shape, and a passivation film 8 made of silicon oxide etc., is provided thereupon.例文帳に追加

低誘電率膜配線積層構造部３のうち配線５が配置された部分は平面方形枠状の溝６内に設けられ、その上には酸化シリコン等からなるパッシベーション膜８が設けられている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a passivation film covering a copper wiring while promoting cost saving by using an inorganic material and avoiding cracks due to stress concentration, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

無機材料を用いてコストの低減を図りながら、応力集中によるクラックを回避しつつ、銅配線を覆うことができるパッシベーション膜を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To obtain a photovoltaic power device having a structure to indicate the excellent passivation effect without reducing the quality of a silicon substrate, in the photovoltaic power device which is manufactured not only from a monocrystal substrate but also from a polycrystal substrate.例文帳に追加

単結晶基板だけでなく、多結晶基板から製造する光起電力装置において、シリコン基板の品質を低下させることなく、良好なパッシベーション効果を示す構造の光起電力装置を得ること。 - 特許庁

The first layer 22 is formed of a material containing Ti and W and coming in contact with the electrode 14, passivation layer 16, and resin projection 18 and has a film thickness of 300 to 1,000 Å.例文帳に追加

第１の層２２は、電極１４、パッシベーション膜１６及び樹脂突起１８に接触し、Ｔｉ及びＷを含む材料から形成され、３００Å以上１０００Å以下の膜厚を有する。 - 特許庁

To provide a non-cyanogen-based gold electroplating bath capable of solving depressions on a gold plating film generated by a passivation level difference, and attaining sufficient adhesive strength by beads such as gold beads and solder beads.例文帳に追加

パッシベーション段差に起因して発生した金めっき皮膜上の凹みを解消して金ビーズ、半田ビーズ等のビーズによる十分な密着強度を達成できる非シアン系電解金めっき浴を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a semiconductor chip 10 with an integrated circuit 12 comprising a plurality of layers of wiring pattern which are formed thereon and a passivation film 30 covering a wiring pattern 20 on the uppermost layer excluding a part thereof.例文帳に追加

半導体装置は、複数層の配線パターンを含む集積回路１２が形成されてなる半導体チップ１０と、最上層の配線パターン２０をその一部を除いて覆うパッシベーション膜３０と、を含む。 - 特許庁

The element surface of the semiconductor chip 6 is faced to the flexible substrate 1, and the protruding electrodes 7 disposed on the element surface smash through the passivation film 5 such that the electric continuity between the protruding electrodes 7 and the inner connecting electrodes 4 is attained.例文帳に追加

半導体チップ６の素子面をフレキシブル基板１に対向させ、素子面に設けられた突起電極７に保護膜５を突き破らせることにより、突起電極７と内部接続電極４との導通を得る。 - 特許庁

First, the interface layer is formed on the substrate surface for which hydrogen passivation has been carried out, and after, a high-k film is formed by depositing one or more high-k dielectric films on the interface layer.例文帳に追加

また、最初に、水素パッシベート基板の表面上に界面層を形成し、その後、１つ以上のｈｉｇｈ−ｋ誘電体膜を堆積することによって、ｈｉｇｈ−ｋ膜を形成する方法が提供される。 - 特許庁

To provide a semiconductor device where coverage of a seed layer for electrolytic plating is made sufficient even in a product having a passivation film and a protection film, and uniform bump electrodes can be formed, and to provide a manufacturing method of the device.例文帳に追加

パッシベーション膜にさらに保護膜を有する製品でも電解めっきのためのシード層のカバレッジを良好にし、一様なバンプ電極の形成が実現できる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Aluminum gate wiring 32 is disposed in a groove 30 for gate wiring formed in the silicon substrate 10 from its top surface side, electrically connected to the polysilicon gate electrode 17, and coated with a passivation film 33.例文帳に追加

アルミゲート配線３２が、シリコン基板１０の上面側から作り込まれたゲート配線用溝３０内に配置されるとともにポリシリコンゲート電極１７と電気的に接続され、パッシベーション膜３３にて被覆されている。 - 特許庁

Conductive particles 4 are connected by metallic bonding with the electrode pads 2 of a bumpless semiconductor device provided with the electrode pads 2 on the surface and a passivation film 3 around the electrode pads 2.例文帳に追加

表面に電極パッド２が設けられ、電極パッド２の周囲にはパッシベーション膜３が設けられているバンプレス半導体装置の当該電極パッド２に、導電性粒子４を金属結合により接続する。 - 特許庁

[2] The insulating membrane, photoresist membrane or passivation membrane formed by using the above liquid for forming the membrane is also provided.例文帳に追加

（Ａ）芳香族環を主鎖に有するポリマー、（Ｂ）フェニルエーテル類、（Ｃ）２０℃、大気圧下における粘度が１．０ｃＰ以下である有機溶媒 〔２〕前記の膜形成用塗布液を用いて形成されてなる絶縁膜、フォトレジスト膜またはパッシベーション膜。 - 特許庁

To solve problems present in the conventional passivation technology for solar cells that a thermal oxide film requires high temperature which greatly affects the substrate and that hydrogen plasma or hydrogen annealing requires much cost for facilities.例文帳に追加

従来の太陽電池に用いられているパッシベーション技術における、熱酸化膜では高温度が必要で、基板への熱的影響が大きく、水素プラズマや水素アニールでは設備費用が高価になる課題を解決する。 - 特許庁

The diode comprises a Group III nitride heterojunction diode with a p-type Group III nitride contact layer 14, and ohmic contact 16 to the p-type contact layer, and a passivation layer 17 on the ohmic contact.例文帳に追加

ｐ型第ＩＩＩ族窒化物接触層１４を有する第ＩＩＩ族窒化物ヘテロ接合ダイオード、前記ｐ型接触層に対するオーミック接触１６、及び前記オーミック接触上のパシベーション層１７を含む。 - 特許庁

To provide a water treatment apparatus capable of preventing excessive electrolysis when a user is absent for a long period of time to extend the life of electrodes and capable of preventing passivation to keep the constant capacity of the electrodes.例文帳に追加

使用者が長期不在の場合に、余分な電解を防止して電極の寿命を延ばすことができるとともに、不動態化を防止して電極の一定性能を維持することのできる水処理装置を提供する。 - 特許庁

On the interconnection layer 16 in the pad region 11, the electrode pad 17 is provided as connected electrically with the Cu interconnection 15 in the element region 12 by a lead-out wire 20 insulated with the passivation film 18.例文帳に追加

パッド領域１１内の配線層１６上には、パッシベーション膜１８で絶縁された引き出し配線２０で素子領域１２内のＣｕ配線１５と電気的に接続された電極パッド１７が設けられている。 - 特許庁

The EL panel 10 of a preferable embodiment has a structure of a substrate 2, an EL element 4, a passivation film 5 provided on the upper surface, a protective layer 6 covering the EL element 4, and a sealing plate 8 in this order.例文帳に追加

好適な実施形態のＥＬパネル１０は、基板２、ＥＬ素子４、その上面に設けられたパッシベーション膜５、ＥＬ素子４を覆う保護層６、及び、封止板８をこの順に備えた構成を有している。 - 特許庁

This semiconductor device is equipped with a Ti film 15 formed on a SiO2 film 13, a TiN film 16 formed on the Ti film 15, an Al pad portion 17 formed on the TiN film 16, a passivation film 21 formed on the Al pad portion 17 and the SiO2 film 13, and a pad opening which is formed in the passivation film 21 and is positioned above the Al pad portion 17.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置は、ＳｉＯ_2膜１３上に形成されたＴｉ膜１５と、前記Ｔｉ膜１５上に形成されたＴｉＮ膜１６と、前記ＴｉＮ膜１６上に形成されたＡｌパッド部１７と、前記Ａｌパッド部１７及び前記ＳｉＯ_2膜１３の上に形成されたパッシベーション膜２１と、前記パッシベーション膜２１に形成された、前記Ａｌパッド部１７上に位置するパッド開口部と、を具備するものである。 - 特許庁

To provide a composition having hygroscopicity, capable of easily regenerating (80-200°C) hygroscopicity, and not causing corrosion of other members of an element (e.g. a passivation film or a light-emitting material layer), and to provide a cured product obtained from the composition.例文帳に追加

吸湿性を有し、容易に（８０〜２００℃）吸湿性を再生することができ、素子の他の部材（たとえば、パッシベーション膜や発光材料層など）を腐食せしない組成物、ならびに該組成物から得られる硬化物を提供すること。 - 特許庁

In the method of measuring the lifetime of a silicon wafer by a microwave light electric conductive vibration decay method, the electric charge charged on the silicon wafer surface is maintained in the fixed state by performing chemical passivation processing so as to control surface recombination.例文帳に追加

シリコンウェーハをマイクロ波光導電減衰法によりライフタイムを測定する方法において、表面再結合を抑制するためにケミカルパシベーション処理し、シリコンウェーハ表面に帯電した電荷を一定状態に維持する。 - 特許庁

To provide a hetero-junction semiconductor device which is equipped with a passivation film and capable of inhibiting a leakage current that occurs at the end face of a junction between semiconductor layers, and solving problems, such as moisture invasions, a lack of heat dissipation, etc, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

半導体層間の接合の端面におけるリーク電流を抑え、かつ、水分の侵入や放熱不足の問題を解消できるパッシベーション膜を備えたヘテロ接合半導体装置及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

After the formation of the channel part and before the formation of the passivation insulation film 7, a first plasma treatment 16 is executed by using a first gas (gaseous oxygen, for instance) and a second plasma treatment 17 is executed further by using a second gas (gaseous hydrogen, for instance).例文帳に追加

チャネル部の形成後、パッシベーション絶縁膜７の成膜前に、第１のガス（例えば、酸素ガス）を用いて第１のプラズマ処理１６を施し、さらに、第２のガス（例えば、水素ガス）を用いて第２のプラズマ処理１７を施す。 - 特許庁

To prevent a defective overlap-type TCP semiconductor device caused by damage to a passivation film or an oxide film by a method, wherein stress is less developed on the primary surface of a semiconductor chip in a stage where potting resin is cured.例文帳に追加

オーバーラップ型ＴＣＰ半導体装置において、ポッティング樹脂のキュアの段階で発生する半導体チップ主面への応力を低減し、これによってパッシベーション膜や酸化膜が破壊されることによるチップの不良を防止する。 - 特許庁

An insulator (at least a third passivation film 30) which covers at least the ring 60 and area 1S is provide and a stress propagation interrupting groove 31D is formed into the insulator on the ring 60.例文帳に追加

少なくともシールリング６０上及びスクライブエリア１Ｓ上を覆う絶縁体（少なくとも第３層目のパッシベーション膜３０）が配設され、この絶縁体にはシールリング６０上において応力伝播遮断溝３１Ｄが配設されている。 - 特許庁

A region where a pixel electrode 55 is formed has a transmission region 50A and a reflection region 50B and a passivation film 64 is formed on a switching element formed in the reflection region 50B and on the transmission region 50A.例文帳に追加

画素電極５５が形成される領域は、透過領域５０Ａと反射領域５０Ｂとを有し、反射領域５０Ｂに形成されたスイッチング素子および透過領域５０Ａ上には、パッシベーション膜６４が形成される。 - 特許庁

A conductive bump construction for IC (Integrated Circuit) construction has a passivation layer such as silicon oxide/nitride silicon stack, which is formed on each upper surface of IC conductive contact pads (e.g., Al pads).例文帳に追加

集積回路（ＩＣ）構成体用の導電性バンプ構成体が、シリコン酸化物／窒化シリコンスタック等のパッシベーション層を有しており、それはＩＣの導電性コンタクトパッド（例えば、Ａｌパッド）の各々の上表面上に形成されている。 - 特許庁

The surface-emitting laser element 10 has a substrate 1, reflecting layers 2, 6, cavity spacer layers 3, 5, an active layer 4, a selectively oxidized layer 7, a contact layer 8, a passivation film 9, a wiring electrode 11, and an n-side electrode 12.例文帳に追加

面発光レーザ素子１０は、基板１と、反射層２，６と、共振器スペーサー層３，５と、活性層４と、選択酸化層７と、コンタクト層８と、パッシベーション膜９と、配線電極１１と、ｎ側電極１２とを備える。 - 特許庁

Furthermore, when a dicing region is diced, stress is hard to transmit up to the passivation film 120 on the circuit formation region due to existence of the opening part 123, and can be prevented from cracking in the circuit formation region.例文帳に追加

さらに、開口部１２３の存在により、ダイシング領域をダイシングする際の応力は回路形成領域上のパッシベーション膜１２０にまで伝り難く、回路形成領域にクラックが入ってしまうことを防止することができる。 - 特許庁

A passivation film 20' facing circuit elements is formed on the main surface 12a of a wafer semiconductor chip 12' having the circuit elements so as to expose a first region 30 along the end of the main surface out of main surfaces.例文帳に追加

回路素子を具えるウェハ状の半導体チップ１２’の主表面１２ａ上に、回路素子と対向するパッシベーション膜２０’を、主表面のうち該主表面の端に沿う第１の領域３０を露出させるように形成する。 - 特許庁

The lateral HEMT further includes at least one field plate, the at least one field plate being arranged at least partially on the passivation layer in a region of the drift region, and including a lateral width w_f, wherein w_f<w_d.例文帳に追加

横型ＨＥＭＴはさらに、少なくとも１つのフィールドプレートを有し、少なくとも１つのフィールドプレートが、ドリフト領域の領域でパッシベーション層の上に少なくとも部分的に配置され、横幅ｗ_ｆを含み、ｗ_ｆ＜ｗ_ｄである。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an electrode and a device of manufacturing a photoelectric conversion element improving the characteristics of the photoelectric conversion element by annealing a back electrode portion and a back passivation film at mutually different optimum temperatures.例文帳に追加

裏面電極部と裏面パッシベーション膜とを、互いに異なる最適な温度でアニールすることにより、光電変換素子の特性を向上させることができる電極の製造方法と、光電変換素子の製造装置とを提供する。 - 特許庁